一种多路输出交叉调整功率稳定电路

技术领域

本申请涉及稳压功率调整电路领域，具体而言，涉及一种多路输出交叉调整功率稳定电路。

背景技术

随着电子科技的发展，越来越多的领域使用到了开关电源，而功放、按摩椅、医疗设备、台式电脑、显示屏等，更是使用了多路输出的开关电源，若做成几个独立的开关电源，成本会比较高、体积大且认证费高，不利于市场推广，若共用同一个控制电路、同一个变压器，成本大幅度降低了，但输出电压调整率很难做好，输出电压不稳定的话会导致系统工作不正常甚至损坏。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种多路输出交叉调整功率稳定电路，其能够解决上述的技术问题。

本申请实施例提供一种多路输出交叉调整功率稳定电路，包括输入整流滤波单元、高频变压器、MCU控制单元、输出恒压控制单元与输出负载调节单元，所述输入整流滤波单元与所述高频变压器电性连接，所述高频变压器分别与所述输出恒压控制单元电性连接，所述输出恒压控制单元与所述MCU控制单元电性连接，所述MCU控制单元与所述输出负载调节单元电性连接，所述输入整流滤波单元用于将输入的交流电转化为直流电，并将转化的直流电给所述高频变压器进行供电，所述高频变压器用于电压的变换并输出恒流恒压的电压，所述输出恒压控制单元用于检测所述高频变压器输出电压并对输出电压进行调节，并将检测的输出电压反馈给输入整流滤波单元，所述MCU控制单元用于对调节之后的输出电压进行监测，并对所述输出恒压控制单元进行控制，所述输出负载调节单元用于检测其各路的输出电压，并控制其负载进行调节，输出稳定输出电压。

作为优选，所述输入整流滤波单元包括输入端CON3、保险丝F1、热敏电阻NTC1、公用扼流圈LF5、公用扼流圈LF3、电容CX1、电阻R13、电阻R14、电阻R16、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R25、整流桥DB1、电容EC7、电容CC4、电阻RL1、处理器U2、电阻R32、电阻R34、电容C8、光电耦合器OC1B、二极管D6、热敏电阻NTC2、电容C10、电阻R39、电阻R30、电阻R33、电阻R27、电容C4、电容EC11、场效应管Q4、电阻R36、电阻R40、二极管D5，所述保险丝F1的一端与所述输入端CON3连接，所述保险丝F1的另一端与所述热敏电阻NTC1的一端连接，所述热敏电阻NTC1的另一端与所述公用扼流圈LF5的第一端口连接，所述公用扼流圈LF5的第三端口与所述输入端CON3连接，所述公用扼流圈LF5的第二端口分别与所述电容CX1的一端、所述电阻R13的一端、所述公用扼流圈LF3的第一端口连接，所述公用扼流圈LF5的第四端口分别与所述电容CX1的另一端、所述电阻R16的一端、所述公用扼流圈LF3的第三端口连接，所述电阻R13的另一端与所述电阻R16的另一端连接，所述公用扼流圈LF3的第二端口分别与所述电阻R20的一端、所述整流桥DB1的第二端口连接，所述公用扼流圈LF3的第四接口分别与所述电阻R21的一端、所述整流桥DB1的第三端口连接，所述整流桥DB1的第四端口接地，所述整流桥DB1的第一端口与所述高频变压器的输入端、所述电容EC7的一端、所述电容CC4的一端、所述电阻R14的一端连接，所述电容EC7的另一端接地，所述电容CC4的另一端、所述电阻R14的另一端均与所述二极管D4的输出端连接，所述二极管D4的输入端与所述电阻RL1的一端连接，所述所述电阻RL1的另一端分别与所述高频变压器的输入端、所述场效应管Q4的D极连接，所述场效应管Q4的S极通过所述电阻R40接地，所述电阻R21的另一端与所述电阻R25的一端连接，所述电阻R20的另一端与所述电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端、所述电阻R25的另一端与所述处理器U2的第五端口连接，所述处理器U2的第二接口分别与所述电阻R32的一端、所述电容C8的一端连接，所述电阻R32的另一端与所述光电耦合器OC1B的一端连接，所述电容C8的另一端与所述光电耦合器OC1B的另一端连接，所述处理器U2的第三接口通过所述电阻R34与所述高频变压器的输入端连接，所述处理器U2的第三接口通过所述二极管D6、所述电阻NTC2接地，所述处理器U2的第一接口接地，所述处理器U2的的第四接口分别与所述电容C10的一端、所述电阻R39的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R39的另一端与所述场效应管Q4的S极连接，所述处理器U2的第六接口通过所述电阻R30、所述电阻R33与所述场效应管Q4的G极连接，所述电阻R36的一端与所述场效应管Q4的G极连接，所述电阻R36的另一端与所述场效应管Q4的S极连接，所述电容C4的一端、所述电容EC11的一端、所述电阻R27的一端均与所述处理器U5的第五接口连接，所述电容C4的另一端、所述电容EC11的另一端均接地，所述电阻R27的另一端与所述二极管D5的输出端连接，所述二极管D5的输出端与所述变频变压器的输入端连接。

