一种计算机寿命监测方法及系统

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，特别是涉及一种计算机寿命监测方法及系统。

背景技术

现代电子计算机采用集成电路作为主要器件。偏置温度不稳定性(BiasTemperature Instability，BTI)是集成电路中较为普遍且影响较大的老化效应。对于45纳米及以下集成电路工艺制程，高介电常数金属栅极技术的使用，在实现了更小的晶体管尺寸以及更低功耗的同时，也使集成电路面临的BTI老化效应急剧增大，影响计算机的寿命。不可预知的老化会导致计算机中关键部件的失效和重要数据的丢失，造成不可估量的损失。

计算机寿命的监测存在以下难点。首先，老化造成的逻辑错误在计算机长时间运行后暴露，被称为隐藏错误，无法在计算机出厂时进行测试与排查。其次，老化速度由工作电压、环境温度、运行的程序等因素决定，其中许多因素根据计算机应用场景、使用情况等的不同，差异较大，导致不同计算机的寿命情况存在明显差异。因此，在计算机实际运行过程中，对寿命进行实时监测很有必要。

为了实时监测计算机的寿命，工程师们提出了在计算机关键芯片中加入软错误监测传感器，并在感知到电路老化引起软错误后，发出警告信号。然而，对已完成设计或已量产的计算机或计算机芯片，很难在后期加入软错误监测传感器。另一种寿命监测传感器在物理上与计算机相互独立，但在时间上与计算机同时运行。然而，这种寿命传感器无法感知计算机中工作电压、运行的程序等因素的变化，寿命监测的准确度低。

发明内容

基于此，本发明实施例提供一种计算机寿命监测方法及系统，无需借助额外的传感器，并能够根据计算机实际运行状况准确地反映老化状况，提高计算机寿命监测的准确性。

为实现上述目的，本发明实施例提供了如下方案：

一种计算机寿命监测方法，包括：

获取计算机在零时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到零时刻上电初始值；所述零时刻为计算机初次上电开机的时刻；

获取计算机在当前时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到当前上电初始值；所述当前时刻为所述零时刻之后的时刻；

比较所述当前上电初始值和所述零时刻上电初始值，确定当前时刻上电初始值发生变化的存储位元的数量，得到当前变化数量；

基于所述当前变化数量和静态噪声容限累计分布函数计算当前时刻SRAM器件中存储位元在老化前后静态噪声容限的变化量，得到当前容限变化量；所述当前容限变化量用于表征计算机中SRAM器件在当前时刻的老化状况；

基于所述当前容限变化量和比值函数表达式计算当前时刻计算机中目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量，得到当前延迟变化量；所述当前延迟变化量用于表征计算机中目标部件在当前时刻的老化状况；

其中，所述函数表达式表示概率与变化量比值之间的关系；所述概率包括：执行不同程序和计算不同数据时，所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率；所述变化量比值为路径延迟的变化量与态噪声容限的变化量的比值；所述目标部件为所述计算机中除所述SRAM器件之外的任一部件。

可选地，基于所述当前变化数量和静态噪声容限累计分布函数计算当前时刻SRAM器件中存储位元在老化前后静态噪声容限的变化量，得到当前容限变化量，具体包括：

采用计算机电路模拟仿真软件确定静态噪声容限累计分布函数；所述静态噪声容限累计分布函数表示静态噪声容限与分布概率之间的关系；

确定所述静态噪声容限累计分布函数的反函数；

将当前变化数量与SRAM器件所有存储位元的数量的比值代入所述反函数中进行求解，得到当前容限变化量。

可选地，基于所述当前容限变化量和比值函数表达式计算当前时刻计算机中目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量，得到当前延迟变化量，具体包括：

采用计算机电路模拟仿真软件确定比值函数表达式；

在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率，得到当前概率值；

将所述当前概率值代入比值函数表达式中，得到当前变化量比值；

将所述当前容限变化量和所述当前变化量比值求乘积，得到当前延迟变化量。

可选地，采用计算机电路模拟仿真软件确定静态噪声容限累计分布函数，具体包括：

对于任一存储位元，获取所述存储位元在存储逻辑1状态下的静态噪声容限，得到第一静态噪声容限，获取所述存储位元在存储逻辑0状态下的静态噪声容限，得到第二静态噪声容限；

