光学调制器的控制

本申请要求于2018年10月18日提交的题为“光学调制器的控制”的美国申请号62/747,518的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及光学调制器的控制。例如，可以控制光学调制器中的光学泄漏。光学调制器可以是极紫外(EUV)光源和/或光刻系统的一部分。

背景技术

极紫外线(“EUV”)光(例如，具有以下要求的波长的电磁辐射：波长为100纳米(nm)或更小(有时也称为软X射线)并且包括波长为例如20nm或更小、介于5nm至20nm之间或介于13nm与14nm之间的光)可以用于光刻工艺以例如在硅晶片的衬底中通过在抗蚀剂层中引发聚合而产生极小特征。

产生EUV光的方法包括但不限于：对包括例如氙、锂或锡等元素的材料进行转换，该材料在等离子体态下具有处于EUV范围内的发射线。在一种这样的方法(通常称为激光产生等离子体(“LPP”))中，所需的等离子体可以通过使用可称为驱动激光的放大光束对例如微滴、板、带、流或材料簇的形式的目标材料进行照射来产生。对于该过程，通常在密封容器(例如，真空腔室)中产生等离子体，并且使用各种类型的计量设备对该等离子体进行监测。

发明内容

在一个总体方面中，一种用于极紫外(EUV)光源的装置包括光学调制系统，该光学调制系统包括电光材料，该光学调制系统被配置为接收脉冲光束，该脉冲光束包括在时间上彼此分开的多个光脉冲；以及控制系统，该控制系统被配置为控制电源，使得：在第一光脉冲入射在电光材料上的同时第一电脉冲被施加向电光材料，在第二光脉冲入射在电光材料上的同时第二电脉冲被施加至电光材料，并且在第一光脉冲入射在电光材料上之后并且在第二光脉冲入射在电光材料上之前，中间电脉冲被施加至电光材料。

各实现方式可能包括以下特征中的一个或多个特征。施加到电光材料的第一电脉冲可以在电光材料中引起物理效应，并且当向电光材料施加中间电脉冲时，物理效应可以存在于电光材料中。物理效应可以包括在电光材料中行进的声波和/或机械应变。向电光材料施加中间电脉冲可能会减少物理效应。

第一光脉冲和第二光脉冲可以是脉冲光束中的连续光脉冲。

控制系统可以被配置为控制第一电脉冲与中间电脉冲之间的时间量。

电光材料可以包括半导体。

电光材料可以包括绝缘体。

电光材料可以包括电光晶体。

该装置还可以包括至少一个基于偏振的光学元件。

在另一总体方面中，一种用于形成光学脉冲的装置包括光学调制系统，该光学调制系统包括电光材料，该光学调制系统被配置为在开启状态透射光并且在关闭状态阻挡光；并且调制系统被配置为接收脉冲光束，该脉冲光束至少包括在时间上彼此分开的第一光脉冲和第二光脉冲。控制系统可以耦合到电压源，该控制系统被配置为：通过在第一光脉冲入射在电光调制器上的同时使得电压源向电光调制器施加第一电压脉冲来生成第一形成的光学脉冲，第一电压脉冲被配置为将电光调制器切换到开启状态；向电光材料施加中间电压脉冲；以及通过在施加第一电压脉冲和中间电压脉冲之后并且在第二光脉冲入射在电光材料上的同时向电光材料施加第二电压脉冲来生成第二形成的光学脉冲。第二电压脉冲被配置为将电光调制器切换到开启状态，并且第二形成的光学脉冲的特性通过向电光材料施加中间电压脉冲电光材料来控制。

各实现方式可能包括以下特征中的一个或多个特征。第二形成的光学脉冲可以包括基座部分和主部分，并且第二形成的光学脉冲的特性可以包括基座的特性，使得基座部分的特性通过向电光材料施加中间电压脉冲来控制。基座部分和主部分可以在时间上连续。基座部分的特性可以是基座部分的持续时间、最大强度和/或平均强度。

向电光材料施加中间电压脉冲可以修改处于关闭状态的光学调制系统所透射的光学泄漏的光的量。向电光材料施加中间电压脉冲可以减少处于关闭状态的光学调制系统所透射的光学泄漏的光的量。

在一些实现方式中，控制系统使得在第一时间向电光材料施加第一电压脉冲，控制系统使得在第一时间之后的第二时间向电光材料施加中间电压脉冲，第二时间和第一时间在时间上由延迟时间分开，并且控制系统还被配置为调整延迟时间，从而控制第二形成的光学脉冲的特性。

控制系统还可以被配置为控制中间电压脉冲的幅度、持续时间和/或相位。

控制系统还可以被配置为：接收对基座部分的测量特性的指示，并且基于所接收的指示来调整中间电压脉冲的特性。

控制系统还可以被配置为：接收等离子体所产生的极紫外(EUV)光的量的指示，并且基于所接收的EUV光的量的指示来调整中间电压脉冲的特性。控制系统被配置为调整中间电压脉冲的特性可以包括：控制系统被配置为调整中间电压脉冲的幅度、中间电压脉冲的持续时间、中间电压脉冲的相位和/第二时间，第二时间是向电光材料施加中间电压脉冲的时间。

在另一总体方面中，一种调整光学脉冲的特性的方法包括：通过在光入射在光学调制系统上的同时向光学调制系统的电光材料施加第一电压脉冲来形成第一光脉冲；在施加第一电压脉冲之后，向电光材料施加中间电压脉冲；并且在第一电压脉冲和中间电压脉冲之后并且在光入射在电光材料上的同时通过向电光材料施加第二电压脉冲来形成第二光脉冲。基于中间电压脉冲的施加来调整光学脉冲的特性。

各实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。第一光脉冲可以被放大以形成经放大的第一光学脉冲；可以接收从通过使经放大的第一光学脉冲与目标材料相互作用而产生的等离子体发射的极紫外(EUV)光的量的指示；并且可以基于所接收的从等离子体发射的EUV光的量的指示来确定中间电压脉冲的至少一个特性。中间电压脉冲的至少一个特性可以包括在施加第一电压脉冲之后的时间延迟，并且确定中间电压脉冲的至少一个特性可以包括：基于所接收的从等离子体发射的EUV光的量的指示来确定时间延迟。中间电压脉冲的至少一个特性可以包括中间电压脉冲的幅度和/或持续时间，并且确定中间电压脉冲的至少一个特性可以包括：确定中间电压脉冲的幅度和/或持续时间。

在一些实现方式中，第二光学脉冲包括基座部分和主部分，并且基座部分的特性基于施加中间电压脉冲来调整。基座部分可以在时间上与主部分连续。

在另一总体方面中，一种极紫外(EUV)光源包括容器；目标材料供应装置，该目标材料供应装置被配置为耦合到容器；光学调制系统，该光学调制系统被配置为定位成接收脉冲光束，该光学调制系统包括电光材料；以及控制系统，该耦合系统耦合到电压源，该控制系统被配置为：使得电压源向电光材料施加多个形成电压脉冲，该多个形成电压脉冲中的每个形成电压脉冲在不同时间被施加到电光材料；并且使得电压源向电光材料施加至少一个中间电压脉冲，该至少一个中间电压脉冲在多个形成电压脉冲中的两个形成电压脉冲之间被施加到电光材料。

