显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

虚拟现实VR(Virtual Reality)显示器，目前主要有LTPS-VR面板和LTPO-VR面板两种主流结构，由于VR显示器需要较高分辨率(＞1000PPI)来增强沉浸感和真实感，因此VR面板需要极大的PPI和极小的像素尺寸设计，以满足现有VR需求的面板结构设计。然而，LTPS(Low Temperature Poly-Si and Oxide，低温多晶硅氧化物)-VR面板和LTPO(LowTemperature Poly-Silicon，低温多晶硅)-VR面板受限于高PPI的结构设计特点，面内开口率较常规产品低，导致亮度偏低，现阶段通过提升背光亮度进行亮度补偿，但高的背光亮度会引起沟道漏电流恶化，影响产品显示品质。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可以解决现有显示面板抗串扰能力差的问题。

本申请实施例的第一方面提供一种显示面板，包括显示区及设置于所述显示区至少一侧的边框区，所述显示面板还包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板包括衬底基板以及间隔设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管包括设置于所述显示区内的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极和第一源漏极，所述第一源漏极绝缘、间隔设置于所述第一栅极在所述第一基板的厚度方向上背离所述衬底基板一面的上方；所述显示面板还包括：遮光层，设置于所述衬底基板与所述第一栅极之间，所述遮光层包括设置于所述显示区内的第一遮光走线和第二遮光走线；色阻层，设置于所述第一基板中，所述色阻层设置于所述第一源漏极在所述厚度方向上背离所述第一栅极的一面；其中，所述第一遮光走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二遮光走线在所述衬底基板上的正投影相互交叉形成网格状；所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内，或者，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内；所述第一源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分位于所述第一遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内，或者，所述第一源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分位于所述第二遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内。

可选的，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层；沿所述厚度方向，所述第一有源层设置于所述第一栅极层与所述遮光层之间，或者，沿所述厚度方向，所述第一有源层设置于所述第一源漏极与所述第一栅极之间；其中，所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影的至少部分落在所述第一遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内。

可选的，所述第一基板还包括沿所述厚度方向层叠设置于所述衬底基板上的缓冲层、阻挡层和绝缘层，所述色阻层设置于所述绝缘层在所述厚度方向上背离所述绝缘层的一面；所述第一遮光走线和所述第二遮光走线分别设置于所述缓冲层在所述厚度方向上背离所述衬底基板的一面，所述阻挡层覆盖所述第一遮光走线和所述第二遮光走线；所述第一栅极设置于所述绝缘层中，所述第一源漏极设置于所述绝缘层在所述厚度方向上背离所述阻挡层的一面，所述色阻层覆盖所述第一源漏极；所述第一有源层设置于所述阻挡层在所述厚度方向上背离所述缓冲层的一面，所述绝缘层覆盖所述第一有源层，或者，所述第一有源层设置于所述绝缘层中。

可选的，所述显示面板还包括挡光层，所述挡光层设置于所述第一基板朝向所述第二基板的一面，所述挡光层包括设置于所述显示区内的第一挡光走线和第二挡光走线；所述第一挡光走线在所述衬底基板上的正投影与所述第二挡光走线在所述衬底基板上的正投影相互交叉形成网格状；所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内，或者，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影位于所述第二挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内；所述第一源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分位于所述第一挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内，或者，所述第一源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分位于所述第二挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内。

可选的，所述显示面板还包括沿所述厚度方向层叠设置于所述色阻层背离所述绝缘层一面的平坦层和钝化层；所述显示面板还包括公共电极层，所述公共电极层设置于所述钝化层在所述厚度方向上背离所述平坦层的一面，所述公共电极层包括多个间隔排布的公共电极；所述挡光层设置于所述钝化层在所述厚度方向上背离所述平坦层的一面，沿所述厚度方向，所述第一挡光走线和所述第二挡光走线中的至少一个设置于所述公共电极背离所述钝化层的一面。

