显示装置和制造显示装置的方法

本申请是申请日为2017年4月11日、申请号为201710231747.1、发明名称为“显示装置和制造显示装置的方法”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。

背景技术

显示装置可以包括非显示区以及发射光以显示图像的显示区。例如，非显示区可以是围绕显示区的外围区。

在显示装置中，可以减小外围区的尺寸以实现显示装置的相对窄的边框。当具有相对窄的边框的显示装置包括诸如照相机模块或按钮模块的附加器件时，用于附加器件的区域会侵入到显示区中，从而减小显示区的尺寸。

在与附加器件相邻的区域中的连接布线的非均匀性会引起显示图像的劣化。

发明内容

本发明的一些示例性实施例提供了一种具有扩大的显示区的显示装置。

本发明的一些示例性实施例提供了一种用于制造具有扩大的显示区的显示装置的方法。

根据本发明的示例性实施例，显示装置包括基底，所述基底包括显示区、围绕显示区的外围区、其至少一部分被显示区围绕的功能附加区以及设置在显示区与功能附加区之间的迂回区。显示装置包括设置在显示区中的多个像素电路。多条驱动线电连接到像素电路并且在显示区中沿第一方向延伸。第一迂回线设置在迂回区中并且电连接到第一驱动线。第二迂回线设置在迂回区中。第二迂回线电连接到第二驱动线并且设置在与第一迂回线不同的层中。

在本发明的示例性实施例中，第一迂回线和第二迂回线可以在平面图中与功能附加区的边缘相邻。

在本发明的示例性实施例中，在与第一方向交叉的第二方向上，第一迂回线和第二迂回线可以交替地布置。

在本发明的示例性实施例中，驱动线可以包括数据线。

在本发明的示例性实施例中，显示装置还可以包括扫描线和第三迂回线，扫描线在显示区中电连接到像素电路并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第三迂回线电连接到扫描线并且设置在迂回区中。

在本发明的示例性实施例中，第三迂回线可以设置在与扫描线不同的层中。

在本发明的示例性实施例中，扫描线可以包括第一部分以及通过迂回区与第一部分分隔开的第二部分。第三迂回线可以将第一部分电连接到第二部分。

在本发明的示例性实施例中，扫描线可以电连接到通过数据线中的至少一条接收数据信号的开关晶体管的栅电极。

在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括电连接到像素电路并且在显示区中沿第一方向延伸的电源线。电源总线可以在外围区中沿第二方向延伸。迂回总线可以设置在迂回区中并且可以将电源线电连接到电源总线。

在本发明的示例性实施例中，迂回总线可以在平面图中与功能附加区的边缘相邻。

在本发明的示例性实施例中，电源总线可以包括第一部分以及通过迂回区与第一部分分隔开的第二部分。迂回总线可以将第一部分电连接到第二部分。

在本发明的示例性实施例中，显示装置还可以包括覆盖像素电路并且设置在显示区和迂回区中的绝缘结构。绝缘结构可以包括顺序地设置在基底上方的栅极绝缘层、层间绝缘层和通路绝缘层。像素电路中的每个可以包括设置在栅极绝缘层下方的有源图案。栅电极可以设置在栅极绝缘层上并且可以与有源图案叠置。源电极可以设置在层间绝缘层上并且可以电连接到有源图案。漏电极可以与源电极分隔开。像素电极可以设置在通路绝缘层上并且可以电连接到漏电极。

在本发明的示例性实施例中，栅极绝缘层可以包括第一栅极绝缘层和设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层。第一迂回线可以设置在第一栅极绝缘层上，第二迂回线可以设置在第二栅极绝缘层上。

在本发明的示例性实施例中，第三迂回线可以设置在层间绝缘层与通路绝缘层之间。

在本发明的示例性实施例中，迂回总线可以设置在通路绝缘层上。

在本发明的示例性实施例中，第一迂回线和第二迂回线可以延伸到外围区中并且可以与电源总线交叉。

在本发明的示例性实施例中，显示装置还可以包括电连接到像素电路并且在显示区中沿第一方向延伸的电源线。电源总线可以在外围区中沿与第一方向交叉的第二方向延伸。迂回总线可以设置在迂回区中并且可以将电源线电连接到电源总线。绝缘结构可以覆盖像素电路并且可以设置在显示区和迂回区中。绝缘结构可以包括顺序地设置在基底上方的栅极绝缘层、层间绝缘层和通路绝缘层。电源线、电源总线和迂回总线可以设置在层间绝缘层与通路绝缘层之间。

