封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片

技术领域

本发明涉及封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片。

背景技术

使用将半导体器件芯片搭载于金属框体(引线框架)并利用模制树脂进行密封而得的封装基板(QFN封装基板)。在QFN封装基板的正面上通常按照沿着分割预定线(间隔道)露出的方式设置有由铜(Cu)形成的多个电极。多个电极分别在QFN封装基板的内部经由线等分别与器件芯片连接。

利用切削刀具沿着分割预定线将多个电极分割并将QFN封装基板切断，由此形成QFN封装芯片(例如参照专利文献1)。在这样形成的QFN封装芯片的侧部，铜制的电极露出。

专利文献1：日本特开2018-206995号公报

铜制的电极容易氧化，而且一旦氧化，则焊锡润湿特性降低。当焊锡润湿特性降低时，QFN封装芯片的电极难以借助焊锡固定于印刷基板等布线基板上。

因此，为了防止焊锡润湿特性的降低，已知有对铜制的电极中的至少在QFN封装芯片的侧部露出的部分实施镀覆处理的所谓的可润湿侧翼(wettable flank)。通过实施镀覆处理，铜制的电极与布线基板的焊锡接合部分的机械强度得到强化。在该情况下，在利用切削刀具将电极半切割而在电极上形成侧面然后对电极的正面和侧面实施了镀覆处理之后，利用薄的刀具对切削槽的中央进行切削而分割成各个封装芯片。

但是，在以规定的深度对电极进行半切割的情况下，封装基板存在厚度偏差及翘曲，因此难以形成高精度的切入深度的槽，当对金属进行半切割时，存在容易产生切削刀具的堵塞、电极(金属)的毛刺这样的多个课题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供能够放宽对切入深度的精度的要求的封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片。

根据本发明的一个方式，提供封装基板，其是将搭载于框架的器件芯片利用模制树脂进行包覆而得的，其中，该封装基板包含：金属制的引线框架，其具有沿着将配置该器件芯片的支承部划分的分割预定线的格子状的第1框部以及从该第1框部向两侧延伸的多个第1电极部；连接框架，其与该引线框架的配设该器件芯片的那侧重叠，具有沿着该分割预定线的格子状的第2框部以及从该第2框部朝向两侧延伸的多个第2电极部；以及所述模制树脂，其将与该引线框架的该第1电极部电连接而配设的该器件芯片和该连接框架覆盖，该第2电极部的前端呈凸状形成而与该引线框架的该第1电极部连接，在对将该第1电极部从该第1框部切断而形成的该第1电极部的截面实施电场镀覆处理时，该连接框架形成电极。

根据本发明的另一方式，提供封装基板的加工方法，该封装基板是将搭载于框架的器件芯片利用模制树脂进行包覆而得的，其中，该封装基板包含：金属制的引线框架，其具有沿着将配置该器件芯片的支承部划分的分割预定线的格子状的第1框部以及从该第1框部向两侧延伸的多个第1电极部；连接框架，其与该引线框架的配设该器件芯片的那侧重叠，具有沿着该分割预定线的格子状的第2框部以及从该第2框部朝向两侧延伸的多个第2电极部；以及所述模制树脂，其将与该引线框架的该第1电极部电连接而配设的该器件芯片和该连接框架覆盖，该封装基板的加工方法包含如下的步骤：切削槽形成步骤，沿着该封装基板的露出有该引线框架的正面侧的该分割预定线使第1切削刀具切入该引线框架的该第1框部，形成深度未到达该模制树脂所覆盖的该连接框架的切削槽，使通过对该第1框部进行切削而切断的该第1电极部的切断面在该切削槽露出；镀覆处理步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，经由该连接框架而对切断的该第1电极部施加电压，通过电场镀覆而利用镀覆层将该第1电极部的露出的面包覆；分割步骤，在实施了该镀覆处理步骤之后，利用比该第1切削刀具薄的第2切削刀具对该切削槽的中央进行切削，将该连接框架和该模制树脂切断而分割成各个封装芯片；以及焊锡固定步骤，使该封装芯片的该正面侧与作为搭载目标的布线基板面对而配置，将该封装芯片的经镀覆处理的该第1电极部与该布线基板的电极利用焊锡进行连接。

