掌桥专利:专业的专利平台
掌桥专利
首页

器件的使用寿命测试方法、装置、电子设备及存储介质

文献发布时间:2024-04-18 20:02:40


器件的使用寿命测试方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本公开涉及器件测试技术领域,尤其涉及一种器件的使用寿命测试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

器件经过长期贮存会出现主要性能参数漂移、材料性能下降等问题,因此,器件的使用寿命测试对保障电子设备可靠使用具有重要意义。然而,当前在对器件进行空间环境贮存寿命测试时,需要依靠自然贮存试验获取数据进行寿命测试,会存在成本高、可操作性低、时间长等问题,不能快速准确地对器件进行空间环境贮存寿命测试。

有鉴于此,如何快速准确地对器件进行空间环境贮存寿命测试成为亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此,本公开的目的在于提出一种器件的使用寿命测试方法、装置、电子设备及存储介质用以解决或部分解决上述技术问题。

基于上述目的,本公开的第一方面提出了一种器件的使用寿命测试方法,所述方法包括:

确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果;

基于所述待测器件的生产工艺判断所述待测器件是否为双极型器件;

响应于确定所述待测器件是双极型器件,对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果,基于所述第一使用寿命结果和所述第二使用寿命结果确定所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果;

响应于确定所述待测器件不是双极型器件,将所述第一使用寿命结果作为所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。

基于同一个发明构思,本公开的第二方面提出了一种器件的使用寿命测试装置,包括:

测试模块,被配置为确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果;

判断模块,被配置为基于所述待测器件的生产工艺判断所述待测器件是否为双极型器件;

第一确定模块,被配置为响应于确定所述待测器件是双极型器件,对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果,基于所述第一使用寿命结果和所述第二使用寿命结果确定所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果;

第二确定模块,被配置为响应于确定所述待测器件不是双极型器件,将所述第一使用寿命结果作为所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。

基于同一发明构思,本公开的第三方面提出了一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可由所述处理器执行的计算机程序,所述处理器在执行所述计算机程序时实现如上所述的方法。

基于同一发明构思,本公开的第四方面提出了一种非暂态计算机可读存储介质,所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令,所述计算机指令用于使计算机执行如上所述的方法。

从上面所述可以看出,本公开提供的器件的使用寿命测试方法、装置、电子设备及存储介质。确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。通过模拟空间环境确定温度循环加速因子,从而对待测器件进行环境贮存测试,同时可以降低温度加速因子数据获取的成本以及时间,同时可操作性较高。通过对待测器件是否为双极型器件进行判断,可以对待测器件有准对性地进行低剂量率损伤增强加速模拟试验。当待测器件为双极型器件时,待测器件还会受到空间环境中辐射环境的影响,基于待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果和辐射应力条件下的第二使用寿命结果,确定待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果,使得确定的目标使用寿命结果更加全面准确。

附图说明

为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施例的器件的使用寿命测试方法的流程图;

图2为本公开实施例的器件是空间环境贮存寿命测试方法的流程图;

图3为本公开实施例的器件的使用寿命测试装置的结构示意图;

图4为本公开实施例的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。

需要说明的是,除非另外定义,本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。

基于背景技术的描述,器件经过长期贮存会出现主要性能参数漂移、材料性能下降等问题,器件的使用寿命测试对保障电子设备可靠使用具有重要意义。在地面应用环境下,器件贮存寿命及可靠性测试主要依托自然贮存或者加速贮存试验进行考核。为保障器件在空间环境下的应用可靠性,需要对器件所处的空间环境进行分析,结合试验对器件的空间环境贮存寿命及可靠性进行测试。