对于任一存储位元，计算所述第一静态噪声容限和所述第二静态噪声容限的差，得到容限差值；

统计所述SRAM器件中所有存储位元的容限差值，建立静态噪声容限累计分布函数。

可选地，在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率，得到当前概率值，具体包括：

在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据累加器对所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中的每一二进制位进行单独累加，得到各二进制位的累加结果；

在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据计数器计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据的数量，得到当前数据量；

计算每一二进制位的累加结果与所述当前数据量的比值，得到当前时刻每一二进制位为逻辑1的概率；所述当前概率值包括：当前时刻各二进制位为逻辑1的概率。

本发明还提供了一种计算机寿命监测系统，包括：

第一获取模块，用于获取计算机在零时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到零时刻上电初始值；所述零时刻为计算机初次上电开机的时刻；

第二获取模块，用于获取计算机在当前时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到当前上电初始值；所述当前时刻为所述零时刻之后的时刻；

变化数量确定模块，用于比较所述当前上电初始值和所述零时刻上电初始值，确定当前时刻上电初始值发生变化的存储位元的数量，得到当前变化数量；

容限变化计算模块，用于基于所述当前变化数量和静态噪声容限累计分布函数计算当前时刻SRAM器件中存储位元在老化前后静态噪声容限的变化量，得到当前容限变化量；所述当前容限变化量用于表征计算机中SRAM器件在当前时刻的老化状况；

延迟变化计算模块，用于基于所述当前容限变化量和比值函数表达式计算当前时刻计算机中目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量，得到当前延迟变化量；所述当前延迟变化量用于表征计算机中目标部件在当前时刻的老化状况；

其中，所述函数表达式表示概率与变化量比值之间的关系；所述概率包括：执行不同程序和计算不同数据时，所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率；所述变化量比值为路径延迟的变化量与态噪声容限的变化量的比值；所述目标部件为所述计算机中除所述SRAM器件之外的任一部件。

可选地，所述容限变化计算模块，具体包括：

分布函数确定单元，用于采用计算机电路模拟仿真软件确定静态噪声容限累计分布函数；所述静态噪声容限累计分布函数表示静态噪声容限与分布概率之间的关系；

反函数确定单元，用于确定所述静态噪声容限累计分布函数的反函数；

容限变化求解单元，用于将当前变化数量与SRAM器件所有存储位元的数量的比值代入所述反函数中进行求解，得到当前容限变化量。

可选地，所述延迟变化计算模块，具体包括：

比值函数确定单元，用于采用计算机电路模拟仿真软件确定比值函数表达式；

当前概率值计算单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率，得到当前概率值；

变化量比值计算单元，用于将所述当前概率值代入比值函数表达式中，得到当前变化量比值；

延迟变化计算单元，用于将所述当前容限变化量和所述当前变化量比值求乘积，得到当前延迟变化量。

可选地，所述分布函数确定单元，具体包括：

噪声容限获取子单元，用于对于任一存储位元，获取所述存储位元在存储逻辑1状态下的静态噪声容限，得到第一静态噪声容限，获取所述存储位元在存储逻辑0状态下的静态噪声容限，得到第二静态噪声容限；

容限差值计算子单元，用于对于任一存储位元，计算所述第一静态噪声容限和所述第二静态噪声容限的差，得到容限差值；

容限差值统计子单元，用于统计所述SRAM器件中所有存储位元的容限差值，建立静态噪声容限累计分布函数。

可选地，所述当前概率值计算单元，具体包括：

累加子单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据累加器对所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中的每一二进制位进行单独累加，得到各二进制位的累加结果；

计数子单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据计数器计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据的数量，得到当前数据量；