根据本发明的又一方式，提供封装芯片，其是将金属制的引线框架的支承部上所搭载的器件芯片利用模制树脂进行包覆而得的，其中，该封装芯片的露出有该支承部的正面与该封装芯片的侧面通过规定的高度和宽度的阶梯差部而连接，与该器件芯片电连接的该引线框架的第1电极部在该正面和该阶梯差部的与该正面连续的面露出，在从该阶梯差部向该封装芯片的背面连续的侧面上，连接框架的第2电极部的截面露出，其中，该第2电极部的端部与该第1电极部连接，在该第1电极部上包覆有镀覆层，在该连接框架的第2电极部上未包覆镀覆层。

根据本发明的各方式，起到能够放宽对切入深度的精度的要求的效果。

附图说明

图1是示意性示出第1实施方式的封装基板的俯视图。

图2是图1所示的封装基板的侧视图。

图3是图1所示的封装基板的背面侧的俯视图。

图4是示意性示出通过将图1所示的封装基板分割而得到的封装芯片的立体图。

图5是示出构成图1所示的封装基板的框架的引线框架的主要部分的俯视图。

图6是示出构成图1所示的封装基板的框架的连接框架的主要部分的俯视图。

图7是示出图1所示的封装基板的框架的主要部分的俯视图。

图8是沿着图7中的VIII-VIII线的剖视图。

图9是示出在图8所示的框架上搭载有器件芯片的状态的剖视图。

图10是示出将图9所示的器件芯片利用模制树脂包覆的状态的剖视图。

图11是示出第1实施方式的封装基板的加工方法的流程的流程图。

图12是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的切削槽形成步骤的剖视图。

图13是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的镀覆处理步骤后的封装基板的剖视图。

图14是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的分割步骤的剖视图。

图15是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的焊锡固定步骤的剖视图。

标号说明

1：封装基板；2：封装芯片；3：框架；6：分割预定线；7：支承部；8：器件芯片；9：正面；10：背面；12：模制树脂；14：侧面；15：阶梯差部；16：镀覆层；19：切削槽；20：布线基板；21：电极；22：焊锡；31：引线框架；32：连接框架；33：第1框部；34：第1电极部；36：第2框部；37：第2电极部；41：第1切削刀具；51：第2切削刀具；151：第2侧面(与正面连接的面)；341：切断面(截面)；371：切断面(截面)；1001：切削槽形成步骤；1002：镀覆处理步骤；1003：分割步骤；1004：焊锡固定步骤。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。

[第1实施方式]

根据附图，对本发明的第1实施方式的封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片进行说明。图1是示意性示出第1实施方式的封装基板的俯视图。图2是图1所示的封装基板的侧视图。图3是图1所示的封装基板的背面侧的俯视图。图4是示意性示出通过将图1所示的封装基板分割而得到的封装芯片的立体图。图5是示出构成图1所示的封装基板的框架的引线框架的主要部分的俯视图。图6是示出构成图1所示的封装基板的框架的连接框架的主要部分的俯视图。图7是示出图1所示的封装基板的框架的主要部分的俯视图。图8是沿着图7中的VIII-VIII线的剖视图。图9是示出在图8所示的框架上搭载有器件芯片的状态的剖视图。图10是示出将图9所示的器件芯片利用模制树脂包覆的状态的剖视图。

(封装基板)

对第1实施方式的图1、图2和图3所示的封装基板1实施切削加工等而分割成图4所示的各个封装芯片2。封装基板1是将搭载于金属制的框架3的器件芯片8利用模制树脂12包覆而得的所谓的QFN(Quad Flat Non-leaded Package，四侧无引脚扁平封装)封装基板。

如图1所示，第1实施方式的封装基板1的平面形状形成为矩形的平板状。封装基板1具有矩形的平板状的框架3，在框架3上具有器件区域4和围绕器件区域4的外周剩余区域5。框架3由包含铜的金属(即铜合金)等金属形成。