各实现方式包括以下特征中的一个或多个特征。目标材料供应装置可以被配置为向容器中的目标区域提供多个目标材料微滴，该目标材料微滴以目标递送速率到达目标区域，并且控制系统以取决于目标递送速率的形成速率向电光材料施加形成电压脉冲。

中间电压脉冲的特点可以包括幅度和/或相位，并且控制系统还可以被配置为：访问与形成速率相关联存储的幅度和/或相位，并且使得电压源产生具有所访问的幅度和/或相位的中间电压脉冲。该控制系统还可以被配置为控制在施加形成电压脉冲中的一个形成电压脉冲与施加中间电压脉冲中的一个中间电压脉冲之间的时间延迟。

EUV光源还可以包括光学放大器。每当形成电压脉冲被施加到电光材料上时，就可以形成光学脉冲；所形成的光学脉冲可以由光学放大器放大以形成经放大光学脉冲；控制系统还可以被配置为耦合到计量系统，该计量系统被配置为测量容器中的等离子体所产生的EUV光的量，等离子体可以通过使用所形成的经放大光学脉冲照射目标材料来形成，控制系统可以被配置为从计量系统接收所测量的EUV光的量；并且控制系统可以被配置为基于所测量的EUV光的量来修改中间电压脉冲的一个或多个特点。中间电压脉冲的一个或多个特点可以包括中间电压脉冲的幅度、中间电压脉冲的持续时间、中间电压脉冲的相位、和/或在施加最新近的形成电压脉冲之后的延迟时间。

上文所描述的技术中的任何技术的实现方式可以包括EUV光源、系统、方法、过程、设备、或装置。在附图和以下描述中对一个或多个实现方式的细节进行阐述。根据说明书和附图以及根据权利要求书，其他特征将是显而易见的。

附图说明

图1是EUV光刻系统的示例的框图。

图2A是调制系统的示例的框图。

图2B是光学脉冲的示例的图示。

图2C是由图2B的光学脉冲形成的经修改光学脉冲的示例的图示。

图3A是光束随时间的示例的图示。

图3B是电信号随时间的示例的图示。

图4是用于控制照射光学脉冲的特性的过程的示例的流程图。

图5和图6是光刻装置的示例的框图。

图7是EUV光源的示例的框图。

具体实施方式

描述了用于控制电光调制器的光学泄漏的技术。电光调制器用于调制初始光束以形成经修改光学脉冲。电光调制器包括电光材料。电信号(例如，具有有限持续时间的电压脉冲)被施加到电光材料以改变电光材料的折射率，使得调制初始光束并形成经修改光学脉冲。在施加电信号之后，向电光材料施加中间电信号。如下文所更详细地讨论的，向电光材料施加中间电信号允许控制电光调制器的光学泄漏。中间电信号减轻、改变或控制由电信号所生成的声波。控制声波还控制电光调制器的光学泄漏量，从而允许控制后续形成的(或稍后形成的)经修改光学脉冲的特点或特性。

参考图1，示出了系统100的框图。该系统100是EUV光刻系统的示例。系统100包括EUV光源101，该EUV光源101向光刻装置195提供EUV光196。光刻装置195使用EUV光196曝光晶片(例如，硅晶片)以在晶片上形成电子特征。EUV光196从等离子体197发射，该等离子体197通过使用照射光学脉冲108照射目标118中的目标材料来形成。目标材料是以等离子体状态发射EUV光的任何材料(例如，锡)。

EUV光源101包括光学脉冲生成系统104，其从经修改光学脉冲107产生经放大光学脉冲108。光学脉冲生成系统104包括光源105，该光源105可以例如是脉冲(例如，调Q)或连续波二氧化碳(CO

调制系统120是电光调制器，其基于电光效应来调制光束106。电光效应描述了电光材料122的折射率的改变，该改变由施加电源123所生成的直流(DC)或低频电场124产生。电源123可以例如是电压源、函数生成器、或电源。通过在光束106入射在电光材料122上的同时控制电光材料122中的电光效应，调制系统120调制光束106的相位、偏振或幅度以形成脉冲107。

电场124可以用于控制调制系统120是否透射光。电场124可以用于控制电光材料122，使得仅光束106的某个或多个部分穿过电光材料122。这样，调制系统120从光束106的一部分形成脉冲107。

光学脉冲生成系统104还包括一个或多个光学放大器130，其中每个光学放大器包括路径111上的增益介质132。增益介质132通过泵浦接收能量并且将能量提供给脉冲107，使得脉冲107被放大成经放大或照射的光学脉冲108。脉冲107的放大量由放大器130的增益和介质132的增益确定。增益是放大器130提供给输入光束的能量的增加量或增加因子。

脉冲108在去往接收目标118的真空容器180的路径111上传播。脉冲108和目标118在真空容器180中的目标区域115处相互作用，并且该相互作用将目标118中的目标材料中的至少一些目标材料转换为发射EUV光196的等离子体197。

向电光材料122施加电场124会在材料122中产生声波。声波会在材料122中引起应变，并且即便不再向材料122施加电场124之后和/或在电场124的特性发生了改变之后，声波也可能持续。即便在预期材料122的折射率不会改变的时间段期间，声波所引起的应变也会改变材料122的折射率。折射率的这些改变可能导致光学泄漏。光学泄漏是当调制系统120处于光不应穿过调制系统120的状态时穿过调制器120的光。如下文所讨论的，电场124包括分量(例如，脉冲)，这些分量通过减轻和/或控制材料122中的残留声波来减轻和/或控制光学泄漏。

EUV光源101还包括计量系统182，该计量系统182相对于目标区域115定位。计量系统182包括一个或多个传感器184，该一个或多个传感器184被配置为感测EUV光196。计量系统182生成真空腔室180中(例如，目标区域115处)的EUV光196的量的表示。计量系统182经由通信链路183向控制系统175提供表示所测量的EUV光的量的数据。

在一些实现方式中，计量系统182还包括光学感测系统185，该光学感测系统185包括一个或多个光学传感器，该一个或多个光学传感器被配置为测量脉冲107和/或经放大脉冲108的特性。光学感测系统185可以包括任何传感器，其能够检测脉冲107和/或脉冲108中的一个或多个波长，使得感测系统185能够确定脉冲107和/或经放大脉冲108的特性(例如，基座(pedestal)部分的特性)。在图1的示例中，光学感测系统185是计量系统182的一部分，然而，光学感测系统185可以与计量系统182分开。例如，光学感测系统185可以被定位为接收调制系统120与光学放大器130之间的光学脉冲107的样本。光学感测系统185还可以向控制系统175提供与光学脉冲107和/或脉冲108的测量有关的数据。在一些实现方式中，控制系统175使用来自EUV传感器184和/或光学感测系统185的信息来设置和/或改变电场124的参数。

除了从计量系统182接收数据之外，控制系统175还经由通信接口176与脉冲生成系统104和/或脉冲生成系统104的部件中的任何部件交换数据和/或信息。例如，在一些实现方式中，控制系统175可以提供触发信号以操作调制系统120和/或光源105。在另一示例中，控制系统175可以针对辐射光学脉冲108的实例与目标118的实例之间的许多相互作用，从EUV传感器184接收所测量的EUV光的量，以确定电场124的特定参数或特性的许多可能设置中的哪个可能设置会导致生成最大量的EUV光。在又一示例中，控制系统175向电源123提供数据和/或信息，该电源123生成电场124。在该示例中，控制系统175所提供的数据确定电场124的各种特性，诸如例如，电场124的两个脉冲之间的幅度和/或时间延迟。

