一种功率器件封装工艺

技术领域

本发明涉及功率器件领域，特别是涉及一种功率器件封装工艺。

背景技术

随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。传统的功率器件封装工艺已经逐渐不能满足产品的性能需求，因此需要研发一种兼顾产品性能及封装成本，可工业实现的功率器件封装工艺具有重要的意义。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种功率器件封装工艺，用于解决传统的功率器件封装工艺已经逐渐不能满足产品性能要求的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供如下技术方案：

一种功率器件封装工艺，包括以下步骤：step1，上芯，在引线框架上刷焊膏，将HSMOS芯片粘在所述焊膏上，经回流焊后清洗，并在引线框架上IC芯片对应位置点胶并将IC芯片粘贴后烘烤，完成上芯工序；Step2，塑封，对完成step1工序的功率器件通过塑封料进行注塑成型，压平后冷却固化完成塑封工序；

Step3，钻孔，对完成step2工序的功率器件在预设的位置进行钻孔，并经超声波清洗完成钻孔工序；Step4，覆铜，对完成step3工序的功率器件依次经过涂覆光刻胶、掩膜、曝光显影、溅镀金属层，去胶从而完成覆铜工序；Step5，封层，对完成step4工序的功率器件上表面进行涂覆阻焊料。

进一步地：Step4中覆铜后铜的厚度为45-55μm。

进一步地：Step5中阻焊料的厚度为15-25μm。

进一步地：所述引线框架的材料为C194H，所述焊膏为SAC305，所述塑封料为G770HCD。

进一步地：所述阻焊料为PSR4000AUS-308。

进一步地：step1中点胶材料为ABLEBOND84-1LMISR4。

如上所述，本发明的一种功率器件封装工艺，具有以下有益效果：本工艺通过光刻制作电路图形取代引线键合，工序简单，大幅提高了工艺的生产效率，减少了结构的封装尺寸，本工艺的开发以封装设备为基础，并通过有限元方法分析封装方案的合理性，优化了功率器件的结构设计，提高了功率器件的产品性能。

附图说明

图1显示为本发明的工艺流程图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

请参阅图1，本发明提供一种功率器件封装工艺，包括以下步骤：step1，上芯，在引线框架上刷焊膏，将HSMOS芯片粘在所述焊膏上，经回流焊后清洗，并在引线框架上IC芯片对应位置点胶并将IC芯片粘贴后烘烤，完成上芯工序；Step2，塑封，对完成step1工序的功率器件通过塑封料进行注塑成型，压平后冷却固化完成塑封工序；Step3，钻孔，对完成step2工序的功率器件在预设的位置进行钻孔，并经超声波清洗完成钻孔工序；Step4，覆铜，对完成step3工序的功率器件依次经过涂覆光刻胶、掩膜、曝光显影、溅镀金属层，去胶从而完成覆铜工序；Step5，封层，对完成step4工序的功率器件上表面进行涂覆阻焊料。

step1上芯工序主要由固晶机和烘箱完成，目的是完成单pad多芯片焊接工作；实用烘箱对IC芯片粘贴后进行烘烤，烘烤中首先通入两次大流量氮气(65L/min)将点胶的粘片胶挥发的杂质气体与有机物排出，减小其附着引线框架及芯片焊盘表面对后续工序的影响；step1中回流焊之后的清洗选择等离子清洗，首先将装有半成品的料盒放入等离子工作腔并抽至真空，然后向工作腔中充入氮气与氢气，射频发生器工作，由正负极将工作气体激发为氩离子与氢离子后对半成品表面进行处理，氩离子通过撞击去除焊盘以及引线框架引脚表面的氧化物以及微颗粒污染物，氢离子则与半成品表面的氧化物发生还原反应去除氧化物，洁净键合区域表面并活化表面层。Step2塑封工序是由膜辅助塑封机与烘箱完成，Step3钻孔由激光打标机完成，首绘制激光钻孔图案，设置工艺窗口，盲孔的孔径为300μm，经预扫确认打孔位置，然后进行激光钻孔。

Step4中覆铜后铜的厚度为45-55μm；Step5中阻焊料的厚度为15-25μm；所述引线框架的材料为C194H，所述焊膏为SAC305，所述塑封料为G770HCD；所述阻焊料为PSR4000AUS-308；step1中点胶材料为ABLEBOND84-1LMISR4。

本工艺通过光刻制作电路图形取代引线键合，工序简单，大幅提高了工艺的生产效率，减少了结构的封装尺寸，本工艺的开发以封装设备为基础，并通过有限元方法分析封装方案的合理性，优化了功率器件的结构设计。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。