显示装置和制造显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月14日提交的第10-2021-0136934号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及发光显示装置和制造该发光显示装置的方法。

背景技术

随着最近对信息显示的兴趣的增加，正在不断地进行对显示装置的研究和开发。

应当理解，本技术背景部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本技术背景部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不属于相关领域的技术人员已知或理解的想法、构思或认知。

发明内容

本公开涉及允许改善可加工性的显示装置以及制造该显示装置的方法。

本公开的对象不限于上述对象，并且本领域普通技术人员从以下描述中可以理解以上未描述的其它对象。

显示装置可以包括第一像素、第二像素、第三像素、设置在基板上的堤图案、设置在堤图案之间的发光元件、设置在堤图案之间的发光元件上的颜色转换层、以及设置在颜色转换层上的保护层，其中，第一像素、第二像素和第三像素中的保护层具有不同的厚度。

第三像素中的保护层的厚度可以大于第一像素中的保护层的厚度和第二像素中的保护层的厚度中的至少一者。

第一像素中的保护层的厚度可以大于第二像素中的保护层的厚度。

保护层可以包括第一保护层，第一保护层设置在第三像素中并且可以包括暴露第一像素和第二像素的开口。

保护层可以包括第二保护层，第二保护层设置在第一像素和第三像素中并且可以包括暴露第二像素的开口。

显示装置还可以包括设置在第一像素中的第一滤色器，其中，第一滤色器设置在颜色转换层和第二保护层之间。

保护层可以包括设置在第一像素、第二像素和第三像素中的第三保护层。

显示装置可以包括设置在第二像素中的第二滤色器，其中，第二滤色器设置在颜色转换层和第三保护层之间。

第一像素可以是第一颜色像素，第二像素可以是第二颜色像素，第三像素可以是第三颜色像素，并且发光元件可以发射第三颜色的光。

颜色转换层可以包括设置在第一像素中的第一颜色转换层、设置在第二像素中的第二颜色转换层、以及设置在第三像素中的散射层。

制造显示装置的方法可以包括在第一像素、第二像素和第三像素中形成发光元件；在第一像素、第二像素和第三像素之间的边界处形成堤图案；在堤图案之间形成有机层；在有机层上形成第一保护层；去除第一像素中的有机层和第一保护层；在从其中去除了有机层和第一保护层的第一像素中在堤图案之间形成第一颜色转换层；以及在第一像素中的第一颜色转换层、第二像素中的第一保护层以及第三像素中的第一保护层上形成第二保护层。

在去除第一像素中的有机层和第一保护层时，第二像素中的有机层和第三像素中的有机层可以与第一保护层重叠。

所述方法可以还包括在第一颜色转换层上形成第一滤色器。

第二保护层可以直接形成在第一滤色器上。

所述方法还可以包括去除第二像素中的有机层、第一保护层和第二保护层。

所述方法还可以包括在从其中去除了有机层、第一保护层和第二保护层的第二像素中在堤图案之间形成第二颜色转换层。

所述方法还可以包括在第二颜色转换层上形成第二滤色器。

所述方法还可以包括在第一像素中的第二保护层、第二像素中的第二滤色器以及第三像素中的第二保护层上形成第三保护层。

在第一像素和第三像素中，第三保护层可以直接形成在第二保护层上。

有机层可以包括散射体。

实施例的其它细节包括在详细描述和附图中。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的上述和其它方面和特征将变得更加显而易见，其中：

图1是示出根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。

图2是根据一个实施例的像素的等效电路的示意图。

图3是示出根据一个实施例的像素的示意性剖视图。

图4是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

图5是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

图6是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

图7是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

图8至图20是根据一个实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。

图21至图23是示出根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。

图24和图25是示出根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。

图26至图30是示出根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。

图31至图34是示出根据实施例的电子装置的视图。

具体实施方式

将参考示出了实施例的附图更全面地描述本公开的优点和特征及实现优点和特征的方法。然而，本公开的范围不限于本文阐述的实施例，并且本公开可以以各种形式实现。提供实施例以使本公开内容完整并使本公开所属领域的普通技术人员完全理解本公开的范围。本公开也可以由权利要求的范围来限定。

在附图中，为了便于描述并且为了清楚起见，可能夸大元件的尺寸、厚度、比率和大小。相同的数字始终表示相同的元件。

在说明书中使用的术语用于解释实施例，而不是限制本公开。如本文中所用，除非在上下文中另外定义，否则单数表达包括复数表达。例如，如本文中所用，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。

在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B，或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或分别的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……的组的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是意指“A、B，或者A和B”。

还应理解，术语“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变型当在本说明书中使用时表示所述部件、步骤、操作和/或元件的存在，但不排除一种或多种其它部件、步骤、操作和/或元件的存在或添加。

术语“连接”或“联接”可以指物理的和/或电的连接或联接。此外，该术语可以意指直接的或间接的连接或联接以及整体的或非整体的连接或联接。

应当理解，当元件或层被称为在另一个元件或层“上”或“之上”时，它可以直接在另一个元件或层上或之上，或者可以存在介于其间的元件或层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。

空间相对术语“在……之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“较上”等可以在本文中为了方便描述为被使用，以描述如附图中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在也包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“之下”或“下方”的装置可以被放置在另一装置“之上”。因此，说明性术语“在……之下”可以包括较下位置和较上位置。装置也可以在其它方向上取向，并因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。

术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象之上或之下，或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对或正在面对、在……上延伸、覆盖或部分覆盖，或者本领域普通技术人员将认识和理解的任何其它合适的术语。

当元件被描述为“不正在与”另一元件“重叠”或“不与”另一元件“重叠”时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此分开，或者本领域普通技术人员将认识和理解的任何其它合适的术语。

术语“面对”和“正在面对”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，尽管仍然彼此面对，但第一元件和第二元件可以理解成间接地彼此相对。

应当理解，尽管诸如“第一”、“第二”等术语可以在本文中使用以描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件或部件与另一个元件或部件区分开。因此，在不脱离本公开的范围和精神的情况下，下面描述的第一部件可以被称为第二部件。

短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，并且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面查看被垂直切割的对象的横截面。

本文中所用的“约”或“近似”包括所述值和在本领域普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)的情况下所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且，除非在本文中明确地如此定义，将不以理想化的或过分正式的含义解释。

在下文中，将参考附图详细描述实施例。

图1是示出根据一个实施例的显示装置的示意性平面图。

图1示出了可以使用发光元件作为光源的显示装置，例如，图1仅示出了设置在显示装置中的显示面板PNL。

为了便于描述，在图1中基于显示区域DA示出了显示面板PNL的结构。然而，根据实施例，还可以在显示面板PNL中设置未示出的至少一个驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)、线和焊盘。

参考图1，显示面板PNL可以包括基板SUB和设置在基板SUB上的像素单元PXU。像素单元PXU可包括第一像素PXL1、第二像素PXL2和/或第三像素PXL3。在下文中，在提及第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的至少一个像素或者第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的至少两个像素的情况下，将提及“像素PXL”或者“多个像素PXL”。

基板SUB可以构成显示面板PNL的基础构件，并且可以是刚性的或柔性的基板或膜。作为示例，基板SUB可以设置为由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基板或者由塑料或金属材料制成的柔性基板(或薄膜)。基板SUB的材料和/或物理特性没有特别限制。

