一种显示面板、显示面板母板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其设计一种显示面板、显示面板母板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示器件的显示质量要求也越来越高。AR/VR的显示器因有户外使用场景需求，对器件的亮度要求会越来越高，相较于普通的单叠层白光有机发光二极管(White Organic Light-Emitting Diode，WOLED)器件，叠层WOLED器件有长寿命、窄半峰宽(高色域)、低功耗的特点，成为增强现实(Augmented Reality，AR)/虚拟现实(Virtual Reality，VR)OLED显示的新发展方向。

叠层WOLED器件的发光层包括红绿(RG)发光层和蓝(B)发光层，以及连接RG发光层和B发光层的电荷产生层(charge generation layer，CGL)，由于CGL层的存在使得叠层WOLED的发光效率数倍于单叠层WOLED；然而，由于CGL层具有较强的横向迁移能力，使得在将叠层WOLED器件应用于高像素密度的显示面板时，横向串扰问题尤为突出，产品图案化后的器件效率大幅降低，且RGB高、低灰阶色偏问题加剧恶化。

现有技术中为改善叠层WOLED横向串色的问题，采用了像素定义层(PixelDefinition Layer，PDL)+底切结构(undercut)使不同CGL层在不同像素间被隔断，但采用上述结构的显示面板在低灰阶下却产生了严重的像素内WOLED器件漏电的问题，造成显示面板在全灰阶范围内RGB色偏更加严重。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板、显示面板母板及显示装置，用以解决现有技术中存在显示面板在低灰阶下易产生了严重的像素内WOLED器件漏电的问题。

第一方面，为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，包括：

像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口及多个凹槽；所述凹槽位于相邻两个像素开口间；

发光器件层，位于所述像素定义层的一侧；所述发光器件层包括空穴注入层和电荷产生层；

在第一方向上，具有多个区域，所述多个区域中位于不同区域的像素开口的内侧壁的坡度，以及对应凹槽的顶部开口的长度逐渐减小。

一种可能的实施方式，在所述第一方向上，所述多个区域中的像素开口的内侧壁的坡度，按区域阶梯式减少预设角度，使所述空穴注入层和所述电荷产生层在不同区域中的像素开口的内侧壁上的膜厚大致相同。

一种可能的实施方式，在所述第一方向上，所述多个区域中的凹槽的顶部开口的长度，按区域阶梯式减少预设量，使所述空穴注入层和所述电荷产生层在不同区域中的像素开口的内侧壁底端到所述凹槽的顶部开口边缘的长度大致相同。

一种可能的实施方式，预设变化量的范围为10～20nm。

一种可能的实施方式，所述像素定义层，包括：

第一无机层；

第二无机层，位于所述第一无机层靠近所述显示面板的出光面的一侧；

第三无机层，位于所述第二无机层远离所述第一无机层的一侧；所述第一无机层与所述第三无机层采用的材料相同，与所述第二无机层采用的材料不同；

所述像素开口贯穿所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层；

所述凹槽贯穿所述第二无机层和所述第三无机层。

一种可能的实施方式，在所述第一方向上，所述凹槽在所述第二无机层的开口长度大于所述凹槽在所述第三无机层的开口长度。

一种可能的实施方式，在所述第一方向上，所述第二无机层与所述三无机层的厚度和呈阶梯变化。

一种可能的实施方式，在所述第一方向上，所述第二无机层的厚度呈阶梯变化。

一种可能的实施方式，所述凹槽的纵切面图形包括倒T形、倒梯形。

一种可能的实施方式，所述像素开口的纵切面图形为倒梯形。

一种可能的实施方式，所述像素开口的内侧壁的坡度的取值范围为60°～90°。

一种可能的实施方式，所述凹槽的顶部开口的长度的取值范围为300～600nm。

一种可能的实施方式，所述发光器件层，包括：

所述空穴注入层，位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧；

空穴传输层，位于所述空穴注入层远离所述衬底基板的一侧；

发光层，位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧；所述发光层包括第一发光层、所述电荷产生层，以及第二发光层；所述RG发光层位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧，所述电荷产生层位于所述第一发光层远离所述衬底基板的一侧，所述第二发光层位于所述电荷产生层远离所述衬底基板的一侧。