作为优选，所述处理器U2的型号为KA3843或UC3843BN。

作为优选，所述输出恒压控制单元包括第一输出单元、第二输出单元与第三输出单元，所述第一输出单元包括电阻R1、电容CC1、并联二极管D1、电容EC1、电容EC2、电容EC3、公用扼流圈LF1与输出端CON1，所述电阻R1的一端、所述并联二极管D1的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R1的另一端与所述电容CC1的一端连接，所述电容CC1的另一端、所述并联二极管D1的输出端与所述公用扼流圈LF1的第一接口连接，所述电容EC1的一端、所述电容EC2的一端、所述电容EC3的一端均与所述公用扼流圈LF1的第一接口连接，所述电容EC1的另一端、所述电容EC2的另一端、所述电容EC3的另一端、所述公用扼流圈LF1的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF1的第二接口、第四接口均与所述输出端CON1连接，所述第二输出单元包括电阻R7、电容CC2、并联二极管D2、电容EC4、电容EC5、电容EC5、公用扼流圈LF2与输出端CON2，所述电阻R7的一端、所述并联二极管D2的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R7的另一端与所述电容CC2的一端连接，所述电容CC2的另一端、所述并联二极管D2的输出端与所述公用扼流圈LF2的第一接口连接，所述电容EC4的一端、所述电容EC5的一端、所述电容EC6的一端均与所述公用扼流圈LF2的第一接口连接，所述电容EC4的另一端、所述电容EC5的另一端、所述电容EC6的另一端、所述公用扼流圈LF2的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF2的第二接口、第四接口均与所述输出端CON2连接，所述第三输出单元包括电阻R15、电容CC3、并联二极管D3、电容EC8、电容EC9、电容EC10、公用扼流圈LF4与输出端CON4，所述电阻R15的一端、所述并联二极管D3的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R15的另一端与所述电容CC3的一端连接，所述电容CC3的另一端、所述并联二极管D3的输出端与所述公用扼流圈LF4的第一接口连接，所述电容EC8的一端、所述电容EC9的一端、所述电容EC10的一端均与所述公用扼流圈LF4的第一接口连接，所述电容EC8的另一端、所述电容EC9的另一端、所述电容EC10的另一端、所述公用扼流圈LF4的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF4的第二接口、第四接口均与所述输出端CON4连接。

作为优选，所述输出负载调节单元包括第一负载调节单元、第二负载调节单元、第三负载调节单元，所述第一负载调节单元包括电容C1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、场效应管Q1，所述电容C1的一端与所述MCU控制单元的第十一接口连接，所述电容C1的另一端接地，所述电阻R2的一端与外接50V电压，所述电阻R2的另一端、所述电阻R4的一端均与所述电容C2的一端连接，所述电阻R4的另一端接地，所述电阻R3的一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述场效应管Q1的D极连接，所述场效应管Q1的G极通过所述电阻R5与所述MCU控制单元的第一接口连接，所述场效应管Q1的S极接地，所述场效应管Q1的G极通过所述电阻R6均接地；所述第一负载调节单元包括电容C2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、场效应管Q2，所述电容C2的一端与所述MCU控制单元的第十二接口连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R8的一端与外接50V电压，所述电阻R8的另一端、所述电阻R10的一端均与所述电容C2的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电阻R9的一端与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R9的另一端与所述场效应管Q2的D极连接，所述场效应管Q2的G极通过所述电阻R11与所述MCU控制单元的第二接口连接，所述场效应管Q2的S极接地，所述场效应管Q2的G极通过所述电阻R12均接地；所述第一负载调节单元包括电容C3、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R22、电阻R24、场效应管Q3，所述电容C3的一端与所述MCU控制单元的第十三接口连接，所述电容C3的另一端接地，所述电阻R17的一端与外接50V电压，所述电阻R17的另一端、所述电阻R19的一端均与所述电容C3的一端连接，所述电阻R19的另一端接地，所述电阻R18的一端与所述电阻R17的一端连接，所述电阻R18的另一端与所述场效应管Q3的D极连接，所述场效应管Q3的G极通过所述电阻R22与所述MCU控制单元的第三接口连接，所述场效应管Q3的S极接地，所述场效应管Q3的G极通过所述电阻R24均接地.