显示面板PNL和用于形成显示面板PNL的基板SUB可以包括用于显示图像的显示区域DA和除显示区域DA之外的非显示区域NDA。像素PXL可以设置在显示区域DA中。连接到显示区域DA的像素PXL的各种布线、焊盘和/或内置电路可以设置在非显示区域NDA中。像素PXL可以根据条纹或

根据实施例，可以在显示区域DA中设置发射具有不同颜色的光的两种或更多种类型的像素PXL。作为示例，发射第一颜色光的第一像素PXL1、发射第二颜色光的第二像素PXL2以及发射第三颜色光的第三像素PXL3可以被排列或设置在显示区域DA中。彼此相邻的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的至少一个可以构成发射具有多种颜色的光的一个像素单元PXU。例如，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以是各自发射具有颜色的光的子像素。根据实施例，第一像素PXL1可以是发射红光的红色像素，第二像素PXL2可以是发射绿光的绿色像素，并且第三像素PXL3可以是发射蓝光的蓝色像素。

在一个实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括可发射相同颜色(例如，第三颜色)的光的发光元件，并且可以包括设置在发光元件上的具有不同颜色的颜色转换层和/或滤色器层，从而发射具有第一颜色的光、具有第二颜色的光以及具有第三颜色的光。在实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以分别包括作为光源的第一颜色发光元件、第二颜色发光元件和第三颜色发光元件，以分别发射具有第一颜色的光、具有第二颜色的光和具有第三颜色的光。然而，构成每个像素单元PXU的像素PXL的颜色、类型和/或数量没有特别限制。例如，由每个像素PXL发射的光的颜色可以不同地改变。

像素PXL可以包括由控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在一个实施例中，光源可以包括具有从纳米级到微米级的小尺寸的纳米柱状发光元件LD或微柱状发光元件LD。然而，本公开不一定限于此，并且可以使用各种类型的发光元件作为像素PXL的光源。

在一个实施例中，每个像素PXL可形成为有源像素。然而，可应用于显示装置的像素PXL的类型、结构和/或驱动方法没有特别限制。例如，具有各种结构和/或驱动方法的每个像素PXL可以形成为无源或有源发光显示装置的像素。

图2是根据一个实施例的像素的等效电路的示意图。

图2示出了包括在可应用于有源显示装置的像素PXL中的部件之间的电连接关系。然而，包括在像素PXL中的部件的类型不一定限于此。

根据实施例，图2中所示的像素PXL可以是设置在图1的显示面板PNL中的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的任一个。第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以具有基本上相同或相似的结构。

参考图2，像素PXL可以包括发光单元EMU，其中，发光单元EMU产生具有对应于数据信号的亮度的光。像素PXL还可以包括用于驱动发光单元EMU的像素电路PXC。

根据实施例，发光单元EMU可以包括电连接在第一电源线PL1和第二电源线PL2之间的一个或多个发光元件LD，其中，第一电源VDD的电压施加至第一电源线PL1，第二电源VSS的电压施加至第二电源线PL2。作为示例，发光单元EMU可以包括通过像素电路PXC和第一电源线PL1连接到第一电源VDD的第一电极ET1、通过第二电源线PL2连接到第二电源VSS的第二电极ET2、以及连接在第一电极ET1和第二电极ET2之间的发光元件LD。在一个实施例中，第一电极ET1可以是阳极，并且第二电极ET2可以是阴极。

发光元件LD可以包括连接到第一电源VDD的一端或端部和连接到第二电源VSS的另一端或另一端部。根据实施例，发光元件LD的一端或端部可以与第一电极ET1成一体或连接到第一电极ET1，并且发光元件LD的另一端或另一端部可以与第二电极ET2成一体或连接到第二电极ET2。第一电源VDD和第二电源VSS可以具有不同的电势。在像素PXL的发射周期期间，第一电源VDD和第二电源VSS之间的电势差可以被设置为大于或等于发光元件LD的阈值电压。

发光元件LD可以构成发光单元EMU的有效光源。发光元件LD可以以与通过像素电路PXC提供的驱动电流对应的亮度发光。例如，在每个帧周期期间，像素电路PXC可以向发光单元EMU提供与相应帧数据的灰度值对应的驱动电流。提供至发光单元EMU的驱动电流可以在发光元件LD中流动。因此，当发光元件LD以对应于驱动电流的亮度发光时，发光单元EMU可以发光。

像素电路PXC可以连接到像素PXL的扫描线Si和数据线Dj。作为示例，在像素PXL被设置在显示区域DA的第i行和第j列中(其中，i是大于零的自然数，并且j是大于零的自然数)的情况下，像素PXL的像素电路PXC可以被连接到显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。根据实施例，像素电路PXC可以包括第一晶体管T1和第二晶体管T2以及存储电容器Cst。

第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一端子可以连接到第一电源VDD，并且第一晶体管T1的第二端子可以接电连接到发光元件LD。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1响应于第一节点N1的电压来控制提供至发光元件LD的驱动电流的量。

第二晶体管T2(开关晶体管)的第一端子可以连接到第j数据线Dj，并且第二晶体管T2的第二端子可以连接到第一节点N1。这里，第二晶体管T2的第一端子和第二端子可以是不同的端子，并且，例如，在第一端子是源电极的情况下，第二端子可以是漏电极。第二晶体管T2的栅电极可以连接到第i扫描线Si。

在从第i扫描线Si提供具有可以导通第二晶体管T2的电压的扫描信号的情况下，第二晶体管T2可以导通以电连接第j数据线Dj和第一节点N1。相应帧的数据信号可以提供至第j数据线Dj，并且因此，数据信号可以传输至第一节点N1。传输至第一节点N1的数据信号可以被充电到存储电容器Cst中。

可以用与提供至第一节点N1的数据信号对应的电压对存储电容器Cst进行充电，并且可以保持充电的电压直到提供下一帧的数据信号。

尽管图2示出了包括用于将数据信号传输至像素PXL中的第二晶体管T2、用于存储数据信号的存储电容器Cst、以及用于将与数据信号对应的驱动电流提供至发光元件LD的第一晶体管T1的像素电路PXC，但是本公开不一定限于此，并且像素电路PXC的结构可以不同地改变。作为示例，像素电路PXC还可另外包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管T1的阈值电压的晶体管元件、用于初始化第一节点N1的晶体管元件、和用于控制发光元件LD的发光时间的晶体管元件中的至少一个晶体管元件、以及用于提高第一节点N1的电压的升压电容器。像素电路PXC的第一晶体管T1和第二晶体管T2不限于图2，并且可以被不同地改变为n沟道金属氧化物半导体(NMOS)或p沟道金属氧化物半导体(PMOS)。

图3是示出根据一个实施例的像素的示意性剖视图。

图3示意性地示出了彼此相邻的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3的横截面结构。

参考图3，包括像素PXL的显示装置包括基板SUB、设置在基板SUB上的堤图案BNP、发光元件LD、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和保护层PSV。

基板SUB可以是包括电路元件等的驱动基板，其中，电路元件等诸如构成每个像素PXL的像素电路PXC(参见图2)的晶体管。作为示例，作为基板SUB，可以使用由NMOS和PMOS的组合制成的CMOS基板，但是本公开不一定限于此。

堤图案BNP可以在基板SUB上设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。堤图案BNP中的每个可以以在一个方向或方向上延伸的形状设置。例如，堤图案BNP中的每个可以以在第三方向(Z轴方向)上从基板SUB延伸的形状设置在基板SUB上。应当理解，附图还可以包括第一方向(X轴方向)和第二方向(Y轴方向)。

