显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及显示面板和显示装置。

背景技术

目前，随着显示技术的发展，人们对显示器件的显示质量要求也越来越高。硅基OLED在VR/MR和AR中均有应用，VR/MR应用中，为满足沉浸感和宽视场角的需求，对硅基OLED面板尺寸要求较高，通常大于1inch。由于曝光机光学系统的限制，会限制最大曝光的区域，例如有的曝光机的最大曝光区域为26mm×33mm，当设计的显示模组尺寸的长或宽超过此曝光范围，在产品的生产过程中，在进行曝光时无法一次完成，需要进行二次拼接曝光。在进行曝光的时候，需要用左右两个掩膜版(Mask)进行两次曝光，在重叠曝光的区域，形成类似2倍曝光量曝光，导致曝光显影后整体Space CD(刻蚀的关键尺寸)偏大，金属走线尺寸变小，该区域形成宏观可见偏暗线条型Mura(色差)，影响视效。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种显示面板，该显示面板可以有效提升整个显示面板的发光亮度的均匀性。

在本发明的一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：基板；像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口，所述显示面板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区相对的两侧，定义位于所述第一显示区的所述开口为第一像素开口，位于所述第二显示区的所述开口为第二像素开口，所述第二像素开口的尺寸大于所述第一像素开口的尺寸，其中，所述第二显示区中的至少部分第二金属走线的尺寸小于所述第一显示区中的第一金属走线的尺寸，且所述第一金属走线和所述第二金属走线的功能一致。由此，尺寸较小的第二金属走线，会使得第二显示区形成宏观可见的偏暗线条型Mura(色差)，影响显示效果，本发明中通过将第二显示区中的第二像素开口尺寸增大，使得第二显示区中第二像素在相同电流密度(即：第二像素与第一显示区中第一像素的电流密度相同)下达到更高的发光亮度，反向补偿第二显示区的第二像素发光亮度，从而达到改善Mura效果。

根据本发明的实施例，所述第二像素开口的尺寸一致。

根据本发明的实施例，在远离两侧的所述第一显示区且靠近所述第二显示区的方向上，所述第二像素开口的尺寸逐渐增大。

根据本发明的实施例，定义两侧所述第一显示区和第二显示区的排列方向为第一方向，第二方向与所述第一方向相交，在所述第一方向和所述第二方向上，所述第二像素开口呈多行多列排布，在所述第二方向上，位于同一行的多个所述第二像素开口的尺寸相同。

根据本发明的实施例，在所述第二显示区中，在所述第一方向上，位于中间行的所述第二像素开口的尺寸最大。

根据本发明的实施例，所述第二显示区在所述第一方向上的宽度为1～50微米。

根据本发明的实施例，在所述第一方向上，所述第二显示区包括6～12行所述第二像素开口。

根据本发明的实施例，所述第二像素开口的形状包括六边形、矩形、菱形和不规则多边形中的至少之一。

根据本发明的实施例，所述第一显示区和所述第二显示区的亮度差值小于等于15％。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置的显示亮度的均一性较高，显示质量较佳。本领域技术人员可以理解，该显示装置具有前面所述的显示面板的所有特征和优点，在此不再过多的赘述。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明一个实施例中显示面板的结构示意图；

图2是本发明另一个实施例中显示面板的结构示意图；

图3是本发明另一个实施例中显示面板的结构示意图；

图4是本发明另一个实施例中显示面板的结构示意图；

图5是现有技术中显示面板的结构示意图；

图6是现有技术中显示面板的发光亮度曲线示意图；

图7时候本发明一个实施例中显示区的像素补偿理论亮度和补充后的像素亮度曲线示意图。

附图标记：10-基板；20-像素界定层；01-第一显示区；02-第二显示区；21第一像素开口；22-第二像素开口。

具体实施方式

下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。

下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。

在硅基OLED产品的生产过程中，由于曝光机光学系统的限制，会限制最大曝光的区域，当设计的显示模组尺寸的长或宽超过此曝光范围，在进行曝光时无法一次完成，需要进行二次拼接曝光。在进行曝光的时候，需要用左右两个掩膜版(Mask)进行两次曝光，在重叠曝光的区域，形成类似2倍曝光量曝光，导致曝光显影后整体Space CD(刻蚀的关键尺寸)偏大，金属走线尺寸变小，目前的硅基OLED产品所有像素开口的尺寸基本一致，但是由于上述原因，该结构的硅基OLED产品在重叠曝光的区域会形成宏观可见偏暗线条型Mura(色差)，影响视效。为解决上述技术问题，发明人发现将重叠曝光的区域处的像素开口尺寸增大，进而在向器件通入相同的电流时，相同的电流密度下重叠曝光的区域中像素点发出的光更多，亮度更大，进而可以有效改善重叠曝光区域处可见的偏暗线条型Mura(色差)的不良现象。