在器件区域4中设定有相互交叉的多条分割预定线6。相互交叉的多条分割预定线6中的一方的分割预定线6在与框架3的长度方向平行的方向上延伸，另一方的分割预定线6在与框架3的长度方向垂直且与框架3的宽度方向平行的方向上延伸。在由这些相互交叉的多条分割预定线6划分的支承部7上配设有器件芯片8。分割预定线6设定成贯通框架3。支承部7由框架3的一部分构成，在正面9的相反侧的背面10(图3等所示)侧配设有器件芯片8。另外，框架3的正面9也是封装基板1和封装芯片2的正面9。在各分割预定线6上设置有用于将封装芯片2连接于布线基板等的电极11。

电极11由框架3的一部分构成，在第1实施方式中，分别设置于分割预定线6的宽度方向的中央，并且在与各分割预定线6垂直的方向上呈直线状形成。电极11通过图9所示的线18等与器件芯片8连接。

在第1实施方式中，器件区域4在框架3的长度方向上隔开间隔而配设有多个(在第1实施方式中为3个)。外周剩余区域5是未配设器件芯片8的区域，由框架3构成，围绕各器件区域4的整周，并且将相互相邻的器件区域4彼此连结。

另外，如图2和图3所示，封装基板1具有将各器件区域4的背面10侧密封(包覆)的模制树脂12。模制树脂12由热塑性树脂形成，将配设于框架3的支承部7的背面10的器件芯片8和线18密封(包覆)，并且填充至分割预定线6内。模制树脂12在框架3的背面10侧将各器件区域4整体密封(包覆)。模制树脂12按照配设有器件芯片8的支承部7和电极11在框架3的正面9侧露出的状态将分割预定线6内密封。

对于封装基板1，将各器件区域4的各分割预定线6的宽度方向的中央切断而分割成图4所示的各个封装芯片2。这样，第1实施方式的封装基板1是在分割预定线6上配置有由金属形成的电极11的QFN封装基板。不过，不限于此，封装基板1也可以是CSP(Chip ScalePackaging，芯片规模封装)基板等。另外，在第1实施方式中，从封装基板1分割的封装芯片2是各边的长度为1mm×1mm左右的大小，是芯片尺寸小的小芯片。

另外，在第1实施方式中，如图1所示，封装基板1在框架3的正面9的分割预定线6的两端部设置有示出切削加工时的分割预定线6的切削位置的对准用的标记13。在第1实施方式中，对准用的标记13配置于各分割预定线6的宽度方向的中央的位置，配置于各分割预定线6的沿着长度方向的两端部的位置。

关于通过将封装基板1分割而制造的封装芯片2，搭载于金属制的框架3的支承部7的器件芯片8被模制树脂12包覆。如图4所示，封装芯片2具有：框架3的支承部7；配设于支承部7的背面10上的器件芯片8；电极11；以及模制树脂12。模制树脂12在使支承部7的正面9和电极11露出的状态下将器件芯片8等密封。

另外，在第1实施方式的封装芯片2中，封装芯片2的露出有支承部7的正面9与封装芯片2的各侧面14通过规定的宽度和高度的阶梯差部15而连接。阶梯差部15按照沿着正面9的整周与所有的侧面14连接的方式形成。阶梯差部15具有：平坦的第2侧面151，其设置于正面9侧，与侧面14平行且与正面9和背面10这双方垂直；平坦面152，其与第2侧面151和侧面14相连；以及连接部，其将第2侧面151与平坦面152连接。平坦面152沿着正面9和背面10这双方平坦地形成。阶梯差部15的高度预先在设计阶段等进行设定，设定成小于电极11的厚度的规定的深度。

另外，封装芯片2在电极11的正面上具有由金属形成的镀覆层16(图13所示)。镀覆层16提高将封装芯片2向布线基板20(图15所示)固定的焊锡22(图15所示)的相对于电极11的润湿性。封装芯片2通过焊锡22将电极11固定于布线基板20的电极21而安装于布线基板20。另外，在图4中，省略了镀覆层16。