作为优选，所述MCU控制单元包括处理器U1，所述处理器U1的型号为MT006。

本发明的有益效果：

本发明提供的一种多路输出交叉调整功率稳定电路，包括输入整流滤波单元、高频变压器、MCU控制单元、输出恒压控制单元与输出负载调节单元，所述输入整流滤波单元与所述高频变压器电性连接，所述高频变压器分别与所述输出恒压控制单元电性连接，所述输出恒压控制单元与所述MCU控制单元电性连接，所述MCU控制单元与所述输出负载调节单元电性连接，所述输入整流滤波单元用于将输入的交流电转化为直流电，并将转化的直流电给所述高频变压器进行供电，所述高频变压器用于电压的变换并输出恒流恒压的电压，所述输出恒压控制单元用于检测所述高频变压器输出电压并对输出电压进行调节，并将检测的输出电压反馈给输入整流滤波单元，所述MCU控制单元用于对调节之后的输出电压进行监测，并对所述输出恒压控制单元进行控制，所述输出负载调节单元用于检测其各路的输出电压，并控制其负载进行调节，输出稳定输出电压，本发明利用控制单元实时监控各路的输出电压，当输出电压变化时，调节输出假负载的功率，保持各路的输出稳定，当电源处于待机状态时，调节假负载的功率为0，此时待机功耗大大降低，通过控制各路的假负载大小，确保了各路的输出电压负载调整率在范围内，根据需要，调节假负载大小，可使得交叉调整率达到±5～10％，大幅提高了电源的综合性能，本发明仅仅增加了MCU外围的几个检测电路，结合MCU控制单元控制，以极小的成本提高了电源性能，对资源利用产生的极大的效益，同时使产品的竞争力得到大幅提升。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明的电路原理图；

图2为本发明的结构框图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

如图1-2所示，一种多路输出交叉调整功率稳定电路，包括输入整流滤波单元、高频变压器、MCU控制单元、输出恒压控制单元与输出负载调节单元，所述输入整流滤波单元与所述高频变压器电性连接，所述高频变压器分别与所述输出恒压控制单元电性连接，所述输出恒压控制单元与所述MCU控制单元电性连接，所述MCU控制单元与所述输出负载调节单元电性连接，所述输入整流滤波单元用于将输入的交流电转化为直流电，并将转化的直流电给所述高频变压器进行供电，所述高频变压器用于电压的变换并输出恒流恒压的电压，所述输出恒压控制单元用于检测所述高频变压器输出电压并对输出电压进行调节，并将检测的输出电压反馈给输入整流滤波单元，所述MCU控制单元用于对调节之后的输出电压进行监测，并对所述输出恒压控制单元进行控制，所述输出负载调节单元用于检测其各路的输出电压，并控制其负载进行调节，输出稳定输出电压，本发明利用控制单元实时监控各路的输出电压，当输出电压变化时，调节输出假负载的功率，保持各路的输出稳定，当电源处于待机状态时，调节假负载的功率为0，此时待机功耗大大降低，通过控制各路的假负载大小，确保了各路的输出电压负载调整率在范围内，根据需要，调节假负载大小，可使得交叉调整率达到±5～10％，大幅提高了电源的综合性能，本发明仅仅增加了MCU外围的几个检测电路，结合MCU控制单元控制，以极小的成本提高了电源性能，对资源利用产生的极大的效益，同时使产品的竞争力得到大幅提升。

