液晶显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种液晶显示面板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD，Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的TFT-LCD大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。

液晶显示面板通常由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成；彩膜基板中通常设有公共电极，并且公共电极一般整面铺设于彩膜基板的衬底上，这种设置方式会导致液晶显示面板的开口区(像素电极对应区域)的周边还存在局部电场，使得开口区周边的液晶分子错乱倾倒从而出现漏光现象，进而降低液晶显示面板的对比度。

发明内容

本申请实施例提供一种液晶显示面板及其制作方法，可以提升液晶显示面板的对比度，进而提升液晶显示面板的显示效果。

第一方面，本申请实施例提供一种液晶显示面板，其特征在于，包括依次层叠设置的第一基板、液晶层和第二基板；

所述第一基板包括依次层叠设置的第一衬底、第一导电层、第一绝缘层、有源层、第二导电层、第三导电层以及第二绝缘层，其中，所述第一导电层包括栅极，所述第二导电层包括像素电极，所述第三导电层包括源极和漏极，所述漏极与所述像素电极电性连接，所述第一基板上设有所述第二绝缘层的一侧朝向所述液晶层设置；

所述第二基板包括第二衬底和设于所述第二衬底上的公共电极，所述公共电极包括多个电极单元，所述第二基板上设有所述公共电极的一侧朝向所述液晶层设置；

所述液晶显示面板包括多个开口区和位于相邻的所述开口区之间的非开口区，所述第一基板中对应于每个所述开口区的区域设有一个所述像素电极，所述第二基板中对应于每个所述开口区的区域设有一个所述电极单元。

在一些实施例中，所述公共电极还包括对应所述非开口区设置的导线，多个所述电极单元均与所述导线相连，多个所述电极单元的面积与所述导线的面积的总和小于所述第二衬底的面积。

在一些实施例中，所述像素电极呈连续的块状，所述电极单元中设有多个镂空。

在一些实施例中，所述电极单元包括第一主干电极、第二主干电极、多个第一分支电极、多个第二分支电极、多个第三分支电极以及多个第四分支电极；

所述第一主干电极和所述第二主干电极相交，所述第一主干电极和所述第二主干电极围出第一象限、第二象限、第三象限和第四象限；

多个所述第一分支电极设置于所述第一象限中，并且，每个所述第一分支电极均与所述第一主干电极或所述第二主干电极相连，多个所述第一分支电极相互平行，并且，任意相邻的两个所述第一分支电极之间存在镂空；

多个所述第二分支电极设置于所述第二象限中，并且，每个所述第二分支电极均与所述第一主干电极或所述第二主干电极相连，多个所述第二分支电极相互平行，并且，任意相邻的两个所述第二分支电极之间存在镂空；

多个所述第三分支电极设置于所述第三象限中，并且，每个所述第三分支电极均与所述第一主干电极或所述第二主干电极相连，多个所述第三分支电极相互平行，并且，任意相邻的两个所述第三分支电极之间存在镂空；

多个所述第四分支电极设置于所述第四象限中，并且，每个所述第四分支电极均与所述第一主干电极或所述第二主干电极相连，多个所述第四分支电极相互平行，并且，任意相邻的两个所述第四分支电极之间存在镂空；

其中，所述第一分支电极、所述第二分支电极、所述第三分支电极以及所述第四分支电极的延伸方向各不相同。

在一些实施例中，所述电极单元还包括边框电极，所述边框电极设于所述第一主干电极、所述第二主干电极、多个第一分支电极、多个第二分支电极、多个第三分支电极以及多个第四分支电极的外围，所述边框电极与所述第一主干电极、所述第二主干电极、多个第一分支电极中的至少一部分、多个第二分支电极中的至少一部分、多个第三分支电极中的至少一部分以及多个第四分支电极中的至少一部分相连，并且，所述边框电极上设有缺口。

在一些实施例中，所述第二导电层还包括间隔设置的第一连接层和第二连接层，所述第一连接层设于所述源极和所述有源层之间，所述第二连接层设于所述漏极和所述有源层之间，所述第二连接层与所述像素电极相连。