另外，如图2所示，第1实施方式的封装基板1的框架3具有引线框架31以及与引线框架31重叠的连接框架32。引线框架31和连接框架32由包含铜的金属(即铜合金)等金属形成即为金属制。另外，对引线框架31和连接框架32的与框架3相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。引线框架31配置于框架3的正面9侧，连接框架32配置于框架3的背面10侧。

如图5所示，引线框架31一体地具有多个支承部7、多个第1框部33、多个第1电极部34、以及构成外周剩余区域5的未图示的剩余区域构成部。第1框部33形成为沿着将供器件芯片8配置的支承部7划分的分割预定线6的格子状。第1框部33配置于各支承部7的周围。另外，在图1中，省略了第1框部33。第1框部33与分割预定线6平行地形成为直线状。第1框部33配置于分割预定线6的宽度方向的中央。另外，第1框部33通过连接片35与支承部7连结。配置于多条分割预定线6中的各器件区域4的最外缘的分割预定线6的第1框部33与剩余区域构成部相连。第1框部33的宽度小于分割预定线6的宽度。

第1电极部34从第1框部33向第1框部33的宽度方向的两侧呈直线状延伸。第1电极部34配置于分割预定线6内，前端从支承部7隔开间隔而配置。第1电极部34在前端连接线18而与器件芯片8电连接。第1电极部34构成上述电极11。在第1实施方式中，引线框架31在支承部7、第1框部33以及第1电极部34形成为相同的厚度。

如图6所示，连接框架32一体地具有多个第2框部36、多个第2电极部37、以及构成外周剩余区域5的未图示的剩余区域构成部。第2框部36与引线框架31的第1框部33的配置器件芯片8的那侧重叠，形成为沿着分割预定线6的格子状。第2框部36形成为与分割预定线6平行的直线状。第2框部36配置于分割预定线6的宽度方向的中央。配置于多条分割预定线6中的各器件区域4的最外缘的分割预定线6的第2框部36与剩余区域构成部相连。第2框部36的宽度小于分割预定线6的宽度。

第2电极部37从第2框部36向第2框部36的宽度方向的两侧呈直线状延伸。第2电极部37配置于分割预定线6内，前端与支承部7隔开间隔而配置。与第1电极部34的前端相比，第2电极部37的前端配置于更靠第2框部36的位置。第2电极部37与引线框架31的第1电极部34的配置器件芯片8的那侧重叠，与第1电极部34电连接。

这样，如图7和图8所示，配置于正面9侧的引线框架31的第1框部33与配置于背面10侧的连接框架32的第2框部36相互重叠且第1电极部34与第2电极部相互重叠，从而构成框架3。另外，在第1实施方式中，如图8所示，与第2框部36相比，第2电极部37的前端朝向第1电极部34呈凸状形成，与引线框架31的第1电极部34连接，使第2框部36与第1框部33隔开间隔而重叠，并且使第2电极部37的基端部与第1电极部34隔开间隔而重叠。

上述结构的封装基板1在将框架3的引线框架31与连接框架32相互重叠之后，如图9所示，在支承部7的背面10侧配置器件芯片8，第1电极部34与器件芯片8通过线18连接。在将器件芯片8配置于支承部7之后，如图10所示，通过模制树脂12将器件芯片8、线18和连接框架32等包覆而制造封装基板1。这样，模制树脂12将与引线框架31的第1电极部34电连接而配设的器件芯片8和连接框架覆盖。

(封装基板的加工方法)

图11是示出第1实施方式的封装基板的加工方法的流程的流程图。封装基板的加工方法是将封装基板1分割成各个封装芯片2并且将封装芯片2固定于布线基板20的方法。如图11所示，封装基板的加工方法具有切削槽形成步骤1001、镀覆处理步骤1002、分割步骤1003以及焊锡固定步骤1004。

(切削槽形成步骤)

图12是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的切削槽形成步骤的剖视图。切削槽形成步骤1001是如下的步骤：沿着封装基板1的露出有引线框架31的正面9侧的分割预定线6使第1切削刀具41切入至引线框架31的第1框部33，形成深度未到达被模制树脂12覆盖的连接框架32的第2框部36的切削槽19，使通过切削第1框部33而被切断的第1电极部34的切断面341在切削槽19的内表面露出。