在本发明的示例性实施例中，功能附加区可以由穿过基底的开口限定。

在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括电连接到像素电路的发光层。

根据本发明的示例性实施例，提供了一种用于制造显示装置的方法。根据所述方法，在基底上形成包括第一迂回线和扫描线的第一栅极图案。形成覆盖第一栅极图案的栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成包括第二迂回线的第二栅极图案。形成覆盖第二栅极图案的层间绝缘层。在层间绝缘层上形成源极图案。源极图案包括电连接到第一迂回线的第一数据线、电连接到第二迂回线的第二数据线以及电连接到扫描线并且与第一迂回线和第二迂回线交叉的第三迂回线。形成覆盖源极图案的通路绝缘层。

根据本发明的示例性实施例，基底可以包括由穿过基底的开口限定的功能附加区。第一迂回线至第三迂回线可以在平面图中与功能附加区的边缘相邻。

根据本发明的示例性实施例，源极图案还可以包括在与数据线相同的方向上延伸的电源线。电源总线可以在与电源线交叉的方向上延伸并且可以电连接到电源线。

根据本发明的示例性实施例，可以在通路绝缘层上形成迂回总线。迂回总线可以将电源线电连接到电源总线。

根据本发明的示例性实施例，分别连接到多条驱动线的多条迂回线可以在围绕功能附加区的迂回区中设置在不同的层中。因此，可以减小迂回线之间的距离并且可以减小迂回区的尺寸。因此，可以增大显示区的尺寸。

根据本发明的示例性实施例，扫描线可以电连接到设置在迂回区中的迂回线。因此，可以减少或者防止显示质量的劣化。

根据本发明的示例性实施例，电源线和电源总线可以通过设置在迂回区中的迂回总线彼此连接，这可以防止因电源线的增大的电阻导致的电断开、损坏或电压降。

附图说明

通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，对本发明构思的更完全的理解将变得更明显，在附图中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示基底的平面图。

图2是示出图1的区域“A”的放大的平面图。

图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。

图4是沿图2的线II-II'截取的剖视图。

图5是示出根据示例性实施例的显示基底的像素电路的电路图。

图6是根据本发明的示例性实施例的显示基底的平面图。

图7是示出图6的区域“B”的放大的平面图。

图8是沿图7的线III-III'截取的剖视图。

图9是沿图7的线IV-IV'截取的剖视图。

图10是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图11是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。

图12至图21是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

下面将参照其中示出了示例性实施例的附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例可以以许多不同的形式来体现并且不应理解为局限于在这里所阐述的实施例。贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。

图1是示出根据本发明的示例性实施例的显示基底的平面图。

图2是示出图1的区域“A”的放大的平面图。图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。图4是沿图2的线II-II'截取的剖视图。图5是示出根据本发明的示例性实施例的显示基底的像素电路的电路图。

参照图1至图5，显示基底可以包括基体基底100、像素电路、绝缘结构、像素电极170、驱动线和迂回线(detour line，或称为“旁路线”)。

基体基底100可以包括显示区AA、外围区PA、功能附加区FA和迂回区(detourarea，或称为“旁路区”)WA。

显示区AA可以是显示图像的区域，多个像素PX可以布置在显示区AA中。例如，显示区AA可以包括彼此相邻并且交替且顺序地布置的至少一个红色像素、至少一个绿色像素和至少一个蓝色像素。像素PX中的每个像素可以包括像素电路。

外围区PA是不显示图像的区域，并且可以与显示区AA相邻。例如，外围区PA可以具有围绕显示区AA的形状。将驱动信号提供到像素PX中的每个像素的驱动部可以设置在外围区PA中。例如，驱动部可以包括数据驱动部、扫描驱动部和发光驱动部。驱动部可以设置在IC芯片上或者可以设置在基体基底100上。

功能附加区FA是不显示图像的区域，功能附加区FA的至少一部分可以被显示区AA围绕。例如，功能附加区FA可以是从显示区AA的边界线凹入的非显示区。

例如，功能附加区FA可以由穿过基体基底100的开口HO限定。例如，开口HO可以与显示区AA和外围区PA叠置。

例如，按钮模块或照相机模块可以位于功能附加区FA中。

迂回区WA可以是不显示图像的区域，并且可以设置在功能附加区FA与显示区AA之间。用于将驱动部电连接到像素PX的布线可以设置在迂回区WA中。

在本发明的示例性实施例中，功能附加区FA可以是设置在显示基底的下部中的按钮区域，但是本发明的示例性实施例不限于此。例如，功能附加区FA可以由设置在显示基底的上部中的照相机区域CC限定，围绕照相机区域CC的区域可以限定迂回区WA。

在本发明的示例性实施例中，在第一方向D1上延伸的多条数据线DL1和DL2以及在与第一方向D1交叉(例如，垂直)的第二方向D2上延伸的多条扫描线SL1可以设置在显示区AA中。