第二方面，本申请实施例还提供一种液晶显示面板的制作方法，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括依次层叠设置的第一衬底、第一导电层、第一绝缘层、有源层、第二导电层、第三导电层以及第二绝缘层，其中，所述第一导电层包括栅极，所述第二导电层包括像素电极，所述第三导电层包括源极和漏极，所述漏极与所述像素电极电性连接；

提供第二基板，所述第二基板包括第二衬底和设于所述第二衬底上的公共电极，所述公共电极包括多个电极单元；

将所述第一基板和所述第二基板对位组合，使所述第一基板上设有所述第二绝缘层的一侧朝向所述第二基板设置，使所述第二基板上设有所述公共电极的一侧朝向所述第一基板设置，在所述第一基板和所述第二基板之间设置液晶材料，形成液晶层，得到液晶显示面板；所述液晶显示面板包括多个开口区和位于相邻的所述开口区之间的非开口区，所述第一基板中对应于每个所述开口区的区域设有一个所述像素电极，所述第二基板中对应于每个所述开口区的区域设有一个所述电极单元。

在一些实施例中，所述提供第一基板包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一导电层，采用一道光罩制程对所述第一导电层进行图形化处理，在所述第一导电层中形成栅极的图形；

在所述栅极和所述第一衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成半导体层，采用一道光罩制程对所述半导体层进行图形化处理，在所述半导体层中形成有源层的图形；

在所述有源层和所述第一绝缘层上依次形成第二导电层和第三导电层，采用一道半色调光罩制程对所述第二导电层和所述第三导电层进行图形化处理，在所述第二导电层中形成第一连接层、第二连接层和像素电极，第一连接层和第二连接层间隔设置，第二连接层和像素电极相连，在所述第三导电层上形成间隔设置的源极和漏极，所述第一连接层设于所述源极和所述有源层之间，所述第二连接层设于所述漏极和所述有源层之间，所述第二连接层与所述像素电极相连；

在所述第三导电层、所述第二导电层以及所述第一衬底上形成第二绝缘层，得到所述第一基板。

在一些实施例中，在采用一道光罩制程对所述半导体层进行图形化处理之前，所述液晶显示面板的制作方法还包括：

对所述半导体层的表层进行掺杂处理，在所述半导体层上背离所述第一绝缘层的一侧形成离子掺杂区。

在一些实施例中，所述采用一道半色调光罩制程对所述第二导电层和所述第三导电层进行图形化处理包括：

在所述第三导电层上形成光阻层，在半色调光罩的遮挡下对所述光阻层进行曝光处理，所述半色调光罩包括第一遮光区、第二遮光区、第一透光区、第二透光区、第三透光区以及第四透光区，其中，所述第一遮光区和所述第二遮光区间隔设置，所述第二透光区位于所述第一遮光区和所述第二遮光区之间，所述第三透光区位于所述第一遮光区远离所述第二透光区的一侧，所述第一透光区位于所述第二遮光区远离所述第二透光区的一侧，所述第四透光区位于所述第一透光区远离所述第二遮光区的一侧，所述第一遮光区的透光率和所述第二遮光区的透光率均为T1，所述第一透光区的透光率为T2，所述第二透光区的透光率、所述第三透光区的透光率和所述第四透光区的透光率均为T3，T1、T2、T3依次增大；

对所述光阻层进行显影处理，使所述光阻层上对应于所述第二透光区、所述第三透光区和所述第四透光区的部分消失，所述光阻层上对应于第一遮光区、所述第二遮光区以及所述第一透光区的区域减薄，分别形成第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度均为d1，所述第三区域的厚度为d2，d1大于d2；

采用第三蚀刻液对所述第三导电层上未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻，在所述第三导电层上形成间隔设置的源极和漏极；采用第二蚀刻液对所述第二导电层上未被所述第三导电层覆盖的区域进行蚀刻，所述第二导电层中形成第一连接层、第二连接层和像素电极；采用第一蚀刻液对所述有源层上未被所述第三导电层覆盖的区域进行蚀刻，去除所述离子掺杂区上对应于所述源极和漏极之间的部分，在所述有源层上形成对应于所述源极和漏极之间的沟道区；

对所述光阻层进行减薄处理，使所述光阻层的第三区域消失，所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度均降低；

