显示装置和制造该显示装置的方法

申请要求于2022年6月7日提交的第10-2022-0069089号韩国专利申请的优先权和权益，用于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在此充分阐述一样。

技术领域

公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求正在以各种形式增加。例如，显示装置可以应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。

发明内容

公开的目的在于提供一种其中可以充分确保排气路径的显示装置和制造该显示装置的方法。

应当注意的是，公开的目的不限于上述目的，并且根据以下描述，公开的其他目的对于本领域技术人员将是明显的。

根据公开的一个或更多个实施例的显示装置可以包括：电极，在基体层上；第一绝缘层，在电极上；堤，在第一绝缘层上，在基体层的厚度方向上突出，并且围绕一个区域；发光元件，在基体层上设置在所述一个区域中；以及连接电极，电连接到发光元件。连接电极可以包括：阳极连接电极，电连接到发光元件；阴极连接电极，电连接到发光元件；以及延伸连接电极，在堤上。第一绝缘层可以形成至少一个第一开口。在平面图中，至少一个第一开口可以与延伸连接电极叠置。

根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括：过孔层，在基体层上；绝缘图案，在过孔层上位于电极下方；第二绝缘层，第二绝缘层的至少一部分在堤上，并且第二绝缘层形成暴露堤的第二开口；以及第三绝缘层，第三绝缘层的至少一部分在堤上，并且第三绝缘层形成暴露堤的第三开口。至少一个第一开口可以暴露绝缘图案。

根据一个或更多个实施例，过孔层、堤和绝缘图案中的每个可以包括有机材料。

根据一个或更多个实施例，绝缘图案和堤可以在至少一个第一开口中彼此接触。绝缘图案和过孔层可以彼此接触。

根据一个或更多个实施例，过孔层、绝缘图案和堤可以形成使气体穿过其的排气路径。

根据一个或更多个实施例，在平面图中，至少一个第一开口的一部分可以与第二开口叠置。在平面图中，至少一个第一开口的另一部分可以与第三开口叠置。

根据一个或更多个实施例，连接电极的不在堤上的部分和延伸连接电极可以设置为围绕一区域。第三开口可以在所述一区域中。

根据一个或更多个实施例，发光元件可以包括第一端和第二端。至少一个第一开口可以在从第一端到第二端的方向上布置，并且可以在顺序地布置发光元件所沿的方向上延伸。

根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括：颜色转换层，在发光元件上，并且包括量子点；以及滤色器层，在发光元件上，并且选择性地透射一定颜色的光。

根据公开的一个或更多个实施例的显示装置可以包括：电极，在基体层上；第一绝缘层，在电极上，并且形成至少一个第一开口；堤，在第一绝缘层上，并且在基体层的厚度方向上突出；发光元件，在由堤围绕的区域中；以及第二绝缘层，第二绝缘层的至少一部分在第一绝缘层上，并且第二绝缘层形成第二开口。在平面图中，至少一个第一开口和第二开口可以彼此不叠置。

根据一个或更多个实施例，显示装置还可以包括：第三绝缘层，第三绝缘层的至少一部分在第二绝缘层上，并且第三绝缘层形成第三开口。在平面图中，至少一个第一开口和第三开口可以彼此不叠置。

根据一个或更多个实施例，发光元件可以在一方向上顺序地布置。第二开口可以不在至少一个第一开口中的在这一方向上的两个第一开口之间，并且第三开口可以在至少一个第一开口中的在这一方向上的两个第一开口之间。

根据一个或更多个实施例，在平面图中，至少一个第一开口可以在从发光元件中的每个的第一端到第二端的方向上不与发光元件叠置。

根据公开的一个或更多个实施例的制造显示装置的方法可以包括以下步骤：在基体层上设置过孔层；在过孔层上设置绝缘图案；在绝缘图案上使电极图案化；在电极和绝缘图案上设置形成至少一个第一开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上设置在基体层的厚度方向上突出的堤；在第一绝缘层上在由堤围绕的区域中设置发光元件；在堤上设置形成第二开口的第二绝缘层；使电连接到发光元件的第一连接电极图案化；设置形成第三开口的第三绝缘层；使电连接到发光元件的第二连接电极图案化；以及使设置在堤上的延伸连接电极图案化。在平面图中，延伸连接电极可以与至少一个第一开口叠置。

第三绝缘层的一部分可以在第一连接电极上，并且第三绝缘层的另一部分可以在堤上。

延伸连接电极可以与第二连接电极成一体。

根据一个或更多个实施例，设置发光元件的步骤可以包括：向电极提供电信号，使得发光元件基于根据电信号的电场对准。

根据一个或更多个实施例，过孔层、堤和绝缘图案中的每个可以包括有机材料。

根据一个或更多个实施例，设置堤的步骤可以包括使堤和绝缘图案在至少一个第一开口中彼此接触。第二开口和第三开口中的每个可以暴露堤。

根据一个或更多个实施例，在平面图中，第二开口和第三开口可以彼此不叠置。

附图说明

附图示出了发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理，附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。

图1是示意性地示出根据一个或更多个实施例的发光元件的透视图。

图2是示意性地示出根据一个或更多个实施例的发光元件的剖视图。

图3是示意性地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的平面图。

图4是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素的平面图。

图5是示意性地示出根据一个或更多个实施例的子像素的平面图。

图6是沿着图5的线A-A’截取的剖视图。

图7是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素的剖视图。

图8是示意性地示出根据一个或更多个实施例的子像素的剖视图。

图9和图10是示意性地示出根据第一实施例的像素的平面结构的平面图。

图11是示意性地示出根据第一实施例的像素的剖面结构的平面图。

图12是示意性地示出根据第二实施例的像素的平面结构的平面图。

图13是示意性地示出根据第三实施例的像素的平面结构的平面图。

图14是示意性地示出根据第四实施例的像素的平面结构的平面图。

图15是示意性地示出根据第五实施例的像素的平面结构的平面图。

图16是示意性地示出根据第六实施例的像素的平面结构的平面图。

图17是示意性地示出根据第七实施例的像素的平面结构的平面图。

图18至图23是示意性地示出在每个工艺步骤中的根据一个或更多个实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

由于公开允许各种改变和许多实施例，因此具体实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。然而，这并不意图将公开限制为实践的具体方式，并且将理解的是，不脱离公开的特征和技术范围的所有改变、等同物和替代物都包括在公开中。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离公开的范围的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。在公开中，除非上下文另外清楚地指出，否则单数表达也意图包括复数表达。

还将理解的是，在公开中使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。另外，当诸如层、膜、区域、板等的第一部件(部分)“在”第二部件(部分)“上”时，第一部件(部分)不仅可以“直接在”第二部件(部分)“上”，而且第三部件(部分)可以介于它们之间。此外，在公开中，当诸如层、膜、区域、板等的第一部件(部分)形成在第二部件(部分)上时，形成第一部件(部分)所沿的方向不限于第二部件(部分)的上方向，而是可以包括第二部件(部分)的侧方向或下方向。相反，当诸如层、膜、区域、板等的第一部件(部分)“在”第二部件(部分)“下方”时，第一部件(部分)不仅可以“直接在”第二部件(部分)“下方”，而且第三部件(部分)可以介于它们之间。

当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。

考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在这里使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差的范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

术语“和/或”包括一个或更多个相关构造可以限定的所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B或者A和B”。

为了本公开的目的，短语“A和B中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。

除非在这里另外限定或暗示，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文和公开中的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意思来进行解释，除非在这里明确地如此定义。

公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。在下文中，将参照附图描述根据实施例的显示装置和制造该显示装置的方法。

将参照图1和图2描述根据实施例的发光元件LD。图1是示意性地示出根据一个或更多个实施例的发光元件的透视图。图2是示意性地示出根据一个或更多个实施例的发光元件的剖视图。

根据一个或更多个实施例，发光元件LD可以被构造为发射光。例如，发光元件LD可以是包括无机材料的发光二极管。

发光元件LD可以具有各种形状。例如，发光元件LD可以具有在一方向上延伸的形状。根据一个或更多个实施例，图1和图2示出了具有柱状形状的发光元件LD。然而，发光元件LD的类型和形状不限于上述示例。

发光元件LD可以包括第一半导体层SCL1、第二半导体层SCL2以及设置在第一半导体层SCL1与第二半导体层SCL2之间的活性层AL。例如，在发光元件LD延伸所沿的方向被称为长度L方向的情况下，发光元件LD可以包括在长度L方向上彼此顺序地堆叠的第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2。发光元件LD还可以包括电极层ELL和元件绝缘膜INF。