一种可能的实施方式，所述显示面板还包括：

衬底基板；

多个第一电极，位于所述衬底基板与所述像素定义层之间，所述第一电极暴露于对应的像素开口内；

填平层，填充于相邻两个第一电极之间，且所述凹槽在所述衬底基板的正投影位于所述填平层在所述衬底基板的正投影内；

第二电极，位于所述发光器件层远离所述衬底基板的一侧。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板母板，在所述显示面板母板的中心指向边缘的第一方向上，具有多个区域，所述显示面板母板包括：

像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口及多个凹槽；所述凹槽位于相邻两个像素开口间；

发光器件层，位于所述像素定义层的一侧；所述发光器件层包括空穴注入层和电荷产生层；

在所述第一方向上，所述多个区域中位于不同区域的像素开口的内侧壁的坡度，以及对应凹槽的顶部开口的长度逐渐减小。

一种可能的实施方式，所述显示面板母板包括多个显示面板；

所述多个显示面板中同一显示面板位于同一区域中；

或，在所述第一方向上，所述多个显示面板中至少一个显示面板跨越至少两个连续的区域；其中，跨越至少两个连续区域的显示面板为如第一方面所述的显示面板。

一种可能的实施方式，所述多个区域的形状包括圆形及圆环形、正方形及方环形。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括如第一方面所述的显示面板。

附图说明

图1为现有技术中采用PDL+底切结构的叠层WOLED的阻隔示意图；

图2为基于叠层WOLED的显示面板中W、R、G、B发光器件的色度变化示意图；

图3为本发明实施例提供的一种基于叠层OLED的衬底基板位于不同区域的显示面板的显示区对的蒸镀效应分布示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示面板母板的俯视图；

图5为本发明实施例提供的一种显示面板母板的结构示意图；

图6和图7为本发明实施例提供的另一种显示面板母板的俯视图；

图8为本发明实施例提供的一种显示面板中不同区域中像素开口内侧壁的膜厚示意图；

图9为本发明实施例提供的一种显示面板中不同区域中像素开口的内侧壁底端到凹槽的顶部开口的长度示意图；

图10为本发明实施例提供的一种像素定义层的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种像素定义层的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的发光器件层的结构示意图。

附图标记：

衬底基板1、像素电极层2、像素定义层3、发光器件层4、第一发光层41、CGL层(或电荷产生层)42、第二发光层43、公共电极层5、像素开口P、底切结构U、第一漏电位置Le1、第二漏电位置Le2、凹槽K、内侧壁Pw、显示面板100、第一无机层31、第二无机层32、第三无机层33、第一电极21、填平层6、第二电极7、空穴注入层44、空穴传输层45。

具体实施方式

本发明实施例提供一种显示面板、显示面板母板及显示装置，用以解决现有技术中存在显示面板在低灰阶下易产生了严重的像素内WOLED器件漏电的问题。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

请参见图1为现有技术中采用PDL+底切结构的叠层WOLED的阻隔示意图。

叠层WOLED包括衬底基板1、位于衬底基板1一侧的像素电极层2，位于像素电极层2远离衬底基板1一侧的像素定义层3，位于像素定义层3远离衬底基板1一侧的发光器件层4，位于发光器件层4远离衬底基板1一侧的公共电极层5。

像素定义层3具有像素开口PP和底切结构U，像素电极暴露于像素开口P内，底切结构U位于相邻两个像素开口P间；发光器件层4包括依次层叠设置的第一发光层41、CGL层42、第二发光层43，其中，第一发光层41位于像素定义层3远离衬底基板1的一侧，第一发光层41与第二发光层43通过CGL层42连接，第一发光层41包括红色发光层和绿色发光层，第二发光层43为蓝色发光层。

CGL层42通常为具有高载流子传输速率的有机材料并掺杂活泼金属(通常为Li)组成。在电场作用下，CGL层42发生电荷分离，电子向电子传输层(Electron TransportLayer，ETL)传输，空穴向空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)传输(通常为p型有机材料)，电子空穴的再分离为发光层提供了近双倍的载子量，在相同电流密度下，实现数倍于单叠WOLED器件的发光效率。虽然叠层WOLED器件具有诸多优点，但缺点也随之伴生。由于CGL层42具有较强的横向迁移能力使其在硅基显示高像素密度(ppi)的应用场景中的横向串扰问题尤为突出，产品图案化后的器件效率大幅降低，且RGB高、低灰阶色偏问题急剧恶化。