可选的，所述薄膜晶体管还包括设置于所述边框区的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极和第二源漏极，所述第二源漏极绝缘、间隔设置于所述第二栅极在所述厚度方向上背离所述衬底基板一面的上方；所述遮光层还包括第三遮光走线，所述第三遮光走线设置于所述边框区，所述第三遮光走线设置于所述缓冲层在所述厚度方向上背离所述衬底基板的一面，所述阻挡层覆盖所述第三遮光走线；其中，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影落在所述第三遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内；和/或，所述第二源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分落在所述第三遮光走线在所述衬底基板上的正投影以内。

可选的，挡光层还包括第三挡光走线，所述第三挡光走线设置于所述边框区；所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影的至少部分落在所述第三挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内；所述第二源漏极在所述衬底基板上的正投影的至少部分落在所述第三挡光走线在所述衬底基板上的正投影以内。

可选的，所述第三挡光走线沿所述显示区的周向方向围绕所述显示区。

可选的，所述缓冲层上开设有容纳槽，所述遮光层设置于所述容纳槽中。

本申请实施例的第二方面提供一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的显示面板。

本申请的有益效果在于，提供一种显示面板及具有该显示面板的显示装置，所述显示面板通过在第一基板内设置遮光层，遮光层包括设置于显示区内的第一遮光走线和第二遮光走线，第一遮光走线在衬底基板上的正投影与第二遮光走线在衬底基板上的正投影相互交叉形成网格状，通过第一遮光走线与第二遮光走线相互交叉的网格状结构，形成对背光射向第一栅极和第一源漏极的光线的阻挡，降低第一源漏极和第一栅极的反射光强，规避反射光引起的光生漏电流现象，改善抗串扰能力，提升显示面板的显示画质，另外，将色阻层设置于第一源漏极背离第一栅极的一面，从而有效解决第一栅极和第一源漏极发光不均匀和色偏问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a是本申请实施例所提供的显示面板的第一种结构示意图；

图1b是本申请实施例所提供的显示面板的第二种结构示意图；

图2a是本申请实施例所提供的显示面板的第三种结构示意图；

图2b是本申请实施例所提供的显示面板的第四种结构示意图；

图3是本申请实施例所提供的显示面板中衬底基板与缓冲层的组合结构示意图；

图4是本申请实施例所提供的显示面板中衬底基板、缓冲层以及遮光层的组合结构示意图；

图5是本申请实施例所提供的显示面板中的遮光层在显示区和边框区的分布结构示意图；

图6是本申请实施例所提供的显示面板中挡光层在显示区和边框区的分布结构示意图。

附图标记说明：

1、显示面板，11、显示区，12、边框区；

10、第一基板，110、衬底基板，111、缓冲层，1111、容纳槽，112、阻挡层，1131、第一栅极绝缘层，1132、第二栅极绝缘层，1141、第一层间绝缘层，1142、第二层间绝缘层，115、色阻层，1151、红色光阻单元，1152、绿色光阻单元，1153、蓝色光阻单元，1161、第一平坦化层，1162、第二平坦化层，117、像素电极层，1171、像素电极，118、钝化层，119、公共电极层，1191、公共电极；

120、遮光层，121、第一遮光走线，122、第二遮光走线，123、第三遮光走线；

131、第一薄膜晶体管，1311、第一有源层，1311a、第一沟道部，1311b、第一导体部，1312、第一栅极，1313、第一源极，1314、第一漏极，132、第二薄膜晶体管，1321、第二有源层，1321a、第二沟道部，1321b、第二导体部，1322、第二栅极，1323、第二源极，1324、第二漏极；

140、挡光层，141、第一挡光走线，142、第二挡光走线，143、第三挡光走线；

20、第二基板，21、支撑柱，22、封装层；

X、厚度方向。

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本申请的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本申请的技术内容，以举例证明本申请可以实施，使得本申请公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本申请。然而本申请可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本申请的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本申请的范围。

本申请所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本申请，而不是用来限定本申请的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本申请并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

