一种硅基OLED暗点修复工艺

技术领域

本发明涉及硅基OLED技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED暗点修复工艺。

背景技术

硅基OLED制作中，影响硅基OLED良率最大的因素之一就是蒸镀段或阴极IZO段生产过程掉落或溅射上去的异物，导致阴阳极的导通造成Short(短路)后像素不发光，因而形成暗点。

目前对于硅基OLED而言，主要是通过管控生产中的异物来降低Particle(微粒)，或者通过laser修补方式，但修补效率太低，工艺困难，且设备数量多且造价昂贵。

在面板行业，对于底发光阴极Al，可通过P-Aging(电压击穿)方式实现对正面A-CShort进行修复，但目前这种方式无法应用在硅基OLED上，主要原因是阴极结构不一样和扎针方式无法使用。

发明内容

针对现有技术不足，本发明是提供一种硅基OLED暗点修复工艺，其可有效避免阴阳极短路，从而实现暗点修复。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

该硅基OLED暗点修复工艺，包括以下步骤：

S1、晶圆蒸镀完有机层后，利用溅射完成阴极IZO膜层；

S2、利用溅射在阴极IZO膜层上形成一层Al层，利用Al的高钻入性，Al将钻入到IZO阴极和微粒之间；

S3、通过施加反向电压，使微粒和IZO阴极之间断路，避免短路发生，完成暗点修复。

其中，

所述S3步骤后，通过刻蚀工艺，将表面Al去除。

所述S3步骤后，通过氧化，将表面Al完全氧化成一层致密的AlOx层。

所述S3步骤中，通过传入电压击穿腔室，在电压击穿腔室中施加反向电压。

所述S1步骤前，晶圆设计时将所有阴极引线汇集在负极输入端，将所有阳极引线汇集在正极输入端。

所述S3步骤后，通过Plasma工艺进行氧化处理。

所述电压击穿腔室内通入一定的水和氧气。

所述阴极引线和阳极引线均设计在切割线外。

所述晶圆封装制程后切割晶粒，将阴极引线和阳极引线均切断。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：

该硅基OLED暗点修复工艺设计合理，通过在IZO阴极上溅射一层Al层，由于Al的高钻入性，Al将钻入到IZO和微粒之间，通过施加反向电压，使微粒和IZO阴极之间断路，避免阴阳极短路发生，从而实现暗点修复。

附图说明

下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为本发明修复示意图。

图2为本发明硅基OLED晶圆示意图。

图3为图2中局部放大示意图。

图4为本发明引线示意图。

图5为本发明修复工艺流程示意图一。

图6为本发明修复工艺流程示意图二。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

如图1至图6所示，该硅基OLED暗点修复工艺，包括以下步骤：

S1、晶圆蒸镀完有机层后，利用溅射完成阴极IZO膜层；

S2、利用溅射在阴极IZO膜层上形成一层Al层，利用Al的高钻入性，Al将钻入到IZO阴极和微粒之间；

S3、通过施加反向电压，使微粒和IZO阴极之间断路，避免短路发生，完成暗点修复。

同时针对硅基OLED产品尺寸小，die(晶粒)数量较多，无法实现每个die单独扎针施加反向电压；本发明通过了一种阴阳极引线pad设计，实现在电压击穿工艺过程中，仅需要两个输入pad处施加电压，完成对wafer中上百个die的同时电压击穿工艺，暗点修复高效，相对成本较低。

进一步的，通过传入电压击穿腔室，在电压击穿腔室中施加反向电压；电压击穿腔室内通入一定的水和氧气，形成具有少量水和氧气的腔室环境，Al在反向电压下，需要和水及氧气发生反应生产氧化铝，由于氧化铝是绝缘的，实现了阴极与particle(微粒)绝缘，达到暗点修复效果。

S1步骤前，晶圆设计时将所有阴极引线汇集在负极输入端，将所有阳极引线汇集在正极输入端；阴极引线和阳极引线均设计在切割线外；晶圆封装制程后切割晶粒，将阴极引线和阳极引线均切断。

优选实施例1，如图5所示，

实施步骤具体如下：

蒸镀完有机层后，使用Sputter溅射成膜IZO膜层大概

利用sputter溅射大约

传入电压击穿腔体，在少量水和氧气存在的环境中，对每个die施加反向高电压(不同的产品采用不同的电压参数，一般而言范围在6-12V)，使微粒和IZO阴极之间断路，避免短路发生，完成暗点修复；

传入刻蚀腔体，通过刻蚀工艺，将表面Al去除。

优选实施例2，如图6所示，

实施步骤具体如下：

蒸镀完有机层后，使用Sputter溅射成膜IZO膜层大概

利用sputter溅射大约

传入电压击穿腔体，在少量水和氧气存在的环境中，对每个die施加反向高电压，使微粒和IZO阴极之间断路，避免短路发生，完成暗点修复；

传入Plasma(等离子处理，如果通入气体为N2/Ar只有表面轰击(刻蚀)效果，如果通入O

在电压击穿后通过plasma处理成AlOx,AlOx作为封装层对OLED器件进一步保护，同时由于较高的折射率，有助于OLED器件的出光。

本发明通过在IZO阴极上溅射一层Al层，由于Al的高钻入性，Al将钻入到IZO和微粒之间，通过施加反向电压，使微粒和IZO阴极之间断路，避免阴阳极短路发生，从而实现暗点修复；将阴阳极引线分布汇集到对应的电极输入端，仅需要两个输入pad处施加电压，完成对wafer中上百个die的同时电压击穿工艺，暗点修复高效，相对成本较低。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。