控制系统175包括电子处理器177、电子存储装置178、和输入/输出(I/O)接口179。电子处理器177包括一个或多个处理器，其适于执行诸如通用处理器或专用微处理器之类的计算机程序；以及任何类型的数字计算机中的任何一个或多个处理器。通常，电子处理器从只读存储器、随机存取存储器或两者接收指令和数据。电子处理器177可以是任何类型的电子处理器。

电子存储器178可以是诸如RAM之类的易失性存储器或非易失性存储器。在一些实现方式中，电子存储器178包括非易失性部分或部件和易失性部分或部件。电子存储装置178可以存储用于控制系统175和/或控制系统175的部件的操作的数据和信息。

电子存储装置178还可以存储可能作为计算机程序的指令，这些指令当被执行时，使得处理器177与控制系统175、调制系统120和/或光源105中的部件进行通信。例如，在源105是脉冲源的实现方式中，指令可以是使得电子处理器177生成导致光源105发射光学脉冲的信号的指令。

I/O接口179是允许控制系统175接收和/或提供数据和信号(其利用了操作员、调制系统120和/或光源105)，和/或在另一电子设备上运行的自动化过程的任何种类的电子接口。例如，I/O接口179可以包括以下各项中的一项或多项：视觉显示器、键盘、以及通信接口。

图2A是调制系统220的框图。该调制系统220是调制系统120(图1)的实现方式的示例。调制系统220包括电光材料122，该电光材料122在图2A所示的实现方式中位于电极223a、223b之间。电极223a、223b是可控制的，以在电极223a和223b之间形成电场。例如，控制系统175可以使得电压源223向电极223b提供电压信号214，使得电极223b保持处于与电极223a的电压不同的电压，从而产生跨电光材料122的电势差(V)或电场。

而且，调制系统220可以包括电光材料122的一个以上实例。例如，调制系统220可以包括两个电光材料122、三个电光材料122、或者适用于该应用的可以放置在光束路径111上的任何数目的电光材料。电光材料122的每个实例还包括相应电极223a、223b，该相应电极223a、223b是可控制的，以向该电光材料122施加电场。在包括电光材料122的一个以上实例的实现方式中，施加到每个电光材料122的电场可以相同，或电光场中的至少一些电光场可以不同。电光材料122可以作为一组由控制系统175控制，或各种电场可以由控制系统175的相应实例单独控制。

调制系统220还包括一个或多个基于偏振的光学元件224。在图2A的示例中，仅示出了一个基于偏振的光学元件224。然而，在其他实现方式中，可以包括附加的基于偏振的光学元件224。例如，第二基于偏振的光学元件224可以位于调制系统220的接收光束106的一侧上。更进一步地，基于偏振的光学元件224被示为与电光材料122物理分开，但其他实现方式也是可能的。例如，基于偏振的光学元件224可以是形成在电光材料122上的膜，使得光学元件224和电光材料122彼此接触。

基于偏振的光学元件224是基于光的偏振状态来与光相互作用的任何光学元件。例如，基于偏振的光学元件224可以是线性偏振器，其透射水平偏振光而阻挡垂直偏振光，或者反之。基于偏振的光学元件224可以是偏振分束器，其透射水平偏振光而反射垂直偏振光。基于偏振的光学元件224可以是如下的光学元件，该光学元件吸收除具有特定偏振态的光以外的所有光。在一些实现方式中，基于偏振的光学元件224可以包括四分之一波片。至少一个基于偏振的光学元件224被定位为接收穿过电光材料122的光，并且将特定偏振状态的光导向到光束路径111上。

如上文所讨论的，尽管图2示出了一种电光材料122和一个基于偏振的光学元件224，但是多于一个的——这些部件中的之一或两者——可以在光束路径111上彼此串联并且被包括在调制系统120中。例如，调制系统可以包括三个基于偏振的光学元件224和两个电光材料122，该两个电光材料122串联在光束路径111上，其中电光材料122中的每个电光材料122位于三个基于偏振的光学元件224中的两个基于偏振的光学元件224之间。

电光材料122可以是透射光束106的多个波长中的一个波长的任何材料。对于其中光束106包括波长为10.6微米(μm)的光的实现方式，材料122可以例如是碲化镉锌(CdZnTe或CZT)、碲化镉(CdTe)、碲化锌(ZnTe)和/或砷化镓(GaAs)。可以在其他波长处使用其他材料。例如，材料122可以是磷酸一钾(KDP)、磷酸二氢铵(ADP)、石英、氯化亚铜(CuCl)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、铌酸锂(LiNbO

电光材料122还表现出各向异性。在表现出各向异性的材料中，材料的特性(诸如折射率)在空间上不均匀。因此，可以通过施加可控制外力(诸如电势差(V))沿着一个或多个特定方向修改材料122的特性。例如，可以通过施加外力来控制传播通过材料122的光的不同偏振分量的折射率。因此，可以通过控制电极223a、223b之间的电势差(V)来控制穿过材料122的光的偏振态。

在理想操作下，仅当施加到材料122的电势差V使得穿过材料122的光的偏振状态与基于偏振的光学元件224的偏振条件相匹配时，调制系统220才透射光。例如，如果基于偏振的光学元件224是被定位为将水平偏振光透射到光束路径111上的线性偏振器并且光束106在初始入射在材料122上时是垂直偏振的，则仅当施加到材料122的电势差V改变了光束106的偏振状态，使得光束106在与基于偏振的光学元件224相互作用之前变为水平偏振时，才形成脉冲107。

在调制系统220被控制为有意透射光的任何时间，调制系统220被认为处于开启状态。例如，当所施加的电位差V使得光束106的偏振状态与基于偏振的光学元件224相匹配时，光学调制系统220被认为处于开启状态并且形成了脉冲107。当所施加的电势差V使得光束106的偏振状态被预期为与基于偏振的光学元件224正交时，光学调制系统220处于关闭状态。在理想条件下，当光学调制系统220处于关闭状态时，光束106没有穿过调制系统120。

然而，向材料122施加电势差V使得声波在材料122中传播。在从材料122移除电势差V之后，这些声波可能会持续。附加地，声波在材料122中产生应变，后者改变材料122的光学特性，并且即使在不施加电势差V时也允许入射光穿过调制系统220(作为光学泄漏)。因此，在实际操作中，即使当基于偏振的光学元件224的偏振条件使得入射在材料122上的光不应穿过调制系统220时，调制系统220也可能透射杂散光(光学泄漏)。例如，当刚好在形成辐射光学脉冲之前存在光学泄漏时，光学泄漏在辐射光学脉冲上形成基座部分。

还参考图2B和图2C，示出了光学脉冲206(图2B)的示例的图示以及光学脉冲206所形成的经修改光学脉冲207(图2C)的示例。脉冲207包括基座部分225和主部分268。图2B示出了脉冲206随时间的强度，而图2C示出了脉冲207随时间的强度。