在本申请的一些实施例中，提供一种显示装置，包括显示面板1。

在本申请的一些实施例中，提供一种显示面板1，显示面板1为液晶显示面板，显示面板1作为VR显示器中的显示面板使用。参照图1a、图1b以及图3～图6，显示面板1包括相对设置的第一基板10和第二基板20，第一基板10和第二基板20之间设置有液晶层(图中未示出)，液晶层包括多个液晶分子。显示面板1包括显示区11和边框区12，边框区12设置于显示区11至少一侧。

在本申请的一些实施例中，参照图1a和图1b，第一基板10包括：衬底基板110、遮光层120和薄膜晶体管。

参照图1a和图1b，第一基板10为阵列(Array)基板，第二基板20为彩膜(CF，ColorFilter)基板，衬底基板110具有厚度方向X，第一基板10还包括沿衬底基板110的厚度方向X层叠设置于衬底基板110表面的缓冲层111、阻挡层112、绝缘层、色阻层115和平坦层。具体如图1a和图1b所示的实施例中，绝缘层包括沿厚度方向X叠置的第一栅极绝缘层1131和第一层间绝缘层1141，平坦层包括第一平坦化层1161。阻挡层112可形成对外界水汽的阻挡，以防水汽进入薄膜晶体管。色阻层115包括依次设置的红色光阻单元1151、绿色光阻单元1152和蓝色光阻单元(图中未示出)。

参照图1a和图1b，薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管131，第一薄膜晶体管131设置于显示区11，第一薄膜晶体管131包括第一有源层1311、第一栅极1312和第一源漏极，第一有源层1311设置于阻挡层112在厚度方向X上背离缓冲层111的一面，第一栅极绝缘层1131覆盖第一有源层1311，第一有源层1311包括第一沟道部1311a和导体部1311b，导体部1311b的数量为两个，分别设置于第一沟道部1311a的两侧。“位于第一沟道部1311a的两侧”是指平行于衬底基板110表面方向上的两侧。第一栅极1312绝缘、间隔设置于第一有源层1311在厚度方向X上背离衬底基板110一面的上方，具体地，第一栅极1312设置于第一栅极绝缘层1131在厚度方向X上背离衬底基板110一面，第一栅极1312通过第一栅极绝缘层1131与第一有源层1311绝缘、间隔排布，第一层间绝缘层1141覆盖第一栅极1312，第一源漏极包括同层、间隔设置的第一源极1313和第一漏极1314，第一源漏极设置于第一层间绝缘层1141在厚度方向X上背离第一栅极绝缘层1131的一面，色阻层115覆盖第一源漏极。

其中，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影与第一源漏极在衬底基板110上的正投影相互交叉形成网格状，第一层间绝缘层1141上开设有沿厚度方向X依次贯穿第一层间绝缘层1141和第一栅极绝缘层1131的通孔，通孔暴露第一导体部1311b，第一源极1313通过一通孔与一个第一导体部1311b连接，第一漏极1314通过另一通孔与另一个第一导体部1311b连接。

如图1a和图1b所示的实施例中，第一薄膜晶体管131中的第一有源层1311为低温多晶硅(LTPS)，第一薄膜晶体管131为低温多晶硅薄膜晶体管，显示面板1为LTPS-VR显示面板。

参照图1a和图1b，遮光层120设置于衬底基板110与薄膜晶体管之间，具体地，遮光层120设置于缓冲层111中，遮光层120包括第一遮光走线121和第二遮光走线122，第一遮光走线121和第二遮光走线122均设置于显示区11，参照图5，第一遮光走线121与第二遮光走线122相互交叉成网格状，具体地，第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影与第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影相互交叉形成网格状。

在一些实施例中，参照图1a和图5，显示区11内可以设置多个第一薄膜晶体管131，一个第一薄膜晶体管131在数量上对应一条第一遮光走线121和两条第二遮光走线122，具体地，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影落在第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极中的第一源极1313在衬底基板110上的正投影落的在一条第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影以内，第一漏极1314在衬底基板110上的正投影落的在另一条第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，参照图1b，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影落在第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极在衬底基板110上的正投影的位于第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影落在第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极在衬底基板110上的正投影的位于第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内。现有的LTPS-VR显示面板和LTPO-VR显示面板受限于高PPI(分辨率)的结构设计特点，面内开口率较常规产品低，导致亮度偏低，现阶段通过提升背光亮度进行亮度补偿，但高的背光亮度引起沟道漏电流恶化，导致VR产品抗串扰(crosstalk)能力较差。