包括在像素电路中的诸如薄膜晶体管的晶体管可以设置在像素PX中的每个像素中。薄膜晶体管可以电连接到对应的数据线和对应的栅极线。

像素电路可以电连接到电源线VDD1。电源线VDD1可以与数据线DL1和DL2平行。

数据线(例如，数据线DL1和DL2)和电源线(例如，电源线VDD1)可以被称为驱动线。

一个晶体管可以设置在像素PX中的每个像素中；然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，至少两个晶体管可以设置在像素PX中的每个像素中。例如，像素PX中的每个像素可以包括包含开关晶体管SW的多个晶体管以及存储电容器Cst。

像素电路可以电连接到栅极写入线GW、电压初始化线Vint、栅极初始化线GI、第一电源线VDD1、第二电源线和发射控制线EM。栅极写入线GW可以连接到与数据线连接的开关晶体管SW的栅电极。电压初始化线Vint可以提供初始化电压。栅极初始化线GI可以控制连接到电压初始化线Vint的晶体管。第一电源线VDD1可以将第一电源电压ELVDD提供到有机发光二极管OLED。第二电源线可以将第二电源电压ELVSS提供到有机发光二极管OLED。发射控制线EM可以将发射信号提供到有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以包括像素电极、发光层和对向电极。

在本发明的示例性实施例中，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以设置在迂回区WA中。第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以设置在不同的层中。第一迂回线DT1可以电连接到设置在显示区AA中的第一驱动线。第二迂回线DT2可以电连接到设置在显示区AA中的第二驱动线。

在本发明的示例性实施例中，迂回区WA可以具有围绕功能附加区FA的环形形状或半环形形状。第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以沿功能附加区FA的边缘延伸。例如，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以具有在平面图中沿功能附加区FA的边缘弯曲或者弯折的形状。

第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以具有不同的长度。例如，当第二迂回线DT2比第一迂回线DT1更靠近功能附加区FA时，第一迂回线DT1的长度可以比第二迂回线DT2的长度长。

当第一迂回线DT1和第二迂回线DT2设置在同一层中时，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以相对地靠近在一起。例如，作为曝光工艺的结果，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以相对地靠近在一起。在本发明的示例性实施例中，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以设置在彼此不同的层中。第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以沿第二方向D2交替地布置。因此，设置在彼此不同的层上的第一迂回线DT1与第二迂回线DT2之间的距离可以减小。例如，根据本发明的示例性实施例的第一迂回线DT1与第二迂回线DT2之间的距离可以比通过在同一水平上形成第一迂回线和第二迂回线的曝光工艺形成的第一迂回线与第二迂回线之间的距离小。因此，当第一迂回线DT1和第二迂回线DT2设置在不同的层中时，作为非显示区的迂回区WA的尺寸可以减小。

在本发明的示例性实施例中，第三迂回线DT3可以设置在迂回区WA中。第三迂回线DT3可以电连接到在显示区AA中沿第二方向D2延伸的扫描线SL1。扫描线SL1可以包括第一部分以及通过功能附加区FA与第一部分分隔开的第二部分。第三迂回线DT3可以连接到第一部分和第二部分。第三迂回线DT3可以设置在与第一迂回线DT1和第二迂回线DT2(见，例如，图4)不同的层中，并且可以与第一迂回线DT1和第二迂回线DT2交叉。

例如，第三迂回线DT3可以沿功能附加区FA的边缘延伸。例如，第三迂回线DT3可以具有在平面图中沿功能附加区FA的边缘弯曲或者弯折的形状。

当扫描线SL1被功能附加区FA分开时，分开的第一部分和第二部分可以连接到设置在外围区PA的两侧处的栅极驱动部以被操作。

然而，当扫描线SL1被功能附加区FA分开时，或者当分开的第一部分和第二部分具有彼此不同的长度时，施加到像素电路的信号的电压变化会因分开的扫描线与未被分开的其他扫描线之间的RC差而增大。因此，会使显示的图像劣化。

例如，扫描线SL1可以包括在显示区AA中沿第二方向D2延伸的线，例如，栅极写入线GW、电压初始化线Vint、栅极初始化线GI和发射控制线EM中的至少一条。

在本发明的示例性实施例中，扫描线SL1可以是栅极写入线GW。发生在栅极写入线GW的分开的部分之间的电压变化会影响图像质量。因此，栅极写入线GW通过第三迂回线DT3连续地连接，并且当其他线例如电压初始化线Vint、栅极初始化线GI和发射控制线EM被分别划分成被单独地驱动的多个部分时，可以减少设置在迂回区WA中的迂回线的数量。因此，可以减少或者防止图像劣化，并且可以减小迂回区WA的尺寸。

