一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法

技术领域

本发明涉及一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域。

背景技术

宽禁带半导体碳化硅（SiC）是性能优异的半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、击穿场强高、电子饱和漂移速率高、耐高温、抗辐照等突出优势，近年来被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、5G通信、智能电网、国防军工等重要领域。业界普遍采用化学气相沉积法制备碳化硅外延层，并在此基础上制备碳化硅电力电子器件。然而，外延层缺陷的产生制约了产品良率的提高，进而增加了生产成本。

碳化硅外延层缺陷主要来自衬底中缺陷（例如基平面位错、螺位错、刃位错等）的延伸，以及外延生长过程中形成的缺陷（例如三角形缺陷、胡萝卜缺陷、掉落物、台阶聚集等），其中，三角形缺陷是最普遍的致命外延缺陷，极易导致碳化硅器件漏电失效，降低产品良率。业界通常在衬底和外延层之间设置生长缓冲层，以实现对衬底缺陷的有效阻挡。缓冲层的另一个作用是减小因外延层和衬底间晶格失配而产生的晶格应力，有利于减少缺陷成核点的产生。生长缓冲层使用的碳硅比一般低于生长外延层使用的碳硅比，较低的碳硅比有利于减少三角形缺陷成核点并形成良好的表面台阶形貌。从缓冲层到外延层的过渡生长过程，碳硅比需要从生长缓冲层使用的碳硅比变化至生长外延层使用的碳硅比。碳硅比的变化会引起化学势的变化，进而影响不同外延速率下生长界面处吸附单体类型的变化，导致三角形缺陷等外延缺陷成核概率的增加

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，通过改进缓冲层结构和碳硅比过渡方式，实现三角形缺陷密度的有效降低。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，应用于化学气相沉积工艺，包括以下步骤：

以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；

保持硅源流量不变，逐渐从所述第一碳源流量增大过渡至第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；过渡模式为，碳硅比是关于时间的S型函数；

以所述第一硅源流量和所述第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；

从所述第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从所述第二碳源流量增大过渡至所述第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；

以所述第二硅源流量和所述第三碳源流量生长出高速外延层。

本申请提供的有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法一方面将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，即设置了碳硅比过渡层和源流量过渡层，有利于减少三角形缺陷，并且在这两个过程之间还增加了一个稳定生长气氛的缓冲过程，即生长低速高碳硅比缓冲层，进一步地减少形成三角形缺陷；另一方面，碳硅比的变化过程是关于时间的S型函数，申请人发现，如果碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够实现平滑过渡，那么外延缺陷密度将会降低。

S型函数是一类形状类似字母S形状的函数，包括逻辑斯谛函数、双曲正切函数、古德曼函数、误差函数等，优选地，所述S型函数的形式为：

碳硅比=Δr/（1+exp（-k*（t-t_mid）/Δt））+r1，式1；

其中，Δr=r2-r1，r1为所述第一碳源流量与所述第一硅源流量的碳硅比，r2为所述第二碳源流量与所述第一硅源流量的碳硅比；自变量t表示时间，单位为分钟；t_mid=（t1+t2）/2，Δt=t2-t1，t1为开始生长所述碳硅比过渡层的时间点，t2为开始生长所述低速高碳硅比缓冲层的时间点，单位均为分钟；k为控制所述S型函数陡度的调节参数。

进一步地，所述r1为0.8，所述r2为1.2，所述Δt为2min。

由于碳硅比变化引起化学势变化时会增加三角形缺陷的成核概率，因此碳硅比变化的时间过长会导致三角形缺陷增加，将Δt即碳硅比变化时间控制在2分钟，在保证C/Si变化过程的起点和终点附近C/Si平滑过渡的前提下，有利于减少碳硅比变化的总时长，进而减少三角形缺陷，并在一定程度上减少在生长高速外延层之前消耗的时间。

更进一步地，所述k的取值范围为7至14。

k值对式1函数平滑过渡部分的用时以及式1函数中段的曲线陡度具有重要的调控作用，所谓中段即碳硅比变化过程起点附近、终点附近两段平滑过渡之间的部分。在k值取7至14时，保证了碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够有足够时间实现平滑过渡，并且式1函数中段对应的碳硅比变化得不至于太剧烈。

进一步地，包括生长所述低速低碳硅比缓冲层直至生长所述高速外延层的全过程中，保持氮气流量与硅源流量的比值不变。

碳原子与掺杂的氮原子存在竞位关系，本申请在生长碳硅比过渡层过程中，维持氮气流量和硅源流量不变，只调节碳源流量，减少了除碳源流量外对实际沉积的碳硅比有影响的其他因素，有利于保证实际沉积的碳硅比按S型函数在碳硅比变化过程的起点附近和终点附近平滑过渡。而在生长源流量过渡层时，氮气流量、硅源流量和碳源流量同时等比例增加，有利于保证实际沉积的碳硅比与低速高碳硅比缓冲层相比不再发生较大变化，有利于减少三角形缺陷。