而且，由于VR显示面板的产品像素尺寸极小(单个Pixel大小约5um)，在第二基板20与第一基板10对位贴合时，贴合精度较常规产品要求高很多，极易出现贴合对位偏位导致的色偏和发光不均问题，该问题通常是采用贴合精度优化和COA(CF on Array)结构进行改善，但贴合精度受限于设备能力限制，改善空间有限，COA结构Array侧做黑矩阵(BM)做通常为有机BM层、金属低反叠层BM或者低反氧化物BMO等材料实现，可极大改善色偏，但仍有一定的失效比例存在。

而本申请实施例所提供的显示面板1，通过第一遮光走线121与第二遮光走线122的网格状结构配合，遮挡住背光向上方向直射在第一栅极1312的下表面和第一源漏极下表面的光线，降低第一栅极1312和第一源漏极的反射光强，规避反射光生漏电流现象，改善抗串扰能力，提升显示面板的显示画质。

另外，本申请实施例所提供的显示面板1，将色阻层115设置于第一基板10中，形成COA(CF on Array)的结构设计，参照图1a和图1b以及图2a和图2b，色阻层115设置于第一源漏极在厚度方向X上背离第一栅极1312的一面，色阻层115覆盖第一源漏极，色阻层115与遮光层120的配合，可改善显示面板1色偏以及发光不均匀的问题。

在一些实施例中，遮光层120的材质为金属氧化物，或者，遮光层120的材质为层叠设置的金属层和非金属介质层，具体地，金属氧化物为耐高温、低反射率金属氧化物，从而使得遮光层120中的第一遮光走线121和第二遮光走线122具有较低反射率，可以规避背光及上层金属反射光经遮光层120表面反射到第一有源层1311的第一沟道部1311a位置引起的光生漏电流现象，改善抗串扰能力，提升显示面板的显示画质。

在一些实施例中，参照图1a和图1b，在第一有源层1311中，两个第一导体部1311b在衬底基板110上的正投影以及第一沟道部1311a在衬底基板110上的正投影均位于第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，在第一有源层1311中，两个第一导体部1311b在衬底基板110上的正投影以及第一沟道部1311a在衬底基板110上的正投影均位于第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，仅有第一沟道部1311a在衬底基板110上的正投影位于第一遮光走线121在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，仅有第一沟道部1311a在衬底基板110上的正投影位于第二遮光走线122在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，参照图1a和图1b，显示面板1还包括挡光层140，挡光层140设置于薄膜晶体管在厚度方向X上背离衬底基板110的一面，挡光层140包括第一挡光走线141和第二挡光走线142，参照图6，第一挡光走线141和第二挡光走线142设置于显示区11。具体地，参照图1a、图1b以及图2a和图2b，显示面板1还包括像素电极层117、钝化层118和公共电极层119，像素电极层117设置于显示区11，像素电极层117包括间隔排布的多个像素电极1171，像素电极层117设置于第一平坦化层1161在厚度方向X上背离色阻层115的一面，钝化层118设置于像素电极层117在厚度方向X上背离第一平坦化层1161的一面，公共电极层119设置于钝化层118在厚度方向X上背离像素电极层117的一面，公共电极层119包括多个间隔排布的公共电极1191，其中，第一平坦化层1161在厚度方向X上背离色阻层115的一面开设有贯穿第一平坦化层1161和色阻层115的通孔，像素电极1171通过该通孔与第一漏极1314连接，钝化层118和公共电极1191层叠填充于该通孔中，该通孔中填充有第二平坦化层1162，第二平坦化层1162沿厚度方向X延伸，第二平坦化层1162在厚度方向X上背离第一漏极1314的一端端面与公共电极1191背离钝化层118的一面平齐，第一挡光走线141设置于公共电极1191背离钝化层118的一面，第一挡光走线141与第一遮光走线121沿厚度方向X相对设置，第二挡光走线142与第二遮光走线122沿厚度方向X相对设置，第一挡光走线141在衬底基板110上的正投影与第二挡光走线142在衬底基板110上的正投影相互交叉形成网格状。

