一种SnS2@GO复合材料、制备方法及应用

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及半导体纳米材料，具体涉及一种SnS

背景技术

现如今，电子和通讯技术在各行各业成为重要的一环，而电磁干扰也已逐渐成为一个关键问题，它会严重影响人类健康和其他设备的运行，电磁波同时也对其他方面产生了不可忽略的威胁。这个问题推动了电磁波吸收和电磁干扰屏蔽技术的快速发展。由于千兆赫兹(GHz)通信的发展，电磁波吸收广泛应用于电磁波暗室、军用雷达、隐身涂层等。因此，在GHz范围内对电磁波的吸收研究走上舞台。传统的电磁波吸收体存在密度高、易腐蚀、加工性差、吸收带宽窄等缺点。因此，目前的战场隐身条件很难满足现代先进武器装备的要求。现在理想电磁波吸收体的要求是重量轻、厚度薄、吸收带宽宽、吸收特性强。构建具有薄厚度、低密度、宽的吸收带宽和强吸收的高效电磁波吸收体在民用和军用领域非常迫切和必要。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于，提供一种SnS

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案予以实现：

一种SnS

步骤一，制备片状SnS

将氯化亚锡和硫代乙酰胺氯化亚锡溶于去离子水，搅拌至完全溶解，加入氨水得到SnS

步骤二，制备片状SnS

将步骤一制得的SnS

步骤三，制备SnS

将步骤二制得的片状SnS

步骤四，制得SnS

将步骤三制得的SnS

本发明还具有如下技术特征：

步骤一中，所述的氯化亚锡与硫代乙酰胺的质量比为1：3.95；所述的氨水的添加量为0.10mL；所述的氨水的质量浓度为25％～28％。

步骤二中，所述的水热反应的温度为160℃，反应时间为12h。

步骤二中，所述的烘干温度为60℃，烘干时间为18h。

步骤三中，每70.0mg的片状SnS

步骤四中，所述的退火处理的惰性气体保护为氩气，升温速率为5℃/min，温度为150～450℃，退火时间为2h。

本发明还具有如下技术特征：

具体的，该方法具体包括如下步骤：

步骤一，制备片状SnS

将0.095g的氯化亚锡和0.375g的硫代乙酰胺氯化亚锡溶于去离子水，搅拌至完全溶解，加入0.1mL质量浓度为25％～28％的氨水得到SnS

步骤二，制备片状SnS

将步骤一制得的SnS

步骤三，制备SnS

将步骤二制得的片状SnS

步骤四，制得SnS

将步骤三制得的SnS

本发明还保护一种SnS

本发明还保护如上所述的SnS

本发明与现有技术相比，具有如下技术效果：

(Ⅰ)本发明的SnS

(Ⅱ)本发明的SnS

(Ⅲ)本发明的SnS

(Ⅳ)将本发明的SnS

(Ⅴ)将本发明的SnS

附图说明

图1为实施例1至4和对比例1至4制备的SnS

图2为实施例1至4和对比例1至4的SnS

图3为实施例1、实施例2、对比例1至3制备的SnS

图4为实施例1制备的SnS

图5为实施例1、实施例2、对比例1至3制备的SnS

图6为实施例1、实施例3、实施例4和对比例4制备的SnS

图7为实施例1、实施例2、对比例1至3制备的SnS

图8为实施例1、实施例3、实施例4和对比例4制备的SnS

以下结合实施例对本发明的具体内容作进一步详细解释说明。

具体实施方式

需要说明的是，本发明中的所有的原料，如无特殊说明，全部均采用现有技术中已知的原料。

本发明中，SnS

GO悬浮液指的是氧化石墨烯悬浮液。

作为过渡金属硫化物的SnS

水热反应过程是指在一定的温度和压力下，在水、水溶液或蒸汽等流体中所进行有关化学反应的总称，在本申请中，具体是指在密封的压力容器中，以去离子水作为溶剂，使原料粉体经溶解和再结晶来制备材料。水热反应制得的样品具有晶粒发育完整且分布均匀的优势。

本发明提供一种SnS

遵从上述技术方案，以下给出本发明的具体实施例，需要说明的是本发明并不局限于以下具体实施例，凡在本申请技术方案基础上做的等同变换均落入本发明的保护范围。

实施例1：

本实施例给出一种SnS

步骤一，制备片状SnS

将0.095g的氯化亚锡和0.375g的硫代乙酰胺氯化亚锡溶于去离子水，搅拌至完全溶解，加入0.1mL质量浓度为25％～28％的氨水得到SnS

步骤二，制备片状SnS

将步骤一制得的SnS

步骤三，制备SnS

将步骤二制得的片状SnS

步骤四，制得SnS

将步骤三制得的SnS

对本实施例中得到的SnS

对制得的SnS

图3为SnS

图4为实施例1的TEM和HRTEM微观形貌表征。可以发现SnS

性能测试：

本实施例还给出SnS

具体而言，通过测定SnS

采用本实施例制备的SnS

可以看出，本实施例制备的SnS

实施例2：

本实施例给出一种SnS

本实施例的最低反射损耗可以达到-73.50dB，有效吸收带宽为5.75GHz(12.21-17.96GHz)，吸收体的厚度为2.31mm。

实施例3：

本实施例给出一种SnS

采用本实施例中SnS

实施例4：

本实施例给出一种SnS

采用本实施例中SnS

对比例1：

本对比例所采用的原料和制备方法与实施例1基本相同，区别在于，未加入GO悬浮液。

对于纯SnS

对比例2：

本对比例所采用的原料和制备方法与实施例1基本相同，区别在于，加入GO悬浮液为7.5ml。

本对比例的最低反射损耗只有-11.31dB，有效吸收带宽仅为3.28GHz，厚度为1.56mm。

对比例3：

本对比例所采用的原料和制备方法与实施例1基本相同，区别在于，加入GO悬浮液为10ml。

本对比例的最低反射损耗只有-9.44dB，不能实现对电磁波的有效吸收。

对比例4：

本对比例所采用的原料和制备方法与实施例1基本相同，区别在于，退火温度为150℃。

本对比例最低反射损耗没有低于-10.00dB的部分，所以本对比例是没有电磁波吸收性能的。

从实施例1至4和对比例1至4中，能够得出如下结论：

(A)由实施例1、实施例2、对比例1至3可知：

由图3(a1-a2)可以观察到，原始的SnS

由上述分析和图7可知，本发明中GO添加量为5.0mL时，实施例1中SnS

(B)由实施例1、实施例3、实施例4和对比例4可知：

如图8所示，实施例1中退火温度为350℃，最终制得的SnS

实施例3和实施例4中退火温度为250℃和450℃。最终制得的材料也具有一定的有效吸收带宽，而对比例4的退火温度为150℃，但最低反射损耗没有低于-10dB，所以不具有有效的电磁波吸收性能。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。