脉冲206具有近似高斯的时间分布(强度对时间)。脉冲206与调制系统220相互作用以形成脉冲207。控制系统175控制调制系统220以选择或提取脉冲206的特定部分267。在图2B的示例中，在时间t＝ta，调制系统220被设置为透射光，并且在时间t＝tb，调制系统220被设置为阻挡光。换句话说，光学调制系统220仅旨在透射部分267中的光(其是时间ta与时间tb之间的脉冲206中的光)。例如，控制系统175可以通过施加电压信号214来控制调制系统220以在时间ta透射光，使得穿过电光材料122的光的偏振与基于偏振的光学元件的偏振相匹配。通过移除电压信号214，可以控制调制系统220以在时间tb停止透射光。

然而，由于电光材料122中的声波(或其他扰动，诸如基于偏振的光学元件224的不期望运动)，调制系统220可能会在ta之前的时间和/或时间tb之后的时间透射光学泄漏。在图2B的示例中，泄漏光266是恰好在时间ta之前发生的光学泄漏。泄漏光266恰好在部分267之前穿过调制模块120。

参考图2C，泄漏光266形成基座部分225。在所示出的示例中，基座部分225在标记为221的窗口期间发生，而基座部分225在时间上比脉冲207的其余部分更早发生。光学脉冲207中的并非基座部分225的的部分被称为主部分268。基座部分225和主部分268两者都是光学脉冲207的一部分，并且基座部分225在时间上连接到主部分268。换句话说，基座部分225与主部分268之间不存在没有光的时段。

基座部分225具有与主部分268不同的时间分布(强度对时间)。例如，基座部分225的平均和最大的强度和光学能量小于主部分268的平均和最大的强度和光学能量。而且，基座部分225的形状与主部分268的形状不同。进一步地，基座部分225的特点(例如，强度、时间分布和/或持续时间)与在没有任何光学泄漏的情况下形成的脉冲的早期部分的特点不同。

通过放大器130放大经修改脉冲207以形成经放大脉冲208，该经放大脉冲208传播到目标区域115。经放大脉冲208包括基座部分225和主部分268，其中经放大脉冲208的每个部分225、268的强度大于经修改脉冲207的对应部分的强度。在图2C的示例中，基座部分225发生在主部分268之前，并且在主部分268之前到达目标118。在一些实现方式中，主部分268的强度或能量足以将目标118中的目标材料中的至少一些目标材料转换为发射EUV光的等离子体。基座部分225的能量不与主部分268一样多，并且能量可能足以或不足以将目标材料转换为等离子体。然而，基座部分225中的光可以反射离开目标118，从目标118的表面蒸发材料，和/或断开目标118的部分。基座部分225可能通过在主部分268到达目标118之前改变目标118而干扰等离子体的形成，和/或引起在路径111上传播回来的不期望反射。

另一方面，基座部分225可以调节目标118，使得其特性(例如，密度、形状和/或尺寸)更有利于等离子体产生。如此，可以期望通过控制光学泄漏量来控制基座部分225中的光的量。控制系统175使用在形成脉冲207之前施加到电光材料122的中间电信号，来控制光学泄漏(在该示例中为泄漏光266)的量。

关于图2B至图2C所讨论的脉冲207被提供作为经修改光学脉冲207的一个示例。脉冲207可以具有其他形式。例如，泄漏光266可以在时间ta之前发生，使得基座部分225与主部分268分开。在这些实现方式中，基座部分225和主部分268之间存在没有光的时段。更进一步地，泄漏光266可以在时间tb之后发生，使得基座部分225在主部分268之后发生。在这些实现方式中，基座部分225在主部分268之后到达目标区域115。在一些实现方式中，泄露光266在时间ta之前且在时间tb之后发生，使得主部分268的每一侧上都存在基座部分225。

图3A是光束306随时间的强度的绘图。图3B是电信号324随时间的电压的绘图。在图3A和图3B中都使用相同的时间标度。电信号324是可由控制系统175所控制的函数生成器产生并且被施加到电光材料122(图1和图2A)的电信号的示例。关于调制系统220(图2A)对电信号324进行了讨论。光束306是可以入射在电光材料122上的光学束(或光束)的示例。

光束306包括光的两个初始光学脉冲，即，入射在材料122上的第一初始光脉冲306_1，以及第二初始光脉冲306_2。在第二初始脉冲306_2入射在材料122上之前，第一初始光学脉冲306_1入射在材料122上。第一光学脉冲306_1和第二光学脉冲306_2是在时间上彼此分开的单独光学脉冲。光束306还可以包括除了初始光学脉冲306_1和306_2之外的光学脉冲。

电信号324包括第一电脉冲325a_1，该第一电脉冲325a_1从时间t1开始施加到材料122上；以及第二电脉冲325a_2，该第二电脉冲325a_2从时间t2开始施加到材料122上。电脉冲325a_1、325a_2是分别在有限持续时间331_1、331_2内具有幅度A伏的电压脉冲。因此，施加电脉冲325a_1和325a_2会导致在持续时间331_1、331_2内分别向材料122施加A伏的电压。

电压A是足以使调制系统220处于开启状态的电压。因此，在电脉冲325a_1和325a_2施加到材料122的同时，入射在材料122上的光通过光学调制系统220透射。在电脉冲325a_1和325a_2结束之后，调制系统220返回到关闭状态。

持续时间331_1和331_2可以相同或不同。在图3B的实现方式中，第一电脉冲325a_1和第二电脉冲325a_2具有相同的电压幅度(A)。然而，在其他实现方式中，电脉冲325a_1、325a_2具有不同的电压幅度，其中电脉冲325a_1、325a_2两者的电压足以将调制系统220转变为开启状态。

电信号324还包括中间电脉冲325b_1，该中间电脉冲325b_1在时间ti施加到材料122上。时间ti在时间t1之后且在时间t2之前发生。时间ti与第一电脉冲325a_1结束的时间间隔了延迟时间330。中间电脉冲325b_1在持续时间或宽度332内具有幅度B。

在时间0，调制系统220处于关闭状态。在时间t1施加第一电脉冲325a_1将调制系统220转变为开启状态。在时间t1，第一光学脉冲306_1入射在材料122上。第一电脉冲325a_1的持续时间短于第一光学脉冲306_1的持续时间。因此，仅第一光学脉冲306_1的在持续时间331_1期间入射在材料122上的一部分穿过材料122。第一光学脉冲306_1的穿过材料的部分形成经修改光学脉冲(诸如图2C的经修改光学脉冲207)。向材料122施加第一电脉冲325a_1在材料122中产生声波。声波引起应变并且改变材料122的光学特性。即使在第一电信号325a_1结束之后且没有电压施加到材料122，声波仍继续在材料122中传播。当第二光学脉冲306_2入射在材料122上时但在向材料122施加第二电信号325a_2之前，通过施加第一电信号325a_1所引起的声波可能存在。在这些情况下，即使调制系统220处于关闭状态，光也可能穿过调制系统220。这种光是光学泄漏，并且在调制系统220稍后所形成的光学脉冲上形成基座。

图4是用于控制照射光学脉冲的特性的过程400的示例的流程图。照射光学脉冲可以包括基座部分。关于EUV光源101和控制系统175(图1)、调制系统220(图2A)、光束306(图3A)和电信号324(图3B)对过程400进行讨论。然而，过程400可以由其他EUV光源、其他光束、其他电信号和/或其他电光调制系统执行。