堤图案BNP可以包括至少一种反射材料。堤图案BNP可以反射从发光元件LD发射的光，以提高显示面板PNL的发光效率。此外，堤图案BNP可以包括至少一种阻光材料，以防止相邻像素PXL之间的混色。根据实施例，堤图案BNP可以包括诸如丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂、聚苯硫醚基树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，本公开不一定限于此，并且堤图案BNP可以包括选自诸如硅氧化物(SiO

发光元件LD可以分别设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中。发光元件LD可以设置在基板SUB上的堤图案BNP之间。

发光元件LD中的每个可以以各种形状设置。作为示例，发光元件LD可以具有在第三方向(Z轴方向)上为长形(例如，具有大于1的纵横比)的杆状形状或棒状形状，但是本公开不一定限于此。例如，发光元件LD中的每个可以具有其中一端或端部的直径不同于另一端或另一端部的直径的多边形柱形状。发光元件LD可以是以微尺寸制造成具有从纳米级到微米级的直径和/或长度的程度的发光二极管(LED)。然而，本公开不一定限于此，并且发光元件LD的尺寸可以不同地改变以满足发光元件LD所应用的照明装置或显示装置的要求(或设计条件)。应当理解，这里描述的形状也可以包括与所描述的形状基本上相同的形状。

发光元件LD可以各自包括第一半导体层L1、第二半导体层L3和插置在第一半导体层L1和第二半导体层L3之间的有源层L2。作为示例，发光元件LD的第一半导体层L1、有源层L2和第二半导体层L3可以在第三方向(Z轴方向)上顺序地彼此堆叠在基板SUB上。

发光元件LD的第一半导体层L1可以包括例如至少一个p型半导体层。例如，发光元件LD的第一半导体层L1可以包括p型半导体层，该p型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自锌(Zn)、铁(Fe)、镁(Mg)、铍(Be)、镉(Cd)、银(Ag)、碳(C)、汞(Hg)、锂(Li)和钙(Ca)中的至少一种的第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)。作为示例，发光元件LD的第一半导体层L1可以包括掺杂有第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)的GaN半导体材料，但是本公开不一定限于此。各种材料可以构成发光元件LD的第一半导体层L1。

发光元件LD的有源层L2可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种结构，但本公开不一定限于此。发光元件LD的有源层L2可以包括GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN或AlN。各种材料可以构成发光元件LD的有源层L2。

在向发光元件LD的两个端部施加信号(或电压)的情况下，电子和空穴结合以在有源层L2中产生电子-空穴对，并且因此，发光元件LD发光。每个发光元件LD的发光可以使用这种原理来控制，并且因此，发光元件LD可以用作包括显示装置的像素PXL在内的各种发光装置的光源。

根据实施例，在发光元件LD的有源层L2和第一半导体层L1之间还可以设置电子阻挡层。电子阻挡层可以阻挡从第二半导体层L3提供的电子逸出到第一半导体层L1的流动，从而增加有源层L2中的电子-空穴复合概率。电子阻挡层的能带隙可以大于有源层L2和/或第一半导体层L1的能带隙，但是本公开不一定限于此。

根据实施例，在发光元件LD的有源层L2和第二半导体层L3之间还可以设置超晶格层。超晶格层可以减轻有源层L2和第二半导体层L3的应力，以改善发光元件LD的质量。作为示例，超晶格层可以以其中InGaN和GaN可以彼此交替堆叠的结构形成，但是本公开不一定限于此。

发光元件LD的第二半导体层L3可以设置在有源层L2上，并且可以包括可与第一半导体层L1不同类型的半导体层。在一个实施例中，发光元件LD的第二半导体层L3可以包括至少一个n型半导体层。例如，发光元件LD的第二半导体层L3可以是n型半导体层，该n型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自硅(Si)、锡(Sn)、碲(Te)、硒(Se)、硫(S)、氧(O)、钛(Ti)和锗(Ge)中的至少一种的第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)。作为示例，发光元件LD的第二半导体层L3可以包括掺杂有第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)的GaN半导体材料。然而，构成发光元件LD的第二半导体层L3的材料不限于此，并且各种材料可以构成发光元件LD的第二半导体层L3。

第一电极ET1可以设置在发光元件LD和基板SUB之间。例如，第一电极ET1可以设置在发光元件LD的第一半导体层L1和基板SUB之间，并且发光元件LD的第一半导体层L1可以电连接到第一电极ET1。第一电极ET1可以包括金属或金属氧化物。例如，第一电极ET1可包括选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)及其氧化物或合金中的一种，但本公开不一定限于此。

根据实施例，可以在发光元件LD和/或堤图案BNP的表面上设置绝缘膜INS。绝缘膜INS可以设置在发光元件LD和/或堤图案BNP的侧表面上。绝缘膜INS可以防止由于发光元件LD的有源层L2接触除了第一半导体层L1和第二半导体层L3之外的导电材料而可能发生的电短路。绝缘膜INS可使发光元件LD的表面缺陷最小化，从而提高发光元件LD的寿命和发光效率。

绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的上表面。作为示例，绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的第二半导体层L3。

绝缘膜INS可以包括硅氧化物(SiO

第二电极ET2可以设置在发光元件LD上。第二电极ET2可以设置在或直接设置在发光元件LD的由绝缘膜INS暴露的上表面上，并且可以接触发光元件LD的第二半导体层L3。第二电极ET2可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。

第二电极ET2可以由各种透明导电材料制成。作为示例，第二电极ET2可以包括选自诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铝锌氧化物(AZO)、镓锌氧化物(GZO)、锌锡氧化物(ZTO)和镓锡氧化物(GTO)的各种透明导电材料中的至少一种，并且可以被实现为基本上透明或半透明以满足透射率。因此，从发光元件LD发射的光可以穿过第二电极ET2以发射到显示面板PNL的外部。

颜色转换层CCL可以设置在发光元件LD上。颜色转换层CCL可以设置在堤图案BNP之间。颜色转换层CCL可以设置在由堤图案BNP限定的空间或开口中。

颜色转换层CCL可以包括设置在第一像素PXL1上的第一颜色转换层CC1、设置在第二像素PXL2中的第二颜色转换层CC2、以及设置在第三像素PXL3中的散射层LS。

在一个实施例中，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括发射具有相同颜色的光的发光元件LD。例如，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以包括发射具有第三颜色(或蓝色)的光的发光元件LD。可以在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中设置包括颜色转换颗粒的颜色转换层CCL以显示全色彩图像。

在一个实施例中，在第一像素PXL1是红色像素的情况下，第一颜色转换层CC1可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为红光的第一量子点。第一量子点可以吸收蓝光并根据能量阶跃来改变波长以发射红光。在第一像素PXL1是不同颜色像素的情况下，第一颜色转换层CC1可以包括与第一像素PXL1的颜色相对应的第一量子点。

在一个实施例中，在第二像素PXL2是与第一像素PXL1不同的绿色像素的情况下，第二颜色转换层CC2可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝光转换为绿光的第二量子点。第二量子点可以吸收蓝光并根据能量阶跃来改变波长以发射绿光。在第二像素PXL2是不同颜色像素的情况下，第二颜色转换层CC2可以包括与第二像素PXL2的颜色相对应的第二量子点。