进一步地，硅源为三氯氢硅，碳源为乙烯。

更进一步地，所述从所述第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从所述第二碳源流量增大过渡至所述第三碳源流量的步骤中，过渡模式均为线性增加。

在硅源选用三氯氢硅时，有利于避免高浓度硅源产生硅滴，生长源流量过渡层时采用线性增加的方式也不容易产生硅滴，有利于减少在生长高速外延层之前消耗的时间。

更进一步地，所述第二硅源流量为所述第一硅源流量的10倍，所述第三碳源流量为所述第二碳源流量的10倍。由于以三氯氢硅作为硅源时不易产生硅滴，因此在保证产品质量的前提下可以大大增加高速外延层的生长速度，有利于提高生产效率。

进一步地，在所述以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层的步骤之前，还包括以下步骤：

选取偏角为4°的4H-SiC衬底，清洁表面后放入反应腔中；

抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min；

设置氢气流量为100 SLM，HCl流量为4 SLM，反应室压力为100mbar，温度为1410℃，刻蚀时间为5min；

停止通入HCl，保持氢气流量为100 SLM，反应室压力为100mbar，升温至1600℃；

在所述以所述第二硅源流量和所述第三碳源流量生长出高速外延层的步骤之后，还包括步骤：

降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

进一步地，所述低速低碳硅比缓冲层的厚度范围为0.3μm-2μm，所述碳硅比过渡层的厚度范围为0.2μm-1μm，所述低速高碳硅比缓冲层的厚度范围为0.3μm-2μm，所述源流量过渡层的厚度范围为0.5μm-4μm。

碳硅比过渡层的最小厚度受碳硅比变化过程所需最短时间限制，而碳硅比变化引起化学势变化时会增加三角形缺陷的成核概率，因此碳硅比过渡层的厚度也不宜过大，尽可能在较短的时间内完成碳硅比变化过程。源流量过渡层的最小厚度受提高生长速度过程所需最短时间限制，适当延长过渡时间能够提高该层质量，但会降低生产效率，因此源流量过渡层以4μm以下为宜。所述低速低碳硅比缓冲层和低速高碳硅比缓冲层的最小厚度为其能够发挥缓冲作用的最小厚度，缓冲层的厚度过大也会降低生产效率。

本发明的有益效果是：本发明的有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法中，将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，有利于减少三角形缺陷，并且在这两个过程之间还增加了一个稳定生长气氛的缓冲过程，进一步地减少形成三角形缺陷；另外，使得碳硅比的变化过程是关于时间的S型函数，使碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够实现平滑过渡，有利于降低外延缺陷密度。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书来实现和获得。

附图说明

图1是通过本申请实施例提供的一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法制得的外延片的结构示意图。

图2是实施例1所得外延片使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测的监测结果。

图3是本申请实施例提供的式4所得曲线的图像。

标号说明：10、衬底；11、低速低碳硅比缓冲层；12、碳硅比过渡层；13、低速高碳硅比缓冲层；14、源流量过渡层；15、高速外延层。

具体实施方式

申请人发现，如果碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够实现平滑过渡，那么外延缺陷密度将会进一步降低。换言之，碳硅比随时间的一阶导数在变化过程的起点附近逐渐变大并在终点附近逐渐变小，相比起碳硅比随时间的一阶导数的不连续变化，有利于外延缺陷密度的减少。申请人认为，在碳硅比变化过程的起点和终点附近，实际沉积的碳硅比对化学势的变化十分敏感，进而导致这两段时期三角形缺陷等外延缺陷成核点在化学势大幅变化时的快速形成。

此外，业界通常采用的源流量线性过渡方式，将碳硅比变化过程和速率切换过程合并为一个过程，容易诱发三角形缺陷等外延缺陷的产生。这是因为，当速率变大或源流量变大时，碳硅比变化对化学势变化的影响变得十分显著，进而导致缺陷成核点形成的概率增大。

参照图1，针对以上问题，本申请提供一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，应用于化学气相沉积工艺，包括以下步骤：

S1：以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层11。

S2：保持硅源流量不变，逐渐从第一碳源流量增大过渡至第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层12。其中过渡模式为，碳硅比是关于时间的S型函数。