采用第三蚀刻液对所述第三导电层上对应于所述光阻层的第三区域的部分进行蚀刻，使得所述漏极中覆盖于所述像素电极表面的部分被蚀刻去除，暴露出所述像素电极；

去除位于所述第三导电层上方的所述光阻层。

本申请实施例提供的液晶显示面板，通过改变公共电极的形状和设置位置，将公共电极由整面覆盖第二衬底的一整块电极更改为对应多个开口区设置的多块电极单元，可以避免液晶显示面板的开口区周边还存在局部电场的现象，进而可以避免开口区周边的液晶分子倾倒导致出现漏光的现象，从而可以提升液晶显示面板的对比度，进而提升液晶显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。

图1为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。

图2为本申请实施例提供的源极、漏极、第一连接层和像素电极的位置关系示意图。

图3为本申请实施例提供的公共电极的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的液晶显示面板的开口区和非开口区的示意图。

图5为本申请实施例提供的液晶显示面板的制作方法的流程图。

图6为本申请实施例提供的在所述第一衬底上形成第一导电层之后的示意图。

图7为本申请实施例提供的采用一道光罩制程对第一导电层进行图形化处理之后的示意图。

图8为本申请实施例提供的在栅极和第一衬底上形成第一绝缘层之后的示意图。

图9为本申请实施例提供的在第一绝缘层上形成半导体层之后的示意图。

图10为本申请实施例提供的采用一道光罩制程对半导体层进行图形化处理之后的示意图。

图11为本申请实施例提供的在有源层和第一绝缘层上依次形成第二导电层和第三导电层之后的示意图。

图12为本申请实施例提供的在半色调光罩的遮挡下对光阻层进行曝光处理的示意图。

图13为本申请实施例提供的对光阻层进行显影处理之后的示意图。

图14为本申请实施例提供的对第三导电层、第二导电层以及有源层依次进行蚀刻之后的示意图。

图15为本申请实施例提供的对光阻层进行减薄处理之后的示意图。

图16为本申请实施例提供的对第三导电层上对应于光阻层的第三区域的部分进行蚀刻之后的示意图。

图17为本申请实施例提供的去除位于第三导电层上方的光阻层之后的示意图。

图18为本申请实施例提供的在第三导电层、第二导电层以及第一衬底上形成第二绝缘层之后的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1、图2、图3和图4，本申请实施例提供一种液晶显示面板100，包括依次层叠设置的第一基板110、液晶层130和第二基板120；

第一基板110包括依次层叠设置的第一衬底11、第一导电层、第一绝缘层41、有源层51、第二导电层30、第三导电层60以及第二绝缘层42，其中，第一导电层包括栅极21，第二导电层30包括像素电极33，第三导电层60包括源极61和漏极62，漏极62与像素电极33电性连接，第一基板110上设有第二绝缘层42的一侧朝向液晶层130设置；

第二基板120包括第二衬底12和设于第二衬底12上的公共电极70，公共电极70包括多个电极单元79，第二基板120上设有公共电极70的一侧朝向液晶层130设置；

液晶显示面板100包括多个开口区101和位于相邻的开口区101之间的非开口区102，第一基板110中对应于每个开口区101的区域设有一个像素电极33，第二基板120中对应于每个开口区101的区域设有一个电极单元79。

可以理解的是，开口区101指的是液晶显示面板100的子像素区域(例如红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素)，非开口区102指的是液晶显示面板100的非显示区域。

请结合图1，有源层51上与源极61接触的一侧以及有源层51上与漏极62接触的一侧均设有离子掺杂区511。示例性地，离子掺杂区511中掺杂的离子可以为N型离子(例如磷离子)或P型离子(例如硼离子)。

请结合图2，第三导电层60还包括与源极61相连的数据线63，数据线63用于向源极61中输入电信号。

请结合图1和图4，公共电极70还包括对应非开口区102设置的导线(未图示)，多个电极单元79均与导线相连，多个电极单元79的面积与导线的面积的总和小于第二衬底12的面积。