在一个实施例中，在可见光区域中具有相对短波长的蓝光入射在第一量子点和第二量子点中的每个上，从而增加了第一量子点和第二量子点的吸收系数。因此，最后，可以提高从第一像素PXL1和第二像素PXL2发射光的效率，并且同时可以确保优异的颜色再现性。可以使用相同颜色的发光元件LD(例如，蓝色发光元件LD)形成第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3的发光单元EMU，从而提高显示装置的制造效率。

可以设置散射层LS以有效地使用从发光元件LD发射的具有第三颜色(或蓝色)的光。作为示例，在发光元件LD是发射蓝光的蓝色发光元件且第三像素PXL3是蓝色像素的情况下，散射层LS可以包括散射体或光散射颗粒以有效地利用从发光元件LD发射的光。

例如，散射层LS可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的散射体。作为示例，散射层LS可以包括诸如二氧化硅的散射材料，但是散射体的结构材料不限于此。散射体可以不仅仅选择性地设置在第三像素PXL3中，而是也可以包括在第一颜色转换层CC1或第二颜色转换层CC2中。根据实施例，可以省略散射层LS，或者可以设置透明聚合物来代替散射层LS。

滤色器层CFL可以设置在颜色转换层CCL上。滤色器层CFL可以包括对应于每个像素PXL的颜色的滤色器CF1或CF2。

滤色器层CFL可以包括设置在第一像素PXL1中以选择性地透射从第一像素PXL1发射的光的第一滤色器CF1以及设置在第二像素PXL2中以选择性地透射从第二像素PXL2发射的光的第二滤色器CF2。

在一个实施例中，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，但是本公开不限于此。在下文中，在第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的任意滤色器被提及或者第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的至少两个滤色器被共同提及的情况下，滤色器“CF”将被提及，或者“滤色器CF”将被提及。

第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CC1和下面将描述的保护层PSV之间。作为示例，第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CC1和下面将描述的第二保护层PSV2之间。第一滤色器CF1可以在第三方向(Z轴方向)上与第一像素PXL1的发光元件LD和第一颜色转换层CC1重叠。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射具有第一颜色(或红色)的光的滤色器材料。例如，在第一像素PXL1是红色像素的情况下，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器材料。

第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CC2和下面将描述的保护层PSV之间。作为示例，第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CC2和下面将描述的第三保护层PSV3之间。第二滤色器CF2可以在第三方向(Z轴方向)上与第二像素PXL2的发光元件LD和第二颜色转换层CC2重叠。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射具有第二颜色(或绿色)的光的滤色器材料。例如，在第二像素PXL2是绿色像素的情况下，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器材料。

保护层PSV可以设置在颜色转换层CCL上。保护层PSV可以包括顺序地彼此堆叠的第一保护层PSV1、第二保护层PSV2和第三保护层PSV3。

第一保护层PSV1可以设置在第三像素PXL3中。第一保护层PSV1可以设置在第三像素PXL3的散射层LS上。作为示例，第一保护层PSV1可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的散射层LS上，以用于保护散射层LS。

在一个实施例中，第一保护层PSV1可以包括至少一部分地暴露第一像素PXL1和/或第二像素PXL2的开口。第一保护层PSV1的开口可以顺序地形成。如上所述，在像素PXL的保护层PSV被顺序开口的情况下，颜色转换层CCL可以被选择性地注入到暴露的像素PXL中。例如，可以在第一保护层PSV1中形成暴露第一像素PXL1的开口，并且可以通过开口将第一颜色转换层CC1选择性地注入到第一像素PXL1中。可以在第一保护层PSV1中形成暴露第二像素PXL2的开口，并且可以通过开口将第二颜色转换层CC2选择性地注入到第二像素PXL2中。在将颜色转换层CCL注入到开口像素PXL中的工艺中，第一保护层PSV1可用于覆盖剩余像素PXL的下部构件或与剩余像素PXL的下部构件重叠并保护剩余像素PXL的下部构件。因此，由于颜色转换层CCL可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到相应的像素PXL中，所以可以改善可加工性。下文将参考图12至图20详细描述这一点。

第一保护层PSV1可包括诸如硅氧化物(SiO

根据实施例，第一保护层PSV1可包括诸如丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂、聚苯硫醚基树脂或BCB的有机材料。

第二保护层PSV2可以设置在第一像素PXL1和/或第三像素PXL3中。第二保护层PSV2可以设置在第一像素PXL1的第一滤色器CF1上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第一滤色器CF1上。第二保护层PSV2可以设置在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。

在一个实施例中，第二保护层PSV2可以包括暴露第二像素PXL2的开口。如上所述，在第二保护层PSV2覆盖第一像素PXL1和/或第三像素PXL3或与第一像素PXL1和/或第三像素PXL3重叠并且被部分开口以暴露第二像素PXL2的情况下，第二颜色转换层CC2可以被选择性地注入到第二像素PXL2中。在将第二颜色转换层CC2注入到第二像素PXL2中的工艺中，第二保护层PSV2可用于覆盖剩余像素PXL或与剩余像素PXL重叠并保护剩余像素PXL。因此，由于第二颜色转换层CC2可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到第二像素PXL2中，所以可以改善可加工性。下文将参考图12至图20详细描述这一点。

第二保护层PSV2可包括诸如硅氧化物(SiO

根据实施例，第二保护层PSV2可包括诸如丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂、聚苯硫醚基树脂或BCB的有机材料。第三保护层PSV3可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。第三保护层PSV3可以设置在第一像素PXL1和/或第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第一像素PXL1和/或第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。第三保护层PSV3可以设置在第二像素PXL2的第二滤色器CF2上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第二滤色器CF2上。

第三保护层PSV3可以包括诸如硅氧化物(SiO

根据实施例，第三保护层PSV3可以包括诸如丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酯基树脂、聚苯硫醚基树脂或BCB的有机材料。

如上所述，在第一保护层PSV1和/或第二保护层PSV2顺序开口以选择性地将颜色转换层CCL注入到第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的对应像素PXL的情况下，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3的保护层PSV可以具有不同的厚度。例如，在第一颜色转换层CC1被注入到第一像素PXL1中并且第二颜色转换层CC2被注入到第二像素PXL2中的情况下，由于在将第一颜色转换层CC1注入到第一像素PXL1中的工艺中第一保护层PSV1开口，所以可以将第二保护层PSV2和第三保护层PSV3设置在第一像素PXL1中。由于在将第二颜色转换层CC2注入到第二像素PXL2中的工艺中第一保护层PSV1和第二保护层PSV2开口，所以可以将第三保护层PSV3设置在第二像素PXL2中。由于可以省略在第三像素PXL3中注入单独的颜色转换层CCL的工艺，所以第一保护层PSV1、第二保护层PSV2和第三保护层PSV3中的全部可以设置在第三像素PXL3中。例如，第三像素PXL3的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H3可以大于第一像素PXL1的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H1和/或第二像素PXL2的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H2。第一像素PXL1的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H1可以大于第二像素PXL2的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H2。图3示出了第一颜色转换层CC1被注入到第一像素PXL1中并且然后第二颜色转换层CC2被注入到第二像素PXL2中的情况，但是本公开不一定限于此。作为示例，根据实施例，第二颜色转换层CC2可被注入到第二像素PXL2中，并且然后第一颜色转换层CC1可被注入到第一像素PXL1中。由于在将第二颜色转换层CC2注入到第二像素PXL2中的工艺中第一保护层PSV1开口，所以第二保护层PSV2和第三保护层PSV3可以设置在第二像素PXL2中。由于在将第一颜色转换层CC1注入到第一像素PXL1中的工艺中第一保护层PSV1和第二保护层PSV2开口，所以第三保护层PSV3可以设置在第一像素PXL1中。例如，第二像素PXL2的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H2可以大于第一像素PXL1的保护层PSV在第三方向(Z轴方向)上的厚度H1。

