一种3C-SiC单晶体的制备方法

技术领域

本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种3C-SiC单晶体的制备方法。

背景技术

碳化硅材料具有耐高温、耐高压、耐辐射、耐化学腐蚀、硬度大、热导率大等优点。相较于已经广泛工业应用的六方结构单晶4H-SiC，立方结构单晶3C-SiC具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和热导率，更适合用来制备MOSFET等器件。

目前，4H-SiC单晶已经被广泛应用于IGBT、MOSFET等器件的制造。在工业生产中，制作4H-SiC单晶衬底的第一步是生长厚度10mm以上的单晶体，接着通过切割、研磨和抛光步骤制作厚度350μm厚的衬底。然而，对于3C-SiC单晶，制备具有大厚度（>1mm）的单晶体仍然存在挑战。CN115692181A公开了一种方法，具体包括在正轴的4H-SiC单晶衬底上生长3C-SiC单晶，但因为易形成双堆叠晶界缺陷，不能得到应用。现有技术还公开了另外一种方法，具体包括采用化学气相沉积方法，在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶，但是由于Si的熔点是1414℃，生长温度不能高于或接近该温度，否则熔化或软化的Si基底不能作为生长基底。由于生长温度低，3C-SiC单晶的生长速度慢，难以生长大厚度的3C-SiC单晶。例如，MaterialsScience Forum Vols 457-460 (2004) pp 285-288对应的期刊文章公开了采用化学气相沉积方法，在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶，生长温度为1300℃，生长速度0.4-1.5μm/h，生长厚度2-6μm。

综上所述，需要开发一种新的3C-SiC单晶体的制备方法，以提高生长速度并得到大厚度3C-SiC单晶体。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合，去除Si单晶基底，进一步在高于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题，3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h，制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm，且(111)峰的半高宽小于50arcsec。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

（1）采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，得到Si/3C-SiC复合体；

（2）对步骤（1）所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层，将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合，得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体；

（3）将步骤（2）所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体去除Si单晶基底，得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体；

（4）采用化学气相沉积在步骤（3）所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体；

（5）将步骤（4）所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体去除4H-SiC单晶基底，经环切得到3C-SiC单晶体。

本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合，去除Si单晶基底，进一步在高于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题，3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h，制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm，且(111)峰的半高宽小于50arcsec。

需要说明的是，本发明中，步骤（1）与步骤（4）所述化学气相沉积可以是水平进气或竖直进气，优选竖直进气，采用的化学气相沉积装置可以是热壁式或冷壁式，优选热壁式。将基底固定于腔体内，可以通过悬挂丝固定，也可以是通过其他连接件连接固定。悬挂丝可以是石墨绳子或钼丝，优选钼丝。用来经过化学反应生成SiC的气体原料可以是三氯甲基硅烷（CH

作为本发明优选的技术方案，步骤（1）中，所述Si单晶基底的表面粗糙度＜0.5nm，所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2-4度，例如2度、2.2度、2.5度、2.8度、3度、3.1度、3.3度、3.5度、3.7度或4度等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

需要说明的是，本发明中，Si单晶基底的表面粗糙度需要小于0.5nm，过大的表面粗糙度会导致SiC单晶在Si的(111)面以外的面外延生长，引入额外的缺陷；而且，生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2-4度，若偏向[001]方向的偏轴角度过小，会在生长3C-SiC单晶时引入双堆叠晶界缺陷，若偏向[001]方向的偏轴角度过大，制作的3C-SiC单晶不适合进行外延生长。

作为本发明优选的技术方案，步骤（1）中，所述化学气相沉积的生长温度为1000-1300℃，例如1000℃、1030℃、1050℃、1070℃、1100℃、1120℃、1150℃、1180℃、1200℃、1220℃、1250℃、1270℃或1300℃等，生长压力为100-500Pa，例如100Pa、200Pa、300Pa、400Pa或500Pa等，生长速度为0.5-2μm/h，例如0.5μm/h、0.7μm/h、1μm/h、1.1μm/h、1.3μm/h、1.5μm/h、1.8μm/h或2μm/h等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