在空间应用环境下,影响器件寿命的因素主要有空间热环境和空间粒子辐射环境。空间环境中温度差较大,器件受到温变应力和热失配现象,内部结构会承受周期性机械应力,最终产生裂纹并扩展,或出现分层现象。此外,空间实际辐射环境为低剂量率辐射环境,辐射环境的辐射剂量率约为10-4~10-2rad(Si)/s。当作用于双极型器件时,会引起低剂量率损伤增强(Enhanced Low Dose Rate Sensitivity,简称ELDRS)效应,属于电离辐射效应,具有长期累积的特点,对器件造成的损伤是逐渐加重的。因此需要对双极型器件的ELDRS效应累积设计加速模拟试验进行测试。因此对空间环境下应用的器件,需要开展温度循环加速贮存试验和ELDRS加速模拟试验,对器件的空间环境贮存寿命及可靠性进行测试。

如上所述,如何快速准确地对器件进行空间环境贮存寿命测试,成为了一个重要的研究问题。

基于上述描述,如图1所示,本实施例提出的器件的使用寿命测试方法,所述方法包括:

步骤101,确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

具体实施时,对待测器件进行温度循环加速贮存试验时,确定对待测器件进行温度循环加速贮存试验的温度循环加速因子,基于温度循环加速因子建立加速贮存寿命测试模型,通过加速贮存寿命测试模型对待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。其中,第一使用寿命结果为待测器件在温度应力条件下使用寿命时长的预测结果。

其中,加速贮存寿命测试模型为科芬-曼森模型(Coffin-Manson模型)。Coffin-Manson模型也称恶化模型或者疲劳模型,是一种描述材料疲劳寿命的模型。Coffin-Manson模型描述的是温度循环与器件寿命的关系。

步骤102,基于所述待测器件的生产工艺判断所述待测器件是否为双极型器件。

具体实施时,双极型器件是指基本构成元件有两个极性的器件,例如二极管和晶体管。双极型器件在空间环境中会受到空间粒子辐射环境的影响,当空间实际辐射环境中的低剂量率辐射作用于双极型器件时,会引起ELDRS效应。

基于待测器件的生产工艺判断待测器件是否为双极型器件,当待测器件为双极型器件时,对待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验(即ELDRS加速模拟试验),使得对待测器件的空间环境贮存寿命测试更加全面。

双极型器件的制造工艺非常复杂,需要对半导体材料进行多次扩散和离子注入,而单极型器件的制造工艺则相对简单。基于待测器件的生产工艺可以准确地判断待测器件是否为双极型器件。

步骤103,响应于确定所述待测器件是双极型器件,对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果,基于所述第一使用寿命结果和所述第二使用寿命结果确定所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。

具体实施时,当待测器件是双极型器件时,确定待测器件在空间环境中会受到空间粒子辐射环境的影响,对待测器件进行ELDRS加速模拟试验,得到待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果。其中,第二使用寿命结果为待测器件是否通过ELDRS加速模拟试验。

当待测器件为双极型器件时,基于第一使用寿命结果和第二使用寿命结果确定待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。目标使用寿命结果可以表示为待测器件在温度应力条件下的使用寿命时长预测结果,以及是否通过ELDRS加速模拟试验。

例如,双极型器件的待测器件的目标使用寿命结果,可以表示为待测器件在温度应力条件下的使用寿命时长预测结果为10年,且待测器件通过ELDRS加速模拟试验。

步骤104,响应于确定所述待测器件不是双极型器件,将所述第一使用寿命结果作为所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。

具体实施时,当待测器件不是双极型器件时,确定待测器件在空间环境中不会受到空间粒子辐射环境的影响,不需要对待测器件进行ELDRS加速模拟试验,直接将第一使用寿命结果作为待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。目标使用寿命结果可以表示为待测器件在应力条件下的使用寿命时长预测结果。

通过上述实施例,确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。通过模拟空间环境确定温度循环加速因子,从而对待测器件进行环境贮存测试,同时可以降低温度加速因子数据获取的成本以及时间,同时可操作性较高。通过对待测器件是否为双极型器件进行判断,可以对待测器件有准对性地进行低剂量率损伤增强加速模拟试验。当待测器件为双极型器件时,待测器件还会受到空间环境中辐射环境的影响,基于待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果和辐射应力条件下的第二使用寿命结果,确定待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果,使得确定的目标使用寿命结果更加全面准确。

在一些实施例中,步骤101包括:

步骤1011,确定所述待测器件的第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围。

在一些实施例中,步骤1011包括:

步骤1011A,确定所述待测器件中每个待测器件的样本温度变化范围。

步骤1011B,基于所述样本温度变化范围将所述待测器件分为第一样本待测器件和第二样本待测器件。

步骤1011C,确定所述第一样本待测器件对应的所述第一样本温度变化范围,以及所述第二样本待测器件对应的所述第二样本温度变化范围。

具体实施时,温度变化范围为待测器件能够承受的温度应力极限水平。确定待测器件的第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围,具体包括:所述待测器件为至少一个。从所述待测器件中确定至少一个样本待测器件,基于所述至少一个样本待测器件对应的器件手册确定所述至少一个样本待测器件中第一样本待测器件对应的第一样本温度变化范围,以及所述至少一个样本待测器件中第二样本待测器件对应的第二样本温度变化范围。

例如,从待测器件中抽取10个样本待测器件,对10个样本待测器件进行温度循环摸底试验。获取样本待测器件的器件结构、器件材料和器件制造工艺所能够承受的极限应力水平,以确定待测器件的加速贮存试验的应力条件。具体地,基于样本待测器件的器件手册确定其中5个样本待测器件的第一样本温度变化范围ΔT

在步骤1011之前,还包括:对待测器件进行初始电性能测试和结构分析。对待测器件进行初始电性能测试,确定所述待测器件通过初始电性能测试,以确定所述待测器件的测试参数覆盖器件详细规范或者器件手册中规定的主要电参数表。对待测器件进行结构分析,可以是从待测器件中抽取一个待测器件进行结构分析试验,获取待测器件的初始结构工艺状态和初始结构数据,其中结构数据包括引线键合强度数据。

步骤1012,通过温度循环摸底试验,确定所述第一样本温度变化范围对应的第一失效循环数,以及所述第二样本温度变化范围对应的第二失效循环数。

具体实施时,对进行过温度循环摸底试验后的样本待测器件进行电性能测试,分别在第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围两种温度应力水平下,对样本待测器件进行结构分析,得到样本待测器件的目标结构工艺状态和目标结构数据,对初始结构数据和目标结构数据进行比对处理。

例如,从样本待测器件中抽取两个样本待测器件,将两个样本待测器件分别在第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围两种温度应力水平下进行结构分析,得到待测器件在两个样本温度变化范围下的目标结构数据,将目标结构数据与初始结构数据进行比对处理。

通过温度循环摸底试验,获取第一样本温度变化范围对应的第一失效循环数N

步骤1013,基于所述第一样本温度变化范围、所述第二样本温度变化范围、所述第一失效循环数和所述第二失效循环数,确定加速贮存寿命测试模型的模型指数。

在一些实施例中,步骤1013包括:

步骤1013A,基于所述第一样本温度变化范围、所述第二样本温度变化范围、所述第一失效循环数和所述第二失效循环数,确定加速贮存寿命测试模型的模型指数,

其中,q为所述模型指数,ΔT

具体实施时,加速贮存寿命测试模型的模型指数即Coffin-Manson模型的温度循环q指数。

针对温度循环加速贮存试验,通过Coffin-Manson模型来进行器件寿命预测,得到第一使用寿命结果。

失效循环数公式表示为:

N

其中,N

对第一失效循环数N

其中,q为所述模型指数,ΔT

将第一样本温度变化范围、第二样本温度变化范围、第一失效循环数和第二失效循环数代入失效循环数比值公式,确定加速贮存寿命测试模型的模型指数q。

步骤1014,获取温度循环加速贮存试验对应的试验温度变化范围,以及空间环境对应的环境温度变化范围。

具体实施时,试验温度变化范围为对待测器件进行温度循环加速贮存试验对应的温度变化范围。环境温度变化范围为待测器件处于空间环境贮存条件下对应的温度变化范围。

分别获取试验温度变化范围ΔT

步骤1015,对所述模型指数、所述试验温度变化范围和所述环境温度变化范围进行运算处理,得到所述温度循环加速因子。

在一些实施例中,步骤1015包括:

步骤1015A,对所述模型指数、所述试验温度变化范围和所述环境温度变化范围进行运算处理,得到所述温度循环加速因子,

其中,AF为所述温度循环加速因子,ΔT

具体实施时,对环境失效循环数N

其中,AF为所述温度循环加速因子,N

另外,还可以根据温度循环加速因子和试验温度变化范围,确定环境温度变化范围以及对应的环境失效循环数。

通过上述方案,通过对待测器件进行循环摸底试验,可以准确地确定待测器件的第一温度变化范围和第二温度变化范围。这样,基于第一温度变化范围和第二温度变化范围确定的加速贮存寿命测试模型的模型指数q更加准确,从而进一步基于模型指数确定温度循环加速因子,使得确定的温度循环加速因子更加准确。

在一些实施例中,步骤101包括:

步骤1016,根据所述温度循环加速因子建立加速贮存寿命测试模型。

步骤1017,基于所述加速贮存寿命测试模型对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

具体实施时,确定加速贮存寿命测试模型的激活能,利用温度循环加速因子和激活能建立加速贮存寿命测试模型。通过加速贮存寿命测试模型对待测器件进行温度应力条件下的使用寿命进行预测,得到第一使用寿命结果。

具体地,利用温度循环加速因子和激活能确定的加速贮存寿命测试模型中存储有各个温度变化范围对应的使用寿命结果,将待测器件对应的目标温度变化范围输入加速贮存寿命测试模型,输出得到待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

通过上述方案,基于建立的加速贮存寿命测试模型可以对待测器件进行温度循环加速贮存试验,从而准确地确定待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

在一些实施例中,步骤103包括:

步骤1031,对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验。

步骤1032,响应于所述低剂量率损伤增强加速模拟试验中的总剂量水平达到预设的剂量阈值,判断所述待测器件是否通过所述低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到判断结果。

步骤1033,基于所述判断结果生成所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果。

具体实施时,对待测器件进行ELDRS加速模拟试验,逐步升高辐射环境中辐射的总剂量水平。当总剂量水平达到预设的剂量阈值时,停止升高辐射环境中辐射的总剂量水平,并对待测器件状态进行判断,从而确定待测器件是否通过低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到判断结果。基于判断结果生成待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果。其中,第二使用寿命结果包括:待测器件通过ELDRS加速模拟试验,或者,待测器件未通过ELDRS加速模拟试验。

例如,预设的剂量阈值为100krad(Si),则对待测器件进行ELDRS加速模拟试验时,逐步升高辐射环境中辐射的总剂量水平,当总剂量水平达到100krad(Si)时,停止升高辐射环境中辐射的总剂量水平,并判断待测器件是否通过ELDRS加速模拟试验。

除此之外,还可以通过恒高温辐照法、高剂量率辐照加高温退火法、氢氛围中辐照法、开关剂量率加速辐照法、过量辐照法等方法进行ELDRS加速模拟试验,减少辐射照试验时间。

通过上述方案,通过对待测器件进行ELDRS加速模拟试验,从而确定待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果。这样,对于双极型的待测器件,可以进一步确定辐射应力条件下的第二使用寿命结果,从而使得确定的待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果更加全面准确。

通过上述实施例,确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。通过模拟空间环境确定温度循环加速因子,从而对待测器件进行环境贮存测试,同时可以降低温度加速因子数据获取的成本以及时间,同时可操作性较高。通过对待测器件是否为双极型器件进行判断,可以对待测器件有准对性地进行低剂量率损伤增强加速模拟试验。当待测器件为双极型器件时,待测器件还会受到空间环境中辐射环境的影响,基于待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果和辐射应力条件下的第二使用寿命结果,确定待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果,使得确定的目标使用寿命结果更加全面准确。

需要说明的是,本公开的实施例还可以以下方式进一步描述:

如图2所示,图2为本公开实施例的器件是空间环境贮存寿命测试方法的流程图。包括:

步骤201,初始电性能测试与结构分析。

在温度循环加速贮存试验前,对每个待测器件进行初始电性能测试,待测器件的测试参数应覆盖器件详细规范或手册中规定的主要电参数表。进行温度循环加速贮存试验的待测器件,应经过初始电性能测试并测试合格。

抽取1个待测器件开展结构分析试验,以获取待测器件的结构工艺状态和结构数据(如引线键合强度数据)。

步骤202,温度循环摸底试验。

从待测器件中抽取10个样本待测器件进行温度循环摸底试验,获取样本待测器件的器件结构、器件材料和器件制造工艺所能够承受的极限应力水平,以确定待测器件的加速贮存试验的应力条件。其中5个样本待测器件的第一样本温度变化范围的上下限根据器件手册确定,假定第一样本温度变化范围ΔT

步骤203,温度循环摸底试验后电性能测试与结构分析。

对进行过温度循环摸底试验后的样本待测器件进行电性能测试,分别在第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围两种温度应力水平下,各抽取1个样本待测器件进行结构分析,与试验前的结构数据进行对比。通过温度循环摸底试验,获取第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围两种温度应力水平下分别对应的第一失效循环数N

步骤204,根据温度循环加速贮存试验数据确定温度循环q值。

针对温度循环加速贮存试验,使用Coffin-Manson模型来进行元器件寿命预测:

N

其中,N

基于上述公式确定Coffin-Manson模型的温度循环q指数。

步骤205,开展温度循环加速贮存试验。

确定温度循环加速贮存试验的试验温度变化范围ΔT

步骤206,获取器件空间环境温度循环寿命。

利用温度循环加速因子和激活能,建立加速贮存寿命测试模型,从而确定待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

进行试验数据处理,获取温度循环加速因子。温度循环加速贮存试验的温度循环加速因子为环境失效循环数和试验失效循环数之比:

其中,AF为所述温度循环加速因子,N

另外,还可以根据温度循环加速因子和试验温度变化范围,确定环境温度变化范围以及对应的环境失效循环数。

步骤207,对待测器件是否为双极型器件进行判断。若待测器件是双极型器件,则执行步骤208;若待测器件不是双极型器件,则结束。

步骤208,ELDRS加速模拟试验。

对待测器件进行ELDRS加速模拟试验,逐步升高辐射环境中辐射的总剂量水平。当总剂量水平达到100krad(Si)时,停止升高辐射环境中辐射的总剂量水平,并判断待测器件是否通过ELDRS加速模拟试验。

除此之外,还可以通过恒高温辐照法、高剂量率辐照加高温退火法、氢氛围中辐照法、开关剂量率加速辐照法、过量辐照法等方法进行ELDRS加速模拟试验,减少辐射照试验时间。

在对待测器件进行温度循环加速贮存试验和ELDRS加速模拟试验之前,根据加速试验理论和实践经验,做出以下假设:

1)待测器件退化不可逆,且在温度循环加速贮存试验开始前的退化可以忽略;

2)累积损伤模型假设。待测器件性能退化量的退化速率与退化量的累积方式无关,仅与退化量和当前所承受的应力有关;

3)退化机理一致性假设。加速试验过程中,在任意加载下的待测器件退化模型不变,始终符合相同的分布,且在同一应力下所受到的环境影响是一样,即在退化过程中满足退化机理一致性假设。

通过上述实施例,统筹考虑了空间环境特点及其对待测器件贮存可靠性的影响,有针对性的分别开展温度循环加速贮存试验和ELDRS加速模拟试验。同时,避免了传统依靠自然贮存试验获取数据进行寿命评价方法的成本较高、可操作性较低、时间较长的问题,通过模拟空间环境进行温度循环加速贮存试验,获取温度循环加速因子和第一使用寿命结果。

需要说明的是,本公开实施例的方法可以由单个设备执行,例如一台计算机或服务器等。本实施例的方法也可以应用于分布式场景下,由多台设备相互配合来完成。在这种分布式场景的情况下,这多台设备中的一台设备可以只执行本公开实施例的方法中的某一个或多个步骤,这多台设备相互之间会进行交互以完成所述的方法。

