一种适用于谐振器芯片自动测试的方法

技术领域

本发明涉及晶圆检测设备技术领域，特别是一种适用于谐振器芯片自动测试的方法。

背景技术

谐振器探针自动测试是前道谐振器晶圆制造中必不可少的工序之一，其目的是为了在前道工序筛选出适配客户要求的器件，剔除不满足要求的器件，提高后道封装和测试的良品率，提高效率，降低材料成本，主要包括中心频率(F0)、插损(IL)、幅度(RIP)，现有的谐振器探针自动测试方法在对晶圆进行测试后，无法直观的观察晶圆片片内频率，不同晶圆片片间频率分布，不同批次间频率分布的差异，影响生产良品率。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于谐振器芯片自动测试的方法，以解决背景技术中提出的问题。

本发明的技术解决方案是：一种适用于谐振器芯片自动测试的方法，包括以下步骤，

一，将待测晶圆装载到载物台上，控制所述载物台移动以使得所述待测晶圆与探针接触，其中，所述待测晶圆划分为多个待测区域，每个所述待测区域具有编号和位置坐标；

二，利用网络分析仪一通道发出激励信号通过所述待测区域，接收机接收所述待测区域通过网络分析仪二通道发出的检测信号；

三，网络分析仪分析所述检测信号，得到所述待测区域的检测数据并显示所述待测区域的频率响应曲线，其中，所述检测数据包括插损、幅度以及中心频率，网络分析仪对所述中心频率进行分bin；

四，每个所述待测区域测试完成后，所述载物台按照指定步距将所述待测晶圆移动，使得下一所述待测区域与所述探针接触并测试；

五，将每个所述待测区域的所述检测数据保存至电脑，并形成map图。

进一步的，所述步骤三中，所述网络分析仪设有插损预设值。

进一步的，所述网络分析仪将待测区域的插损和插损预设值进行比较，当所述待测区域的插损大于所述插损预设值时，所述网络分析仪停止对所述待测区域的测试，并转入下一所述待测区域的测试。

进一步的，所述步骤三中，所述网络分析仪设有幅度预设值。

进一步的，当所述待测区域的插损小于所述插损预设值时，所述网络分析仪将待测区域的幅度和幅度预设值进行比较，所述待测区域的幅度小于所述幅度预设值时，所述网络分析仪停止对所述待测区域的测试，并转入下一所述待测区域的测试。

进一步的，所述步骤三中，所述网络分析仪设有分bin规格。

进一步的，当所述待测区域的插损小于所述插损预设值且所述待测区域的幅度大于所述幅度预设值时，所述网络分析仪将中心频率和分bin规格进行比较，若所述待测区域的中心频率符合所述分bin规格，则为良品，反之为不良品。

进一步的，所述map图中，每个所述待测区域的所述中心频率进行分bin后，按照不同的分bin规格进行颜色的区分。

本发明有益效果是：

与现有技术相比，本发明对晶圆的中心频率进行分bin检测，能够直接选别出适合市场不同频率需求的晶圆片，同时使用者可对比晶圆片片内频率，不同晶圆片片间频率分布，不同批次间频率分布的差异，以到达实时监控工艺制程能力的目的，其次，分bin后的测试结果按照不同频率区间范围按不同颜色区分，并把这些图示分布在整枚晶圆示意图上，形成map图，使用者通过map图的分析，能够很直观看出晶圆中心频率离散情况，频率离散是反馈工艺制程能力的重要体现，通过对频率离散统计分析，能及时发现制程中某一环节异常，如叉指换能器金属占空比发生变化、金属膜均匀性发生变化造成频率偏移等等，从map图很明显看出整枚晶圆从内到外。

附图说明

图1为本发明工作流程示意图；

图2为本发明中的待测晶圆示意图；

图3为本发明中的map图；

图4为本发明中的测试数据表格图；

具体实施方式

下面结合附图以实施例对本发明作进一步说明。

本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。

实施例，如图1-4所示，一种适用于谐振器芯片自动测试的方法，包括以下步骤，

一，将待测晶圆装载到载物台上，控制载物台移动以使得待测晶圆与探针接触，其中，待测晶圆划分为多个待测区域，每个待测区域具有编号和位置坐标，在本实施例中，待测晶圆按照图2从左下角标号为1、XY坐标为(0,0)位置开始，按照箭头的方向移动坐标芯片标号为2、XY坐标为(1，0)，依次变为标号3、XY坐标为(2,0)，4(3,0)，…，13(12,0)，14(13,1)，15(12,1)……变化，同时进行参数测试，这些数据都会在当前待测区域测试完后逐一送至电脑内存储；