发光元件LD可以设置为在一方向上延伸的柱状形状。发光元件LD可以具有第一端EP1和第二端EP2。第一半导体层SCL1可以与发光元件LD的第一端EP1相邻，第二半导体层SCL2可以与发光元件LD的第二端EP2相邻。电极层ELL可以与第一端EP1相邻。

发光元件LD可以是通过蚀刻工艺制造成柱状形状的发光元件。柱状形状可以包括在长度L方向上伸长的(例如，具有大于约1的纵横比的)诸如圆柱体或多边形柱的杆状形状或条状形状，并且其剖面的形状不受具体地限制。例如，发光元件LD的长度L可以大于直径D(或剖面的宽度)。

发光元件LD可以具有纳米级到微米级的尺寸。例如，发光元件LD可以具有范围从纳米级到微米级的直径D(或宽度)和/或长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此。

第一半导体层SCL1可以是第一导电类型的半导体层。第一半导体层SCL1可以设置在活性层AL上，并且可以包括与第二半导体层SCL2的类型不同的类型的半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括P型半导体层。例如，第一半导体层SCL1可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料并且掺杂有诸如Mg等的第一导电类型掺杂剂的P型半导体层。然而，构成第一半导体层SCL1的材料不限于此，并且可以使用各种其他材料来形成第一半导体层SCL1。

活性层AL可以设置在第一半导体层SCL1与第二半导体层SCL2之间，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。活性层AL的位置不限于具体示例，并且可以根据发光元件LD的类型进行各种改变。

掺杂有导电掺杂剂的覆层可以形成在活性层AL的上部和/或下部上。例如，覆层可以形成为AlGaN层或InAlGaN层(或由AlGaN层或InAlGaN层形成)。根据一个或更多个实施例，可以使用诸如AlGaN、InAlGaN等的材料来形成活性层AL，并且可以使用各种其他材料来形成活性层AL。

第二半导体层SCL2可以是第二导电类型的半导体层。第二半导体层SCL2可以设置在活性层AL下，并且可以包括与第一半导体层SCL1的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括N型半导体层。例如，第二半导体层SCL2可以包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料并且掺杂有诸如Si、Ge、Sn等的第二导电类型掺杂剂的N型半导体层。然而，构成第二半导体层SCL2的材料不限于此，可以使用各种其他材料来形成第二半导体层SCL2。

在等于或大于阈值电压的电压被施加到发光元件LD的端部(或两端)的情况下，发光元件LD可以在电子-空穴对在活性层AL中结合的同时发射光。通过使用该原理控制发光元件LD的光发射，发光元件LD可以用作包括显示装置的像素的各种发光装置的光源。

元件绝缘膜INF可以设置在发光元件LD的表面上。元件绝缘膜INF可以形成在发光元件LD的表面上以至少围绕活性层AL的外表面，并且还可以围绕第一半导体层SCL1和第二半导体层SCL2的部分。元件绝缘膜INF可以形成为单层或双层，但是公开不限于此，并且可以包括膜。例如，元件绝缘膜INF可以包括包含第一材料的第一绝缘膜和包含与第一材料不同的第二材料的第二绝缘膜。

元件绝缘膜INF可以暴露发光元件LD的具有不同极性的端部。例如，元件绝缘膜INF可以暴露与发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2相邻的电极层ELL和第二半导体层SCL2中的每个的端部。

元件绝缘膜INF可以包括诸如氧化硅(SiO

根据实施例，在设置元件绝缘膜INF以覆盖发光元件LD的表面(具体地，活性层AL的外表面)的情况下，可以确保发光元件LD的电稳定性。在元件绝缘膜INF设置在发光元件LD的表面上的情况下，可以通过使发光元件LD的表面缺陷最少化来改善寿命和效率。即使在发光元件LD彼此相邻设置的情况下，也能够防止发光元件LD之间不期望的短路。

电极层ELL可以设置在第一半导体层SCL1上。电极层ELL可以与第一端EP1相邻。电极层ELL可以电连接到第一半导体层SCL1。

电极层ELL的一部分可以被暴露。例如，元件绝缘膜INF可以暴露电极层ELL的表面。电极层ELL可以在与第一端EP1对应的区域中暴露。

根据一个或更多个实施例，电极层ELL的侧表面可以被暴露。例如，元件绝缘膜INF可以覆盖第一半导体层SCL1、活性层AL和第二半导体层SCL2的侧表面，但是可以不覆盖电极层ELL的侧表面的至少一部分。同第一端EP1相邻的电极层ELL与其他组件之间的电连接可以是容易的。根据一个或更多个实施例，元件绝缘膜INF可以暴露电极层ELL的侧表面以及第一半导体层SCL1和/或第二半导体层SCL2的侧表面的一部分。

根据一个或更多个实施例，电极层ELL可以是欧姆接触电极。然而，公开不限于上述示例。例如，电极层ELL可以是肖特基接触电极。

根据一个或更多个实施例，电极层ELL可以包括铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、它们的氧化物和它们的合金中的至少一种。然而，公开不限于上述示例。根据一个或更多个实施例，电极层ELL可以是基本上透明的。例如，电极层ELL可以包括氧化铟锡(ITO)。因此，发射的光可以穿过电极层ELL。

发光元件LD的结构和形状不限于上述示例。根据实施例，发光元件LD可以具有各种结构和形状。例如，发光元件LD还可以包括设置在第二半导体层SCL2的表面上并且与第二端EP2相邻的额外的电极层。

图3是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图。

参照图3，显示装置DD可以包括基体层BSL和设置在基体层BSL上的像素PXL。尽管未在图中示出，但是显示装置DD还可以包括用于驱动像素PXL、布线和垫(pad，也被称为“焊盘”、“焊垫”)的驱动电路(或驱动电路单元或驱动电路部分)(例如，扫描驱动器和数据驱动器)。

显示装置DD可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可以指除了显示区域DA之外的区域。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。

基体层BSL可以形成显示装置DD的基体构件。基体层BSL可以是刚性或柔性基底或者膜。例如，基体层BSL可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基底、由塑料或金属制成的柔性基底(或薄膜)或者至少一个绝缘层。基体层BSL的材料和/或性质没有具体地限制。根据一个或更多个实施例，基体层BSL可以是基本上透明的。术语“基本上透明”可以意指光可以以预定的或选定的透射率或更大的透射率透射。在另一实施例中，基体层BSL可以是半透明的或不透明的。此外，基体层BSL可以包括根据一个或更多个实施例的反射材料。

显示区域DA可以指其中设置有像素PXL的区域。非显示区域NDA可以指其中没有设置像素PXL的区域。连接到显示区域DA的像素PXL的驱动电路、布线和垫可以设置在非显示区域NDA中。

根据示例，像素PXL可以根据条带或

根据实施例，像素PXL可以包括第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3。第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的每个可以是子像素。第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3可以形成能够发射各种颜色的光的像素部分。

例如，第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3中的每个可以发射一定颜色(例如，预定的或可选择的颜色)的光。例如，第一子像素SPXL1可以是发射红色(例如，第一颜色)光的红色像素，第二子像素SPXL2可以是发射绿色(例如，第二颜色)光的绿色像素，第三子像素SPXL3可以是发射蓝色(例如，第三颜色)光的蓝色像素。根据一个或更多个实施例，第二子像素SPXL2的数量可以大于第一子像素SPXL1的数量和第三子像素SPXL3的数量。然而，构成像素部分的第一子像素SPXL1、第二子像素SPXL2和第三子像素SPXL3的颜色、类型和/或数量不限于具体示例。

将参照图4至图8描述根据实施例的像素PXL(或子像素SPXL)。图4至图8是示出根据实施例的像素PXL(或子像素SPXL)的示意图。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容。

首先，将参照图4和图5描述像素PXL(或子像素SPXL)的平面结构。图4是示意性地示出根据实施例的像素的平面图。图5是示意性地示出根据实施例的子像素的平面图。子像素SPXL可以是上面参照图3描述的第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3中的至少一个。

图4示出了其中顺序地布置有第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3的实施例，图5示出了子像素SPXL中的至少一个的平面结构。

像素PXL(或子像素SPXL中的每个)可以包括堤BNK、电极ALE、发光元件LD和连接电极ELT。

像素PXL可以包括发射区域EMA和非发射区域NEA。例如，第一子像素SPXL1可以包括非发射区域NEA以及作为发射区域EMA中的至少一个的第一发射区域EMA1。第二子像素SPXL2可以包括非发射区域NEA以及作为发射区域EMA中的至少一个的第二发射区域EMA2。第三子像素SPXL3可以包括非发射区域NEA以及作为发射区域EMA中的至少一个的第三发射区域EMA3。