在切削槽形成步骤1001中，切削装置40将封装基板1的背面10侧即模制树脂12吸引保持于未图示的卡盘工作台的保持面上。在切削槽形成步骤1001中，切削装置40利用拍摄单元对卡盘工作台所保持的封装基板1的正面9侧的标记13进行拍摄，执行对准即进行第1切削刀具41与分割预定线6的对位。

在切削槽形成步骤1001中，切削装置40一边使卡盘工作台和第1切削刀具41沿着分割预定线6相对地移动一边如图12所示那样使第1切削刀具41的切刃向位于分割预定线6的宽度方向的中央的第1框部33切入至未到达模制树脂12所覆盖的第2框部36的深度，对封装基板1的各分割预定线6形成上述深度的切削槽19。另外，切削槽19的深度比封装基板1的正面9到第2框部36的距离浅。另外，第1切削刀具41的切刃的厚度为第1框部33的宽度以上。

在切削槽形成步骤1001中，切削装置40使第1切削刀具41切入至第1框部33而对第1框部33整体进行切削而去除，将第1电极部34的基端部切断，使第1电极部34的被第1切削刀具41切断而得的切断面341在切削槽19的内表面露出。在切削槽形成步骤1001中，切削装置40对所有的分割预定线6形成切削槽19。这样，在切削槽形成步骤1001中，切削装置40将引线框架31的第1框部33切断。

(镀覆处理步骤)

图13是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的镀覆处理步骤后的封装基板1的剖视图。镀覆处理步骤1002是如下的步骤：在实施了切削槽形成步骤1001之后，经由连接框架32对切断的第1电极部34施加电压，通过电场镀覆而利用镀覆层16包覆第1电极部34的露出的面。

在镀覆处理步骤1002中，将切削槽形成步骤1001后的封装基板1的第1电极部34浸渍在电解液中，将电解液中的未图示的电极作为阳极，将引线框架31的第1电极部34作为阴极，一边向电解液中提供希望镀覆于第1电极部34的物质(例如锡)一边对电极和连接框架32施加规定时间的电压。在镀覆处理步骤1002中，如图13所示，通过电场镀覆而利用镀覆层16将第1电极部34的露出的面包覆。这样，在第1实施方式的封装基板的加工方法中，在对将第1电极部34从第1框部33切断而形成的第1电极部34的切断面341实施电场镀覆处理时，连接框架32形成电极。

(分割步骤)

图14是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的分割步骤的剖视图。分割步骤1003是如下的步骤：在实施了镀覆处理步骤1002之后，利用切刃的厚度比第1切削刀具41薄的第2切削刀具51对切削槽19的宽度方向的中央进行切削，将连接框架32和模制树脂12切断而分割成各个封装芯片2。

在分割步骤1003中，切削装置50将封装基板1的背面10侧即模制树脂12吸引保持于未图示的卡盘工作台的保持面上。在分割步骤1003中，切削装置50利用拍摄单元对卡盘工作台所保持的封装基板1的正面9侧的标记13进行拍摄，执行对准即进行第2切削刀具51与切削槽19的对位。

在分割步骤1003中，切削装置50一边使卡盘工作台和第2切削刀具51沿着切削槽19相对地移动一边如图14所示那样使第2切削刀具51的切刃在切削槽19的宽度方向的中央切入至到达卡盘工作台的保持面的退刀槽为止，将封装基板1的形成于各分割预定线6的切削槽19的宽度方向的中央切断。另外，第2切削刀具51的切刃的厚度比第1切削刀具41的切刃的厚度薄。因此，第2切削刀具51不会与包覆于切削槽19的镀覆层16接触而使镀覆层16损伤。

在分割步骤1003中，切削装置50利用第2切削刀具51将封装基板1的形成于各分割预定线6的切削槽19的宽度方向的中央切断而将封装基板1分割成各个封装芯片2。这样，通过对封装基板1实施切削槽形成步骤1001、镀覆处理步骤1002以及分割步骤1003而从封装基板1分割封装芯片2，因此如图4所示，与器件芯片8电连接的引线框架31的第1电极部34在正面9和阶梯差部15的与正面9连续的第2侧面151露出，在从阶梯差部15向封装芯片2的背面10连续的侧面14上，连接框架32的第2电极部37的切断面371露出，该第2电极部37的端部与第1电极部34连接。另外，在图4中，在各侧面151、14上，电极部34、37分别露出3个，但在第1实施方式中，分别露出5个。