概率计算子单元，用于计算每一二进制位的累加结果与所述当前数据量的比值，得到当前时刻每一二进制位为逻辑1的概率；所述当前概率值包括：当前时刻各二进制位为逻辑1的概率。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明实施例利用普遍存在于现代计算机中的静态随机访问存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)作为寿命监测传感器，并利用SRAM器件在计算机处理器与其它部件之间进行数据、指令中转的特点，间接预测计算机中其它部件的寿命，采用当前容限变化量表征计算机中SRAM器件在当前时刻的老化状况，采用当前延迟变化量表征计算机中其他部件在当前时刻的老化状况。本发明实施例无需在现有的计算机中添加额外的监测传感器，且对计算机中运行的程序、计算的数据具有敏感性，能够根据计算机实际运行状况准确地反映老化状况，因此寿命监测的准确性高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的计算机寿命监测方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的SRAM器件中存储位元的一种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的计算机寿命监测方法在实际应用中的一个实现过程示意图；

图4为本发明实施例提供的获取SRAM器件所有存储位元上电初始值的结构图；

图5是本申请实施例提供的SRAM器件在老化前后出现上电初始值变化的波形示意图；

图6是本申请实施例提供的程序、数据统计模块的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的数据累加器的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的计算机中SRAM器件、处理器和其它存储器耦接的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一计算机寿命监测系统的结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行描述。

本发明的目的是提供一种计算机寿命监测方法及系统，为解决现有技术中寿命传感器添加难度大、准确度低的问题，通过利用计算机中的SRAM器件作为寿命监测传感器，并利用SRAM器件在计算机处理器与其它部件之间进行数据、指令中转的特点，间接预测计算机中其它部件的寿命，无需借助额外的传感器，且计算机寿命监测的准确性高。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参见图1，本实施例的计算机寿命监测方法，包括：

步骤100：获取计算机在零时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到零时刻上电初始值；所述零时刻为计算机初次上电开机的时刻。

图2给出了SRAM器件中存储位元的一种示例性结构。参见图2，在本示例中，SRAM器件存储位元包括六个晶体管。

其中，第一个晶体管T1和第三个晶体管T3构成了一个非门，第二个晶体管T2和第四个晶体管T4构成了另一个非门。一个非门的输出端与另一个非门的输入端相联，构成锁存器单元，使节点a和b具有相反的逻辑电压值。

第五个晶体管T5和第六个晶体管T6为传输晶体管，受字线信号WL控制，分别连通节点a与位线BL以及节点b与位线

SRAM器件的存储位元开机上电时，由工作电压VDD向该存储位元供电，并通过控制字线信号WL，根据节点a和b的初始逻辑电压值，分别改变位线BL和

SRAM器件存储位元的上电初始值与该位元的容限差值(dSNM)有关：dSNM大于0，表示该存储位元上电初始值为逻辑1的可能性较大；dSNM小于0，表示该存储位元上电初始值为逻辑1的可能性较大。

步骤200：获取计算机在当前时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到当前上电初始值；所述当前时刻为所述零时刻之后的时刻。

步骤300：比较所述当前上电初始值和所述零时刻上电初始值，确定当前时刻上电初始值发生变化的存储位元的数量，得到当前变化数量。

步骤400：基于所述当前变化数量和静态噪声容限(Static Noise Margin，SNM)累计分布函数(Cumulative Distribution Function，CDF)计算当前时刻SRAM器件中存储位元在老化前后静态噪声容限(SNM)的变化量，得到当前容限变化量。

所述当前容限变化量用于表征计算机中SRAM器件在当前时刻的老化状况。

步骤400，具体包括：

1)采用计算机电路模拟仿真软件确定静态噪声容限累计分布函数；所述静态噪声容限累计分布函数表示静态噪声容限与分布概率之间的关系。具体的：

①对于任一存储位元，获取所述存储位元在存储逻辑1状态下的静态噪声容限，得到第一静态噪声容限，获取所述存储位元在存储逻辑0状态下的静态噪声容限，得到第二静态噪声容限。