请结合图2，像素电极33呈连续的块状，电极单元79中设有多个镂空701。

需要说明的是，本申请实施例提供的液晶显示面板100，通过在电极单元79中设置多个镂空701，可以减小公共电极70的面积，从而可以缩小第一基板110中的数据线63与第二基板120中的公共电极70之间的交叠面积，进而缩小数据线63与公共电极70之间的电容，因此可以减弱数据线63与公共电极70之间的耦合作用，当数据线63内的电信号产生变化时，可以减轻数据线63内的电信号变化对公共电极70内的电信号造成的影响，确保公共电极70内的电信号保持稳定，可以理解的是，当公共电极70内的电信号不稳定时，液晶显示面板100的显示画面容易出现异常，即出现面串扰现象，本申请通过使公共电极70内的电信号保持稳定，可以改善面串扰现象，进而提升液晶显示面板100的显示效果。

请结合图3，电极单元79包括第一主干电极71、第二主干电极72、多个第一分支电极73、多个第二分支电极74、多个第三分支电极75以及多个第四分支电极76；

第一主干电极71和第二主干电极72相交，第一主干电极71和第二主干电极72围出第一象限781、第二象限782、第三象限783和第四象限784；

多个第一分支电极73设置于第一象限781中，并且，每个第一分支电极73均与第一主干电极71或第二主干电极72相连，多个第一分支电极73相互平行，并且，任意相邻的两个第一分支电极73之间存在镂空701；

多个第二分支电极74设置于第二象限782中，并且，每个第二分支电极74均与第一主干电极71或第二主干电极72相连，多个第二分支电极74相互平行，并且，任意相邻的两个第二分支电极74之间存在镂空701；

多个第三分支电极75设置于第三象限783中，并且，每个第三分支电极75均与第一主干电极71或第二主干电极72相连，多个第三分支电极75相互平行，并且，任意相邻的两个第三分支电极75之间存在镂空701；

多个第四分支电极76设置于第四象限784中，并且，每个第四分支电极76均与第一主干电极71或第二主干电极72相连，多个第四分支电极76相互平行，并且，任意相邻的两个第四分支电极76之间存在镂空701；

其中，第一分支电极73、第二分支电极74、第三分支电极75以及第四分支电极76的延伸方向各不相同。

可以理解的是，本申请通过在第一象限781、第二象限782、第三象限783和第四象限784内分别设置朝不同方向延伸的第一分支电极73、第二分支电极74、第三分支电极75以及第四分支电极76，从而可以在液晶显示面板100通电时，能够使对应于第一象限781、第二象限782、第三象限783和第四象限784的液晶分子分别朝不同方向倾倒，从而可以扩大液晶显示面板100的可视角度范围。

请结合图3，多个第一分支电极73与多个第二分支电极74相对于第一主干电极71对称设置，多个第三分支电极75与多个第四分支电极76相对于第一主干电极71对称设置。

请结合图3，多个第一分支电极73与多个第四分支电极76相对于第二主干电极72对称设置，多个第二分支电极74与多个第三分支电极75相对于第二主干电极72对称设置。

请结合图3，第一主干电极71和第二主干电极72相互垂直。

请结合图3，第一分支电极73、第二分支电极74与第一主干电极71之间的夹角可以为锐角(例如15°、30°、45°、60°、75°等)，第三分支电极75、第四分支电极76与第一主干电极71之间的夹角可以为锐角(例如15°、30°、45°、60°、75°等)。

请结合图3，在从第三象限783至第二象限782的方向上，第一分支电极73与第二分支电极74之间的距离逐渐增大，在从第二象限782至第三象限783的方向上，第三分支电极75与第四分支电极76之间的距离逐渐增大。

请结合图3，电极单元79还包括边框电极77，边框电极77设于第一主干电极71、第二主干电极72、多个第一分支电极73、多个第二分支电极74、多个第三分支电极75以及多个第四分支电极76的外围，边框电极77与第一主干电极71、第二主干电极72、多个第一分支电极73中的至少一部分、多个第二分支电极74中的至少一部分、多个第三分支电极75中的至少一部分以及多个第四分支电极76中的至少一部分相连，并且，边框电极77上设有缺口775。

需要说明的是，本申请通过在边框电极77上设置缺口775，可以在液晶显示面板100被按压时，允许液晶分子从边框电极77的缺口775处扩散，从而可以避免由于液晶扩散不良引起的mura(亮度不均匀)现象。