需要说明的是,上述对本公开的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下,在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外,在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中,多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。

基于同一发明构思,与上述任意实施例方法相对应的,本公开还提供了一种器件的使用寿命测试装置。

参考图3,所述器件的使用寿命测试装置,包括:

测试模块301,被配置为确定待测器件的温度循环加速因子,根据所述温度循环加速因子对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果;

判断模块302,被配置为基于所述待测器件的生产工艺判断所述待测器件是否为双极型器件;

第一确定模块303,被配置为响应于确定所述待测器件是双极型器件,对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果,基于所述第一使用寿命结果和所述第二使用寿命结果确定所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果;

第二确定模块304,被配置为响应于确定所述待测器件不是双极型器件,将所述第一使用寿命结果作为所述待测器件在空间环境贮存条件下的目标使用寿命结果。

在一些实施例中,所述测试模块301,包括:

第一确定单元,被配置为确定所述待测器件的第一样本温度变化范围和第二样本温度变化范围;

第二确定单元,被配置为通过温度循环摸底试验,确定所述第一样本温度变化范围对应的第一失效循环数,以及所述第二样本温度变化范围对应的第二失效循环数;

第三确定单元,被配置为基于所述第一样本温度变化范围、所述第二样本温度变化范围、所述第一失效循环数和所述第二失效循环数,确定加速贮存寿命测试模型的模型指数;

获取单元,被配置为获取温度循环加速贮存试验对应的试验温度变化范围,以及空间环境对应的环境温度变化范围;

运算处理单元,被配置为对所述模型指数、所述试验温度变化范围和所述环境温度变化范围进行运算处理,得到所述温度循环加速因子。

在一些实施例中,所述第一确定单元,包括:

第一确定子单元,被配置为确定所述待测器件中每个待测器件的样本温度变化范围;

分类子单元,被配置为基于所述样本温度变化范围将所述待测器件分为第一样本待测器件和第二样本待测器件;

第二确定子单元,被配置为确定所述第一样本待测器件对应的所述第一样本温度变化范围,以及所述第二样本待测器件对应的所述第二样本温度变化范围。

在一些实施例中,所述第三确定单元,包括:

第三确定子单元,被配置为基于所述第一样本温度变化范围、所述第二样本温度变化范围、所述第一失效循环数和所述第二失效循环数,确定加速贮存寿命测试模型的模型指数,

其中,q为所述模型指数,ΔT

在一些实施例中,所述运算处理单元,包括:

运算处理子单元,被配置为对所述模型指数、所述试验温度变化范围和所述环境温度变化范围进行运算处理,得到所述温度循环加速因子,

其中,AF为所述温度循环加速因子,ΔT

在一些实施例中,所述测试模块301,包括:

模型建立单元,被配置为根据所述温度循环加速因子建立加速贮存寿命测试模型;

第一试验单元,被配置为基于所述加速贮存寿命测试模型对所述待测器件进行温度循环加速贮存试验,得到所述待测器件在温度应力条件下的第一使用寿命结果。

在一些实施例中,所述第一确定模块303,包括:

第二试验单元,被配置为对所述待测器件进行低剂量率损伤增强加速模拟试验;

判断单元,被配置为响应于所述低剂量率损伤增强加速模拟试验中的总剂量水平达到预设的剂量阈值,判断所述待测器件是否通过所述低剂量率损伤增强加速模拟试验,得到判断结果;

生成单元,被配置为基于所述判断结果生成所述待测器件在辐射应力条件下的第二使用寿命结果。

为了描述的方便,描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然,在实施本公开时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。

上述实施例的装置用于实现前述任一实施例中相应的器件的使用寿命测试方法,并且具有相应的方法实施例的有益效果,在此不再赘述。

基于同一发明构思,与上述任意实施例方法相对应的,本公开还提供了一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现上任意一实施例所述的器件的使用寿命测试方法。