②对于任一存储位元，计算所述第一静态噪声容限和所述第二静态噪声容限的差，得到容限差值，计算公式为：dSNM＝SNM

③统计所述SRAM器件中所有存储位元的容限差值，建立静态噪声容限累计分布函数。静态噪声容限累计分布函数采用CDF

2)确定所述静态噪声容限累计分布函数的反函数。

3)将当前变化数量与SRAM器件所有存储位元的数量的比值代入所述反函数中进行求解，得到当前容限变化量，计算公式为：

ΔSNM表示SRAM器件存储位元在老化前后SNM的变化量，即当前容限变化量；ΔN为上电初始值发生了变化的存储位元的数量，即当前变化数量；N为SRAM器件中所有存储位元的数量；

步骤500：基于所述当前容限变化量和比值函数表达式计算当前时刻计算机中目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量，得到当前延迟变化量。

所述当前延迟变化量用于表征计算机中目标部件在当前时刻的老化状况。

其中，所述函数表达式表示概率与变化量比值之间的关系；所述概率包括：执行不同程序和计算不同数据时，所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率；所述变化量比值为路径延迟的变化量与态噪声容限的变化量的比值；所述目标部件为所述计算机中除所述SRAM器件之外的任一部件。例如，计算机可包括：SRAM器件、动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)器件和处理器，目标部件可以为DRAM器件或处理器。

步骤500，具体包括：

1)采用计算机电路模拟仿真软件确定比值函数表达式，具体为：

其中，ΔDelay是目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量；p

2)在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率，得到当前概率值。具体的：

①在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据累加器对所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中的每一二进制位进行单独累加，得到各二进制位的累加结果。

②在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据计数器计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据的数量，得到当前数据量。

③计算每一二进制位的累加结果与所述当前数据量的比值，得到当前时刻每一二进制位为逻辑1的概率，计算公式为：

其中，acc

所述当前概率值包括：当前时刻各二进制位为逻辑1的概率。

3)将所述当前概率值代入比值函数表达式中，得到当前变化量比值。

4)将所述当前容限变化量和所述当前变化量比值求乘积，得到当前延迟变化量，具体为：ΔDelay＝ΔSNM·f(p

下面给出一个在实际应用中更为具体的实现过程，结合图3，对上述计算机寿命监测方法进一步详细说明。

整体构思为：获取SRAM器件中所有存储位元的SNM，并统计概率分布；获取SRAM器件及计算机中其它部件在执行不同程序和计算不同数据时的老化状况；上述步骤可通过计算机电路仿真技术实现；在计算机第一次上电开机时获取SRAM器件所有存储位元的零时刻上电初始值；在之后计算机每次上电开机时重新获取SRAM器件所有存储位元的上电初始值，并与零时刻上电初始值对比，反映SRAM器件当前的老化状况；根据SRAM器件的老化状况以及计算机目前已执行过的程序和计算过的数据，估计计算机中其它部件的老化状况。

与上述方法相匹配的一种示例性的计算机寿命监测系统，包括：相互耦接的SRAM器件、处理器和其它存储器；存储器中存储有计算机程序，处理器用于执行计算机程序以实现上述的寿命监测方法；程序、数据统计模块，用于统计计算机目前已执行过的程序和计算过的数据。

参见图3，本具体的计算机寿命监测方法，主要包括以下步骤：

步骤S11：获取SRAM器件中所有存储位元的SNM，并统计概率分布。

具体而言，对单个存储位元，需分别获取该位元存储逻辑1和逻辑0两种状态下的SNM，并计算两种状态下SNM的差值，得到dSNM。

然后，获取SRAM器件中所有存储位元的dSNM，并统计所有的dSNM，建立静态噪声容限累计分布函数CDF

步骤S12：获取SRAM器件及计算机中其它部件在执行不同程序和计算不同数据时的老化状况，建立比值函数表达式。

步骤S13：在计算机第一次上电开机时获取SRAM器件所有存储位元的上电初始值，即零时刻上电初始值。

图4给出了获取SRAM器件所有存储位元上电初始值的一种示例性结构。其中，地址计数器101用于对SRAM器件102中所有的存储位元进行寻址。每次寻址过程中，从SRAM器件102中读取对应地址存储位元的上电初始值，并将其保存在其它存储器103中。具体来说，所有存储位元的上电初始值被保存在非易失性存储器104中，保证这些初始值在计算机关机后不会丢失。