在平面图中，发射区域EMA可以与由堤BNK限定的堤开口OPN叠置。根据一个或更多个实施例，发光元件LD可以设置在发射区域EMA中，并且可以从发射区域EMA提供从发光元件LD发射的光。

发光元件LD可以不设置在非发射区域NEA中。在平面图中，非发射区域NEA的一部分可以与堤BNK叠置。

堤BNK可以形成(或提供)堤开口OPN。例如，堤BNK可以具有在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出并且围绕一个区域(例如，预定的或可选择的区域)的形状。因此，可以形成其中没有设置堤BNK的堤开口OPN。

堤BNK可以形成空间。在平面图中，堤BNK可以具有围绕一个区域的形状。空间可以意指其中可以容纳流体的区域。根据一个或更多个实施例，堤BNK可以包括第一堤BNK1和第二堤BNK2(参照图6)。

根据一个或更多个实施例，通过在由堤BNK(例如，第一堤BNK1)限定的空间中提供包括发光元件LD的墨INK(参照图20)，发光元件LD可以设置在堤开口OPN中。

根据一个或更多个实施例，颜色转换层CCL(参照图7)可以设置在由堤BNK(例如，第二堤BNK2)限定的空间中(或在由堤BNK(例如，第二堤BNK2)限定的空间中图案化)。

堤BNK可以限定发射区域EMA和非发射区域NEA。在平面图中，堤BNK可以围绕发射区域EMA的至少一部分。例如，其中设置有堤BNK的区域可以是非发射区域NEA。作为其中没有设置堤BNK的区域，其中设置有发光元件LD的区域可以是发射区域EMA。

电极ALE可以是用于使发光元件LD对准的电极。根据一个或更多个实施例，电极ALE可以包括第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2。电极ALE中的每个可以被称为对准电极。

电极ALE可以具有单层或多层结构。例如，电极ALE可以包括包含反射导电材料的至少一个反射电极层，并且可选地还包括至少一个透明电极层和/或至少一个导电覆盖层。根据一个或更多个实施例，电极ALE可以包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)和它们的合金中的至少一种。然而，公开不限于上述示例，电极ALE可以包括具有一定反射率的各种材料中的至少一种。

发光元件LD可以设置在电极ALE上。根据一个或更多个实施例，发光元件LD的至少一部分可以设置在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间。发光元件LD可以在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间对准。发光元件LD可以形成(或构成)发射部分(或发射单元)EMU。发射部分EMU可以指包括彼此相邻的发光元件LD的部分。

根据一个或更多个实施例，发光元件LD可以以各种方式对准。例如，图5示出了其中发光元件LD平行地布置在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间的实施例。然而，公开不限于上述示例。例如，发光元件LD可以以串联结构或串联/并联混合结构布置，并且串联连接和/或并联连接的部件的数量不受具体地限制。例如，发光元件LD可以形成其中四个并联结构串联地连接的结构。这将在下面参照图9之后的附图进行描述。

第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2可以彼此间隔开。例如，第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2可以在发射区域EMA中在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以在第二方向DR2上延伸。

第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2可以在其中发光元件LD对准的工艺步骤中分别接收第一对准信号和第二对准信号。例如，包括发光元件LD的墨INK可以供应(或提供)到由堤BNK(例如，第一堤BNK1)限定的堤开口OPN，第一对准信号可以供应到第一对准电极ALE_S1，第二对准信号可以供应到第二对准电极ALE_S2。第一对准信号和第二对准信号可以具有不同的波形、电位和/或相位。例如，第一对准信号可以是AC信号，第二对准信号可以是接地信号。然而，公开不限于上述示例。可以在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间(或在第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2上)形成电场，并且发光元件LD可以基于该电场在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间对准。例如，发光元件LD可以根据电场通过力(例如，介电电泳(DEP)力)移动(或旋转)，并且在电极ALE上对准(或设置)。

第一对准电极ALE_S1可以通过第一接触构件CNT1电连接到电路元件(例如，晶体管TR(参照图6))。根据一个或更多个实施例，第一对准电极ALE_S1可以提供阳极信号，使得发光元件LD可以发射光。第一对准电极ALE_S1可以提供用于使发光元件LD对准的第一对准信号。

第二对准电极ALE_S2可以通过第二接触构件CNT2电连接到电源线PL(参照图6)。根据一个或更多个实施例，第二对准电极ALE_S2可以提供阴极信号，使得发光元件LD可以发射光。第二对准电极ALE_S2可以提供用于使发光元件LD对准的第二对准信号。

第一接触构件CNT1和第二接触构件CNT2的位置不限于图5中所示的位置，并且可以以各种方式适当地改变。

发光元件LD可以基于所提供的电信号发射光。例如，发光元件LD可以基于从阳极连接电极ELTA提供的第一电信号(例如，阳极信号)和从阴极连接电极ELTC提供的第二电信号(例如，阴极信号)发射光。

发光元件LD的第一端EP1可以与第一对准电极ALE_S1相邻设置，并且发光元件LD的第二端EP2可以与第二对准电极ALE_S2相邻设置。第一端EP1可以与第一对准电极ALE_S1叠置或者可以不与第一对准电极ALE_S1叠置。第二端EP2可以与第二对准电极ALE_S2叠置或者可以不与第二对准电极ALE_S2叠置。

根据一个或更多个实施例，发光元件LD中的每个的第一端EP1可以通过阳极连接电极ELTA电连接到第一对准电极ALE_S1。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第一端EP1可以直接连接到第一对准电极ALE_S1。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第一端EP1可以仅电连接到阳极连接电极ELTA，并且可以不连接到第一对准电极ALE_S1。

类似地，发光元件LD中的每个的第二端EP2可以通过阴极连接电极ELTC电连接到第二对准电极ALE_S2。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第二端EP2可以直接连接到第二对准电极ALE_S2。在另一实施例中，发光元件LD中的每个的第二端EP2可以仅电连接到阴极连接电极ELTC，并且可以不连接到第二对准电极ALE_S2。

阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC可以分别设置在发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2上。

阳极连接电极ELTA可以设置在第一端EP1上，以电连接到发光元件LD的第一端EP1。在一个或更多个实施例中，阳极连接电极ELTA可以设置在第一对准电极ALE_S1上以电连接到第一对准电极ALE_S1。发光元件LD的第一端EP1可以通过阳极连接电极ELTA连接到第一对准电极ALE_S1。

阴极连接电极ELTC可以设置在第二端EP2上以电连接到发光元件LD的第二端EP2。在一个或更多个实施例中，阴极连接电极ELTC可以设置在第二对准电极ALE_S2上以电连接到第二对准电极ALE_S2。发光元件LD的第二端EP2可以通过阴极连接电极ELTC连接到第二对准电极ALE_S2。

将参照图6至图8描述根据一个或更多个实施例的像素PXL(或子像素SPXL)的剖面结构。将参照图6描述子像素SPXL的像素电路层PCL和显示元件层DPL。将参照图7和图8描述光学层OPL、滤色器层CFL和外膜层OFL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容。

图6是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素PXL(或子像素SPXL)的剖视图。图6是沿着图5的线A-A’截取的示意性剖视图。图7是示意性地示出根据一个或更多个实施例的像素的剖视图。图8是示意性地示出根据一个或更多个实施例的子像素的剖视图。

参照图6，子像素SPXL可以设置在基体层BSL上。子像素SPXL可以包括像素电路层PCL和显示元件层DPL。

基体层BSL可以形成其上将形成有子像素SPXL的基体构件。基体层BSL可以提供其中布置有像素电路层PCL和显示元件层DPL的区域。

像素电路层PCL可以设置在基体层BSL上。像素电路层PCL可以包括下辅助电极BML、缓冲层BFL、晶体管TR、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2和过孔层VIA。

下辅助电极BML可以设置在基体层BSL上。下辅助电极BML可以用作通过其传输电信号的路径。根据一个或更多个实施例，在平面图中，下辅助电极BML的一部分可以与晶体管TR叠置。

缓冲层BFL可以设置在基体层BSL上。缓冲层BFL可以覆盖下辅助电极BML。缓冲层BFL可以防止杂质从外部扩散。缓冲层BFL可以包括氧化硅(SiO

晶体管TR可以是薄膜晶体管。根据一个或更多个实施例，晶体管TR可以是驱动晶体管。晶体管TR可以电连接到发光元件LD。晶体管TR可以电连接到发光元件LD的第一端EP1。