图4示出了本实施例所提供的一种更为具体的电子设备硬件结构示意图,该设备可以包括:处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030、通信接口1040和总线1050。其中处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030和通信接口1040通过总线1050实现彼此之间在设备内部的通信连接。

处理器1010可以采用通用的CPU(Central Processing Unit,中央处理器)、微处理器、应用专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、或者一个或多个集成电路等方式实现,用于执行相关程序,以实现本说明书实施例所提供的技术方案。

存储器1020可以采用ROM(Read Only Memory,只读存储器)、RAM(Random AccessMemory,随机存取存储器)、静态存储设备,动态存储设备等形式实现。存储器1020可以存储操作系统和其他应用程序,在通过软件或者固件来实现本说明书实施例所提供的技术方案时,相关的程序代码保存在存储器1020中,并由处理器1010来调用执行。

输入/输出接口1030用于连接输入/输出模块,以实现信息输入及输出。输入输出/模块可以作为组件配置在设备中(图中未示出),也可以外接于设备以提供相应功能。其中输入设备可以包括键盘、鼠标、触摸屏、麦克风、各类传感器等,输出设备可以包括显示器、扬声器、振动器、指示灯等。

通信接口1040用于连接通信模块(图中未示出),以实现本设备与其他设备的通信交互。其中通信模块可以通过有线方式(例如USB(Universal Serial Bus,通用串行总线)、网线等)实现通信,也可以通过无线方式(例如移动网络、WIFI(Wireless Fidelity,无线网络通信技术)、蓝牙等)实现通信。

总线1050包括一通路,在设备的各个组件(例如处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030和通信接口1040)之间传输信息。

需要说明的是,尽管上述设备仅示出了处理器1010、存储器1020、输入/输出接口1030、通信接口1040以及总线1050,但是在具体实施过程中,该设备还可以包括实现正常运行所必需的其他组件。此外,本领域的技术人员可以理解的是,上述设备中也可以仅包含实现本说明书实施例方案所必需的组件,而不必包含图中所示的全部组件。

上述实施例的电子设备用于实现前述任一实施例中相应的器件的使用寿命测试方法,并且具有相应的方法实施例的有益效果,在此不再赘述。

基于同一发明构思,与上述任意实施例方法相对应的,本公开还提供了一种非暂态计算机可读存储介质,所述非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令,所述计算机指令用于使所述计算机执行如上任一实施例所述的器件的使用寿命测试方法。

本实施例的计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括,但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带,磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质,可用于存储可以被计算设备访问的信息。

上述实施例的存储介质存储的计算机指令用于使所述计算机执行如上任一实施例所述的器件的使用寿命测试方法,并且具有相应的方法实施例的有益效果,在此不再赘述。

所属领域的普通技术人员应当理解:以上任何实施例的讨论仅为示例性的,并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子;在本公开的思路下,以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合,步骤可以以任意顺序实现,并存在如上所述的本公开实施例的不同方面的许多其它变化,为了简明它们没有在细节中提供。

另外,为简化说明和讨论,并且为了不会使本公开实施例难以理解,在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外,可以以框图的形式示出装置,以便避免使本公开实施例难以理解,并且这也考虑了以下事实,即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本公开实施例的平台的(即,这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如,电路)以描述本公开的示例性实施例的情况下,对本领域技术人员来说显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本公开实施例。因此,这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。

尽管已经结合了本公开的具体实施例对本公开进行了描述,但是根据前面的描述,这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如,其它存储器架构(例如,动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。

本公开实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此,凡在本公开实施例的精神和原则之内,所做的任何省略、修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。

相关技术
  • 闪存器件可靠性测试方法、存储介质及电子设备
  • Monkey测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
  • 保险产品的测试方法及装置、存储介质及电子设备
  • 接口测试方法、接口测试装置、电子设备及存储介质
  • 联网软件升级测试方法、装置、电子设备和存储介质
  • 发光器件的测试方法、装置、存储介质及电子设备
  • 半导体器件测试方法及装置、电子设备、存储介质
技术分类

06120116586277