步骤S14：在之后计算机每次上电开机时获取SRAM器件所有存储位元的上电初始值。该步骤的实施方法与步骤S13类似，在此不再赘述。

步骤S15：在之后计算机每次上电开机并获取SRAM器件上电初始值后，将其与零时刻上电初始值对比，从而估计SRAM器件当前的老化状况。

图5示出了SRAM器件在老化前后出现上电初始值变化的波形。SRAM器件存储位元在发生老化后，上电初始值可能发生变化。这是因为老化效应会改变SRAM存储位元中晶体管T1、T2、T3和T4的驱动能力。

将当前SRAM器件所有存储位元的上电初始值与零时刻上电初始值对比，计算上电初始值发生了变化的存储位元的数量，并利用步骤S11中建立的CDF

步骤S16：估计计算机中其它部件的老化状况。将估计计算机处理器的老化状况作为实施例，利用步骤S12中建立的函数表达式f(p

图6示出了程序、数据统计模块一实施例的结构。在SRAM器件102和处理器105之间传输的数据、信号，同时输入数据计数器106和数据累加器107。数据计数器106用来计算SRAM器件102和处理器105之间传输数据的数量；在数据累加器107中，将SRAM器件102和处理器105之间传输数据的每一位单独累加。数据计数器106与数据累加器107中的结果保存在非易失性存储器104中，确保已统计的程序、数据信息在计算机关机后不会丢失。

图6所示的数据计数器106和数据累加器107既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

利用数据计数器106和数据累加器107获取的结果，计算SRAM器件102和处理器105之间传输数据中各二进制位的概率，如下式所示：

其中，acc

图7示出了数据累加器一实施例的结构，用来计算上式中的acc

以上所述的步骤中，步骤S11和S12由计算机电路模拟仿真软件执行，步骤S13和S14由图4所提供的获取SRAM器件所有存储位元上电初始值的硬件电路执行，步骤S15和S16由计算机程序控制，并由处理器105执行。

图8示出了计算机中SRAM器件、处理器和其它存储器耦接的结构。其中，其它存储器103用来保存实施上述步骤S15和S16的计算机程序，并需实施步骤S15和S16时将程序数据传输到处理器105中，由处理器105执行响应的计算机程序。

本实施例的计算机寿命监测方法，具有如下优点：

1)首次提出将计算机中已有的SRAM器件作为寿命监测传感器，能够根据计算机实际运行状况准确地反映老化状况，且无需借助额外的传感器。

2)提出对SRAM器件上电初始值的分布进行统计和存储，并将上电初始值分布的变化情况作为反映SRAM器件老化状况的指标。

3)根据SRAM器件在计算机处理器与其它部件间进行数据、指令中转的特点，提出利用从SRAM器件上监测到的老化状况，间接预测其它部件的寿命。

下面本发明还提供了又一种计算机寿命监测系统，参见图9，本实施例的系统，包括：

第一获取模块901，用于获取计算机在零时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到零时刻上电初始值；所述零时刻为计算机初次上电开机的时刻。

第二获取模块902，用于获取计算机在当前时刻SRAM器件中各个存储位元的上电初始值，得到当前上电初始值；所述当前时刻为所述零时刻之后的时刻。

变化数量确定模块903，用于比较所述当前上电初始值和所述零时刻上电初始值，确定当前时刻上电初始值发生变化的存储位元的数量，得到当前变化数量。

容限变化计算模块904，用于基于所述当前变化数量和静态噪声容限累计分布函数计算当前时刻SRAM器件中存储位元在老化前后静态噪声容限的变化量，得到当前容限变化量；所述当前容限变化量用于表征计算机中SRAM器件在当前时刻的老化状况。

延迟变化计算模块905，用于基于所述当前容限变化量和比值函数表达式计算当前时刻计算机中目标部件在老化前后电路中路径延迟的变化量，得到当前延迟变化量；所述当前延迟变化量用于表征计算机中目标部件在当前时刻的老化状况。