现有技术中，在改善硅基叠层WOLED器件横向串色时使用了PDL+底切结构U(如图1所示)，底切结构U可以完全隔断不同发光器件的CGL层42，这虽然可以完全解决高低灰阶横向串色问题，但由于PDL内侧垂直形貌和底切结构U畸变形貌都使CGL层42的蒸镀效应加剧，将导致低灰阶下产生严重的发光器件漏电问题(如图1中第一漏电位置Le1、第二漏电位置Le2)。此漏电将造成从显示面板100起亮至10灰阶内蓝光提前起亮，拉低R/G色标；且，随像素电极上的电压升高，灰阶提升后，RG逐渐起亮，色点趋向正常方向移动，最终造成在全灰阶范围内，RGB色偏严重(如图2所示为基于叠层WOLED的显示面板中W、R、G、B发光器件的色度变化示意图)，影响产品客户端体验；其中，图2中的W CIE代表白色子像素的色坐标、RCIE代表红色子像素的色坐标、G CIE代表绿色子像素的色坐标、B CIE代表蓝色子像素的色坐标，CIEx为色坐标中的x坐标值、CIEy为色坐标中的y坐标值。

发明人发现：在衬底基板1分布上，衬底基板1的边缘区域的蒸镀效应＞衬底基板1的中间区域的蒸镀效应＞衬底基板1的中心区域的蒸镀效应，如图3所示为本发明实施例提供的一种基于叠层OLED的衬底基板位于不同区域的显示面板的显示区对的蒸镀效应分布示意图，其中图3中掩膜所在行对应的每个小方块代表一个显示面板100的显示区，进而导致衬底基板1的中心区域至衬底基板1的边缘区域的显示面板100在第一漏电位置L1的R/G起亮稳定性变差、在第二漏电位置L2随阴极穿刺加深造成漏电变大。进而导致RGB低灰阶色偏，在衬底基板1的边缘位置中的显示面板100表现尤为明显。

为解决上述问题，本发明提供了一种显示面板、显示面板母板及显示装置，下面结合附图进行具体说明。

请参见图4和图5，图4为本发明实施例提供的一种显示面板母板的俯视图，图5为本发明实施例提供的一种显示面板母板的结构示意图，在显示面板母板的中心O指向边缘的第一方向X上，具有多个区域(图4中示例性的分为A1～A3共3个区域)，该显示面板母板包括：

像素定义层3，像素定义层3包括多个像素开口P及多个凹槽K；凹槽K位于相邻两个像素开口P间；

发光器件层4，位于像素定义层3的一侧；发光器件层4包括空穴注入层(未示出)和电荷产生层42；

在第一方向上，多个区域中位于不同区域的像素开口P的内侧壁Pw的坡度，以及对应凹槽K的顶部开口的长度逐渐减小。

如图5所示，在第一方向上，让区域A1中像素开口P的内侧壁Pw的坡度α

需要理解的是，尽管图4中只示出了区域A1和区域A2中像素开口P的剖面图，但若同时示出区域A1～区域A3中像素开口P的剖面图，这三个区域中像素开口P内侧壁Pw的坡度满足：α

请参见图6和图7为本发明实施例提供的另一种显示面板母板的俯视图。

显示面板母板包括多个显示面板100；

如图6所示，多个显示面板100中同一显示面板100位于同一区域中；图6中区域A1中包括3个较小的显示面板100，区域A2中包括4个较大的显示面板100。

或，在第一方向上，多个显示面板100中至少一个显示面板100跨越至少两个连续的区域，如图7中填充横线的两个区域所示的两个显示面板100在第一方向上跨越区域A1和区域A2；其中，跨越至少两个连续区域的显示面板100的结构将在后续的显示面板100的实施例中具体介绍，在此暂不赘述。