在一些实施例中，参照图1a和图1b以及图2a和图2b，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影位于第一挡光走线141在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极在衬底基板110上的正投影位于第一挡光走线141在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影位于第二挡光走线142在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极在衬底基板110上的正投影位于第二挡光走线142在衬底基板110上的正投影以内。

在一些实施例中，一个第一薄膜晶体管131在数量上对应一条第一挡光走线141和两条第二挡光走线142，具体地，第一栅极1312在衬底基板110上的正投影落在第一挡光走线141在衬底基板110上的正投影以内，第一源漏极中的第一源极1313在衬底基板110上的正投影落的在一条第二挡光走线142在衬底基板110上的正投影以内，第一漏极1314在衬底基板110上的正投影落的在另一条第二挡光走线142在衬底基板110上的正投影以内。

本申请实施例所提供的显示面板1，将色阻层115设置于衬底基板110中，形成COA(CF On Array)结构，而且在衬底基板110中同时设置遮光层120和挡光层140，遮光层120形成对背光向上射出的光的遮挡，并可形成对上层金属(例如第一栅极1312、第一源漏极)对背光射出的光的反射，挡光层140中第一挡光走线141与第二挡光走线142交叉形成网格结构对第一源漏极和第一栅极1312的上表面进行遮挡，形成COA+双遮光(遮光层120+挡光层140)的结构设计，可有效解决金属漏光发光不均和色偏问题，挡光层140与遮光层120进行对位，有效规避贴合偏位导致的色偏，提升显示面板1的显示画质。

在本申请的一些实施例中，参照图2a和图2b，衬底基板110包括沿厚度方向X层叠设置的衬底基板110、缓冲层111、阻挡层112、绝缘层、色阻层115、第一平坦化层1161、像素电极层117、钝化层118和公共电极层119。绝缘层包括沿厚度方向X层叠设置的第一栅极绝缘层1131、第一层间绝缘层1141、第二栅极绝缘层1132和第二层间绝缘层1142。色阻层115包括依次排布的蓝色光阻单元1153、红色光阻单元1151和绿色光阻单元1152。

薄膜晶体管包括间隔设置的第一薄膜晶体管131和第二薄膜晶体管132，第一薄膜晶体管131为驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管132为开关薄膜晶体管。

参照图2a和图2b，第一薄膜晶体管131中的第一有源层1311为低温多晶硅氧化物(Low Temperature Poly-Si and Oxide)有源层，第一薄膜晶体管131设置于显示区11，第一薄膜晶体管131中的第一栅极1312设置于第一有源层1311在厚度方向X的下方，具体地，第一栅极1312设置于第一栅极绝缘层1131在厚度方向X上背离阻挡层112的一面，第一有源层1311设置于第一层间绝缘层1141在厚度方向X上背离第一栅极绝缘层1131一面，第一源漏极设置于第二层间绝缘层1142在厚度方向X上背离第二栅极绝缘层1132的一面。