基于此，在本发明的一方面，本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例，参照图1，该显示面板包括：基板10；像素界定层20，像素界定层限定出多个开口，显示面板包括第一显示区01和第二显示区02，第一显示区01位于第二显示区02相对的两侧，定义位于第一显示区01的多个开口为第一像素开口21，位于第二显示区02的多个开口为第二像素开口22，第二像素开口22的尺寸大于第一像素开口21的尺寸，其中，第二显示区02中的至少部分第二金属走线的尺寸小于第一显示区01中的第一金属走线的尺寸，且第一金属走线和第二金属走线的功能一致。由此，尺寸较小的第二金属走线(在一些实施例中是由第二显示区处重叠曝光造成的)，会使得第二显示区形成宏观可见的偏暗线条型Mura(色差)，影响显示效果，本发明中通过将第二显示区中的第二像素开口尺寸增大，使得第二显示区中第二像素在相同电流密度(即：第二像素与第一显示区中第一像素的电流密度相同)下达到更高的发光亮度，反向补偿第二显示区的第二像素发光亮度，从而达到改善Mura效果。

本领域技术人员可以理解，上述像素开口(包括第一像素开口和第二像素开口)是指每个像素点对应的像素开口，即每一个像素点对应一个像素开口，该开口是由像素界定层限定出。

根据本发明的一些实施例，上述基板可以为在设置有薄膜晶体管等电路结构的阵列基板，比如可以包括衬底，设置在衬底一侧的缓冲层，设置在缓冲层远离衬底一侧的有源层，设置在缓冲层远离衬底一侧且覆盖有源层的栅绝缘层，设置在栅绝缘层远离衬底一侧的栅极，设置在栅绝缘层且覆盖栅极的层间介质层，以及设置在层间介质层远离衬底一侧的源极和漏极，且源极和漏极分别通过过孔与有源层连接，还可以进一步包括平坦层，平坦层设置在层间介质层远离衬底的一侧，并覆盖源极和漏极等等结构，其中，像素界定层设置在平坦层远离衬底的一侧。

在本发明的一些实施例中，如图1所示，多个第二像素开口22的尺寸一致。上述设置方式在工艺上便于制作，而且也可以有效改善第二显示区的Mura现象。

在本发明的一些实施例中，参照图2、图3和图4，在远离两侧的第一显示区01且靠近第二显示区02的方向上，第二像素开口22的尺寸逐渐增大。由于在重复曝光时，越靠近第二显示区的中间区域，曝光越严重，刻蚀越严重，进而造成的偏暗线条型越严重，在本发明中，将第二显示区中中间位置的像素开口设置为最大，然后在靠近第一显示区的方向上第二像素开口逐渐减小，如此，可以根据不同位置的曝光程度的不同灵活调整第二像素的开口，这样既可以改善线条偏暗的不良现象，又可以提高第二显示区中亮度的均一性，调整整个显示区亮度的均一性，进而提高显示质量。

在本发明的一些实施例中，参照图2至图4，定义两侧所述第一显示区01和第二显示区02的排列方向为第一方向X，第二方向Y与第一方向X相交，在第一方向X和第二方向Y上，第二像素开口22呈多行多列排布，在第二方向Y上，位于同一行的多个第二像素开口22的尺寸相同。用于形成两个第一显示区的两个掩膜版在第一方向X上重叠，即重叠区为第二显示区的区域，在第二方向Y上，曝光程度基本一致，所以在第二方向上保持第二像素开口的一致性，有助于保证在第二方向上第二像素开口发光亮度的均匀性，进而这有助于提高显示区整体发光亮度的均一性。

在本发明的一些实施例中，参照图2至图4，在所述第二显示区02中，在所述第一方向X上，位于中间行的所述第二像素开口22的尺寸最大。由于在重复曝光时，越靠近第二显示区的中间区域，曝光越严重，刻蚀越严重，进而造成的偏暗线条型越严重，在本发明中，将第二显示区中中间位置的像素开口设置为最大，如此中间行的第二像素开口的像素点发出的光更是多，更好的弥补较为严重的偏暗线条，然后在靠近第一显示区的方向上第二像素开口逐渐减小，如此，可以根据不同位置的曝光程度的不同灵活调整第二像素的开口，这样既可以改善线条偏暗的不良现象，又可以提高第二显示区中亮度的均一性，调整整个显示区亮度的均一性，进而提高显示质量。