晶体管TR可以包括有源层ACT、第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和栅电极GE。

有源层ACT可以指半导体层。有源层ACT可以设置在缓冲层BFL上。有源层ACT可以包括选自由多晶硅、低温多晶硅(LTPS)、非晶硅和氧化物半导体组成的组中的至少一种。

有源层ACT可以包括接触第一晶体管电极TE1的第一接触区域和接触第二晶体管电极TE2的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区。沟道区可以是未掺杂有杂质的本征半导体图案。

栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE的位置可以与有源层ACT的沟道区的位置对应。例如，栅电极GE可以设置在有源层ACT的沟道区上，且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与有源层ACT之间。

栅极绝缘层GI可以设置在缓冲层BFL上。栅极绝缘层GI可以覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以包括氧化硅(SiO

第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅极绝缘层GI上。第一层间绝缘层ILD1可以覆盖栅电极GE。第一层间绝缘层ILD1可以包括氧化硅(SiO

第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第一晶体管电极TE1可以穿过栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1以接触有源层ACT的第一接触区域。第二晶体管电极TE2可以穿过栅极绝缘层GI和第一层间绝缘层ILD1以接触有源层ACT的第二接触区域。例如，第一晶体管电极TE1可以是漏电极，第二晶体管电极TE2可以是源电极，但是公开不限于此。

第一晶体管电极TE1可以通过穿透过孔层VIA和第二层间绝缘层ILD2的第一接触构件CNT1电连接到第一对准电极ALE_S1。

电源线PL可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。根据一个或更多个实施例，电源线PL、第一晶体管电极TE1和第二晶体管电极TE2可以设置在同一层。电源线PL可以通过第二接触构件CNT2电连接到第二对准电极ALE_S2。电源线PL可以通过第二对准电极ALE_S2供应电源或对准信号。

第二层间绝缘层ILD2可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第一晶体管电极TE1、第二晶体管电极TE2和电源线PL。第二层间绝缘层ILD2可以包括氧化硅(SiO

过孔层VIA可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。根据一个或更多个实施例，过孔层VIA可以包括有机材料，以便使其下方的台阶差(或者厚度或高度差)平坦化。例如，过孔层VIA可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。根据一个或更多个实施例，过孔层VIA可以包括有机材料，并且可以用作用于将从像素电路层PCL等产生的气体G(参照图18)排出到外部的路径。

根据一个或更多个实施例，子像素SPXL可以包括第一接触构件CNT1和第二接触构件CNT2。第一接触构件CNT1和第二接触构件CNT2可以穿过第二层间绝缘层ILD2和过孔层VIA。第一对准电极ALE_S1和第一晶体管电极TE1可以通过第一接触构件CNT1彼此电连接。第二对准电极ALE_S2和电源线PL可以通过第二接触构件CNT2彼此电连接。

显示元件层DPL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括第一绝缘层INS1、绝缘图案INP、电极ALE、堤BNK、发光元件LD、第二绝缘层INS2、阳极连接电极ELTA、阴极连接电极ELTC、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4。

绝缘图案INP可以设置在过孔层VIA上。根据实施例，绝缘图案INP可以具有各种形状。在一个或更多个实施例中，绝缘图案INP可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出。此外，绝缘图案INP可以形成为具有相对于基体层BSL以一定角度(例如，预定的或可选择的角度)倾斜的倾斜表面。然而，公开不限于此，绝缘图案INP可以具有具备弯曲表面或台阶形状的侧壁。例如，绝缘图案INP可以具有具备半圆形形状或半椭圆形形状的剖面。

绝缘图案INP可以形成预定的或选定的台阶差，使得发光元件LD可以容易地在发射区域EMA中对准。根据一个或更多个实施例，绝缘图案INP可以被称为阻挡壁。

根据一个或更多个实施例，电极ALE的部分可以设置在绝缘图案INP上。例如，绝缘图案INP可以包括第一绝缘图案INP1和第二绝缘图案INP2。第一对准电极ALE_S1可以设置在第一绝缘图案INP1上，第二对准电极ALE_S2可以设置在第二绝缘图案INP2上。因此，可以在绝缘图案INP上形成反射壁。因此，从发光元件LD发射的光可以被再循环以改善显示装置DD(或像素PXL)的光输出效率。

绝缘图案INP可以包括有机材料。例如，绝缘图案INP可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。绝缘图案INP可以包括有机材料，并且可以用作用于将从像素电路层PCL等产生的气体G排出到外部的路径。

电极ALE可以设置在过孔层VIA和/或绝缘图案INP上。如上所述，电极ALE的部分可以设置在绝缘图案INP上以形成反射壁。用于使发光元件LD对准的对准信号(例如，AC信号和接地信号)可以被供应给电极ALE。根据一个或更多个实施例，电信号(例如，阳极信号和阴极信号)可以被供应给电极ALE，使得发光元件LD发射光。

根据一个或更多个实施例，第一绝缘层INS1可以包括与发光元件LD相邻设置的第一元件绝缘层INS1_L。例如，第一绝缘层INS1可以包括包含设置在发光元件LD的后表面上的区域的第一元件绝缘层INS1_L和第一开口形成绝缘层INS1_O(参照图11)。下面将参照图9之后的附图描述第一开口形成绝缘层INS1_O的细节。

根据一个或更多个实施例，电极ALE可以设置在第一绝缘层INS1的后表面上。例如，电极ALE可以设置在绝缘图案INP或过孔层VIA与第一元件绝缘层INS1_L之间。例如，电极ALE的表面可以接触第一元件绝缘层INS1_L。

第一对准电极ALE_S1可以电连接到发光元件LD。第一对准电极ALE_S1可以通过形成在第一绝缘层INS1中的接触孔电连接到阳极连接电极ELTA。第一对准电极ALE_S1可以提供阳极信号，使得发光元件LD发射光。

第二对准电极ALE_S2可以电连接到发光元件LD。第二对准电极ALE_S2可以通过形成在第一元件绝缘层INS1_L中的接触孔电连接到阴极连接电极ELTC。第二对准电极ALE_S2可以提供阴极信号(例如，接地信号)，使得发光元件LD发射光。

第一绝缘层INS1可以设置在电极ALE上。例如，第一元件绝缘层INS1_L可以覆盖第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2。

堤BNK可以设置在第一绝缘层INS1上。根据一个或更多个实施例，堤BNK可以包括第一堤BNK1和第二堤BNK2。

第一堤BNK1可以设置在第一绝缘层INS1上。根据一个或更多个实施例，在平面图中，第一堤BNK1可以不与发射区域EMA叠置，并且可以与非发射区域NEA叠置。如上所述，第一堤BNK1可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出，并且第一堤BNK1可以限定堤开口OPN。在供应发光元件LD的工艺中，其中设置有发光元件LD的空间可以形成在堤开口OPN中。

第一堤BNK1可以包括有机材料。例如，第一堤BNK1可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。根据一个或更多个实施例，第一堤BNK1可以包括有机材料，并且可以用作用于将从像素电路层PCL等产生的气体G排出到外部的路径。

第二堤BNK2可以设置在第一堤BNK1上。第二堤BNK2可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上突出，并且第二堤BNK2可以限定堤开口OPN。其中设置有颜色转换层CCL的空间可以形成在堤开口OPN中。

第二堤BNK2可以包括诸如丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，公开不限于此。第二堤BNK2可以包括诸如氧化硅(SiO

发光元件LD可以设置在第一绝缘层INS1上。根据一个或更多个实施例，发光元件LD可以基于从阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC提供的电信号(例如，阳极信号和阴极信号)来发射光。

发光元件LD可以设置在由第一堤BNK1围绕的区域中。发光元件LD可以设置在第一绝缘图案INP1与第二绝缘图案INP2之间。

根据一个或更多个实施例，第二绝缘层INS2可以包括包含与发光元件LD相邻设置的区域的第二元件绝缘层INS2_L。例如，第二绝缘层INS2可以包括设置在发光元件LD上的第二元件绝缘层INS2_L和第二开口形成绝缘层INS2_O(参照图11)。下面将参照图9之后的附图描述第二开口形成绝缘层INS2_O的细节。

第二元件绝缘层INS2_L可以设置在发光元件LD上。第二元件绝缘层INS2_L可以覆盖发光元件LD的活性层AL。

第二元件绝缘层INS2_L可以暴露发光元件LD的至少一部分。例如，第二元件绝缘层INS2_L可以不覆盖发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2。因此，发光元件LD的第一端EP1和第二端EP2可以被暴露，并且可以分别电连接到阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC。

在使发光元件LD对准之后在发光元件LD上形成第二元件绝缘层INS2_L的情况下，能够防止发光元件LD从对准位置分离。

第二绝缘层INS2可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层INS2可以包括诸如氧化硅(SiO

阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC可以设置在第一绝缘层INS1上。阳极连接电极ELTA可以电连接到发光元件LD的第一端EP1。阴极连接电极ELTC可以电连接到发光元件LD的第二端EP2。

阳极连接电极ELTA可以通过穿透第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第一对准电极ALE_S1。阴极连接电极ELTC可以通过穿透第一绝缘层INS1的接触孔电连接到第二对准电极ALE_S2。

阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC可以包括导电材料。例如，阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC可以包括包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种的透明导电材料。因此，从发光元件LD发射的光可以穿过连接电极ELT以被发射到显示装置DD的外部。然而，公开不限于上述示例。

根据一个或更多个实施例，在阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC中的任何一个被图案化之后，另一个电极可以被图案化。然而，公开不限于上述示例。阳极连接电极ELTA和阴极连接电极ELTC可以在同一工艺中同时被图案化。

根据一个或更多个实施例，第三绝缘层INS3可以包括包含与发光元件LD相邻设置的区域的第三元件绝缘层INS3_L。例如，第三绝缘层INS3可以包括设置在阳极连接电极ELTA与阴极连接电极ELTC之间的第三元件绝缘层INS3_L和第三开口形成绝缘层INS3_O(参照图11)。下面将参照图9之后的附图描述第三开口形成绝缘层INS3_O的细节。

第三元件绝缘层INS3_L可以设置在阳极连接电极ELTA与阴极连接电极ELTC之间，以防止两个电极之间的短路缺陷。例如，第三元件绝缘层INS3_L可以覆盖阳极连接电极ELTA，以将阳极连接电极ELTA与阴极连接电极ELTC电分离。

第四绝缘层INS4可以设置在第三元件绝缘层INS3_L和连接电极ELT上。第四绝缘层INS4可以保护显示元件层DPL的组件免受外部影响。

第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4可以具有单层结构或多层结构。第四绝缘层INS4可以包括诸如氧化硅(SiO

将参照图7和图8描述包括颜色转换层CCL的像素PXL的组件。图7示出了颜色转换层CCL、光学层OPL、滤色器层CFL等。为了便于描述，在图7中省略了上述组件之中的像素电路层PCL和显示元件层DPL之中的除了第二堤BNK2之外的组件。图8可以示出像素PXL的关于颜色转换层CCL、光学层OPL和滤色器层CFL的堆叠结构。

参照图7和图8，第二堤BNK2可以设置在第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3之间或设置在第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3之间的边界处，并且可以限定分别与第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3叠置的空间(区域)。由第二堤BNK2限定的空间可以是其中可以设置有颜色转换层CCL的区域。

颜色转换层CCL可以在由第二堤BNK2围绕的空间中设置在发光元件LD上。颜色转换层CCL可以包括设置在第一子像素SPXL1中的第一颜色转换层CCL1、设置在第二子像素SPXL2中的第二颜色转换层CCL2和设置在第三子像素SPXL3中的散射层LSL。

颜色转换层CCL可以设置在发光元件LD上。颜色转换层CCL可以被构造为改变光的波长。在一个或更多个实施例中，第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3可以包括发射相同颜色的光的发光元件LD。例如，第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3可以包括发射第三颜色(或蓝色)的光的发光元件LD。可以通过在第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3中的每个中设置包括颜色转换颗粒的颜色转换层CCL来显示全色图像。

第一颜色转换层CCL1可以包括将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第一颜色的光的第一颜色转换颗粒。例如，第一颜色转换层CCL1可以包括分散在诸如基体树脂的基质材料(例如，预定的或可选择的基质材料)中的第一量子点QD1。

在一个或更多个实施例中，在发光元件LD是发射蓝色光的蓝色发光元件并且第一子像素SPXL1是红色像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝色光转换成红色光的第一量子点QD1。第一量子点QD1可以吸收蓝色光，并且根据能量跃迁使波长偏移以发射红色光。在第一子像素SPXL1是不同颜色的像素的情况下，第一颜色转换层CCL1可以包括与第一子像素SPXL1的颜色对应的第一量子点QD1。

第二颜色转换层CCL2可以包括将从发光元件LD发射的第三颜色的光转换为第二颜色的光的第二颜色转换颗粒。例如，第二颜色转换层CCL2可以包括分散在诸如基体树脂的基质材料(例如，预定的或可选择的基质材料)中的第二量子点QD2。

在一个或更多个实施例中，在发光元件LD是发射蓝色光的蓝色发光元件并且第二子像素SPXL2是绿色像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括将从蓝色发光元件发射的蓝色光转换成绿色光的第二量子点QD2。第二量子点QD2可以吸收蓝色光并且根据能量跃迁使波长偏移以发射绿色光。在第二子像素SPXL2是不同颜色的像素的情况下，第二颜色转换层CCL2可以包括与第二子像素SPXL2的颜色对应的第二量子点QD2。

在一个或更多个实施例中，由于在可见光区域中具有相对短波长的蓝色光被分别入射在第一量子点QD1和第二量子点QD2上，因此第一量子点QD1和第二量子点QD2的吸收系数可以增加。因此，可以改善最终从第一子像素SPXL1和第二子像素SPXL2发射的光的效率，并且可以确保优异的颜色再现性。通过使用相同颜色的发光元件LD(例如，蓝色发光元件)构造第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3的发射部分EMU，可以改善显示装置DD的制造效率。

可以设置散射层LSL以有效地利用从发光元件LD发射的第三颜色(或蓝色)的光。例如，在发光元件LD是发射蓝色光的蓝色发光元件并且第三子像素SPXL3是蓝色像素的情况下，散射层LSL可以包括至少一种类型的散射体SCT，以便有效地利用从发光元件LD发射的光。例如，散射层LSL的散射体SCT可以包括硫酸钡(BaSO

第一覆盖层CPL1可以设置在颜色转换层CCL上。第一覆盖层CPL1可以遍及第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3设置。第一覆盖层CPL1可以覆盖颜色转换层CCL。第一覆盖层CPL1可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透而损坏或污染颜色转换层CCL。

第一覆盖层CPL1可以是无机层，并且可以包括氮化硅(SiN

光学层OPL可以设置在第一覆盖层CPL1上。光学层OPL可以用于通过经由全反射使从颜色转换层CCL提供的光再循环来改善光提取效率。为此，光学层OPL可以具有比颜色转换层CCL的折射率相对低的折射率。例如，颜色转换层CCL的折射率可以为约1.6至约2.0，并且光学层OPL的折射率可以为约1.1至约1.3。

第二覆盖层CPL2可以设置在光学层OPL上。第二覆盖层CPL2可以遍及第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3设置。第二覆盖层CPL2可以覆盖光学层OPL。第二覆盖层CPL2可以防止诸如湿气或空气的杂质从外部渗透而损坏或污染光学层OPL。

第二覆盖层CPL2可以是无机层，并且可以包括氮化硅(SiN

平坦化层PLL可以设置在第二覆盖层CPL2上。平坦化层PLL可以遍及第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3设置。

平坦化层PLL可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，公开不限于此。平坦化层PLL可以包括诸如氧化硅(SiO

滤色器层CFL可以设置在平坦化层PLL上。滤色器层CFL可以包括与每个像素PXL的颜色匹配的滤色器CF1、CF2和CF3。可以通过设置分别与第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3的颜色匹配的滤色器CF1、CF2和CF3来显示全色图像。

滤色器层CFL可以包括设置在第一子像素SPXL1中以选择性地透射从第一子像素SPXL1发射的光的第一滤色器CF1、设置在第二子像素SPXL2中以选择性地透射从第二子像素SPXL2发射的光的第二滤色器CF2和设置在第三子像素SPXL3中以选择性地透射从第三子像素SPXL3发射的光的第三滤色器CF3。

在一个或更多个实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别是红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。然而，公开不限于此。在下文中，当提及第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之中的任何滤色器或者一般地提及两种或更多种类型的滤色器时，它们将被称为“滤色器CF”或“多个滤色器CF”。

第一滤色器CF1可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第一颜色转换层CCL1叠置。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射第一颜色(或红色)的光的滤色器材料。例如，在第一子像素SPXL1是红色像素的情况下，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器材料。

第二滤色器CF2可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与第二颜色转换层CCL2叠置。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射第二颜色(或绿色)的光的滤色器材料。例如，在第二子像素SPXL2是绿色像素的情况下，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器材料。

第三滤色器CF3可以在基体层BSL的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与散射层LSL叠置。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射第三颜色(或蓝色)的光的滤色器材料。例如，在第三子像素SPXL3是蓝色像素的情况下，第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器材料。