使用调制系统220形成第一经修改光学脉冲(410)。第一经修改光学脉冲通过在时间t1使得第一光学脉冲306_1入射在材料122上并且向材料122施加第一电压脉冲325a_1来形成。在时间t1，第一光学脉冲306_1入射在材料122上，并且调制系统220处于开启状态。因此，第一光学脉冲306_1的从时间t1开始一直到持续时间331_1结束的一部分穿过材料122，变成第一经修改光学脉冲。附加地，施加第一电压脉冲325a_1使得声波在材料122中传播。声波被称为第一声波，并且可以在第一电压脉冲325a_1已经结束并且调制系统220处于关闭状态之后，继续在材料122中传播。

中间电压脉冲325b_1施加到材料122(420)。向材料122施加中间电压325b_1还使得声波(称为第二声波)在材料122中传播。第二声波干扰第一声波。相长干涉会增加声波的幅度，而相消干涉会减小声波的幅度。中间电压脉冲325b_1的幅度和/或持续时间332确定第二声波的幅度。延迟330确定第二声波相对于第一声波的相位。因此，通过控制延迟330和/或幅度B，可以控制第一声波与第二声波之间的相互作用的性质。例如，当第二声波具有与第一声波相同的幅度和相反的相位时，第一声波和第二声波干涉，使得在施加中间电脉冲325b_1之后，没有声波在材料122中传播。

使用调制系统220形成第二经修改光学脉冲(430)。在向材料122施加中间电压脉冲325b_1之后，形成第二经修改光学脉冲。第二光学脉冲306_2入射在材料122上。在时间t2，向材料122施加第二电压脉冲325a_2，使得调制系统220转变到开启状态。第二光学脉冲306_2的从时间t2开始一直到持续时间331_2的一部分透射通过材料122。

如上文所讨论的，第一声波和第二声波干涉，并且材料122中的声波的特点取决于干涉的性质。声波在材料122中引起应变并且改变材料122的折射率，并且折射率的这些改变可以允许光在调制系统220处于关闭状态时作为光学泄漏通过调制系统220。中间电压脉冲325b_1用于以期望方式修改第二光学脉冲306_2的一个或多个特性。例如，中间电压脉冲325b_1可以用于修改第二光学脉冲306_2的最大强度或平均强度、持续时间和/或时间分布。在一些实现方式中，中间电压脉冲325b_1用于控制和/或形成基座部分。

例如，取决于声波在材料122中的的特点，在时间t2之前或不再施加电压脉冲325a_2之后的时间(当调制系统220处于关闭状态时)入射在材料122上的第二光学脉冲306_2中的光中的一些光还可以透射通过调制系统220作为光学泄漏，以在第二经修改光学脉冲上形成基座部分。基座的强度、持续时间和其他特性取决于光学泄漏的量，该光学泄漏的量可通过调整材料122中的声波来控制。可以通过向材料122施加中间电压脉冲325b_1来控制、调整或减轻材料122中的声波。因此，通过施加中间电压脉冲325b_1来控制或调整基座部分的一个或多个特性。而且，可以使用中间电压脉冲325b_1来控制光学脉冲306_2的主部分的一个或多个特性。

中间电压脉冲325b_1可以用于以其他方式控制第二光学脉冲306_2的一个或多个特性。例如，如上文所讨论的，基座部分可以在时间上与经修改脉冲的主部分分开。在这些实现方式中，中间电压脉冲325b_1可以用于修改分开的基座部分和/或主部分。

更进一步地，光束306可以包括附加光学脉冲，并且电信号324可以包括附加电压脉冲。在一些实现方式中，控制系统175接收如由EUV传感器184(图1)测量的经修改光学脉冲与目标材料118之间的相互作用所生成的EUV光的量的指示。例如，在改变中间电压脉冲的特性以确定中间电压脉冲的最佳设置的同时，通过两个或更多个相互作用来跟踪所测量的EUV光的量。针对几个相互作用中的每个相互作用，可以改变延迟330，以确定哪个延迟330产生最多EUV光。在另一示例中，改变中间电压脉冲325b_1的幅度B以确定产生最多EUV光的幅度B。

在一些实现方式中，将幅度B、宽度332和/或延迟330的最佳值与光束306中的脉冲的重复率相关联的查找表或数据库被存储在电子存储装置178上，使得如果光束306的重复率发生改变，则可以改变幅度B和/或延迟330。

图5和图6涉及其中可以使用诸如系统120和22之类的调制系统的光刻装置。图5是包括源极收集器模块SO的光刻装置500的框图。该光刻装置500包括：

·照射系统(照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，EUV辐射)。

·支撑结构(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案形成设备(例如，掩模或掩模版)MA，并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为精确定位图案形成设备；

·衬底台(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为精确定位衬底；以及

·投影系统(例如，反射投影系统)PS，其被配置为将图案形成设备MA所赋予至辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个裸片)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件、静电部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合，用于引导、整形或控制辐射。

支撑结构以取决于图案形成设备的定向、光刻装置的设计以及其他条件(诸如例如，图案形成设备是否保持在真空环境中)的方式支撑图案形成设备。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成设备。支撑结构可以例如是框架或台，其例如根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构可以确保图案形成设备处于例如相对于投影系统的期望位置。

术语“图案形成设备”应当被广义地解释为是指可以用于向辐射束在其横截面赋予图案以在衬底的目标部分中形成图案的任何设备。赋予到辐射束的图案可以与在诸如集成电路之类的目标部分中产生的设备中的特定功能层相对应。

图案形成设备可以是透射式图案形成设备或反射式图案形成设备。图案形成设备的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中每个小反射镜可以单独倾斜，以便沿不同方向反射传入辐射束。倾斜反射镜在辐射束中赋予图案，该辐射束由反射镜矩阵反射。

视正在使用的曝光辐射或其他因子(诸如使用真空)的情况而定，像照射系统IL一样，投影系统PS可以包括各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件、静电部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合。由于其他气体可能吸收太多的辐射，所以可能期望对EUV辐射使用真空。因此，可以借助于真空壁和真空泵向整个光路提供真空环境。

在图5和图6的示例中，该装置是反射型装置(例如，采用反射式掩模)。光刻装置可以是具有两个(双台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个图案形成设备台)的类型。在这样的“多台”机器中，可以并行使用附加台，或可以在一个或多个台用于曝光的同时，旨在一个或多个其他台进行准备步骤。

参照图5，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。产生EUV光的方法包括但不限于：将材料转换为具有至少一种元素(例如，氙、锂或锡)的等离子体态，其中一个或多个发射线处于EUV范围内。在一种这样的方法(通常称为激光产生等离子体(“LPP”))中，所需的等离子体通过用激光束照射燃料(诸如具有所需线发射元素的材料的微滴、流或簇)来产生。源收集器模块SO可以是包括激光器(图5未示出)的EUV辐射系统的一部分，用于提供激发燃料的激光束。所得等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，该EUV辐射使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是单独实体，例如当二氧化碳(CO

在这种情况下，激光器不认为是形成光刻装置的一部分，并且辐射束借助于光束传递系统从激光器传递到源收集器模块，该光束传递系统包括例如合适定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下，源可以是源收集器模块的组成部分，例如，当源是放电产生等离子体EUV生成器(通常被称为DPP源)时。

照射器IL可以包括调整器，其用于调整辐射束的角强度分布。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围(radial extent)和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如刻面场和琢面光瞳反射镜设备。照射器IL可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。