如图1所示，本实施例中，所述输入整流滤波单元包括输入端CON3、保险丝F1、热敏电阻NTC1、公用扼流圈LF5、公用扼流圈LF3、电容CX1、电阻R13、电阻R14、电阻R16、电阻R20、电阻R21、电阻R23、电阻R25、整流桥DB1、电容EC7、电容CC4、电阻RL1、处理器U2、电阻R32、电阻R34、电容C8、光电耦合器OC1B、二极管D6、热敏电阻NTC2、电容C10、电阻R39、电阻R30、电阻R33、电阻R27、电容C4、电容EC11、场效应管Q4、电阻R36、电阻R40、二极管D5，所述保险丝F1的一端与所述输入端CON3连接，所述保险丝F1的另一端与所述热敏电阻NTC1的一端连接，所述热敏电阻NTC1的另一端与所述公用扼流圈LF5的第一端口连接，所述公用扼流圈LF5的第三端口与所述输入端CON3连接，所述公用扼流圈LF5的第二端口分别与所述电容CX1的一端、所述电阻R13的一端、所述公用扼流圈LF3的第一端口连接，所述公用扼流圈LF5的第四端口分别与所述电容CX1的另一端、所述电阻R16的一端、所述公用扼流圈LF3的第三端口连接，所述电阻R13的另一端与所述电阻R16的另一端连接，所述公用扼流圈LF3的第二端口分别与所述电阻R20的一端、所述整流桥DB1的第二端口连接，所述公用扼流圈LF3的第四接口分别与所述电阻R21的一端、所述整流桥DB1的第三端口连接，所述整流桥DB1的第四端口接地，所述整流桥DB1的第一端口与所述高频变压器的输入端、所述电容EC7的一端、所述电容CC4的一端、所述电阻R14的一端连接，所述电容EC7的另一端接地，所述电容CC4的另一端、所述电阻R14的另一端均与所述二极管D4的输出端连接，所述二极管D4的输入端与所述电阻RL1的一端连接，所述所述电阻RL1的另一端分别与所述高频变压器的输入端、所述场效应管Q4的D极连接，所述场效应管Q4的S极通过所述电阻R40接地，所述电阻R21的另一端与所述电阻R25的一端连接，所述电阻R20的另一端与所述电阻R23的一端连接，所述电阻R23的另一端、所述电阻R25的另一端与所述处理器U2的第五端口连接，所述处理器U2的第二接口分别与所述电阻R32的一端、所述电容C8的一端连接，所述电阻R32的另一端与所述光电耦合器OC1B的一端连接，所述电容C8的另一端与所述光电耦合器OC1B的另一端连接，所述处理器U2的第三接口通过所述电阻R34与所述高频变压器的输入端连接，所述处理器U2的第三接口通过所述二极管D6、所述电阻NTC2接地，所述处理器U2的第一接口接地，所述处理器U2的的第四接口分别与所述电容C10的一端、所述电阻R39的一端连接，所述电容C10的另一端接地，所述电阻R39的另一端与所述场效应管Q4的S极连接，所述处理器U2的第六接口通过所述电阻R30、所述电阻R33与所述场效应管Q4的G极连接，所述电阻R36的一端与所述场效应管Q4的G极连接，所述电阻R36的另一端与所述场效应管Q4的S极连接，所述电容C4的一端、所述电容EC11的一端、所述电阻R27的一端均与所述处理器U5的第五接口连接，所述电容C4的另一端、所述电容EC11的另一端均接地，所述电阻R27的另一端与所述二极管D5的输出端连接，所述二极管D5的输出端与所述变频变压器的输入端连接。

如图1所示，本实施例中，所述处理器U2的型号为KA3843或UC3843BN。

如图1所示，本实施例中，所述输出恒压控制单元包括第一输出单元、第二输出单元与第三输出单元，所述第一输出单元包括电阻R1、电容CC1、并联二极管D1、电容EC1、电容EC2、电容EC3、公用扼流圈LF1与输出端CON1，所述电阻R1的一端、所述并联二极管D1的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R1的另一端与所述电容CC1的一端连接，所述电容CC1的另一端、所述并联二极管D1的输出端与所述公用扼流圈LF1的第一接口连接，所述电容EC1的一端、所述电容EC2的一端、所述电容EC3的一端均与所述公用扼流圈LF1的第一接口连接，所述电容EC1的另一端、所述电容EC2的另一端、所述电容EC3的另一端、所述公用扼流圈LF1的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF1的第二接口、第四接口均与所述输出端CON1连接，所述第二输出单元包括电阻R7、电容CC2、并联二极管D2、电容EC4、电容EC5、电容EC5、公用扼流圈LF2与输出端CON2，所述电阻R7的一端、所述并联二极管D2的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R7的另一端与所述电容CC2的一端连接，所述电容CC2的另一端、所述并联二极管D2的输出端与所述公用扼流圈LF2的第一接口连接，所述电容EC4的一端、所述电容EC5的一端、所述电容EC6的一端均与所述公用扼流圈LF2的第一接口连接，所述电容EC4的另一端、所述电容EC5的另一端、所述电容EC6的另一端、所述公用扼流圈LF2的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF2的第二接口、第四接口均与所述输出端CON2连接，所述第三输出单元包括电阻R15、电容CC3、并联二极管D3、电容EC8、电容EC9、电容EC10、公用扼流圈LF4与输出端CON4，所述电阻R15的一端、所述并联二极管D3的输入端均与所述变频变压器的输出端连接，所述电阻R15的另一端与所述电容CC3的一端连接，所述电容CC3的另一端、所述并联二极管D3的输出端与所述公用扼流圈LF4的第一接口连接，所述电容EC8的一端、所述电容EC9的一端、所述电容EC10的一端均与所述公用扼流圈LF4的第一接口连接，所述电容EC8的另一端、所述电容EC9的另一端、所述电容EC10的另一端、所述公用扼流圈LF4的第三接口均接地，所述公用扼流圈LF4的第二接口、第四接口均与所述输出端CON4连接。