请结合图3，边框电极77包括依次相连的第一边框771、第二边框772和第三边框773，第一边框771和第三边框773相对设置，第一边框771上远离第二边框772的一端和第三边框773上远离第二边框772的一端不相连，以使得边框电极77上形成缺口775，第一边框771与多个第一分支电极73中的至少一部分、多个第四分支电极76中的至少一部分和第二主干电极72相连，第二边框772与多个第一分支电极73中的至少一部分、多个第二分支电极74中的至少一部分和第一主干电极71相连，第三边框773与多个第二分支电极74中的至少一部分、多个第三分支电极75中的至少一部分和第二主干电极72相连。

请结合图1，第二导电层30还包括间隔设置的第一连接层31和第二连接层32，第一连接层31设于源极61和有源层51之间，第二连接层32设于漏极62和有源层51之间，第二连接层32与像素电极33相连。示例性地，第一连接层31在第一衬底11上的正投影与源极61在第一衬底11上的正投影完全重叠。

示例性地，第一衬底11和第二衬底12可以各自为柔性衬底或刚性衬底，刚性衬底可以为玻璃，柔性衬底可以为聚酰亚胺(PI)等。

示例性地，第一导电层的材料和第三导电层60的材料可以均为金属，在一些实施例中，第一导电层的材料和第三导电层60的材料可以均包括铝(Al)、银(Ag)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)和钕(Nd)等金属中的至少一种。

示例性地，第二导电层30的材料可以为透明导电金属氧化物，在一些实施例中，第二导电层30的材料可以为氧化铟锡(ITO，Indium tin oxide)。

示例性地，有源层51的材料可以包括氧化物半导体、非晶硅(a-Si)和低温多晶硅(LTPS)中的至少一种，其中，氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。

示例性地，第一绝缘层41的材料和第二绝缘层42的材料可以均包括氮化硅(SiN

需要说明的是，传统的公共电极70通常是在第二衬底12上整面铺设，这种设置方式会导致液晶显示面板100的开口区101(像素电极33对应区域)的周边还存在局部电场，使得开口区101周边的液晶分子错乱倾倒从而出现漏光现象，进而降低液晶显示面板100的对比度，而本申请实施例提供的液晶显示面板100，通过改变公共电极70的形状和设置位置，将公共电极70由整面覆盖第二衬底12的一整块电极更改为对应多个开口区101设置的多块电极单元79，可以避免液晶显示面板100的开口区101周边还存在局部电场的现象，进而可以避免开口区101周边的液晶分子倾倒导致出现漏光的现象，从而可以提升液晶显示面板100的对比度，进而提升液晶显示面板100的显示效果。

请参阅图5，同时结合图6至图18以及图1至图4，本申请实施例还提供一种液晶显示面板的制作方法，包括：

S100，请结合图6至图18，提供第一基板110，第一基板110包括依次层叠设置的第一衬底11、第一导电层、第一绝缘层41、有源层51、第二导电层30、第三导电层60以及第二绝缘层42，其中，第一导电层包括栅极21，第二导电层30包括像素电极33，第三导电层60包括源极61和漏极62，漏极62与像素电极33电性连接。

请结合图6至图18，“提供第一基板110”具体可以包括：

请结合图6和图7，提供第一衬底11，在第一衬底11上形成第一导电层20，采用一道光罩制程对第一导电层20进行图形化处理，在第一导电层20中形成栅极21的图形；

请结合图8，在栅极21和第一衬底11上形成第一绝缘层41；

请结合图9和图10，在第一绝缘层41上形成半导体层50，采用一道光罩制程对半导体层50进行图形化处理，在半导体层50中形成有源层51的图形；

请结合图11，在有源层51和第一绝缘层41上依次形成第二导电层30和第三导电层60，请结合图12至图17，采用一道半色调光罩制程对第二导电层30和第三导电层60进行图形化处理，在第二导电层30中形成第一连接层31、第二连接层32和像素电极33，第一连接层31和第二连接层32间隔设置，第二连接层32和像素电极33相连，在第三导电层60上形成间隔设置的源极61和漏极62，第一连接层31设于源极61和有源层51之间，第二连接层32设于漏极62和有源层51之间，第二连接层32与像素电极33相连；