参照图2a和图2b，第二薄膜晶体管132设置于边框区12，第二薄膜晶体管132包括第二有源层1321、第二栅极1322和第二源漏极，第二有源层1321设置于阻挡层112在厚度方向X上背离缓冲层111的一面，第一栅极绝缘层1131覆盖第二有源层1321，第二有源层1321位低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon)有源层，第二有源层1321包括第二沟道部1321a和第二导体部1321b，第二导体部1321b的数量为两个，分别设置于第二沟道部1321a的两侧。“位于第二沟道部1321a的两侧”是指平行于衬底基板110表面方向上的两侧。第二栅极1322绝缘、间隔设置于第二有源层1321在厚度方向X上背离衬底基板110一面的上方，具体地，第二栅极1322设置于第一栅极绝缘层1131在厚度方向X上背离衬底基板110一面，第二栅极1322通过第一栅极绝缘层1131与第二有源层1321绝缘、间隔排布，第一层间绝缘层1141覆盖第二栅极1322，第二源漏极包括间隔设置的第二源极1323和第二漏极1324，第二源漏极设置于第二栅极绝缘层1132在厚度方向X上背离第一层间绝缘层1141的一面，第二层间绝缘层1142覆盖第一源漏极。其中，第二栅极绝缘层1132上开设有沿厚度方向X依次贯穿第二栅极绝缘层1132、第一层间绝缘层1141以及第一栅极绝缘层1131的通孔，通孔暴露第二导体部1321b，第二源极1323通过一通孔与一个第二导体部1321b连接，第二漏极1324通过另一通孔与另一个第二导体部1321b连接。

在本申请的一些实施例中，遮光层120包括第三遮光走线123，第三遮光走线123设置于边框区12，第三遮光走线123与第二有源层1321沿厚度方向X相对设置；在图2a和图2b所示的实施例中，第二有源层1321中的两个第二导体部1321b在投影平面的正投影以及第二沟道部1321a在衬底基板110上的正投影均位于第三遮光走线123在衬底基板110上的正投影以内，第二栅极1322在衬底基板110上的正投影的至少部分位于第三遮光走线123在投影平面的正投影以内，第二源漏极在衬底基板110上的正投影的至少部分落在第三遮光走线123在衬底基板110上的正投影以内。在边框区12内设置第三遮光走线123，可实现对位于边框区12内的第二薄膜晶体管132中的第二源漏极以及第二栅极1322形成遮挡，可有效解决边框区12内的金属漏光发光不均和色偏问题，提升显示面板1的显示画质。

在本申请的一些实施例中，挡光层140还包括第三挡光走线143，第三挡光走线143设置于边框区12，第二源漏极在衬底基板110上的正投影的至少部分位于第三挡光走线143在衬底基板110上的正投影以内，第二栅极1322在衬底基板110上的正投影的至少部分位于第三挡光走线143在衬底基板110上的正投影以内，参照图6，边框区12在衬底基板110上的正投影位于第三挡光走线143在衬底基板110上的正投影以内。在边框区12设置第三挡光走线143，可实现对位于边框区12内的第二薄膜晶体管132中的第二源漏极以及第二栅极1322的上表面形成遮挡，可有效解决边框区12内的金属漏光发光不均和色偏问题，提升显示面板1的显示画质。

另外，参照图1a和图1b以及图2a和图2b，显示面板1还包括支撑柱21和封装层22，支撑柱21设置于显示区11，支撑柱21沿厚度方向X延伸，支撑柱21的一端与挡光层140在厚度方向X上朝向第二基板20的一面相抵，支撑柱21的另一端与第二基板20朝向第一基板10的一面相抵。封装层22设置于边框区12，封装层22在厚度方向X上的一端与第三挡光走线143相抵，封装层22在厚度方向X上的另一端与第二基板20朝向第一基板10一面相抵以形成封装。

在本申请的一些实施例中，挡光层140的材质为金属氧化物。

在本申请的一些实施例中，挡光层140包括层叠设置的金属层和非金属介质层。

在本申请的一些实施例中，金属氧化物为耐高温低反射率金属氧化物，金属氧化物包括MoO

在本申请的一些实施例中，金属层中的金属包括Mo、Cu、Ag、W、Ti中的一种。

在本申请的一些实施例中，非金属介质层中的非金属介质包括SiN

在本申请的一些实施例中，参照图3，缓冲层111上开设有容纳槽1111，参照图4，遮光层120容纳于容纳槽1111中。容纳槽1111的开设，可使得遮光层120嵌设于容纳槽1111中，从而使得遮光层120在厚度方向X上背离衬底基板110的一面与遮光层120在厚度方向X上背离衬底基板110的一面平齐，从而保证显示面板1的整体平整度，保证显示画质。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。