根据上述实施例，在用保护层PSV掩蔽或保护相邻像素PXL的状态下，只有相应像素PXL的保护层PSV可以部分开口，以选择性地将颜色转换层CCL注入到相应像素PXL中。例如，颜色转换层CCL可以在没有单独对准的情况下施加到显示面板PNL的整个表面上，从而改善可加工性。

在下文中，将描述其它实施例。在以下实施例中，与上文描述的部件相同的部件将由相同的附图标记表示，并且可以省略或简化其重复描述。

图4是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

参考图4，实施例与图1至图3的实施例的不同之处在于，滤色器层CFL还可以包括第三滤色器CF3，并且还可以在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处设置阻光层BM。

第三滤色器CF3可以设置在第三像素PXL3中，以选择性地透射从第三像素PXL3发射的光。第三滤色器CF3可以设置在第三保护层PSV3上。第三滤色器CF3可以在第三方向(Z轴方向)上与第三像素PXL3的发光元件LD和散射层LS重叠。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射具有第三颜色(或蓝色)的光的滤色器材料。例如，在第三像素PXL3是蓝色像素的情况下，第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器材料。

根据实施例，阻光层BM可以还设置在第三保护层PSV3上。阻光层BM还设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。例如，阻光层BM可以设置在堤图案BNP上，并且在第三方向(Z轴方向)上与堤图案BNP重叠。如上所述，在阻光层BM形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处的情况下，可以更有效地改善从显示装置的正面或侧面可见的混色缺陷。阻光层BM的材料没有特别限制，并且可以包括各种阻光材料。

由于已经参考图1至图3详细描述了发光元件LD、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和/或保护层PSV，因此可以省略重叠的细节。

图5是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

参考图5，实施例与图1至图3的实施例的不同之处在于，可以在第二电极ET2上设置堤图案BNP。

例如，在先将绝缘膜INS和第二电极ET2形成在发光元件LD上之后，可以在第二电极ET2上形成堤图案BNP。

绝缘膜INS可以设置在发光元件LD的侧表面上。绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的上表面。作为示例，绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的第二半导体层L3。

第二电极ET2可以设置在绝缘膜INS上。第二电极ET2可以设置在或直接设置在发光元件LD的由绝缘膜INS暴露的上表面上，并且可以接触发光元件LD的第二半导体层L3。第二电极ET2可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。

堤图案BNP可以形成在第二电极ET2上。堤图案BNP可以在第二电极ET2上设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。

颜色转换层CCL可以设置在堤图案BNP之间。颜色转换层CCL可以设置在堤图案BNP之间的第二电极ET2上。

由于已经参考图1至图3详细描述了发光元件LD、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和/或保护层PSV，因此可以省略重叠的细节。

图6是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

参考图6，实施例与图1至图3的实施例的不同之处在于，堤图案BNP可以包括与发光元件LD相同的材料或类似的材料。

堤图案BNP可以各自包括第一半导体层B1、第二半导体层B3和插置在第一半导体层B1和第二半导体层B3之间的有源层B2。堤图案BNP的第一半导体层B1、有源层B2和/或第二半导体层B3可以包括分别与发光元件LD的第一半导体层L1、有源层L2和/或第二半导体层L3相同的材料或类似的材料。发光元件LD的第一半导体层L1、有源层L2和/或第二半导体层L3可以在分别与堤图案BNP的第一半导体层B1、有源层B2和/或第二半导体层B3相同的工艺中同时形成。因此，可以简化显示装置的制造工艺以确保工艺经济效率。这将在下文参考图24和图25详细描述。

堤图案BNP的第一半导体层B1、有源层B2和第二半导体层B3可以在第三方向(Z轴方向)上顺序地彼此堆叠在基板SUB上。

堤图案BNP的第一半导体层B1可包括例如至少一个p型半导体层。例如，堤图案BNP的第一半导体层B1可以包括p型半导体层，该p型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自锌(Zn)、铁(Fe)、镁(Mg)、铍(Be)、镉(Cd)、银(Ag)、碳(C)、汞(Hg)、锂(Li)和钙(Ca)中的至少一种的第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)。作为示例，堤图案BNP的第一半导体层B1可包括掺杂有第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)的GaN半导体材料，但本公开不一定限于此。各种材料可以构成堤图案BNP的第一半导体层B1。

堤图案BNP的有源层B2可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、MQW结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种结构，但本公开不一定限于此。堤图案BNP的有源层B2可以包括GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN或AlN。各种材料可以构成堤图案BNP的有源层B2。

堤图案BNP的第二半导体层B3可以设置在有源层B2上，并且可以包括可与第一半导体层B1不同类型的半导体层。在一个实施例中，堤图案BNP的第二半导体层B3可以包括至少一个n型半导体层。例如，堤图案BNP的第二半导体层B3可以是n型半导体层，该n型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自硅(Si)、锡(Sn)、碲(Te)、硒(Se)、硫(S)、氧(O)、钛(Ti)和锗(Ge)中的至少一种的第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)。作为示例，堤图案BNP的第二半导体层B3可包括掺杂有第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)的GaN半导体材料。然而，构成堤图案BNP的第二半导体层L3的材料不限于此，并且各种材料可构成堤图案BNP的第二半导体层L3。

根据实施例，还可以在基板SUB和堤图案BNP之间设置电极层EL。电极层EL可以包括与上述第一电极ET1相同的材料或类似的材料。例如，电极层EL可以包括金属或金属氧化物。作为示例，电极层EL可以包括选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)及其氧化物或合金中的一种，但本公开不一定限于此。电极层EL和第一电极ET1可以在相同的工艺中同时形成，但是本公开不一定限于此。

由于已经参考图1至图3详细描述了发光元件LD、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和/或保护层PSV，因此可以省略重叠的细节。

图7是示出根据实施例的像素的示意性剖视图。

参考图7，实施例与图1至图3的实施例的不同之处在于，滤色器层CFL和/或阻光层BM可以设置在保护层PSV上。

保护层PSV可以设置在颜色转换层CCL上。例如，第一保护层PSV1可以设置在第三像素PXL3的散射层LS上。作为示例，第一保护层PSV1可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的散射层LS上，以用于保护散射层LS。

第二保护层PSV2可以设置在第一像素PXL1的第一颜色转换层CC1上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第一颜色转换层CC1上。第二保护层PSV2可以设置在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。

第三保护层PSV3可以设置在第二像素PXL2的第二颜色转换层CC2上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第二颜色转换层CC2上。第三保护层PSV3可以设置在第一像素PXL1和/或第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第一像素PXL1和/或第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。

滤色器层CFL可以设置在第三保护层PSV3上。例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别在第三保护层PSV3上设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以形成在或直接形成在第三保护层PSV3上。

根据实施例，还可以在第三保护层PSV3上设置阻光层BM。阻光层BM可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。例如，阻光层BM可以设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。如上所述，在阻光层BM形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处的情况下，可以更有效地改善从显示装置的正面或侧面可见的混色缺陷。阻光层BM的材料没有特别限制，并且可以包括各种阻光材料。

由于已经参考图1至3详细描述了发光元件LD、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和/或保护层PSV，因此可以省略重叠的细节。