其中，所述函数表达式表示概率与变化量比值之间的关系；所述概率包括：执行不同程序和计算不同数据时，所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率；所述变化量比值为路径延迟的变化量与态噪声容限的变化量的比值；所述目标部件为所述计算机中除所述SRAM器件之外的任一部件。

在一个示例中，所述容限变化计算模块904，具体包括：

分布函数确定单元，用于采用计算机电路模拟仿真软件确定静态噪声容限累计分布函数；所述静态噪声容限累计分布函数表示静态噪声容限与分布概率之间的关系。

反函数确定单元，用于确定所述静态噪声容限累计分布函数的反函数。

容限变化求解单元，用于将当前变化数量与SRAM器件所有存储位元的数量的比值代入所述反函数中进行求解，得到当前容限变化量。

在一个示例中，所述延迟变化计算模块905，具体包括：

比值函数确定单元，用于采用计算机电路模拟仿真软件确定比值函数表达式。

当前概率值计算单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中各二进制位为逻辑1的概率，得到当前概率值。

变化量比值计算单元，用于将所述当前概率值代入比值函数表达式中，得到当前变化量比值。

延迟变化计算单元，用于将所述当前容限变化量和所述当前变化量比值求乘积，得到当前延迟变化量。

在一个示例中，所述分布函数确定单元，具体包括：

噪声容限获取子单元，用于对于任一存储位元，获取所述存储位元在存储逻辑1状态下的静态噪声容限，得到第一静态噪声容限，获取所述存储位元在存储逻辑0状态下的静态噪声容限，得到第二静态噪声容限。

容限差值计算子单元，用于对于任一存储位元，计算所述第一静态噪声容限和所述第二静态噪声容限的差，得到容限差值。

容限差值统计子单元，用于统计所述SRAM器件中所有存储位元的容限差值，建立静态噪声容限累计分布函数。

在一个示例中，所述当前概率值计算单元，具体包括：

累加子单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据累加器对所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据中的每一二进制位进行单独累加，得到各二进制位的累加结果。

计数子单元，用于在执行当前时刻的程序和计算当前时刻的数据时，采用数据计数器计算所述SRAM器件和所述目标部件之间传输的数据的数量，得到当前数据量。

概率计算子单元，用于计算每一二进制位的累加结果与所述当前数据量的比值，得到当前时刻每一二进制位为逻辑1的概率；所述当前概率值包括：当前时刻各二进制位为逻辑1的概率。

上述所有实施例，相对于现有技术，具有实施难度低、对计算机寿命监测的准确度高的优点。

实施难度低，主要体现在：部分现有技术设计专用的软错误监测传感器，并在计算机关键芯片中加入监测传感器，用来感知电路老化引起的软错误。然而，软错误监测传感器的设计难度大，并且在芯片中加入软错误监测传感器需要重新设计及生产该芯片，因此部分现有技术实施难度高。本发明利用目前工艺及生产技术成熟的SRAM器件，作为寿命监测传感器，设计、生产难度低，并且SRAM器件目前被普遍使用于计算机处理器芯片中以及计算机主板内，因此本发明无需重新设计、生产计算机芯片或计算机硬件，实时难度低。

对计算机寿命监测的准确度高主要体现在：部分现有技术中寿命监测传感器在物理上与计算机相互独立，但在时间上与计算机同时运行。然而，这种寿命传感器无法感知计算机中工作电压、运行的程序等因素的变化，寿命监测的准确度低。本发明利用了SRAM器件在计算机处理器与其它存储器之间相互耦接，并进行数据、指令中转的特点，因此将SRAM器件作为寿命监测传感器能够准确地反映计算机整体的老化状况，并预测寿命。

此外，本发明利用计算机处理器芯片内、计算机主板内的SRAM器件作为寿命监测传感器。利用计算机处理器芯片内、计算机主板内其它能够准确反馈老化状况的部件，替代SRAM器件作为寿命监测传感器，同样能完成本发明的目的。但现有技术中，除SRAM器件外，计算机处理器芯片内或主板内的其它部件对老化状况均难以实现准确的反馈。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。