在本发明的一些实施例中，参照图1至图4，在第二显示区02中，在第二方向上位于同一行的第二像素开口的数量可以相同，第一显示区中每一行的像素开口的数量与第二显示区中每一行第二像素开口的数量相同，如此，可以更好的保证显示区整体亮度的均一性，以及显示质量。

在本发明的一些实施例中，第二显示区02在第一方向X上的宽度为1～50微米，比如为1微米、2微米、3微米、4微米、5微米、8微米、10微米、15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、50微米等，在上述的宽度范围，可以满足重叠区曝光的需求。在本发明的一些实施例中，在第一方向X上，所述第二显示区02包括6～12行所述第二像素开口(附图中仅仅是以6行为例，并非是对第二显示区中像素行数的限定)。上述行数的像素行，可以有效满足第二像素开口尺寸的变化，改善线条偏暗的不良现象，提高显示质量。

在本发明的一些实施例中，第二像素开口22的形状包括六边形(如图2所示)、矩形(如图3所示)、菱形(如图4所示)和不规则多边形中的至少之一。如此，本发明的技术方案对第二像素开口和第一像素开口的形状的限定性较小，本领域技术人员可以根据对像素的具体设计要求灵活设计，在此并不做限制要求。

在本发明的一些实施例中，第一显示区01和所述第二显示区02的亮度差值小于等于15％。在一些具体实施例中，第一显示区和第二显示区中亮度差值小于等于10％。换句话说，整个显示区中不同位置的发光亮度的差值小于等于15％、14％、13％、12％、11％、10％、9％、8％、7％、6％、5％、4％、3％、2％、1％、0。由此可见，本发明的上述技术方案可以很好的改善显示区线条偏暗的不良现象，提高显示亮度的均匀性以及显示质量。

根据本发明的实施例，在第二显示区中第二像素开口的具体尺寸大小和尺寸变化程度没有特殊要求，本领域技术人员可以根据第二显示区中不同位置的曝光程度进行灵活设置，只要可以有效的改善第二显示区的Mura现象即可。

根据本发明的一些实施例，该显示面板为白光体系，即所有像素点均发白光。在本发明的一些实施例中，该显示面板为硅基板OLED显示面板，即本发明的上述技术方案可以应用于硅基板OLED显示面板中，进而改善大尺寸硅基OLED的拼接屏幕中线条偏暗的不良现象。

在目前的结构中，对于白光体系，第一显示区01和第二显示区02(对应重叠曝光区域)中的每个像素开口大小一致，如图5所示，但是在第二显示区02中，像素点的亮度开始降低，在第二显示区的中间位置，像素点的亮度降低最大，即线条偏暗的程度最大，即说明中间位置处重复曝光对像素点亮度的影响最大。在本发明的一些实施例中，以图2为例，通过对第二显示区中第二像素开口尺寸的改变，即在远离两侧的第一显示区01且靠近第二显示区02的方向上，第二像素开口22的尺寸逐渐增大，第二像素开口对应的像素点的发光亮度得到有效补充，结合图6，通过本发明的技术方案，第二显示区的像素补偿理论亮度和补充后的像素亮度如图7所示，由此可见，通过补充后，整个显示区的发光亮度较为均匀，大大改善了线条偏暗的不良现象。

当然，本领域技术人员可以理解，在本发明的附图中仅仅给出了一处第二显示区，在实际生产中，尤其是对于大尺寸的硅基OLED显示面板，可能会有多出的重叠曝光区域，如此及对应多出的第二显示区，每一处的第二显示区中第二像素开口的设计可以相同可以不同，比如，不同第二显示区中第二像素开口的尺寸大小、形状、宽度以及像素行数等因素均可以相同、部分相同或完全不同，本领域技术人员根据实际生产要求灵活选择即可。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括前面所述的显示面板。

根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类没有特殊要求，本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择，比如该显示装置可以为手机、电脑、iPAD、kindle、游戏机等一切具有显示功能的显示装置。

本领域技术人员可以理解，该显示装置除了前面所述的显示面板，还包括常规显示装置所必备的结构或部件，以手机为例，除了上述的显示面板，还包括盖板、触控面板、指纹膜组、音频模组、摄像模组、CPU、电池、后盖、中框等手机必备的结构或部件。

文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。