在一些实施例中，多个区域的形状包括圆形及圆环形、正方形及方环形。

基于同一发明构思，本发明实施例提供一种显示面板100，该显示面板100包括：

像素定义层3，像素定义层3包括多个像素开口P及多个凹槽K；凹槽K位于相邻两个像素开口P间；

发光器件层4，位于像素定义层3的一侧；发光器件层4包括空穴注入层和电荷产生层42；

在第一方向上，具有多个区域，多个区域中位于不同区域的像素开口P的内侧壁Pw的坡度，以及对应凹槽K的顶部开口的长度逐渐减小。

若上述显示面板100为图6中填充细直线所示的显示面板100，在第一方向上相邻两个区域中像素开口P的坡度逐渐减小，凹槽K的顶部开口的长度也逐渐减小，可参见图5。由于跨越多个区域的显示面板100的结构与显示面板母板类似，故在此不再赘述，可参见前述图5的结构形式。

若上述显示面板100为图7中填充粗直线所示的显示面板100，第一方向为显示面板100中像素开口P的坡度最小的区域指向其它区域的方向，依然遵循在第一方向上相邻两个区域中像素开口P的坡度逐渐减小，凹槽K的顶部开口的长度也逐渐减小。

在本发明提供的实施例中，在第一方向上，通过让多个区域中位于不同区域的像素开口P的内侧壁Pw的坡度逐渐减小，可以使位于不同区域中的空穴注入层，在像素开口P的内侧壁Pw上沉积的膜厚大致相同，使位于不同域中的电荷产生层42，在像素开口P的内侧壁Pw上沉积的膜厚大致相同；而在第一方向上，让多个区域中位于不同区域的凹槽K的顶部开口的长度逐渐减小，可以使位于不同区域中像素开口P的底端到凹槽K的顶部开口的路径长度大致相同，从而使位于不同区域中的空穴注入层和电荷产生层42的沉积效果大致相同，以匹配蒸镀空穴注入层和电荷产生层42在不同区域的蒸镀效应，进而提升第一漏电位置Le1处沉积的空穴注入层和电荷产生层42的电稳定性，以及改善发光器件在第二漏电位置Le2存在的低灰阶漏电均匀性问题，实现优化R/G/B色变均匀性，提高显示面板100低灰阶稳定性及产品良率的技术效果。

请参见图8为本发明实施例提供的一种显示面板中不同区域中像素开口内侧壁的膜厚示意图。

在第一方向上，多个区域中的像素开口P的内侧壁Pw的坡度，按区域阶梯式减少预设角度，使空穴注入层和电荷产生层42在不同区域中的像素开口P的内侧壁Pw上的膜厚大致相同。

预设角度可以是根据蒸镀空穴注入层、电荷产生层42时，相邻区域中蒸镀材料的蒸镀角度变化量确定的，如图3所示，若电荷产生层42的蒸镀材料在中心区域的蒸镀角为α’，其对应的蒸镀角变化量为0，电荷产生层42的蒸镀材料在中间区域的蒸镀角为α’+△，则中间区域对应的预设角度为△；若跨中心区域和中间区域的显示面板100在中心区域的像素开口P的内侧壁Pw的坡度为α

上述蒸镀角可以在前期收集空穴注入层、电荷产生层42各自对应蒸镀材料的蒸镀效应的规律，进而通过模拟仿真确定，或实际测定获得，具体不做限制。

在本发明提供的实施例中，通过在第一方向上，多个区域中的像素开口P的内侧壁Pw的坡度，按区域阶梯式减少预设角度，使空穴注入层和电荷产生层42在不同区域中的像素开口P的内侧壁Pw上的膜厚大致相同，从而提高第一漏电位置L1中空穴注入层和电荷产生层42的电性稳定性。

在一些实施例中，像素开口P的坡度的取值范围为60°～90°。

请参见图9为本发明实施例提供的一种显示面板中不同区域中像素开口的内侧壁底端到凹槽的顶部开口的长度示意图。

在第一方向上，多个区域中的凹槽K的顶部开口的长度，按区域阶梯式减少预设量，使空穴注入层和电荷产生层42在不同区域中的像素开口P的内侧壁Pw底端到凹槽K的顶部开口边缘的长度大致相同。