S3：以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层13。

S4：从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层14。

S5：以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层15。

一方面，本申请实施例将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，即设置了碳硅比过渡层12和源流量过渡层14，有利于减少三角形缺陷，并且在这两个过程之间还增加了一个稳定生长气氛的缓冲过程，即生长出低速高碳硅比缓冲层13，进一步地减少形成三角形缺陷。另一方面，碳硅比的变化是关于时间的S型函数，使得碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够实现平滑过渡，有利于降低外延缺陷密度。这可能是由于衬底表面生长气氛状态变化的相对滞后，实际沉积在表面的碳硅比不完全与供气的比例一致，例如若使碳硅比线性变化，在碳硅比变化起始阶段，碳硅比尚低的时段较短，衬底表面生长气氛滞后未能伴随气源同时变化，原本吸附在衬底表面的先驱物发生表面反应后，新吸附的先驱物组分已偏富碳，差异较大，容易形成缺陷。而本申请实施例中有足够的时段处于碳硅比缓慢增加的过程中，有利于使衬底表面生长气氛跟上气源变化，从而逐渐适应富碳气氛。

S型函数是一类形状类似字母S形状的函数，包括逻辑斯谛函数、双曲正切函数、古德曼函数、误差函数等，优选地，S型函数的形式为：

碳硅比=Δr/（1+exp（-k*（t-t_mid）/Δt））+r1，式1；即

。

其中，Δr=r2-r1，r1为第一碳源流量与第一硅源流量的碳硅比，即生长低速低碳硅比缓冲层11时用的碳硅比；r2为第二碳源流量与第一硅源流量的碳硅比，即生长低速高碳硅比缓冲层13时用的碳硅比；自变量t表示时间，单位为分钟；t_mid=（t1+t2）/2，Δt=t2-t1，t1为开始生长碳硅比过渡层的时间点，t2为开始生长低速高碳硅比缓冲层的时间点，单位均为分钟，例如放入衬底后，反应腔在第0min启动，在第77min开始生长碳硅比过渡层，在第79min结束生长碳硅比过渡层，则t2=79min，t1=77min；k为控制S型函数陡度的调节参数；e为自然常数。

在一些实施方式中，以0.8的碳硅比在富硅气氛下生长低速低碳硅比缓冲层11，较低的碳硅比有利于减少三角形缺陷成核点并形成良好的表面台阶形貌，有利于衬底10上的缺陷在向低速低碳硅比缓冲层11传递的过程中愈合；生长高速外延层时采用1.2的碳硅比，而在生长碳硅比过渡层后碳硅比不再变化，即在S型函数中，r1=0.8，r2=1.2。由于碳硅比变化时会引起化学势变化，会增加三角形缺陷的成核概率，因此碳硅比变化的时间过长会导致三角形缺陷增加，将Δt即碳硅比变化时间控制在2分钟，在保证C/Si变化过程的起点和终点附近C/Si平滑过渡的前提下，有利于减少碳硅比变化的总时长，进而减少三角形缺陷，并在一定程度上减少在生长高速外延层之前消耗的时间。k值对式1函数平滑过渡部分的用时以及式1函数中段的曲线陡度具有重要的调控作用，所谓中段即碳硅比变化过程起点附近、终点附近两段平滑过渡之间的部分。在k值取7至14时，保证了碳硅比在变化过程的起点和终点附近能够有足够时间实现平滑过渡，并且式1函数中段对应的碳硅比变化得不至于太剧烈。据此，作为示意性地，S型函数可表示为：

。

在本领域中，通常采用氮气中的氮原子对晶片进行N型掺杂，而氮原子会与碳原子竞争格点位置，即N 型掺杂的氮原子占据4H-SiC晶格中的C空位。在本申请实施例中包括生长低速低碳硅比缓冲层11、碳硅比过渡层12、低速高碳硅比缓冲层13、源流量过渡层14、高速外延层15的全过程中，保持氮气流量与硅源流量的比值不变（实际氮气浓度与预设的掺杂浓度有关，本申请不讨论掺杂浓度，此处只要求氮气流量总是与硅源流量等比例）。在生长碳硅比过渡层12过程中，维持氮气流量和硅源流量不变，只调节碳源流量，减少了除碳源流量外对实际沉积的碳硅比有影响的其他因素，有利于保证实际沉积的碳硅比按S型函数在碳硅比变化过程的起点附近和终点附近平滑过渡。而在生长源流量过渡层14时，氮气流量、硅源流量和碳源流量同时等比例增加，有利于保证实际沉积的碳硅比与低速高碳硅比缓冲层相比不再发生较大变化，有利于减少三角形缺陷。