在本发明的示例性实施例中，迂回总线VDD2可以设置在迂回区WA中。电源总线ELVDD可以设置在外围区PA中。迂回总线VDD2可以电连接到设置在外围区PA中的电源总线ELVDD。迂回总线VDD2和电源总线ELVDD可以具有比电源线VDD1大的宽度。

在本发明的示例性实施例中，电源总线ELVDD可以在第二方向D2上延伸，并且可以包括第一部分以及通过功能附加区FA与第一部分分隔开的第二部分。迂回总线VDD2可以连接到电源总线ELVDD的第一部分和第二部分。

例如，迂回总线VDD2可以沿功能附加区FA的边缘延伸。例如，迂回总线VDD2可以具有沿功能附加区FA的边缘弯曲或者弯折的形状。迂回总线VDD2可以在迂回区WA中与第一迂回线DT1、第二迂回线DT2和第三迂回线DT3叠置，并且可以设置在与第一迂回线DT1、第二迂回线DT2和第三迂回线DT3不同的层中。

当与功能附加区FA相邻的电源线VDD1不直接连接到电源总线ELVDD或迂回总线VDD2时，电源线VDD1可以用网格结构连接到相邻的电源线，因此会增大电源线VDD1与电源总线ELVDD之间的电阻。因此，会由于增大的电阻因烧坏而引起断开或损坏，或者会增大施加到像素电路的电压变化。

在本发明的示例性实施例中，迂回总线VDD2可以连接到与功能附加区FA相邻的电源线VDD1。因此，可以向电源线VDD1稳定地施加电力。

在本发明的示例性实施例中，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以延伸到外围区PA中并且可以与电源总线ELVDD交叉。

晶体管和电容器可以在显示区AA中设置在形成在基体基底100上的阻挡层110上。晶体管可以包括有源图案120、栅电极135、源电极150和漏电极155。晶体管可以是将驱动电力提供到发光元件的驱动晶体管。

通路绝缘层(via insulation layer)160可以覆盖晶体管。例如，电连接到晶体管的漏电极155的像素电极170可以设置在通路绝缘层160上。

基体基底100可以是绝缘基底。例如，基体基底100可以包括聚合材料。例如，基体基底100可以包括诸如聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酯的聚合物。在本发明的示例性实施例中，基体基底100可以包括聚酰亚胺。

作为示例，基体基底100可以是玻璃基底或石英基底。

阻挡层110可以沿基体基底100的上表面共形地设置。阻挡层110可以减少或者防止湿气进入到显示基底中，并且可以减少或者防止杂质在基体基底100与形成在基体基底100上的结构之间扩散。

例如，阻挡层110可以设置在基体基底100的显示区AA和迂回区WA中。

阻挡层110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅或者它们的组合。阻挡层110可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的堆叠结构。

有源图案120可以设置在阻挡层110上。有源图案120可以包括诸如多晶硅的硅化合物。在本发明的示例性实施例中，包括p型杂质或n型杂质的源区和漏区可以设置在有源图案120的相对端处。

在本发明的示例性实施例中，有源图案120可以包括诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)或氧化铟锡锌(ITZO)的半导体氧化物。

第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132可以设置在阻挡层110上。第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132可以覆盖有源图案120。在本发明的示例性实施例中，第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本发明的示例性实施例中，第一栅极绝缘层130可以包括氧化硅层，第二栅极绝缘层132可以包括氮化硅层。

第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132可以设置在显示区AA和迂回区WA中。

栅电极135可以设置在第一栅极绝缘层130上。栅电极135可以设置在第一栅极绝缘层130与第二栅极绝缘层132之间，并且可以与有源图案120基本叠置。

例如，栅电极135可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属、它们的合金、它们的氮化物或者它们的组合。栅电极135可以具有包括物理上或化学上彼此不同的至少两个金属层的堆叠结构。例如，栅电极135可以具有可以减小栅电极135的电阻的Al/Mo或Ti/Cu的堆叠结构。

栅电极135可以与扫描线SL1由同一层形成。因此，扫描线SL1可以设置在第一栅极绝缘层130与第二栅极绝缘层132之间。

在本发明的示例性实施例中，包括在存储电容器Cst中的存储电极可以设置在第二栅极绝缘层132与层间绝缘层140之间。

层间绝缘层140可以设置在第二栅极绝缘层132上并且可以覆盖栅电极135。层间绝缘层140可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本发明的示例性实施例中，层间绝缘层140可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的堆叠结构。

层间绝缘层140可以设置在显示区AA和迂回区WA中。

源电极150和漏电极155可以穿过层间绝缘层140以及第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132，以与有源图案120接触。作为示例，源电极150和漏电极155可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属、它们的合金、它们的氮化物或者它们的组合。例如，源电极150和漏电极155可以具有包括物理上或化学上彼此不同的至少两个金属层的堆叠结构，诸如Al/Mo。