如图1所示，本实施例中，所述输出负载调节单元包括第一负载调节单元、第二负载调节单元、第三负载调节单元，所述第一负载调节单元包括电容C1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、场效应管Q1，所述电容C1的一端与所述MCU控制单元的第十一接口连接，所述电容C1的另一端接地，所述电阻R2的一端与外接50V电压，所述电阻R2的另一端、所述电阻R4的一端均与所述电容C2的一端连接，所述电阻R4的另一端接地，所述电阻R3的一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述场效应管Q1的D极连接，所述场效应管Q1的G极通过所述电阻R5与所述MCU控制单元的第一接口连接，所述场效应管Q1的S极接地，所述场效应管Q1的G极通过所述电阻R6均接地；所述第一负载调节单元包括电容C2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、场效应管Q2，所述电容C2的一端与所述MCU控制单元的第十二接口连接，所述电容C2的另一端接地，所述电阻R8的一端与外接50V电压，所述电阻R8的另一端、所述电阻R10的一端均与所述电容C2的一端连接，所述电阻R10的另一端接地，所述电阻R9的一端与所述电阻R8的一端连接，所述电阻R9的另一端与所述场效应管Q2的D极连接，所述场效应管Q2的G极通过所述电阻R11与所述MCU控制单元的第二接口连接，所述场效应管Q2的S极接地，所述场效应管Q2的G极通过所述电阻R12均接地；所述第一负载调节单元包括电容C3、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R22、电阻R24、场效应管Q3，所述电容C3的一端与所述MCU控制单元的第十三接口连接，所述电容C3的另一端接地，所述电阻R17的一端与外接50V电压，所述电阻R17的另一端、所述电阻R19的一端均与所述电容C3的一端连接，所述电阻R19的另一端接地，所述电阻R18的一端与所述电阻R17的一端连接，所述电阻R18的另一端与所述场效应管Q3的D极连接，所述场效应管Q3的G极通过所述电阻R22与所述MCU控制单元的第三接口连接，所述场效应管Q3的S极接地，所述场效应管Q3的G极通过所述电阻R24均接地.

如图1所示，本实施例中，所述MCU控制单元包括处理器U1，所述处理器U1的型号为MT006。

如图1-2所示，具体地，输入交流电经过整流桥DB1整流及电容EC1滤波后，变成较平滑的直流电，通过控制高频的PWM脉宽控制变压器，达到输出恒压恒流的目的。

如图1-2所示，若主路带重载，辅路空载，则为使主路稳定，高频变压器以大占空比工作，此时辅路由于没有负载，输出电压会飘高，当MCU控制单元检测到辅路电压变高时，则会给对应的回路打出一组10％的假负载PWM，并实时监控该路的电压变化情况，若还是过高，则会继续调节加大对应的PWM脉宽，直到该路的电压在合理范围内，若此时该路的电压偏低了，则会调节减小该路的假负载PWM，确保该路的电压稳定在合理的范围内；

当主路空载，两路辅路输出重载、或一路辅路重载时高频变压器为稳定主路的电压，会减小变压器的PWM脉宽，而此时辅路由于带重载，会出现输出电压下降的情况，MCU控制单元检测到主路电压稳定，且辅路电压变低时，会调节加大主路的假负载PWM，让主路有一定的消耗，刺激高频变压器工作占空比加大，这样可以给辅路供给更多的能量，保持辅路输出电压稳定，若此时有一路辅路负载很轻或空载，MCU监测到该路电压飘高的情况时，则会调节该路的假负载PWM，达到输出电压稳定的目的；

为使输出负载动态变化时保持稳定，PWM假负载的频率在20-50KHz之间，且各路的输出电容不能使用太小(根据实际输出电压电流实际调节，让输出电压变化速率不超过0.5V/mS)，MCU监测的周期为50-300uS。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。