随后，将描述制造根据上述实施例的显示装置的方法。

图8至图20是根据一个实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。图8至图20是用于描述制造图3和图4的显示装置的方法的示意性剖视图。与图3和图4中的部件基本上相同的部件用相同的附图标记表示，并且省略了详细的附图标记。

首先，参考图8，将发光元件LD设置在基板SUB的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中。基板SUB可以是包括电路元件等的驱动基板，其中，电路元件等诸如构成每个像素PXL的像素电路PXC(参见图2)的晶体管。发光元件LD可以以这样的形式设置，其中，第一半导体层L1、有源层L2和第二半导体层L3可以在第三方向(Z轴方向)上顺序地彼此堆叠在基板SUB上。可以将第一电极ET1设置在发光元件LD和基板SUB之间。发光元件LD可以通过第一电极ET1连接到或联接到基板SUB。

参考图9，在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处设置堤图案BNP。堤图案BNP可以形成在发光元件LD之间。堤图案BNP可以包括至少一种反射材料。堤图案BNP可以反射从发光元件LD发射的光，以提高显示面板PNL的发光效率。堤图案BNP可以包括至少一种阻光材料，以防止相邻像素PXL之间的混色。然而，本公开不一定限于此，并且堤图案BNP的材料可以根据实施例而不同地改变。

参考图10，在发光元件LD和/或堤图案BNP上设置绝缘膜INS和第二电极ET2。绝缘膜INS可以形成在发光元件LD和/或堤图案BNP的侧表面上。绝缘膜INS可以防止由于发光元件LD的有源层L2接触除了第一半导体层L1和第二半导体层L3之外的导电材料而可能发生的电短路。绝缘膜INS可使发光元件LD的表面缺陷最小化，从而提高发光元件LD的寿命和发光效率。

绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的上表面。作为示例，绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的第二半导体层L3。

第二电极ET2可以形成在绝缘膜INS上。第二电极ET2可以形成在或直接形成在发光元件LD的由绝缘膜INS暴露的上表面上，并且可以接触发光元件LD的第二半导体层L3。第二电极ET2可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。

参考图11，在堤图案BNP之间设置有机层OL。有机层OL可以设置在堤图案BNP之间的发光元件LD上。

有机层OL可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中。在随后的工艺中，可以顺序地去除第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的一些或多个像素PXL的有机层OL，以提供其中可以设置颜色转换层CCL的空间。第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的至少一个的有机层OL可以用作散射层LS(参见图3)。为此，有机层OL可以包括与散射层LS相同的材料或类似的材料。作为示例，有机层OL可以包括散射体或光散射颗粒，以便有效地利用从发光元件LD发射的光。例如，有机层OL可以包括分散在诸如基础树脂的基质材料中的散射体。作为示例，有机层OL可以包括诸如二氧化硅的散射体，但是散射体的结构不限于此。根据实施例，可以省略散射体，并且可以设置由透明聚合物制成的有机层OL。

参考图12，在有机层OL上设置第一保护层PSV1。第一保护层PSV1可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。作为示例，第一保护层PSV1可形成在或直接形成在有机层OL上，以用于保护有机层OL。

第一保护层PSV1可以由诸如硅氧化物(SiO

参考图13，去除第一像素PXL1的有机层OL和第一保护层PSV1。作为示例，第一保护层PSV1可以被部分去除以形成暴露第一像素PXL1的第一开口OP1，并且第一像素PXL1的有机层OL可以通过第一开口OP1被去除。

在去除第一像素PXL1的有机层OL和第一保护层PSV1的工艺中，剩余的像素PXL，例如，第二像素PXL2和第三像素PXL3，可以被第一保护层PSV1覆盖或与第一保护层PSV1重叠。例如，在去除第一像素PXL1的有机层OL和第一保护层PSV1的工艺中，第二像素PXL2的有机层OL和第三像素PXL3的有机层OL可以由第一保护层PSV1保护。例如，暴露第一像素PXL1的第一开口OP1可以在相邻像素PXL被第一保护层PSV1掩蔽或保护的状态下形成。

参考图14，在从其中去除了有机层OL和第一保护层PSV1的第一像素PXL1中在堤图案BNP之间设置第一颜色转换层CC1。第一颜色转换层CC1可以通过第一保护层PSV1的第一开口OP1选择性地注入到第一像素PXL1中。在将第一颜色转换层CC1注入到暴露的第一像素PXL1中的工艺中，第一保护层PSV1可以覆盖剩余的像素PXL或与剩余的像素PXL重叠并保护剩余的像素PXL。作为示例，在将第一颜色转换层CC1注入到第一像素PXL1中的工艺中，第一保护层PSV1可用于保护第二像素PXL2和第三像素PXL3的有机层OL。因此，由于第一颜色转换层CC1可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到第一像素PXL1中，所以可以改善可加工性。

参考图15，在第一颜色转换层CC1上设置第一滤色器CF1。第一滤色器CF1可以形成在或直接形成在第一颜色转换层CC1上。第一滤色器CF1可以在第三方向(Z轴方向)上与第一像素PXL1的发光元件LD和第一颜色转换层CC1重叠。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射具有第一颜色(或红色)的光的滤色器材料。例如，在第一像素PXL1是红色像素的情况下，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器材料。

参考图16，设置第二保护层PSV2。第二保护层PSV2可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在第一像素PXL1的第一滤色器CF1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第一滤色器CF1上，但是本公开不一定限于此。第二保护层PSV2可以形成在第二像素PXL2的第一保护层PSV1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第一保护层PSV1上，但是本公开不一定限于此。第二保护层PSV2可以设置在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上，但是本公开不一定限于此。

第二保护层PSV2可以由诸如硅氧化物(SiO

参考图17，去除第二像素PXL2的有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2。作为示例，可以部分地去除第一保护层PSV1和第二保护层PSV2以形成暴露第二像素PXL2的第二开口OP2，并且可以通过第二开口OP2去除第二像素PXL2的有机层OL。

在去除第二像素PXL2的有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2的工艺中，第一像素PXL1和第三像素PXL3可以被第二保护层PSV2覆盖或与第二保护层PSV2重叠。例如，暴露第二像素PXL2的第二开口OP2可以在相邻像素PXL被第二保护层PSV2掩蔽或保护的状态下形成。

参考图18，在从其中去除了有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2的第二像素PXL2中在堤图案BNP之间设置第二颜色转换层CC2。第二颜色转换层CC2可以通过第二保护层PSV2的第二开口OP2选择性地注入到第二像素PXL2中。在将第二颜色转换层CC2注入到暴露的第二像素PXL2中的工艺中，第二保护层PSV2可用于覆盖剩余的像素PXL或与剩余的像素PXL重叠并保护剩余的像素PXL。作为示例，在将第二颜色转换层CC2注入到第二像素PXL2中的工艺中，第二保护层PSV2可以用于保护第一像素PXL1和第三像素PXL3。因此，由于第二颜色转换层CC2可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到第二像素PXL2中，因此，如上所述可以改善可加工性。

参考图19，在第二颜色转换层CC2上设置第二滤色器CF2。第二滤色器CF2可以形成在或直接形成在第二颜色转换层CC2上。第二滤色器CF2可以在第三方向(Z轴方向)上与第二像素PXL2的发光元件LD和第二颜色转换层CC2重叠。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射具有第二颜色(或绿色)的光的滤色器材料。例如，在第二像素PXL2是绿色像素的情况下，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器材料。