源电极150和漏电极155可以分别与有源图案120的源区和漏区接触。源区和漏区之间的区域可以是电子移动所通过的沟道。

数据线DL1和DL2可以与源电极150和漏电极155由同一层形成。因此，数据线DL1和DL2可以设置在层间绝缘层140与通路绝缘层160之间。

电源线VDD1和电源总线ELVDD可以与源电极150和漏电极155由同一层形成。因此，电源线VDD1和电源总线ELVDD可以设置在层间绝缘层140与通路绝缘层160之间。

虽然图3中示出了具有栅电极135设置在有源图案120上的顶栅结构的晶体管，但是本发明的示例性实施例不限于此。例如，晶体管可以具有栅电极135设置在有源图案120下方的底栅结构。

通路绝缘层160可以设置在层间绝缘层140上并且可以覆盖源电极150和漏电极155。通路绝缘层160可以包括电连接像素电极170和漏电极155的通孔。通路绝缘层160可以用作用于显示基底的平坦化层。

作为示例，通路绝缘层160可以包括诸如聚酰亚胺、酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酯的有机材料。

像素电极170可以设置在通路绝缘层160上，并且可以通过通路绝缘层160与漏电极155接触。像素电极170可以设置在显示区AA中，并且可以独立地设置在像素PX的每个像素中。

例如，像素电极170可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟。

在本发明的示例性实施例中，像素电极170可以是反射电极。当像素电极170是反射电极时，像素电极170可以包括诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属或者它们的合金。

在本发明的示例性实施例中，像素电极170可以具有包括透明导电材料和金属的堆叠结构。

绝缘结构可以包括第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132、层间绝缘层140以及通路绝缘层160。

第一迂回线DT1可以设置在与第二迂回线DT2不同的层中。例如，第一迂回线DT1可以设置在与扫描线SL1或栅电极135相同的层中。因此，第一迂回线DT1可以设置在第一栅极绝缘层130与第二栅极绝缘层132之间。

作为示例，第二迂回线DT2可以设置在第二栅极绝缘层132与层间绝缘层140之间。

第一迂回线DT1可以电连接到第一数据线DL1。例如，第一数据线DL1的端部可以与第一迂回线DT1的端部叠置，第一数据线DL1的所述端部可以穿过层间绝缘层140和第二栅极绝缘层132，以与第一迂回线DT1的所述端部接触。

第二迂回线DT2可以电连接到第二数据线DL2。例如，第二数据线DL2的端部可以与第二迂回线DT2的端部叠置，第二数据线DL2的所述端部可以穿过层间绝缘层140，以与第二迂回线DT2的所述端部接触。

第三迂回线DT3可以设置在与第一迂回线DT1和第二迂回线DT2不同的层中。例如，第三迂回线DT3可以与数据线DL1和DL2设置在同一层中。因此，第三迂回线DT3可以设置在层间绝缘层140与通路绝缘层160之间。

第三迂回线DT3可以电连接到扫描线SL1。例如，第三迂回线DT3的端部可以与扫描线SL1的端部叠置，第三迂回线DT3的所述端部可以穿过层间绝缘层140和第二栅极绝缘层132，以与扫描线SL1的所述端部接触。

迂回总线VDD2可以设置在与第一迂回线DT1、第二迂回线DT2和第三迂回线DT3不同的层中。例如，迂回总线VDD2可以与像素电极170设置在同一层中。因此，迂回总线VDD2可以设置在通路绝缘层160上。

迂回总线VDD2的端部可以穿过通路绝缘层160，以与电源线VDD1的端部接触。迂回总线VDD2可以电连接到电源线VDD1。

图6是示出根据本发明的示例性实施例的显示基底的平面图。图7是示出图6的区域“B”的放大的平面图。图8是沿图7的线III-III'截取的剖视图。图9是沿图7的线IV-IV'截取的剖视图。可以省略对与参照图1至图5更详细地描述的元件相同或者相似的元件的任何重复的解释。

参照图6至图9，显示基底可以包括驱动线和迂回线，驱动线电连接到显示区AA中的像素电路，迂回线穿过绝缘结构，以电连接到驱动线。

例如，驱动线可以设置在显示区AA中，并且可以设置在绝缘结构的层间绝缘层140上。迂回线可以设置在迂回区WA中，并且可以设置在绝缘结构的第一栅极绝缘层130或第二栅极绝缘层132上。在本发明的示例性实施例中，迂回线可以具有沿开口HO限定的功能附加区FA的端部延伸的形状。