申请人发现，在碳硅比变化过程刚结束时，生长气氛实际上是不稳定的，如果此时直接在碳硅比过渡层12上生长源流量过渡层14，在生长气氛不稳定时就同步增大碳源流量、氮气流量和硅源流量，使得实际沉积到表面的碳硅比不稳定，容易导致外延缺陷的产生。这一方面是由于衬底表面生长气氛状态变化的相对滞后，另一方面是因为设备PID调节控制过程存在局限性。因此，申请人认为，有必要在碳硅比变化过程和速率切换过程之间，增加一个稳定生长气氛的缓冲过程，即生长低速高碳硅比缓冲层13，对外延缺陷密度的降低十分有利。

优选地，低速低碳硅比缓冲层的厚度范围为0.3μm-2μm，碳硅比过渡层的厚度范围为0.2μm-1μm，低速高碳硅比缓冲层的厚度范围为0.3μm-2μm，源流量过渡层的厚度范围为0.5μm-4μm。

碳硅比过渡层12的最小厚度受碳硅比变化过程所需最短时间限制，而碳硅比变化引起化学势变化时会增加三角形缺陷的成核概率，因此碳硅比过渡层12的厚度也不易过大，尽可能在较短的时间内完成碳硅比变化过程。源流量过渡层14的最小厚度受提高生长速度过程所需最短时间限制，适当延长过渡时间能够提高该层质量，但会降低生产效率，因此源流量过渡层14以4μm以下为宜。低速低碳硅比缓冲层11和低速高碳硅比缓冲层13的最小厚度为其能够发挥缓冲作用的最小厚度，缓冲层的厚度过大也会降低生产效率。

实施例1

一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，包括以下步骤：

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS（SiHCl

6）生长碳硅比过渡层：设置TCS流量为50sccm，N

。

7）生长低速高碳硅比缓冲层：设置TCS流量为50sccm，C

8）生长源流量过渡层：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

9）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

10）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

如图2所示（由于Lasertec缺陷分析仪所带软件的问题，只选择一种缺陷时仍然显示为“composite”，本次实验实际上选中的是三角形缺陷），使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例1

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS流量为50sccm，C

6）生长过渡层（将源流量和碳硅比同时变至目标值）：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

7）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

8）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例2

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS流量为50sccm，C

6）生长碳硅比过渡层：设置TCS流量为50sccm，N

7）生长源流量过渡层：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

8）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

9）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例3

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS（SiHCl

6）生长碳硅比过渡层：设置TCS流量为50sccm，N

。

7）生长低速高碳硅比缓冲层：设置TCS流量为50sccm，C

8）生长源流量过渡层：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

9）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

10）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例4

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS（SiHCl

6）生长碳硅比过渡层：设置TCS流量为50sccm，N

7）生长低速高碳硅比缓冲层：设置TCS流量为50sccm，C

8）生长源流量过渡层：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

9）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

10）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例5

1）清洗：选取偏角为4°的4H-SiC衬底，使用标准的RCA清洗工艺清洁4H-SiC衬底表面。

2）升温至刻蚀温度：将4H-SiC衬底放入反应室中，抽真空，升温至衬底刻蚀温度1400℃，升温速率不超过20℃/min。

3）刻蚀：设置H

4）升温至生长温度：关闭HCl流量计，保持H

5）生长低速低碳硅比缓冲层：设置TCS（SiHCl

6）生长碳硅比过渡层：设置TCS流量为50sccm，N

7）生长源流量过渡层：设置TCS流量从50sccm过渡至500sccm，C

8）生长高速外延层：设置TCS流量为500sccm，C

9）降温：生长结束后，缓慢降温，降温速率不超过15℃/min，当反应室温度低于500℃时，取出外延片。

使用Lasertec缺陷分析仪对碳化硅外延片上的三角形缺陷数量进行检测，检测面积为160.7 cm

对比例1为业界通常采用的源流量线性过渡方式以及碳硅比变化方式，将源流量和碳硅比同时变至目标值，会导致较多缺陷传递到高速外延层表面，三角形缺陷多。对比例2将碳硅比变化过程和速率切换过程分开，但在碳硅比变化过程结束后立刻进行速率切换过程，二者之间缺少一个稳定生长气氛的缓冲过程，对控制外延缺陷密度不利。对比例3由于碳硅比变化过程的持续时间长，因此缺陷的产生的概率较大，容易诱发缺陷密度的增加。对比例4有高碳硅比低生长速率的稳定生长过程，但碳硅比线性变化，导致缺陷数量仍然较高。对比例5碳硅比也按S型函数变化，但在此之后没有衔接缓冲过程就直接提高生长速率，缺陷数量稍高于实施例1。证明本申请实施例有效提升碳化硅外延产品良率，有利于降低生产成本。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”“某些实施方式”“示意性实施方式”“示例”“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

参考文献：

[1]孙永强. 化学势调控生长单体的150mm 4H-SiC厚膜外延生长[D].厦门大学,2019。