上述预设量可以在前期收集空穴注入层、电荷产生层42各自对应蒸镀材料的蒸镀效应的规律，进而通过模拟仿真确定，或实际测定获得，具体不做限制。

如确定预设量为△L，若跨中心区域和中间区域的显示面板100，位于中心区域的凹槽K在第一方向的长度为L

在一些实施例中，预设量的取值范围为10～20um。

在另一些实施例中，凹槽K的顶部开口的取值范围为300～600nm。

在一些实施例中，凹槽K的纵切面图形可以为长方形，也可以为倒T形、倒梯形。通过在像素界定层中设置凹槽K，可以阻断相邻发光器件中的发光层和电荷产生层42。而将凹槽K设置为倒梯形、倒梯形，可以有效阻断相邻发光器件中的发光层和电荷产生层42。

请参见图10为本发明实施例提供的一种像素定义层的结构示意图，该像素定义层3包括：

第一无机层31；

第二无机层32，位于第一无机层31靠近显示面板100的出光面的一侧；

像素开口P贯穿第一无机层31、第二无机层32，凹槽K贯穿第二无机层32。

第一无机层31与第二无机层32采用的材料不同，通常第二无机层32所用材料的刻蚀速率高于第一无机层31所用材料的刻蚀速率，这样在形成凹槽K时，可以防止在刻蚀第二无机层32时因过刻而刻穿第一无机层31。如，第一无机层31所用的材料为氧化硅，第二无机层32所用的材料为氮化硅。

请参见图11为本发明实施例提供的另一种像素定义层的结构示意图，该像素定义层3，包括：

第一无机层31；

第二无机层32，位于第一无机层31靠近显示面板100的出光面的一侧；

第三无机层33，位于第二无机层32远离第一无机层31的一侧；第一无机层31与第三无机层33采用的材料相同，与第二无机层32采用的材料不同；第一无机层31和第三无机层33所用材料的刻蚀速率低于第二无机层32的所用材料的刻蚀速率；

像素开口P贯穿第一无机层31、第二无机层32及第三无机层33；

凹槽K贯穿第二无机层32和第三无机层33。

在本发明提供的实施例中，将像素定义层3设置为由第一无机层31、第二无机层32、第三无机层33，并让第二无机层32所用的材料与第一无机层31和第二无机层32所用材料不同，便于形成纵切面为T形或倒梯形的凹槽K。

请继续参见图11，在所述第一方向上，所述凹槽K在所述第二无机层32的开口长度大于所述凹槽K在所述第三无机层33的开口长度。

如图11所示，在第一方向上，第二无机层与三无机层的厚度和(h

如图11所示，在第一方向上，第二无机层的厚度h

如图10和图11所示，像素开口P的纵切面图形为倒梯形。

请参见图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图，该显示面板100还包括：

衬底基板1；

多个第一电极21，位于衬底基板1与像素定义层3之间，第一电极21暴露于对应的像素开口P内；

填平层6，填充于相邻两个第一电极21之间，且凹槽K在衬底基板1的正投影位于填平层6在衬底基板1的正投影内；

第二电极7，位于发光器件层4远离衬底基板1的一侧。

在本发明提供的实施例中，通过在相邻两个第一电极21间填充填平层6，提高多个第一电极21所在膜层的平坦新，使像素定义层3设置在平坦的平面上，防止像素定义层3、发光层、第一电极21等膜层的形态发生严重变形。

请参见图13为本发明实施例提供的发光器件层的结构示意图，发光器件层4，包括：

空穴注入层44，位于第一电极21远离衬底基板1的一侧；

空穴传输层45，位于空穴注入层44远离衬底基板1的一侧；

发光层，位于空穴传输层45远离衬底基板1的一侧；发光层包括第一发光层41、电荷产生层42，以及第二发光层43；第一发光层41位于空穴传输层45远离衬底基板1的一侧，电荷产生层42位于第一发光层41远离衬底基板1的一侧，第二发光层43位于电荷产生层42远离衬底基板1的一侧。第一发光层41包括红色发光层和绿色发光层，第二发光层43为蓝色发光层。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

该显示装置可以为OLED显示器，OLED显示屏，OLED电视等显示装置，也可为手机、平板电脑、笔记本等移动设备。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。