在本发明的示例性实施例中，驱动线可以包括在第一方向D1上延伸的多条数据线DL1和DL2。第一迂回线DT1可以电连接到第一数据线DL1，第二迂回线DT2可以电连接到第二数据线DL2。第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以设置在彼此不同的层中。例如，第一迂回线DT1和第二迂回线DT2可以在某方向(例如，第二方向D2)上交替地布置。

第一迂回线DT1可以设置在与第二迂回线DT2不同的层中。例如，第一迂回线DT1可以与扫描线SL1或栅电极135设置在同一层中。因此，第一迂回线DT1可以设置在第一栅极绝缘层130与第二栅极绝缘层132之间。

例如，第二迂回线DT2可以设置在第二栅极绝缘层132与层间绝缘层140之间。

在本发明的示例性实施例中，显示基底可以不包括将扫描线SL1的被分开的部分彼此电连接的第三迂回线。扫描线SL1的被分开的部分可以由设置在外围区PA的两侧处的扫描驱动部驱动。省略连接扫描线SL1的迂回线可以减小迂回区WA的尺寸。

在围绕显示区AA的外围区PA中，可以设置在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸的电源总线ELVDD。沿功能附加区FA的端部延伸并且连接到电源总线ELVDD和电源线VDD1的迂回总线VDD2可以设置在迂回区WA中。

在本发明的示例性实施例中，显示基底可以不包括将扫描线SL1的被分开的部分彼此连接的迂回线。因此，迂回总线VDD2可以由源极图案形成。因此，电源总线ELVDD、迂回总线VDD2和电源线VDD1可以由同一层形成，并且可以在同一层中彼此连续地连接。

图10是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。例如，图10示出了包括以上参照图1至图5更详细地描述的显示基底的有机发光显示装置。

可以省略对与参照图1至图5更详细地描述的元件相同或者相似的元件的任何重复的解释。

参照图10，显示装置可以包括可以设置在参照图1至图5更详细地描述的显示基底上的发光层180、对向电极190和包封层195。像素限定层175可以在显示区AA中设置在通路绝缘层160上。像素限定层175可以暴露设置在每个像素中的像素电极170的至少一部分。

例如，像素限定层175可以覆盖像素电极170的外围部分。像素限定层175可以包括诸如聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的透明有机材料。像素电极170的不被像素限定层175覆盖的部分的尺寸可以限定针对每个像素的发光区域的尺寸。

发光层180可以设置在像素限定层175和像素电极170上。发光层180可以包括针对红色像素、绿色像素和蓝色像素被单独地图案化的有机发光层，以产生具有不同颜色的光。有机发光层可以包括通过电子和空穴激发的主体材料以及通过吸收能量并发射能量来增大发光效率的掺杂剂材料。

在本发明的示例性实施例中，显示装置可以包括液晶层而不是发光层180，因此显示装置可以包括在液晶显示器中。

参照图10，发光层180可以设置在像素电极170的被像素限定层175的开口暴露的上表面上以及像素限定层175的侧表面上。发光层180可以设置在像素限定层175的上表面上。在本发明的示例性实施例中，发光层180可以被像素限定层175的侧壁划分并且可以设置在像素中的每个像素上。

对向电极190可以设置在发光层180上。对向电极190和像素电极170可以通过设置在对向电极190与像素电极170之间的发光层180彼此面对。

在本发明的示例性实施例中，对向电极190可以是在多个像素之上连续地延伸的共电极。像素电极170和对向电极190可以分别是显示装置的阳极和阴极，或者反之亦然。

作为示例，对向电极190可以包括具有低逸出功的诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)、镁(Mg)的金属或者它们的合金。对向电极190可以包括诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟的透明导电材料。

在本发明的示例性实施例中，对向电极190可以设置在显示区AA和迂回区WA中。例如，对向电极190可以沿像素限定层175和发光层180的表面共形地设置。

在本发明的示例性实施例中，显示装置可以是穿过对向电极190向上显示图像的顶发射型显示装置。在顶发射型显示装置中，像素电极170可以包括金属，并且像素电极170可以是反射电极。对向电极190可以包括诸如氧化铟锡的透明导电材料。

包封层195可以设置在对向电极190上并且可以保护显示装置。作为示例，包封层195可以包括诸如氧化硅和/或金属氧化物的无机材料。在本发明的示例性实施例中，盖层可以设置在对向电极190与包封层195之间。盖层可以包括诸如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂的有机材料或者诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料。

图11是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。可以省略对与参照图10更详细地描述的元件相同或者相似的元件的任何重复的解释。