二，利用网络分析仪一通道发出激励信号通过待测区域，接收机接收待测区域通过网络分析仪二通道发出的检测信号；

三，网络分析仪分析检测信号，得到待测区域的检测数据并显示待测区域的频率响应曲线，其中，检测数据包括插损、幅度以及中心频率，网络分析仪对中心频率进行分bin；

四，每个待测区域测试完成后，载物台按照指定步距将待测晶圆移动，使得下一待测区域与探针接触并测试；

五，将每个待测区域的检测数据保存至电脑，并形成map图，在本实施例中，所有测试数据、结果及坐标位置保存至电脑，作为map基础数据。

本发明对晶圆的中心频率进行分bin检测，能够直接选别出适合市场不同频率需求的晶圆片，同时使用者可对比晶圆片片内频率，不同晶圆片片间频率分布，不同批次间频率分布的差异，以到达实时监控工艺制程能力的目的，其次，分bin后的测试结果按照不同频率区间范围按不同颜色区分，并把这些图示分布在整枚晶圆示意图上，形成map图，使用者通过map图的分析，能够很直观看出晶圆中心频率离散情况，频率离散是反馈工艺制程能力的重要体现，通过对频率离散统计分析，能及时发现制程中某一环节异常，如叉指换能器金属占空比发生变化、金属膜均匀性发生变化造成频率偏移等等，从map图很明显看出整枚晶圆从内到外。

在本发明的一个可选的实施方式中，步骤三中，网络分析仪设有插损预设值，网络分析仪将待测区域的插损和插损预设值进行比较，当待测区域的插损大于插损预设值时，网络分析仪停止对待测区域的测试，并转入下一待测区域的测试，优选的，在本实施例中，当插损测定值＞插损预设值，判定为插损不良，此待测区域测试结束，其它幅度和中心频率参数不会显示出来，转入下一个待测区域编号为2、XY位置坐标为(1,0)，进行下一个待测区域测试。

在本发明的一个可选的实施方式中，步骤三中，网络分析仪设有幅度预设值，当待测区域的插损小于插损预设值时，网络分析仪将待测区域的幅度和幅度预设值进行比较，待测区域的幅度小于幅度预设值时，网络分析仪停止对待测区域的测试，并转入下一待测区域的测试，优选的，在本实施例中，当插损测定值＜插损预设值，则继续执行下一个指标幅度的判定，如果幅度测定值＜幅度预设值，判定为幅度不良，此待测区域测试结束，转入下一个位置坐标(1,0)，进行下一待测区域测试。

在本发明的一个可选的实施方式中，步骤三中，网络分析仪设有分bin规格，优选的，本实施例中的分bin规格包括F0-1、F0-2、F0-3、F0-4、F0-5，其对应的测试频率范围分别为F0±50K、F0±75K、F0±100K、F0±150K、F0＞150K&F0＜-150K，分bin规格可根据不同产品特性修改，当待测区域的插损小于插损预设值且待测区域的幅度大于幅度预设值时，网络分析仪将中心频率和分bin规格进行比较，若待测区域的中心频率符合分bin规格，则为良品，反之为不良品，优选的，在本实施例中，当幅度测定值＞度差预设值，则继续执行下一个指标中心频率的判定，如果中心频率符合分bin规格要求，则判断芯片为良品，反之为不良品，此待测区域测试结束，转入下一个位置坐标(1,0)，进行下一待测区域测试。

在本发明的一个可选的实施方式中，map图中，每个待测区域的中心频率进行分bin后，按照不同的分bin规格进行颜色的区分，当整枚晶圆测试完成，为更直观体现中心频率分布情况，存储在电脑内的检测数据根据测试时的坐标位置、性能参数数据形成实际map图，供使用者随时调用。