辐射束B入射在图案形成设备(例如，掩模)MA上，该图案形成设备MA保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上，并且通过图案形成设备进行图案化。在从图案形成设备(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将光束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪设备、线性编码器、或电容传感器)，可以精确移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。同样，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用于相对于辐射束B的路径精确定位图案形成设备(例如，掩模)MA。可以使用图案形成设备对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成设备(例如，掩模)MA和衬底W。

所描绘的装置可以在以下模式中的至少一种模式下使用：

1.在步进模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止，而赋予到辐射束的整个图案被一次投影到目标部分C上(也就是说，单次静态曝光)。然后，衬底台WT沿X方向和/或Y方向偏移，使得可以曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式下，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT，同时赋予到辐射束的图案被投影到目标部分C上(也就是说，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特点来确定。

3.在另一模式下，支撑结构(例如，掩模台)MT保持基本静止，从而保持可编程图案形成设备，并且移动或扫描衬底台WT，同时赋予到辐射束的图案被投影到目标部分C上。在这种模式下，采用脉冲辐射源，并且在每次移动衬底台WT之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成设备。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成设备的无掩模光刻，诸如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列。

还可以采用上文所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

图6更详细地示出了光刻装置500的实现方式，该光刻装置500包括源收集器模块SO、照射系统IL、以及投影系统PS。源收集器模块SO被构造和布置为使得可以在源收集器模块SO的包围结构620中维持真空环境。系统IL和PS同样容装在它们自己的真空环境中。可以通过激光产生LPP等离子体源形成发射等离子体2的EUV辐射。源收集器模块SO的功能是传递来自等离子体2的EUV辐射束20，使得其聚焦在虚拟源点中。虚拟源点通常被称为中间焦点(IF)，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点IF位于包围结构620中的孔621处或附近。虚拟源点IF是发射等离子体2的辐射的图像。

从中间焦点IF处的孔621，辐射横穿照射系统IL，在该示例中，该照射系统IL包括刻面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24。这些设备形成所谓的“蝇眼”照射器，其被布置为在图案形成设备MA处提供辐射束21的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望均匀性(如附图标记660所示)。束21在由支撑结构(掩模台)MT保持的图案形成设备MA处反射之后，形成图案化束26，并且投影系统PS经由反射元件28、30把图案化束26成像到由衬底台WT保持的衬底W上。为了在衬底W上曝光目标部分C，在衬底台WT和图案形成设备台MT执行同步移动以通过照射狭缝扫描图案形成设备MA上的图案的同时，生成辐射脉冲。

每个系统IL和PS布置在其自己的真空环境或近真空环境内，该真空环境或近真空环境由与包围结构620相似的包围结构限定。照射系统IL和投影系统PS中通常可以存在比所示的元件更多的元件。进一步地，可能具有比所示的反射镜更多的反射镜。例如，除了图6所示的反射元件之外，照射系统IL和/或投影系统PS中可以存在一到六个附加的反射元件。

更详细地考虑源收集器模块SO，包括激光器623的激光能量源被布置为将激光能量624沉积到包括目标材料的燃料中。目标材料可以是在等离子体状态下发射EUV辐射的任何材料，诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)。等离子体2是具有几十电子伏特(eV)的电子温度的高度离子化的等离子体。可能通过其他燃料材料(例如，铽(Tb)和钆(Gd)生成较高能量的EUV辐射。在这些离子的去激发和重新组合期间产生的能量辐射从等离子体发射，由近正入射收集器3收集并且聚焦在孔621上。等离子体2和孔621分别位于收集器CO的第一焦点和第二焦点处。

尽管图6所示的收集器3是单个曲面镜，但是收集器可以采用其他形式。例如，收集器可以是具有两个辐射收集表面的施瓦茨希尔德(Schwarzschild)收集器。在一个实施例中，收集器可以是掠入射收集器，其包括彼此嵌套的多个基本圆柱形的反射器。

为了递送例如液态锡的燃料，微滴生成器626布置在包围结构620内，该微滴生成器626被布置为朝向等离子体2的期望位置喷发微滴的高频流628。微滴生成器626可以是目标形成装置216和/或包括诸如粘合剂234之类的粘合剂。在操作中，激光能量624与微滴生成器626的操作同步被递送，以递送辐射的冲击而将每个燃料微滴转换为等离子体2。微滴2的递送频率可以是若干千赫兹，例如，50kHz。在实际中，激光能量624在至少两个脉冲中被递送：具有有限能量的预脉冲在到达等离子位置之前被递送到微滴，以便将燃料材料蒸发成小的云状物，然后激光能量624的主脉冲在被递送到期望位置处的云状物，以生成等离子体2。阱630设置在包围结构620的相对侧上，以捕获无论因为什么没有转化成等离子体的燃料。

微滴生成器626包括容装燃料液体(例如，熔融锡)的蓄积器601和过滤器669以及喷嘴602。喷嘴602被配置为朝向等离子体2形成位置喷射燃料液体的微滴。燃料液体的微滴可以通过蓄积器601内的压力和通过压电致动器(未示出)施加到喷嘴的振动的组合而从喷嘴602喷射。

如本领域普通技术人员将知道的，为了测量并描述装置的几何形状和行为、其各个部件以及辐射束20、21和26，限定了参考轴线X、Y和Z。在装置的每个部分处，可以限定X、Y、Z轴线的局部参考系。在图6的示例中，Z轴线广泛意义上与系统中给定点处的方向光轴O一致，并且大致垂直于图案形成设备(掩模板)MA的平面以及垂直于衬底W的平面。在源收集器模块中，X轴线广泛意义上与燃料流628的方向一致，而Y轴线与如图6中指向纸面之外的方向正交。另一方面，在保持掩模板MA的支撑结构MT的附近，X轴线大致横向于与Y轴线对准的扫描方向。为了方便，在图6的示意性视图的该区域中，X轴线指向纸面之外，同样如标记所标示的。这些设计在本领域中是常规的，在本文中将为了方便而被采用。原则上讲，可以选择任何参考系来描述装置及其行为。

尽管本文中未图示，但是光刻装置500和源收集器模块的操作中所使用的许多附加部件整体地存在用于典型装置中。这些包括用于减少或减轻所包围真空内的污染的影响的布置，例如，以防止燃料材料的沉积损坏或损害收集器3和其他光学器件的性能。存在但未详细描述的其他特征是控制光刻装置500的各个部件和子系统时所牵涉的所有传感器、控制器和致动器。

参考图7，示出了LPP EUV光源700的实现方式。光源700可以用作光刻装置500中的源收集器模块SO。更进一步地，图1的光学脉冲生成系统104可以是驱动激光器715的一部分。驱动激光器715可以用作激光器623(图6)。

LPP EUV光源700通过使用沿着光束路径朝向目标混合物714行进的经放大光束710照射等离子体形成位置705处的目标混合物714而形成。关于图1、图2A、图2B和图3所讨论的目标材料和关于图1所讨论的流121中的目标可以是或包括目标混合物714。等离子体形成位置705在真空室730的内部707内。当经放大光束710撞击目标混合物714时，目标混合物714内的目标材料被转换为等离子体态，后者具有发射线在EUV范围内的元素。所产生的等离子体具有某些特点，这些特点取决于目标混合物714内目标材料的组成。这些特点可以包括等离子体所产生的EUV光的波长以及从等离子体释放的碎屑的类型和数量。