需要说明的是，本发明中，对于在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，生长温度在1000-1300℃范围内，生长温度过低，不能形成3C-SiC单晶结构，生长温度过高，Si单晶基底发生软化，不能生长表面平整的3C-SiC单晶层；生长压力在100-500Pa范围内，生长压力过低，生长速度慢，生长压力过高，易生长SiC多晶；合适的生长速度控制在0.5-2μm/h范围内。

作为本发明优选的技术方案，步骤（1）中，所述3C-SiC单晶初始层的厚度为1-5μm，例如1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm或5μm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

需要说明的是，本发明中，在Si单晶基底上生长的3C-SiC单晶初始层厚度为1-5μm，若厚度过薄，后续抛光过程中可能发生碎裂，若厚度过厚，会因为生长速度太慢而消耗工艺时间。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）中，所述3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度＜2nm，所述4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度＜2nm。

需要说明的是，本发明中，步骤（2）所述切割采用金刚线切割出圆形形状，然后对上下两个侧面的3C-SiC单晶初始层的外表面依次进行研磨和抛光，具体采用金刚石砂轮进行研磨，采用化学机械抛光方法进行抛光；若3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度过大，会导致后续键合面接触不良，影响键合效果，同理，用于支撑层的4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度过大，会导致后续键合面接触不良，影响键合效果。

作为本发明优选的技术方案，步骤（2）所述键合的温度为20-40℃，例如20℃、23℃、25℃、27℃、30℃、33℃、35℃、38℃或40℃等，所述键合在真空下进行，控制绝对真空度≤10

需要说明的是，本发明中，所述键合方法采用表面活化键合的方式，具体是将3C-SiC单晶初始层的外表面与4H-SiC单晶基底的外表面相接触后，实现原子级的结合。

作为本发明优选的技术方案，步骤（3）中，所述去除Si单晶基底采用化学腐蚀方法，例如化学原料采用HF酸溶液。

需要说明的是，本发明中，3C-SiC单晶初始层表面采用化学腐蚀方法在去除Si单晶基底后，不需要进行研磨和抛光步骤。

作为本发明优选的技术方案，步骤（4）中，所述化学气相沉积的生长温度为1500-1600℃，例如1500℃、1510℃、1520℃、1530℃、1540℃、1550℃、1560℃、1570℃、1580℃、1590℃或1600℃等，生长压力为500-2000Pa，例如500Pa、800Pa、1000Pa、1300Pa、1500Pa、1700Pa、1800Pa或2000Pa等，生长速度为50-200μm/h，例如50μm/h、80μm/h、100μm/h、120μm/h、150μm/h、160μm/h、180μm/h或200μm/h等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

需要说明的是，本发明中，对于在3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，生长温度在1500-1600℃范围内，若生长温度过低，会导致生长速度过低，若生长温度过高，则易引入4H-SiC晶型缺陷；生长压力在500-2000Pa范围内，若生长压力过低，会导致生长速度慢，若生长压力过高，易生长SiC多晶；合适的生长速度控制在50-200μm/h范围内。

作为本发明优选的技术方案，步骤（4）中，所述3C-SiC单晶加厚层的厚度为1-5mm，例如1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm等，但并不仅限于所列举的数值，上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。

作为本发明优选的技术方案，步骤（5）中，所述去除4H-SiC单晶基底采用金刚线切割，所述环切采用金刚线切割，获得圆形的3C-SiC单晶体。

作为本发明优选的技术方案，步骤（5）中，所述3C-SiC单晶体的厚度≥1mm，且(111)峰的半高宽小于50arcsec。

与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：

本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合，去除Si单晶基底，进一步在高于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题，3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h，制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm，且(111)峰的半高宽小于50arcsec。

附图说明

图1是本发明所述3C-SiC单晶体的制备方法的流程示意图；

图2是本发明实施例1所述3C-SiC单晶体的XRD摇摆曲线检测结果。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：

本发明所述3C-SiC单晶体的制备方法的流程示意图如图1所示，所述制备方法包括如下步骤：

（1）采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，得到Si/3C-SiC复合体；

（2）对步骤（1）所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层，将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合，得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体；