参考图20，通过在第二保护层PSV2上形成第三保护层PSV3，可以完成图3中所示的显示装置。

第三保护层PSV3可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在第一像素PXL1的第二保护层PSV2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第二保护层PSV2上，但是本公开不一定限于此。第三保护层PSV3可以形成在第二像素PXL2的第二滤色器CF2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第二滤色器CF2上，但是本公开不一定限于此。第三保护层PSV3可以形成在第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第二保护层PSV2上，但是本公开不一定限于此。

第三保护层PSV3可以由诸如硅氧化物(SiO

随后，可以通过在第三保护层PSV3上形成第三滤色器CF3和阻光层BM来完成图4中所示的显示装置。

第三滤色器CF3可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第三保护层PSV3上。第三滤色器CF3可以在第三方向(Z轴方向)上与第三像素PXL3的发光元件LD和有机层OL重叠。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射具有第三颜色(或蓝色)的光的滤色器材料。例如，在第三像素PXL3是蓝色像素的情况下，第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器材料。

根据实施例，还可以在第三保护层PSV3上形成阻光层BM。阻光层BM可以设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。例如，阻光层BM可以设置在堤图案BNP上，并且在第三方向(Z轴方向)上与堤图案BNP重叠。如上所述，在阻光层BM形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处的情况下，可以更有效地改善从显示装置的正面或侧面可见的混色缺陷。阻光层BM的材料没有特别限制，并且可以包括各种阻光材料。

根据上述实施例，在利用保护层PSV掩蔽或保护相邻像素PXL的状态下，只有相应像素PXL的保护层PSV可以部分开口，以选择性地将颜色转换层CCL注入到相应像素PXL中。例如，颜色转换层CCL可以在没有单独对准的情况下施加到显示面板PNL的整个表面上，从而改善可加工性。

在下文中，将描述其它实施例。在以下实施例中，与上述部件相同的部件将由相同的附图标记表示，并且可以省略或简化其重复描述。

图21至图23是示出根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。图21至图23是用于描述制造图5的显示装置的方法的示意性剖视图。与图5中的部件基本上相同的部件用相同的附图标记表示，并且省略了详细的附图标记。

参考图21，发光元件LD设置在基板SUB的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中。基板SUB可以是包括电路元件等的驱动基板，其中，电路元件等诸如构成每个像素PXL的像素电路PXC(参见图2)的晶体管。发光元件LD可以以这样的形式设置，其中，第一半导体层L1、有源层L2和第二半导体层L3可以在第三方向(Z轴方向)上顺序地彼此堆叠在基板SUB上。第一电极ET1可以设置在发光元件LD和基板SUB之间。发光元件LD可以通过第一电极ET1连接到或联接到基板SUB。

参考图22，在发光元件LD上设置绝缘膜INS和第二电极ET2。绝缘膜INS可以形成在发光元件LD的侧表面上。绝缘膜INS可以防止由于发光元件LD的有源层L2接触除了第一半导体层L1和第二半导体层L3之外的导电材料而可能发生的电短路。绝缘膜INS可使发光元件LD的表面缺陷最小化，从而提高发光元件LD的寿命和发光效率。

绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的上表面。作为示例，绝缘膜INS可以覆盖发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面重叠，并且可以被部分去除以暴露发光元件LD的第二半导体层L3。

第二电极ET2可以形成在绝缘膜INS上。第二电极ET2可以形成在或直接形成在发光元件LD的由绝缘膜INS暴露的上表面上，并且可以接触发光元件LD的第二半导体层L3。第二电极ET2可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。

参考图23，在第二电极ET2上设置堤图案BNP。堤图案BNP可以在第二电极ET2上形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。作为示例，堤图案BNP可以形成在发光元件LD之间。

堤图案BNP可以包括至少一种反射材料。堤图案BNP可以反射从发光元件LD发射的光，以提高显示面板PNL的发光效率。堤图案BNP可以包括至少一种阻光材料，以防止相邻像素PXL之间的混色。然而，本公开不一定限于此，并且堤图案BNP的材料可以根据实施例而不同地改变。

在堤图案BNP之间设置有机层OL。由于已经参考图11至图20详细描述了形成有机层OL、颜色转换层CCL和/或滤色器层CFL的工艺，因此可以省略重叠的细节。

图24和图25是根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。图24和图25是用于描述制造图6的显示装置的方法的示意性剖视图。与图6中的部件基本上相同的部件用相同的附图标记表示，并且省略了详细的附图标记。

首先，参考图24，设置基板SUB，并且在基板SUB上设置发光叠层11、12和13。发光叠层11、12和13可以经由通过外延方法生长籽晶来形成。根据实施例，发光叠层11、12和13可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法形成。然而，本公开不一定限于此，发光叠层11、12和13可以通过诸如电子束沉积方法、物理气相沉积(PVD)方法、化学气相沉积(CVD)方法、等离子体激光沉积(PLD)方法、双型热蒸发方法和溅射方法的各种方法形成。

发光叠层11、12和13可以包括外延生长的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13可以在第三方向(Z轴方向)上顺序地设置在基板SUB上，第一半导体层11可以包括例如至少一个p型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括p型半导体层，该p型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自锌(Zn)、铁(Fe)、镁(Mg)、铍(Be)、镉(Cd)、银(Ag)、碳(C)、汞(Hg)、锂(Li)和钙(Ca)中的至少一种的第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)。作为示例，第一半导体层11可包括掺杂有第一导电型掺杂剂(或p型掺杂剂)的GaN半导体材料，但本公开不一定限于此。各种材料可以构成第一半导体层11。

有源层12可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、MQW结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种结构，但是本公开不一定限于此。有源层12包括GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN或AlN。各种材料可以构成有源层12。

第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11不同类型的半导体层。在一个实施例中，第二半导体层13可以包括至少一个n型半导体层。例如，第二半导体层13可以是n型半导体层，该n型半导体层可以包括选自GaN、InAlGaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且可以掺杂有包括选自硅(Si)、锡(Sn)、碲(Te)、硒(Se)、硫(S)、氧(O)、钛(Ti)和锗(Ge)中的至少一种的第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)。作为示例，第二半导体层13可以包括掺杂有第二导电型掺杂剂(或n型掺杂剂)的GaN半导体材料。然而，构成第二半导体层13的材料不限于此，并且第二半导体层13可以由各种材料制成。

根据实施例，还可以在基板SUB和第一半导体层11之间形成导电层ETL。导电层ETL可以包括金属或金属氧化物。作为示例，导电层ETL可以包括选自铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)及其氧化物或合金中的一种，但是本公开不一定限于此。

参考图25，发光叠层11、12和13可以被蚀刻以形成发光元件LD和堤图案BNP。堤图案BNP可以被设置在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3之间的边界处。发光元件LD可以形成在堤图案BNP之间的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中。作为示例，在蚀刻发光叠层11、12和13的工艺中，可以利用掩模的蚀刻选择性差异来同时形成具有不同厚度的发光元件LD和堤图案BNP。

根据实施例，在蚀刻发光叠层11、12和13的工艺中，导电层ETL可以分成第一电极ET1和电极层EL。作为示例，导电层ETL可以分成在发光元件LD下方或之下的第一电极ET1和在堤图案BNP下方或之下的电极层EL。

绝缘膜INS和第二电极ET2设置在发光元件LD和/或堤图案BNP上。由于已经参考图10至图20详细描述了形成第二电极ET2、有机层OL、保护层PSV、颜色转换层CCL和/或滤色器层CFL的工艺，因此可以省略重叠的细节。