根据一个或更多个实施例，光阻挡层BM可以进一步设置在第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3之间。如此，在光阻挡层BM形成在第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3之间的情况下，可以防止从显示装置DD的正面或侧面视觉识别的混色缺陷。光阻挡层BM的材料没有具体地限制，并且光阻挡层BM可以由各种光阻挡材料构成。例如，光阻挡层BM可以包括黑矩阵，或者可以通过将第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3彼此堆叠来实现。

外涂层OC可以设置在滤色器层CFL上。外涂层OC可以遍及第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3设置。外涂层OC可以覆盖包括滤色器层CFL的下构件。外涂层OC可以防止湿气或空气渗透到上述下构件中。外涂层OC可以保护上述下构件免受诸如灰尘等异物的影响。

外涂层OC可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机材料。然而，公开不限于此。外涂层OC可以包括诸如氧化硅(SiO

外膜层OFL可以设置在外涂层OC上。外膜层OFL可以设置在显示装置DD的外部以减少外部影响。外膜层OFL可以遍及第一子像素至第三子像素SPXL1、SPXL2和SPXL3设置。根据一个或更多个实施例，外膜层OFL可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、低反射膜、偏振膜和透射率可控膜中的至少一个，但是公开不限于此。根据一个或更多个实施例，像素PXL可以包括上基底而不是外膜层OFL。

将参照图9至图17描述根据一个或更多个实施例的像素PXL(或子像素SPXL)的用于形成排气路径的结构。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容。

图9、图10和图12至图17可以是示意性地示出图4的区域EA1的放大图。图9和图10是示意性地示出根据第一实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图11是示意性地示出根据第一实施例的像素PXL的剖面结构的平面图。图12是示意性地示出根据第二实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图13是示意性地示出根据第三实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图14是示意性地示出根据第四实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图15是示意性地示出根据第五实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图16是示意性地示出根据第六实施例的像素PXL的平面结构的平面图。图17是示意性地示出根据第七实施例的像素PXL的平面结构的平面图。

首先，将参照图9至图11描述根据第一实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图9和图10是示出同一区域(例如，图4的区域EA1)的示意性平面图。一些组件在图9和图10中示出。然而，可以设置在区域EA1中的一些组件仅在图9中示出，使得可以清楚地识别组件，并且可以设置在区域EA1中的其他组件仅在图10中示出。参照图9和图10，将清楚地理解像素PXL的组件的位置关系。图11是沿着图9的线B-B’截取的示意性剖视图。

根据一个或更多个实施例，发射部分EMU可以包括第一发射部分EMU1至第四发射部分EMU4。例如，第一发射部分EMU1的第一发光元件LD1、第二发射部分EMU2的第二发光元件LD2、第三发射部分EMU3的第三发光元件LD3和第四发射部分EMU4的第四发光元件LD4可以串联连接。根据一个或更多个实施例，连接电极ELT可以包括第一连接电极ELT1至第五连接电极ELT5。

例如，第一发光元件LD1的第一端EP1可以电连接到作为阳极连接电极ELTA的第一连接电极ELT1，并且第一发光元件LD1的第二端EP2可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第二连接电极ELT2。第二发光元件LD2的第一端EP1可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第二连接电极ELT2，并且第二发光元件LD2的第二端EP2可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第三连接电极ELT3。第三发光元件LD3的第一端EP1可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第三连接电极ELT3，并且第三发光元件LD3的第二端EP2可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第四连接电极ELT4。第四发光元件LD4的第一端EP1可以电连接到连接电极ELT之中的用作中间连接电极ELTM的第四连接电极ELT4，并且第四发光元件LD4的第二端EP2可以电连接到作为阴极连接电极ELTC的第五连接电极ELT5。

根据一个或更多个实施例，第一发射部分EMU1的第一发光元件LD1和第二发射部分EMU2的第二发光元件LD2可以在作为第一对准电极ALE_S1的第一电极ALE1与作为第二对准电极ALE_S2的第二电极ALE2之间对准。第三发射部分EMU3的第三发光元件LD3和第四发射部分EMU4的第四发光元件LD4可以在作为第一对准电极ALE_S1的第三电极ALE3与作为第二对准电极ALE_S2的第二电极ALE2之间对准。为了便于描述，表示电极ALE的线被示出为比表示图9中的绝缘图案INP的线粗。

根据一个或更多个实施例，连接电极ELT中的每个可以包括延伸连接电极RELT。例如，连接电极ELT中的一些(例如，第三连接电极ELT3)可以与第一延伸连接电极RELT1一体地形成。连接电极ELT中的一些(例如，第四连接电极ELT4)可以与第二延伸连接电极RELT2一体地形成。根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT可以不直接接触发光元件LD。根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT可以设置在第一堤BNK1上。根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT可以是连接电极ELT的一部分，并且可以意指在平面图中与第一堤BNK1叠置的电极(或包括与第一堤BNK1叠置的区域的电极)。例如，即使在与发光元件LD稍微间隔开的区域中，也可以使连接电极ELT的部分图案化，以提供延伸连接电极RELT。可以基本上防止连接电极ELT可能断开的风险。

根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT中的每个可以与发光元件LD物理地间隔开。根据一个或更多个实施例，其他连接电极ELT和延伸连接电极RELT的部分可以设置为围绕至少部分区域。

根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT可以与其他相邻的子像素SPXL的相邻的连接电极ELT’相邻。相邻的连接电极ELT’可以与延伸连接电极RELT形成(例如，直接形成)边界线。

根据一个或更多个实施例，像素PXL可以包括由第一开口形成绝缘层INS1_O形成(或提供)的第一开口OP1、由第二开口形成绝缘层INS2_O形成(或提供)的第二开口OP2以及由第二开口形成绝缘层INS2_O和第三开口形成绝缘层INS3_O形成(或提供)的第三开口OP3。根据一个或更多个实施例，第一开口至第三开口OP1、OP2和OP3可以用作排气路径。为了便于描述，第一开口OP1由虚线表示，第二开口OP2由单点划线表示，第三开口OP3由双点划线表示。

根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以设置在延伸连接电极RELT下方。在平面图中，第一开口OP1可以与延伸连接电极RELT叠置。例如，第一开口OP1可以限定在延伸连接电极RELT的后表面上。根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以整个地被延伸连接电极RELT覆盖。

第一开口OP1可以在延伸连接电极RELT下方在一方向上延伸。例如，第一开口OP1可以在第二延伸连接电极RELT2的后表面上在第二方向DR2上延伸。根据一个或更多个实施例，在相邻的连接电极ELT’是相邻的子像素SPXL的延伸连接电极RELT的情况下，第一开口OP1可以设置在相邻的连接电极ELT’的后表面上。

根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在从发光元件LD的第一端EP1到第二端EP2的方向(例如，第一方向DR1)上叠置。例如，第一开口OP1可以在第一方向DR1上与发射区域EMA(或发射部分EMU)叠置。根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在顺序地布置发光元件LD所沿的方向(例如，第二方向DR2)上不与发光元件LD叠置。例如，第一开口OP1可以在第二方向DR2上不与发射区域EMA(或发射部分EMU)叠置。因此，第一开口OP1可以具体地设置在其中电极与发射区域EMA相邻设置的区域中以限定排气路径。即使在布线以高密度图案化的情况下，也可以充分地形成排气路径。具体地，可以基本上防止整个像素PXL中的层(例如，绝缘层)翘起的风险。

第二开口OP2和第三开口OP3可以不设置在延伸连接电极RELT下方。在平面图中，第二开口OP2和第三开口OP3可以不与延伸连接电极RELT叠置。根据实施例，在平面图中，第二开口OP2和第三开口OP3可以不与连接电极ELT叠置。

根据一个或更多个实施例，第二开口OP2和第三开口OP3可以彼此间隔开。例如，第二开口OP2和第三开口OP3可以在第二方向DR2上彼此间隔开。

根据一个或更多个实施例，第二开口OP2和第三开口OP3可以不设置在发射区域EMA中。例如，在平面图中，第二开口OP2和第三开口OP3可以在其中没有设置发光元件LD的区域中与第一堤BNK1叠置。第二开口OP2和第三开口OP3可以在第一方向DR1上不与发射部分EMU(或发光元件LD)叠置。第二开口OP2和第三开口OP3可以在第二方向DR2上不与发射部分EMU(或发光元件LD)叠置。例如，根据一个或更多个实施例，第二开口OP2和第三开口OP3可以选择性地设置在没有设置连接电极ELT的区域中，并且可以限定排气路径。