（3）将步骤（2）所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体去除Si单晶基底，得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体（图1中仅示出了一个4H-SiC/3C-SiC复合体）；

（4）采用化学气相沉积在步骤（3）所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体；

（5）将步骤（4）所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体去除4H-SiC单晶基底，经环切得到3C-SiC单晶体。

实施例1

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

（1）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中，所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.25nm，所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向4度，生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1300℃，生长压力为500Pa，接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为2μm/h，生长时间为2.5h，共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层，得到Si/3C-SiC复合体；

（2）对步骤（1）所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层，具体采用金刚线切割出圆形形状，对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光，具体采用金刚石砂纸进行研磨，采用化学机械抛光方法进行抛光，抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm，4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm，将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合，实现原子级的结合，得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体；

（3）将步骤（2）所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底，得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体；

（4）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤（3）所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1600℃，生长压力为2000Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20，生长速度为200μm/h，生长时间为25h，共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层，得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体；

（5）将步骤（4）所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底，采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体，单晶体厚度为4.5mm，经XRD摇摆曲线检测，3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为32arcsec，如图2所示。

实施例2

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

（1）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中，所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.35nm，所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向3度，生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1200℃，生长压力为300Pa，接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为1μm/h，生长时间为5h，共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层，得到Si/3C-SiC复合体；

（2）对步骤（1）所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层，具体采用金刚线切割出圆形形状，对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光，具体采用金刚石砂纸进行研磨，采用化学机械抛光方法进行抛光，抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm，4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm，将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合，实现原子级的结合，得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体；

（3）将步骤（2）所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底，得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体；

（4）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤（3）所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1550℃，生长压力为1000Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20，生长速度为100μm/h，生长时间为50h，共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层，得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体；

（5）将步骤（4）所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底，采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体，单晶体厚度为4.5mm，经XRD摇摆曲线检测，3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为45arcsec。

实施例3

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

（1）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中，所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.45nm，所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2度，生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1000℃，生长压力为100Pa，接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为0.5μm/h，生长时间为10h，共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层，得到Si/3C-SiC复合体；

（2）对步骤（1）所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割，去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层，具体采用金刚线切割出圆形形状，对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光，具体采用金刚石砂纸进行研磨，采用化学机械抛光方法进行抛光，抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm，4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm，将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合，实现原子级的结合，得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体；

（3）将步骤（2）所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底，得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体；

（4）采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤（3）所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层，所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1500℃，生长压力为500Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20，生长速度为50μm/h，生长时间为100h，共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层，得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体；

（5）将步骤（4）所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底，采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体，单晶体厚度为4.5mm，经XRD摇摆曲线检测，3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为40arcsec。

实施例4

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：步骤（1）中所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.6nm。

实施例5

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：步骤（1）中所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向1度。

实施例6

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：步骤（1）中所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向5度。

实施例7

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：步骤（4）中生长温度为1400℃。

实施例8

本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：步骤（4）中生长温度为1700℃。

对比例1

本对比例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法，相比于实施例1，区别仅在于：全程采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体，不再采用4H-SiC单晶基底；具体内容如下：

采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶层，所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中，所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.25nm，所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向4度，生长开始时，先将腔体加热至生长温度，并维持在一定压力，生长温度为1300℃，生长压力为500Pa，接着通入原料气体和稀释气进行生长，原料气体为三氯甲基硅烷和氢气，三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为2μm/h，生长时间为100h，共生长了200μm的3C-SiC单晶层。

将上述实施例与对比例所得3C-SiC单晶体的相关结果汇总在表1中。

表1

注：“-”表示未表征。

需要说明的是，由于对比例1在Si单晶基底上，耗时100h，仅仅生长了厚度为200μm的3C-SiC单晶层，即，厚度为0.2mm的3C-SiC单晶层，不利于去除Si单晶基底得到3C-SiC单晶体，所以并未进行XRD摇摆曲线表征。

综上所述，本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层，接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合，去除Si单晶基底，进一步在高于Si熔点的一定温度下，采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题，3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h，制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm，且(111)峰的半高宽小于50arcsec。

本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。