请结合图18，在第三导电层60、第二导电层30以及第一衬底11上形成第二绝缘层42，得到第一基板110。

请结合图9，在采用一道光罩制程对半导体层50进行图形化处理之前，本申请实施例的液晶显示面板的制作方法还包括：

对半导体层50的表层进行掺杂处理，在半导体层50上背离第一绝缘层41的一侧形成离子掺杂区511。

请结合图12至图17，“采用一道半色调光罩制程对第二导电层30和第三导电层60进行图形化处理”具体可以包括：

请结合图12，在第三导电层60上形成光阻层90，在半色调光罩80的遮挡下对光阻层90进行曝光处理，半色调光罩80包括第一遮光区81、第二遮光区82、第一透光区83、第二透光区84、第三透光区85以及第四透光区86，其中，第一遮光区81和第二遮光区82间隔设置，第二透光区84位于第一遮光区81和第二遮光区82之间，第三透光区85位于第一遮光区81远离第二透光区84的一侧，第一透光区83位于第二遮光区82远离第二透光区84的一侧，第四透光区86位于第一透光区83远离第二遮光区82的一侧，第一遮光区81的透光率和第二遮光区82的透光率均为T1，第一透光区83的透光率为T2，第二透光区84的透光率、第三透光区85的透光率和第四透光区86的透光率均为T3，T1、T2、T3依次增大；

请结合图13，对光阻层90进行显影处理，使光阻层90上对应于第二透光区84、第三透光区85和第四透光区86的部分消失，光阻层90上对应于第一遮光区81、第二遮光区82以及第一透光区83的区域减薄，分别形成第一区域91、第二区域92和第三区域93，其中，第一区域91的厚度和第二区域92的厚度均为d1，第三区域93的厚度为d2，d1大于d2；

请结合图14，采用第三蚀刻液对第三导电层60上未被光阻层90覆盖的区域进行蚀刻，在第三导电层60上形成间隔设置的源极61和漏极62；采用第二蚀刻液对第二导电层30上未被第三导电层60覆盖的区域进行蚀刻，第二导电层30中形成第一连接层31、第二连接层32和像素电极33；采用第一蚀刻液对有源层51上未被第三导电层60覆盖的区域进行蚀刻，去除离子掺杂区511上对应于源极61和漏极62之间的部分，在有源层51上形成对应于源极61和漏极62之间的沟道区；

请结合图15，对光阻层90进行减薄处理，使光阻层90的第三区域93消失，第一区域91的厚度和第二区域92的厚度均降低；

请结合图16，采用第三蚀刻液对第三导电层60上对应于光阻层90的第三区域93的部分进行蚀刻，使得漏极62中覆盖于像素电极33表面的部分被蚀刻去除，暴露出像素电极33；

请结合图17，去除位于第三导电层60上方的光阻层90。

需要说明的是，用于对第三导电层60进行蚀刻的第三蚀刻液对第二导电层30不具有蚀刻作用，用于对第二导电层30进行蚀刻的第二蚀刻液对第一绝缘层41不具有蚀刻作用，用于对半导体层50进行蚀刻的第一蚀刻液对第一绝缘层41不具有蚀刻作用。

S200，请结合图1和图3，提供第二基板120，第二基板120包括第二衬底12和设于第二衬底12上的公共电极70，公共电极70包括多个电极单元79。

示例性地，“提供第二基板120”具体可以包括：提供第二衬底12，在第二衬底12上形成第四导电层，采用一道光罩制程对第四导电层进行图形化处理，得到公共电极70。

需要说明的是，步骤S100和步骤S200的顺序可以任意互换也可以同时进行。

S300，请结合图1至图3，将第一基板110和第二基板120对位组合，使第一基板110上设有第二绝缘层42的一侧朝向第二基板120设置，使第二基板120上设有公共电极70的一侧朝向第一基板110设置，在第一基板110和第二基板120之间设置液晶材料，形成液晶层130，得到液晶显示面板100；液晶显示面板100包括多个开口区101和位于相邻的开口区101之间的非开口区102，第一基板110中对应于每个开口区101的区域设有一个像素电极33，第二基板120中对应于每个开口区101的区域设有一个电极单元79。

以上对本申请实施例提供的液晶显示面板及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。