图26至图30是根据实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。图26至图30是用于描述制造图7的显示装置的方法的示意性剖视图。与图7中的部件基本上相同的部件用相同的附图标记表示，并且省略了详细的附图标记。

首先，参考图26，在从其中去除了有机层OL和第一保护层PSV1的第一像素PXL1中在堤图案BNP之间设置第一颜色转换层CC1。第一颜色转换层CC1可以通过第一保护层PSV1的第一开口OP1选择性地注入到第一像素PXL1中。在将第一颜色转换层CC1注入到暴露的第一像素PXL1中的工艺中，第一保护层PSV1可以覆盖剩余的像素PXL或与剩余的像素PXL重叠并保护剩余的像素PXL。作为示例，在将第一颜色转换层CC1注入到第一像素PXL1中的工艺中，第一保护层PSV1可以用于保护第二像素PXL2和第三像素PXL3的有机层OL。因此，由于第一颜色转换层CC1可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到第一像素PXL1中，因此，如上所述可以改善可加工性。由于已经参考图8至图13详细描述了去除第一像素PXL1的有机层OL和第一保护层PSV1的操作，所以可以省略重叠的细节。

参考图27，设置第二保护层PSV2。第二保护层PSV2可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。作为示例，第二保护层PSV2可以形成在第一像素PXL1的第一颜色转换层CC1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第一颜色转换层CC1上，但是本公开不一定限于此。第二保护层PSV2可以形成在第二像素PXL2的第一保护层PSV1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第一保护层PSV1上，但是本公开不一定限于此。第二保护层PSV2可以设置在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上。第二保护层PSV2可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第一保护层PSV1上，但是本公开不一定限于此。

参考图28，去除第二像素PXL2的有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2。作为示例，可以部分地去除第一保护层PSV1和第二保护层PSV2以形成暴露第二像素PXL2的第二开口OP2，并且可以通过第二开口OP2去除第二像素PXL2的有机层OL。

在去除第二像素PXL2的有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2的工艺中，第一像素PXL1和第三像素PXL3可以被第二保护层PSV2覆盖或与第二保护层PSV2重叠。例如，暴露第二像素PXL2的第二开口OP2可以在相邻像素PXL被第二保护层PSV2掩蔽或保护的状态下形成。

参考图29，在从其中去除了有机层OL、第一保护层PSV1和第二保护层PSV2的第二像素PXL2中在堤图案BNP之间设置第二颜色转换层CC2。第二颜色转换层CC2可以通过第二保护层PSV2的第二开口OP2选择性地注入到第二像素PXL2中。在将第二颜色转换层CC2注入到暴露的第二像素PXL2中的工艺中，第二保护层PSV2可用于覆盖剩余的像素PXL或与剩余的像素PXL重叠并保护剩余的像素PXL。作为示例，在将第二颜色转换层CC2注入到第二像素PXL2中的工艺中，第二保护层PSV2可以用于保护第一像素PXL1和第三像素PXL3。因此，由于第二颜色转换层CC2可以在相邻像素PXL被掩蔽或保护的状态下被选择性地注入到第二像素PXL2中，因此，如上所述可以改善可加工性。

参考图30，在第二保护层PSV2上形成第三保护层PSV3。第三保护层PSV3可以形成在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3上。作为示例，第三保护层PSV3可以形成在第一像素PXL1的第二保护层PSV2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第一像素PXL1的第二保护层PSV2上，但是本公开不一定限于此。第三保护层PSV3可以形成在第二像素PXL2的第二颜色转换层CC2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第二像素PXL2的第二颜色转换层CC2上，但是本公开不一定限于此。第三保护层PSV3可以形成在第三像素PXL3的第二保护层PSV2上。第三保护层PSV3可以形成在或直接形成在第三像素PXL3的第二保护层PSV2上，但是本公开不一定限于此。

随后，可以通过在第三保护层PSV3上形成滤色器层CFL和阻光层BM来完成图7中所示的显示装置。由于已经参考图15至图20详细描述了形成滤色器层CFL和/或阻光层BM的工艺，所以可以省略重叠的细节。

在下文中，将描述可应用上述实施例的显示装置的电子装置。

图31至图34是示出根据实施例的电子装置的视图。

参考图31，根据上述实施例的显示装置可以应用于智能眼镜。智能眼镜可以包括框架111和透镜部分112。智能眼镜可以是可佩戴在用户脸部上的可佩戴电子装置，并且可以具有其中框架111的一部分可以折叠或展开的结构。例如，智能眼镜可以是用于增强现实(AR)的可佩戴设备。

框架111可包括支承透镜部分112的壳体111b和供使用者佩戴的腿部111a。腿部111a可以通过铰链连接到壳体111b，并且可以折叠或展开。

电池、触摸板、麦克风和/或相机可以嵌入在框架111中。用于输出光的投影仪和/或用于控制光信号的处理器可以嵌入在框架111中。

透镜部分112可以是透射光或反射光的光学构件。透镜部分112可以包括玻璃和/或透明合成树脂。

根据上述实施例的显示装置可以应用于透镜部分112。作为示例，用户可以识别通过透镜部分112从框架111的投影仪传输的光信号所显示的图像。例如，用户可以识别在透镜部分112上显示的诸如时间和日期的信息。

参考图32，根据上述实施例的显示装置可以应用于头戴式显示器(HMD)。HMD可以包括头部安装带121和显示器容纳壳体122。例如，HMD可以是可佩戴在用户头部上的可佩戴电子装置。

头部安装带121可以连接到显示器容纳壳体122以固定显示器容纳壳体122。如图32所示，头部安装带121可以包括用于将头戴式显示器固定到用户头部的水平带和竖直带，并且水平带可以设置为围绕用户头部的侧部，并且竖直带可以设置为围绕用户头部的上部。然而，本公开不一定限于此，并且头部安装带121可以以眼镜框架或头盔的形式实现。

显示器容纳壳体122可以容纳显示装置并且可以包括至少一个透镜。至少一个透镜可以向用户提供图像。例如，根据上述实施例的显示装置可应用于在显示器容纳壳体122中实现的左眼透镜和右眼透镜。

参考图33，根据上述实施例的显示装置可以应用于智能手表。智能手表可以包括显示单元131和带部分132。智能手表可以是可佩戴的电子装置，并且带部分132可以安装在用户的手腕上。根据上述实施例的显示装置可以应用于显示单元131。例如，显示单元131可以提供包括诸如时间和日期的信息的图像数据。

参考图34，根据上述实施例的显示装置可以应用于汽车显示器。例如，汽车显示器可以指设置在车辆内部和外部以提供图像数据的电子装置。

例如，根据上述实施例的显示装置可以应用于信息面板141、仪表板142、副驾驶显示器143、平视显示器144、侧视镜显示器145和后座显示器146中的至少一个。

对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离本公开的特征的情况下，实施例所涉及的各种修改是可能的。因此，上述方法应该被解释为说明性的而不是限制性的。本公开的范围由所附权利要求和前述描述限定，并且所述范围和/或其等同内的所有差异应当被解释为包括在本公开中。

根据实施例，可以通过在利用保护层掩蔽或保护相邻像素的状态下仅部分使相应像素开口来选择性地注入颜色转换层，从而改善可加工性。

本公开的效果不限于本文所阐述的实施例，并且进一步的效果包括在说明书中。