参照图11，发光层180a可以包括从像素电极170的上表面顺序地设置的空穴传输层(HTL)182、有机发光层184和电子传输层(ETL)186。

在本发明的示例性实施例中，空穴传输层182和电子传输层186可以设置在显示区AA和迂回区WA中。例如，空穴传输层182和电子传输层186可以沿像素限定层175和像素电极170的表面共形地设置。

作为示例，空穴传输层182可以包括诸如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPB)、N,N-二-1-萘基-N,N-二苯基-1,1-联苯-4,4-二胺(NPD)或N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑的空穴传输材料。

作为示例，电子传输层186可以包括诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq

在本发明的示例性实施例中，空穴传输层182和电子传输层186可以在显示区AA中针对多个像素共同地设置。

有机发光层184可以选择性地形成在显示区AA中。例如，有机发光层184可以基本与像素电极170叠置，并且可以针对像素中的每个像素被单独地图案化。有机发光层184可以在显示区AA中设置在空穴传输层182与电子传输层186之间。

对向电极190和包封层195可以连续地形成在显示区AA和迂回区WA中。

图12至图21是示出根据本发明的示例性实施例的用于制造显示装置的方法的剖视图。

参照图12，可以在载体基底50上形成基体基底100。

载体基底50可以在制造显示装置的工艺中支撑基体基底100。例如，载体基底50可以是玻璃基底或金属基底。

基体基底100可以包括诸如聚酰亚胺的聚合树脂。例如，可以在载体基底50上通过旋涂来涂覆包括聚酰亚胺前驱体的组合物，以形成涂覆层。可以通过热来固化涂覆层以形成基体基底100。

在本发明的示例性实施例中，基体基底100可以是玻璃基底或石英基底。

基体基底100可以包括用于附加功能的开口HO。基体基底100的一部分可以限定显示区AA。基体基底100的除了开口HO和显示区AA之外的剩余的部分可以限定外围区PA和迂回区WA。

可以使用包括开口HO的基体基底100执行下面的工艺；然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在制造显示装置之后，可以通过图案化或者冲孔来形成开口HO。

参照图13，可以在基体基底100上顺序地形成阻挡层110、有源图案120和第一栅极绝缘层130。

阻挡层110可以基本完全地覆盖基体基底100的上表面。例如，阻挡层110可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

有源图案120可以在显示区AA中形成在阻挡层110上。例如，包括非晶硅或多晶硅的半导体层可以形成在阻挡层110上，然后被图案化以形成有源图案120。

在本发明的示例性实施例中，在半导体层形成之后，可以执行低温多晶硅(LTPS)工艺或激光退火工艺，以使硅结晶。

在本发明的示例性实施例中，半导体层可以包括诸如IGZO、ZTO或ITZO的半导体氧化物。

第一栅极绝缘层130可以形成在阻挡层110上并且可以覆盖有源图案120。第一栅极绝缘层130可以连续地形成在显示区AA和迂回区WA中。第一栅极绝缘层130可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

参照图14，可以在第一栅极绝缘层130上形成包括第一迂回线DT1、栅电极135和扫描线SL1的第一栅极图案。

例如，可以在第一栅极绝缘层130上形成第一栅极金属层。可以通过光刻将第一栅极金属层图案化以形成第一栅极图案。第一迂回线DT1可以设置在迂回区WA中。栅电极135和扫描线SL1可以设置在显示区AA中。

第一栅极金属层可以包括金属、金属合金或金属氮化物。第一栅极金属层可以包括堆叠的金属层。

参照图15，可以形成第二栅极绝缘层132以覆盖第一迂回线DT1、栅电极135和扫描线SL1。可以在第二栅极绝缘层132上形成包括第二迂回线DT2的第二栅极图案。可以形成层间绝缘层140以覆盖第二迂回线DT2。

第二栅极绝缘层132可以在显示区AA和迂回区WA中连续地延伸。层间绝缘层140可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

作为示例，可以在第二栅极绝缘层132上形成第二栅极金属层。可以通过光刻工艺将第二栅极金属层图案化以形成包括第二迂回线DT2的第二栅极图案。第二栅极金属层可以包括金属、金属合金或金属氮化物。第二栅极金属层可以包括堆叠的金属层。

在本发明的示例性实施例中，第二栅极图案可以包括与栅电极135叠置的存储电极。

参照图16，可以部分地去除层间绝缘层140，以形成第一接触孔142、第二接触孔144和第三接触孔146。

在本发明的示例性实施例中，可以使用同一掩模在同一光刻工艺中形成第一接触孔142、第二接触孔144和第三接触孔146。

第一接触孔142和第二接触孔144可以穿过层间绝缘层140以及第一栅极绝缘层130和第二栅极绝缘层132，以部分地暴露有源图案120的上表面。作为示例，可以分别通过第一接触孔142和第二接触孔144暴露有源图案120的源区和漏区。