光源700还包括供应系统725，该供应系统725以液体微滴、液流、固体颗粒或簇、液体微滴内容装的固体颗粒或液体流内容装的固体颗粒的形式递送、控制和引导目标混合物714。目标混合物714包括目标材料，诸如例如，水、锡、锂、氙、或当转换为等离子体状态时具有在EUV范围内的发射线的任何材料。例如，元素锡可以用作纯锡(Sn)；用作锡化合物，例如，SnBr

光源700包括驱动激光器系统715，该驱动激光器系统715由于激光器系统715的一个或多个增益介质内的粒子数反转而产生经放大光束710。光源700包括在激光器系统715与等离子体形成位置705之间的光束递送系统，该光束递送系统包括光束传输系统720和聚焦组件722。光束传输系统720从激光器系统715接收经放大光束710，并且根据需要转向和修改经放大光束710并且将经放大光束710输出到聚焦组件722。聚焦组件722接收经放大光束710，并且将光束710聚焦到等离子体形成位置705。

在一些实现方式中，激光器系统715可以包括一个或多个光学放大器、激光器和/或灯，用于提供一个或多个主脉冲，并且在一些情况下提供一个或多个预脉冲。在包括一个或多个预脉冲的实现方式中，诸如光学脉冲生成系统104之类的光学脉冲生成系统可以放置在预脉冲中的一个或多个预脉冲的路径中。每个光学放大器包括能够以高增益光学放大所需波长的增益介质、激发源、以及内部光学器件。光学放大器可以具有或可以不具有形成激光腔的激光反射镜或其他反馈设备。因此，即使不存在激光腔，由于激光学放大器的增益介质中的粒子数反转，所以激光器系统715也会产生经放大光束710。而且，如果存在激光腔以向激光器系统715提供足够反馈，则激光器系统715可以产生作为相干激光束的经放大光束710。术语“经放大光束”涵盖以下各项中的一项或多项：来自激光器系统715的仅被放大而未必是相干激光振荡的光以及来自激光器系统715的被放大并且也是相干激光振荡的光。

激光器系统715中的光学放大器可以包括作为增益介质的填充气体，该填充气体包括CO

光源700包括具有孔740的收集器反射镜735，以允许经放大光束710穿过并到达等离子体形成位置705。收集器反射镜735可以是例如在等离子体形成位置705处具有主焦点并且在中间位置745处具有次级焦点(也称为中间焦点)的椭圆形反射镜，其中EUV光可以从光源700输出并且可以输入到例如集成电路光刻工具中(未示出)。光源700还可以包括端部开放的空心锥形护罩750(例如，气锥)，其从收集器反射镜735朝向等离子体形成位置705渐缩以减少进入聚焦组件722和/或光束传输系统720的等离子体产生的碎屑的量，同时允许经放大光束710到达等离子体形成位置705。为此，可以在护罩中提供朝向等离子体形成位置705引导的气流。

光源700还可以包括主控制器755，该主控制器755连接到微滴位置检测反馈系统756、激光控制系统757和光束控制系统758。光源700可以包括一个或多个目标或微滴成像器760，该一个或多个目标或微滴成像器760提供指示微滴例如相对于等离子体形成位置705的位置的输出，并且将该输出提供给微滴位置检测反馈系统756，该微滴位置检测反馈系统756可以例如计算微滴位置和轨迹，根据微滴位置和轨迹，可以逐滴或平均计算微滴位置误差。因此，微滴位置检测反馈系统756将微滴位置误差作为输入提供给主控制器755。因此，主控制器755可以向例如激光器控制系统757和/或光束控制系统758提供激光器位置、方向和定时校正信号，该激光器控制系统757可以例如用于控制激光定时电路，该光束控制系统758用于控制光束传输系统720的经放大光束的位置和形状，以改变腔室730内的光束焦斑的位置和/或聚焦能力。

供应系统725包括目标材料递送控制系统726，其可响应于来自主控制器755的信号而操作，以例如修改如由目标材料供应装置727释放的微滴的释放点，以校正到达期望等离子体形成位置705的微滴的误差。目标材料供应装置727包括采用诸如粘合剂234之类的粘合剂的目标形成装置。

附加地，光源700可以包括光源检测器765和770，该光源检测器765和770测量一个或多个EUV光参数，该一个或多个EUV光参数包括但不限于脉冲能量、能量随波长的分布、特定波长带内的能量、特定波长带之外的能量、以及EUV强度和/或平均功率的角度分布。光源检测器765生成供主控制器755使用的反馈信号。该反馈信号可以例如指示参数(诸如激光脉冲的定时和聚焦)中的误差，，以在恰当地点和时间适当拦截微滴用于有效并高效生产EUV光。

光源700还可以包括引导激光器775，其可以用于对准光源700的各个段或帮助将经放大光束710转向到等离子体形成位置705。结合引导激光器775，光源700包括放置在聚焦组件722内的计量系统724，以对来自引导激光器775和经放大光束710的一部分光进行采样。在其他实现方式中，计量系统724放置在光束传输系统720内。计量系统724可以包括光学元件，该光学元件对光的子集进行采样或重定向，这种光学元件由可以承受引导激光束和经放大光束710的功率的任何材料制成。由于主控制器755分析来自引导激光器775的采样光并且使用该信息来通过光束控制系统758调整聚焦组件722内的部件，所以由计量系统724和主控制器755形成光束分析系统。

因此，总而言之，光源700产生沿着光束路径定向的经放大光束710，以在等离子体形成位置705处照射目标混合物714，以将混合物714内的目标材料转换为发射EUV范围内的光的等离子体。经放大光束710在基于激光器系统715的设计和特性来确定的特定波长(也称为驱动激光波长)下操作。附加地，当目标材料提供的反馈足以返回进入激光器系统715以产生相干激光或如果驱动激光器系统715包括合适光学反馈以形成激光空腔，经放大光束710可以是激光束。

这些实现方式还可以通过以下条款进行描述：

1.一种用于极紫外(EUV)光源的装置，该装置包括：

光学调制系统，包括电光材料，该光学调制系统被配置为接收脉冲光束，该脉冲光束包括在时间上彼此分开的多个光脉冲；以及

控制系统，被配置为控制电源，使得：在第一光脉冲入射在电光材料上的同时第一电脉冲被施加至电光材料，在第二光脉冲入射在电光材料上的同时第二电脉冲被施加至电光材料，并且在第一光脉冲入射在电光材料上之后并且在第二光脉冲入射在电光材料上之前，中间电脉冲被施加至电光材料。