根据一个或更多个实施例，在平面图中，第二开口OP2和第三开口OP3可以不与第一开口OP1叠置。第二开口OP2和第三开口OP3可以通过第一堤BNK1连接到第一开口OP1。例如，第二开口OP2和第三开口OP3可以与第一堤BNK1的一部分直接相邻，并且第一堤BNK1的另一部分可以设置在第一开口OP1中。例如，施加到第一开口OP1的气体G可以经由第一堤BNK1提供给第二开口OP2和第三开口OP3。因此，在像素电路层PCL内部产生的气体G可以被排出到外部。

第一开口至第三开口OP1至OP3可以由第一开口形成绝缘层至第三开口形成绝缘层INS1_O至INS3_O限定。

根据一个或更多个实施例，第一开口形成绝缘层INS1_O可以形成第一开口OP1。例如，第一开口形成绝缘层INS1_O可以设置在电极ALE上以暴露绝缘图案INP的一部分。第一开口形成绝缘层INS1_O可以不设置在绝缘图案INP的上表面的一部分上，因此可以设置第一开口OP1。根据一个或更多个实施例，与第一开口OP1相邻的第一开口形成绝缘层INS1_O可以覆盖电极ALE的侧表面。

第一堤BNK1的一部分可以设置(或提供)在第一开口OP1中。根据一个或更多个实施例，可以在形成第一开口OP1之后使第一堤BNK1图案化，使得第一堤BNK1的一部分可以被填充到第一开口OP1中。根据一个或更多个实施例，第一堤BNK1的设置在第一开口OP1中的部分可以接触绝缘图案INP。

根据一个或更多个实施例，第二开口形成绝缘层INS2_O可以形成第二开口OP2。例如，第二开口形成绝缘层INS2_O可以设置在第一堤BNK1上以暴露第一堤BNK1的一部分。第二开口形成绝缘层INS2_O可以不设置在第一堤BNK1的上表面的一部分上，因此可以提供第二开口OP2。

根据一个或更多个实施例，第二开口形成绝缘层INS2_O可以在将要设置第三开口OP3的区域中暴露第一堤BNK1。因此，在第三绝缘层INS3被图案化的情况下，第一堤BNK1可以在第三开口OP3中暴露。然而，公开不限于此。例如，第二开口形成绝缘层INS2_O可以不暴露将要形成第三开口OP3的区域中的第一堤BNK1。在第三绝缘层INS3被图案化以形成第三开口OP3的情况下，第二开口形成绝缘层INS2_O和第三开口形成绝缘层INS3_O可以同时被图案化。

第三开口形成绝缘层INS3_O的一部分可以设置(或提供)在第二开口OP2中。根据一个或更多个实施例，第二开口OP2可以在使第三绝缘层INS3图案化之前暴露第一堤BNK1。第二开口OP2可以在使第三绝缘层INS3图案化之前用作排气路径。

根据一个或更多个实施例，第三开口形成绝缘层INS3_O可以形成第三开口OP3。例如，第二开口形成绝缘层INS2_O和第三开口形成绝缘层INS3_O可以限定第三开口OP3。例如，第二开口形成绝缘层INS2_O和第三开口形成绝缘层INS3_O可以设置在第一堤BNK1上以暴露第一堤BNK1的一部分。第二开口形成绝缘层INS2_O和第三开口形成绝缘层INS3_O可以不设置在第一堤BNK1的上表面的一部分上，因此可以提供第三开口OP3。

第三开口OP3可以暴露第一堤BNK1。因此，通过第一堤BNK1施加的气体G可以通过第三开口OP3排出。例如，在像素PXL的诸如像素电路层PCL的堆叠结构中产生的气体G可以通过包括第一开口OP1至第三开口OP3的排气路径排出。例如，过孔层VIA、绝缘图案INP和第一堤BNK1可以包括有机材料。其中产生的气体G可以移动通过过孔层VIA、绝缘图案INP和第一堤BNK1。根据公开，可以形成气体G通过其从绝缘图案INP施加到第一堤BNK1的第一开口OP1，并且可以形成气体G通过其从第一堤BNK1排出的第二开口OP2和第三开口OP3，使得可以清楚地限定排气路径。具体地，由于第一开口OP1设置在作为连接电极ELT的部分的延伸连接电极RELT下方，因此可以增加用于确定排气路径的工艺的自由度，并且即使在复杂的布线结构下也可以容易地实现排气路径。

将参照图12描述根据第二实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图12是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第二实施例的像素PXL。将简要描述或者将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第二实施例的像素PXL与根据第一实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，第二开口OP2不设置在相邻的第一开口OP1之间，并且仅设置第三开口OP3。

根据一个或更多个实施例，第二开口OP2可以不设置在第一开口OP1之间。基于顺序地布置发光元件LD所沿的方向(例如，第二方向DR2)，第二开口OP2可以不设置在第一开口OP1之间，并且仅第三开口OP3可以设置在第一开口OP1之间。例如，设置在第一开口OP1之间的第三开口OP3可以在第二方向DR2上与第一开口OP1叠置。第三开口OP3可以在第一方向DR1上不与发射部分EMU(例如，发光元件LD)叠置。

将参照图13描述根据第三实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图13是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第三实施例的像素PXL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第三实施例的像素PXL与根据第一实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，在平面图中，第一开口OP1与第二开口OP2和/或第三开口OP3叠置。

根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在第二方向DR2上延伸(或扩展)到其中设置有第二开口OP2和第三开口OP3的区域。例如，与根据第一实施例的第一开口OP1相比，根据第三实施例的第一开口OP1还可以在顺序地布置发光元件LD所沿的方向上延伸。第一开口OP1的一部分可以与第二开口OP2或第三开口OP3叠置，而第一开口OP1的另一部分可以不与第二开口OP2或第三开口OP3叠置。可以缩短从第一开口OP1到第二开口OP2或第三开口OP3的排气路径。

将参照图14描述根据第四实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图14是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第四实施例的像素PXL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第四实施例的像素PXL与根据第一实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，第一开口OP1在一方向上延伸并且在平面图中与第二开口OP2叠置，第三开口OP3设置在由延伸连接电极RELT和连接电极ELT的电接触发光元件LD的部分围绕的区域中。

根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在顺序地布置发光元件LD所沿的方向(例如，第二方向DR2)上延伸(或扩展)，并且在平面图中第一开口OP1的一部分可以与第二开口OP2叠置。第三开口OP3可以设置在由连接电极ELT围绕的区域中。例如，延伸连接电极RELT可以与连接电极ELT的与发光元件LD物理相邻(或接触)的部分间隔开，且一个区域置于其间。连接电极ELT的未设置在第一堤BNK1上的部分和设置在第一堤BNK1上的延伸连接电极RELT可以被图案化以围绕一个区域。第三开口OP3可以选择性地设置在这一个区域中。具体地，根据一个或更多个实施例，第三开口OP3可以具有由第三开口形成绝缘层INS3_O限定的结构，并且第三开口形成绝缘层INS3_O可以在一些连接电极ELT(例如，第四连接电极ELT4和第二延伸连接电极RELT2)之前被图案化。例如，由于第三开口OP3选择性地形成在由连接电极ELT围绕的区域(作为其中没有设置连接电极ELT的在第三开口形成绝缘层INS3_O之后被图案化的部分的区域)中，因此即使在所有连接电极ELT被图案化的情况下，第三开口OP3也可以用作排气路径。

将参照图15描述根据第五实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图15是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第五实施例的像素PXL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第五实施例的像素PXL与根据第四实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，第一开口OP1包括在第一方向DR1上彼此相邻并且在第二方向DR2上延伸的开口。

根据一个或更多个实施例，可以设置第一开口OP1。第一开口OP1可以在从发光元件LD的第一端EP1到第二端EP2的方向(例如，第一方向DR1)上顺序地布置，并且可以在顺序地布置发光元件LD所沿的方向(例如，第二方向DR2)上延伸。

将参照图16描述根据第六实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图16是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第六实施例的像素PXL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第六实施例的像素PXL与根据第一实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，第一开口OP1包括在第二方向DR2上顺序地布置的开口。

根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以被设置并且可以顺序地设置在延伸连接电极RELT下方。例如，第一开口OP1可以在顺序地布置发光元件LD所沿的方向(例如，第二方向DR2)上顺序地布置，并且在平面图中可以与延伸连接电极RELT叠置。可以通过将第一开口OP1设置在延伸连接电极RELT下方并根据需要改变第一开口OP1的数量来促进工艺管理。