第三接触孔146可以穿过层间绝缘层140和第二栅极绝缘层132，以暴露扫描线SL1的上表面。

可以形成穿过层间绝缘层140和第二栅极绝缘层132以暴露第一迂回线DT1的上表面的接触孔。可以形成穿过层间绝缘层140以暴露第二迂回线DT2的上表面的接触孔。

参照图17，可以形成包括源电极150和漏电极155的源极图案。源电极150和漏电极155可以分别通过第一接触孔142和第二接触孔144与有源图案120的源区和漏区接触。

在本发明的示例性实施例中，源极图案可以包括第三迂回线DT3。第三迂回线DT3可以形成在迂回区WA中，并且可以通过第三接触孔146与扫描线SL1接触。

源极图案可以包括至少一条数据线。在本发明的示例性实施例中，第一数据线可以与第一迂回线DT1接触，第二数据线可以与第二迂回线DT2接触。

源极图案可以包括电源线和电源总线。电源线可以设置在显示区AA中，并且可以在与数据线平行的方向上延伸。电源总线可以设置在外围区PA中，并且可以在与扫描线SL1平行的方向上延伸。

作为示例，可以在层间绝缘层140上形成源极金属层，然后通过光刻工艺将其图案化以形成源极图案。源极金属层可以包括金属、金属合金或金属氮化物。源极金属层可以包括堆叠的金属层。

可以形成通路绝缘层160以覆盖源极图案。通路绝缘层160可以具有基本平坦的上表面。

作为示例，通路绝缘层160可以通过旋涂或狭缝涂覆由诸如聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酯的有机材料形成。

参照图18，可以将通路绝缘层160部分地刻蚀，以形成第一通孔163。可以通过第一通孔163暴露漏电极155的上表面。

可以将通路绝缘层160部分地刻蚀，以形成暴露电源线和电源总线的上表面的第二通孔。

参照图19，可以在通路绝缘层160上形成像素电极170和迂回总线VDD2。像素电极170可以电连接到漏电极155。迂回总线VDD2可以形成在迂回区WA中，并且可以电连接到电源线和电源总线。

作为示例，可以在通路绝缘层160上形成像素金属层，然后通过光刻工艺将其图案化以形成像素电极170和迂回总线VDD2。

像素金属层可以包括金属、金属合金、金属氮化物或诸如ITO的透明导电材料。

参照图20，可以在显示基底上形成发光结构。

可以在显示区AA中在通路绝缘层160上形成像素限定层175，例如以覆盖像素电极170的外围部分。例如，可以通过涂覆包括聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂的光敏有机材料，将涂覆层暴露于光并且使涂覆层显影来形成像素限定层175。

发光层180可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。

作为示例，可以通过使用用于发射红色光、绿色光或蓝色光的有机发光材料在通过像素限定层175的开口暴露的每个像素电极170上形成发光层180。例如，可以通过使用包括暴露形成有红色像素、绿色像素和蓝色像素的区域的开口的精细金属掩模通过旋涂工艺、辊印刷工艺、喷嘴印刷工艺或喷墨印刷工艺来形成发光层180。因此，包括有机发光材料的有机发光层可以形成在每个像素上。

在本发明的示例性实施例中，发光层180可以连续地形成在显示区AA中。发光层180可以是包括绿色发光层、红色发光层和蓝色发光层以发射白光的堆叠的结构。

作为示例，可以沉积诸如铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)、镁(Mg)的具有低逸出功的金属或它们的合金以形成对向电极190。对向电极190可以包括诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟的透明导电材料。

可以在对向电极190上沉积诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机材料以形成包封层195。包封层195可以在显示区AA和迂回区WA中连续地延伸。

可以将载体基底50与基体基底100分离，以制造根据本发明的示例性实施例的显示装置(例如，参照图10描述的显示装置)。载体基底50可以通过激光剥离工艺或者通过施加到载体基底50的机械张力与基体基底100分离。

参照图21，发光层180a可以包括可以顺序地形成在显示基底上的空穴传输层182、有机发光层184和电子传输层186。

在形成空穴传输层182之后，可以通过在显示区AA中使用选择性地暴露像素的精细金属掩模印刷发光材料来形成有机发光层184。

可以将载体基底50与基体基底100分离，以制造根据本发明的示例性实施例的显示装置(例如，参照图11描述的显示装置)。

根据本发明的一些示例性实施例的显示基底和显示装置可以用于移动显示器。例如，根据本发明的一些示例性实施例的显示基底和显示装置可以用于计算机、移动电话、智能电话、智能平板、MP3播放器、用于车辆的导航器或抬头显示器。

虽然已经参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但是对本领域的普通技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其做出形式和细节上的各种改变。