另外，如图14所示，封装芯片2中，第1电极部34利用镀覆层16包覆，连接框架32的第2电极部37未利用镀覆层16包覆。这样，各个分割得到的封装芯片2如所谓的可润湿侧翼那样，第1电极部34的切断面341通过镀覆层16包覆。如上述那样构成的封装芯片2是将搭载于金属制的引线框架31的支承部7的器件芯片8利用模制树脂12包覆而得的。

(焊锡固定步骤)

图15是示意性示出图11所示的封装基板的加工方法的焊锡固定步骤的剖视图。焊锡固定步骤1004是如下的步骤：使封装芯片2的正面9侧与作为搭载目标的布线基板20面对而配置，将封装芯片2的经镀覆处理的第1电极部34和布线基板20的电极21利用焊锡22进行连接。

在焊锡固定步骤1004中，如图15所示，将封装芯片2的正面9配置于布线基板20上，向包覆第1电极部34的镀覆层16与布线基板20之间提供焊锡22，通过焊锡22将第1电极部34固定于电极21而连接。另外，在焊锡固定步骤1004中，在固定、连接于布线基板20的封装芯片2中，通过切削槽形成步骤1001而切断的第1电极部34的切断面341利用通过镀覆处理形成的镀覆层16进行包覆，因此能够确保第1电极部34的焊锡22的润湿性。

如上所述，第1实施方式的封装基板1中，框架3具有相互重叠的引线框架31和连接框架32，在引线框架31的第1电极部34上连接有连接框架32的第2电极部37，连接框架32的第2框部36与引线框架31的第1框部33隔开间隔而重叠。因此，对于封装基板1，即使将第1框部33切断，通过经由连接框架32而施加电压，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16。

因此，在封装基板1中，如所谓的可润湿侧翼那样，设置连接框架32以便能够对第1电极部34的切断面341即电极11的露出的面实施镀覆处理且将第1电极部34全切割(切断)而非半切割，由此能够维持电极11的侧面(切断面)的润湿性，并且能够将第1电极部34切断。其结果是，封装基板1起到能够放宽对切入深度的精度的要求的效果。另外，对于封装基板1，即使将第1电极部34切断，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16，因此起到如下的效果：能够抑制第1切削刀具41的堵塞，并且能够抑制毛刺的产生。

另外，在第1实施方式的封装基板的加工方法中，虽然在切削槽形成步骤1001中将封装基板1的第1框部33切断，但通过在镀覆处理步骤1002中经由连接框架32而施加电压，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16。其结果是，封装基板的加工方法能够维持电极11的侧面(切断面)的润湿性，并且能够将第1电极部34切断，因此起到能够放宽对切入深度的精度的要求的效果。另外，关于封装基板的加工方法，即使将第1电极部34切断，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16，因此起到如下的效果：能够抑制第1切削刀具41的堵塞，并且能够抑制毛刺的产生。

另外，在第1实施方式的封装芯片2中，与器件芯片8电连接的引线框架的第1电极部34在阶梯差部15的第2侧面151露出，在侧面14上，端部与第1电极部34连接的连接框架32的第2电极部37的切断面341露出，在第1电极部34上包覆有镀覆层16。因此，在封装芯片2中，即使将封装基板1的第1框部33切断，通过经由连接框架32而施加电压，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16。

其结果是，封装芯片2能够维持第1电极部34的润湿性，并且能够将第1电极部34切断，因此起到能够放宽对切入深度的精度的要求的效果。另外，关于封装芯片2，即使将第1电极部34切断，也能够在第1电极部34的切断面341等上形成镀覆层16，因此起到如下的效果：能够抑制第1切削刀具41的堵塞，并且能够抑制毛刺的产生。

另外，本发明并不限于上述第1实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。