将参照图17描述根据第七实施例的像素PXL的用于确保排气路径的结构。图17是示意性地示出图4的区域EA1的平面图，并且示出了根据第七实施例的像素PXL。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容，并且将主要描述与先前实施例的不同之处。

根据第七实施例的像素PXL与根据第一实施例的像素PXL的不同之处可以至少在于，第一开口OP1设置在沿第二方向DR2彼此相邻的发射部分EMU之间。

根据一个或更多个实施例，例如，发射部分EMU可以设置在发射区域EMA中。可以形成连接电极ELT的用于电连接发射部分EMU的布置结构。可以在发射区域EMA中形成其中没有设置发射部分EMU(发光元件LD)的区域。根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在发射区域EMA中设置在其中没有设置发光元件LD的区域中。根据一个或更多个实施例，第一开口OP1可以在从发光元件LD的第一端EP1到第二端EP2的方向(例如，第一方向DR1)上不与发射部分EMU(或发光元件LD)叠置。根据一个或更多个实施例，在平面图中，第一开口OP1可以与第二开口OP2和第三开口OP3叠置。

将参照图18至图23描述根据实施例的制造显示装置DD的方法。将简要描述或将不重复描述相对于上述内容可能重复的内容。

图18至图23是示意性地示出在每个工艺步骤中根据实施例的制造显示装置的方法的剖视图。图18至图23可以示出上面参照图11描述的剖面结构。为了便于描述，图18至图23简要地示出基体层BSL和像素电路层PCL。

参照图18，可以提供(或准备)基体层BSL，并且可以在基体层BSL上设置像素电路层PCL。可以在像素电路层PCL上设置绝缘图案INP(或使绝缘图案INP图案化)，可以在绝缘图案INP上设置电极ALE(或使电极ALE图案化)，并且可以在电极ALE上设置第一绝缘层INS1(或使第一绝缘层INS1图案化)。

在该阶段中，可以通过使用掩模的传统工艺经由对导电层(或金属层)、无机材料、有机材料等进行图案化来形成设置在基体层BSL上的组件(例如，像素电路层PCL等)。

在该阶段中，尽管未在附图中单独示出，但是在将基体电极沉积在像素电路层PCL上之后，可以蚀刻基体电极的至少一部分以使第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2图案化。根据一个或更多个实施例，可以将电极ALE沉积在绝缘图案INP上以形成反射壁。根据一个或更多个实施例，第一对准电极ALE_S1和第二对准电极ALE_S2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以被图案化以在第一方向DR1上彼此间隔开。因此，其中可以设置有发光元件LD的区域可以限定在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间。

在该阶段中，可以形成包括在像素电路层PCL中的过孔层VIA。例如，过孔层VIA可以是像素电路层PCL的与基体层BSL间隔开最大的层。由于过孔层VIA可以包括有机材料，因此在像素电路层PCL中产生的气体G可以穿过过孔层VIA。

在该阶段中，可以使绝缘图案INP图案化以接触过孔层VIA的上部，并且绝缘图案INP的一部分可以形成倾斜的表面。

在该阶段中，可以使第一元件绝缘层INS1_L和第一开口形成绝缘层INS1_O图案化。第一开口形成绝缘层INS1_O可以形成第一开口OP1以暴露绝缘图案INP的表面。

根据一个或更多个实施例，过孔层VIA和绝缘图案INP可以彼此接触，并且绝缘图案INP可以与第一开口OP1直接相邻。因此，气体G可以穿过过孔层VIA和绝缘图案INP，并且可以通过第一开口OP1排出。

参照图19，可以在第一绝缘层INS1上设置第一堤BNK1。第一堤BNK1可以限定流体可以被供应到其的空间。

在该阶段中，可以在第一开口形成绝缘层INS1_O上使第一堤BNK1的一部分图案化。第一堤BNK1的至少一部分可以被设置(或填充)到第一开口OP1中。因此，第一堤BNK1可以通过第一开口OP1接触绝缘图案INP。由于第一堤BNK1可以包括有机材料，因此气体G可以穿过第一堤BNK1。因此，气体G可以穿过过孔层VIA和绝缘图案INP，可以通过第一开口OP1施加到第一堤BNK1，并且可以被排出到外部。

参照图20，可以在第一元件绝缘层INS1_L上设置发光元件LD(或使发光元件LD对准)。

在该阶段中，可以将包括发光元件LD的墨INK供应到由第一堤BNK1限定并且其中可以容纳流体的空间。例如，可以通过被构造为喷出流体的印刷装置在基体层BSL上供应包括发光元件LD和溶剂SLV的墨INK。根据一个或更多个实施例，溶剂SLV可以包括有机溶剂。例如，溶剂SLV可以是丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、二丙二醇正丙醚(DGPE)和三乙二醇正丁醚(TGBE)中的至少一种。然而，公开不限于上述示例。

在该阶段中，墨INK可以容纳在由第一堤BNK1限定的空间中，并且可以将对准信号供应给电极ALE。可以基于根据对准信号的电场使发光元件LD对准。如上所述，可以将第一对准信号供应到第一对准电极ALE_S1并且可以将第二对准信号供应到第二对准电极ALE_S2，使得发光元件LD可以在第一对准电极ALE_S1与第二对准电极ALE_S2之间对准。此后，可以去除溶剂SLV。

参照图21，可以使第二绝缘层INS2图案化。例如，可以在发光元件LD上设置第二元件绝缘层INS2_L，并且可以在第一绝缘层INS1或第一堤BNK1上设置第二开口形成绝缘层INS2_O。

根据一个或更多个实施例，第二开口形成绝缘层INS2_O可以形成第二开口OP2和初始开口OP3’。然而，根据一个或更多个实施例，可以省略初始开口OP3’的形成。第二开口OP2可以暴露第一堤BNK1的至少一部分。初始开口OP3’可以暴露第一堤BNK1的至少一部分。因此，气体G可以穿过过孔层VIA和绝缘图案INP，可以通过第一开口OP1施加到第一堤BNK1，并且可以通过第二开口OP2(第二开口OP2和初始开口OP3’)排出到外部。

参照图22，可以使连接电极ELT的一部分图案化，并且可以使第三绝缘层INS3图案化。例如，可以设置电连接到发光元件LD的阴极连接电极ELTC(例如，第一连接电极)。可以在连接电极ELT(例如，阴极连接电极ELTC)的这一部分上设置第三元件绝缘层INS3_L，并且可以在第一绝缘层INS1、第二开口形成绝缘层INS2_O和第一堤BNK1上设置第三开口形成绝缘层INS3_O。

根据一个或更多个实施例，第三开口形成绝缘层INS3_O可以形成第三开口OP3。根据一个或更多个实施例，第三开口OP3可以形成于在上述步骤中形成初始开口OP3’的位置处。作为另一示例，在未形成初始开口OP3’的情况下，可以通过同时使第二绝缘层INS2的一部分和第三绝缘层INS3的一部分图案化(蚀刻第二绝缘层INS2的一部分和第三绝缘层INS3的一部分)来设置第三开口OP3。第三开口OP3可以暴露第一堤BNK1的至少一部分。因此，气体G可以穿过过孔层VIA和绝缘图案INP，可以通过第一开口OP1施加到第一堤BNK1，并且可以通过第三开口OP3排出到外部。

参照图23，可以使连接电极ELT的另一部分图案化。例如，可以设置电连接到发光元件LD的中间连接电极ELTM(例如，第二连接电极)。

在该阶段中，可以使延伸连接电极RELT图案化。在平面图中，延伸连接电极RELT可以被图案化为与第一开口OP1叠置。根据一个或更多个实施例，延伸连接电极RELT可以被图案化为不与第三开口OP3叠置。因此，气体G可以穿过过孔层VIA和绝缘图案INP，可以通过第一开口OP1施加到第一堤BNK1，并且可以通过第三开口OP3排出到外部。由于以这种方式形成的排气路径，可以有效地排出像素电路层PCL内的气体G，使得可以防止由于气体G引起的风险(诸如层的翘起)。

此后，尽管在附图中未单独示出，但是可以通过设置颜色转换层CCL、滤色器层CFL等来制造根据实施例的显示装置DD。

根据公开的实施例，可以提供其中可以充分确保排气路径的显示装置和制造该显示装置的方法。

上面的描述是公开的技术特征的示例，并且公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上述公开的实施例可以单独地或彼此组合地实现。

因此，公开中公开的实施例不意图限制公开的技术精神，而是意图描述公开的技术精神，并且公开的技术精神的范围不受这些实施例的限制。公开的保护范围应该由权利要求来解释，并且应该解释为等同范围内的所有技术精神包括在公开的范围内。