2.根据条款1所述的装置，其中向电光材料施加第一电脉冲在电光材料中引起物理效应，并且当中间电脉冲被施加至电光材料时，在该电光材料中存在该物理效应。

3.根据条款2所述的装置，其中物理效应包括在电光材料中行进的声波和/或机械应变。

4.根据条款2所述的装置，其中向电光材料施加中间电脉冲减少了物理效应。

5.根据条款1所述的装置，其中第一光脉冲和第二光脉冲是脉冲光束中的连续光脉冲。

6.根据条款1所述的装置，其中控制系统被配置为控制第一电脉冲与中间电脉冲之间的时间量。

7.根据条款1所述的装置，其中电光材料包括半导体。

8.根据条款1所述的装置，其中电光材料包括绝缘体。

9.根据条款1所述的装置，其中电光材料包括电光晶体。

10.根据条款1所述的装置，还包括至少一个基于偏振的光学元件。

11.根据条款1所述的装置，其中中间电脉冲产生声学扰动，该声学扰动干扰第一电脉冲所引起的声学扰动。

12.一种用于形成光学脉冲的装置，该装置包括：

光学调制系统，包括电光材料，该光学调制系统被配置为在开启状态透射光并且在关闭状态阻挡光，并且光学调制系统被配置为接收脉冲光束，该脉冲光束至少包括在时间上彼此分开的第一光学脉冲和第二光学脉冲；以及

控制系统，耦合到电压源，该控制系统被配置为：

通过在第一光学脉冲入射在电光调制器上的同时使得电压源向电光调制器施加第一电压脉冲来生成第一形成的光学脉冲，该第一电压脉冲被配置为将电光调制器切换到开启状态；

向电光材料施加中间电压脉冲；以及

通过在施加第一电压脉冲和中间电压脉冲之后并且在第二光学脉冲入射在电光材料上的同时向电光材料施加第二电压脉冲来生成第二形成的光学脉冲，其中该第二电压脉冲被配置为将电光调制器切换到开启状态，并且第二形成的光学脉冲的特性通过向电光材料施加中间电压脉冲来控制。

13.根据条款12所述的装置，其中第二形成的光学脉冲包括基座部分和主部分，并且第二形成的光学脉冲的特性包括基座的特性，使得基座部分的特性通过向电光材料施加中间电压脉冲来控制。

14.根据条款13所述的装置，其中基座部分和主部分在时间上连续。

15.根据条款13所述的装置，其中基座部分的特性包括基座部分的持续时间、最大强度和/或平均强度。

16.根据条款12所述的装置，其中向电光材料施加中间电压脉冲修改了处于关闭状态的光学调制系统所透射的光学泄漏的光的量。

17.根据条款16所述的装置，其中向电光材料施加中间电压脉冲减少了处于关闭状态的光学调制系统所透射的光学泄漏的光。

18.根据条款12所述的装置，其中

控制系统使得第一电压脉冲在第一时间被施加至电光材料；

控制系统使得中间电压脉冲在第一时间之后的第二时间被施加至电光材料，

第二时间和第一时间在时间上由延迟时间分开；以及

控制系统还被配置为调整延迟时间，从而控制第二形成的光学脉冲的特性。

19.根据条款18所述的装置，其中控制系统还被配置为控制中间电压脉冲的幅度、持续时间和/或相位中的至少一项。

20.根据条款13所述的装置，其中控制系统还被配置为：

接收基座部分的测量特性的指示；以及

基于所接收的指示来调整中间电压脉冲的特性。

21.根据条款12所述的装置，其中控制系统还被配置为：

接收等离子体所产生的极紫外(EUV)光的量的指示；以及

基于所接收的EUV光的量的指示来调整中间电压脉冲的特性。

22.根据条款21所述的装置，其中控制系统被配置为调整中间电压脉冲的特性包括：控制系统被配置为调整中间电压脉冲的幅度、中间电压脉冲的持续时间、中间电压脉冲的相位、和/或第二时间，第二时间是中间电压脉冲被施加至电光材料的时间。

23.一种调整光学脉冲的基座的特性的方法，该方法包括：

通过在光入射在光学调制系统上的同时向光学调制系统的电光材料施加第一电压脉冲来形成第一光学脉冲；该第一脉冲部分包括第一基座部分和第一主部分；

在施加第一电压脉冲之后，向电光材料施加中间电压脉冲；以及

在第一电压脉冲和中间电压脉冲之后并且在光入射在电光材料上的同时通过向电光材料施加第二电压脉冲来形成第二光学脉冲，其中第二基座部分的特性基于施加中间电压脉冲来调整。

24.根据条款23所述的方法，还包括：

放大第一光学脉冲以形成经放大的第一光学脉冲；

接收从通过使经放大的第一光学脉冲与目标材料相互作用而产生的等离子体所发射的极紫外(EUV)光的量的指示；以及

基于所接收的从等离子体发射的EUV光的量的指示来确定中间电压脉冲的至少一个特性。

25.根据条款24所述的方法，其中中间电压脉冲的至少一个特性包括施加第一电压脉冲之后的时间延迟，并且确定中间电压脉冲的至少一个特性包括：基于所接收的从等离子体发射的EUV光的量的指示来确定时间延迟。

26.根据条款24所述的方法，其中中间电压脉冲的至少一个特性包括中间电压脉冲的幅度和/或持续时间，并且确定中间电压脉冲的至少一个特性包括：确定中间电压脉冲的幅度和/或持续时间。

27.根据条款23所述的方法，其中第二光学脉冲包括基座部分和主部分，并且基座部分的特性基于施加中间电压脉冲来调整。

28.根据条款27所述的方法，其中基座部分在时间上与主部分连续。

29.一种极紫外(EUV)光源，包括：

容器；

目标材料供应装置，被配置为耦合到容器；

光学调制系统，被配置为定位成接收脉冲光束，该光学调制系统包括电光材料；以及

控制系统，耦合到电压源，该控制系统被配置为：

使得电压源向电光材料施加多个形成电压脉冲，该多个形成电压脉冲中的每个形成电压脉冲在不同时间被施加到电光材料；以及

使得电压源向电光材料施加至少一个中间电压脉冲，该至少一个中间电压脉冲在多个形成电压脉冲中的两个连续形成电压脉冲之间被施加到电光材料。

30.根据条款29所述的EUV光源，其中目标材料供应装置被配置为向容器中的目标区域提供多个目标材料微滴，该目标材料微滴以目标递送速率到达目标区域，并且控制系统以取决于目标递送速率的形成速率向电光材料施加形成电压脉冲。

31.根据条款28所述的EUV光源，其中中间电压脉冲的特点包括幅度和/或相位，以及

控制系统还被配置为：

访问与形成速率相关联存储的幅度和/或相位，以及

使得电压源产生具有所访问的幅度和/或相位的中间电压脉冲。

32.根据条款29所述的EUV光源，其中该控制系统还被配置为控制施加形成电压脉冲中的一个形成电压脉冲与施加中间电压脉冲中的一个中间电压脉冲之间的时间延迟。

33.根据条款29所述的EUV光源，还包括光学放大器，以及

其中

每当形成电压脉冲被施加至电光材料时，形成光学脉冲；

所形成的光学脉冲由光学放大器放大以形成经放大光学脉冲；

控制系统还被配置为耦合到计量系统，该计量系统被配置为测量容器中的等离子体所产生的EUV光的量，

等离子体通过使用所形成的经放大光学脉冲照射目标材料来形成，

控制系统被配置为从计量系统接收所测量的EUV光的量；以及

控制系统被配置为从基于所测量的EUV光的量来修改中间电压脉冲的一个或多个特点。

34.根据条款33所述的EUV光源，其中中间电压脉冲的一个或多个特点包括中间电压脉冲的幅度、中间电压脉冲的持续时间、中间电压脉冲的相位、和/或在施加最新近的形成电压脉冲之后的延迟时间。

其他实现方式也在权利要求的范围内。