一种玉米条还条种密植栽培方法

技术领域

本发明涉及农田土壤培肥耕作技术领域，具体涉及一种玉米条还条种密植栽培方法。

背景技术

我国北方旱作农田普遍存在着秸秆量大、秸秆还田难度大、播种出苗质量差等问题，同时长期浅耕作业使土壤耕层变浅、耕层质量变差、土壤缓冲能力弱等问题突出，显著制约了玉米群体质量和密植高产潜力的提升。秸秆还田是改善土壤耕层环境、实现地力提升、解决秸秆焚烧问题的根本途径。然而，在全量秸秆还田条件下如何保证出苗质量，协调耕层与冠层的结构与功能，提高群体生产能力，实现增产增收是目前需要探索的方向。

目前生产上常规秸秆深翻与免耕覆盖还田等耕作方法，同时采用等行距种植方式，易导致土地肥力不足，使土壤变得过松，大孔隙过多，导致跑风，不能让土壤和种子更好的紧密结合在一起，这样势必会对出苗率有影响，尤其是干旱的条件下，容易出现“死种”现象。另外，当秸秆直接翻入土壤后，秸秆很难快速腐烂，从而影响作物幼苗生长，同时易将病原菌、虫卵一并带到土壤中，导致农作物出现病虫害。可见，当下秸秆还田仍存在大量问题，难以解决全量秸秆还田条件下，播种质量差，秸秆腐熟慢、地力提升慢、动力消耗大等问题。因此，亟需一种更为有效的秸秆还田方式以解决如上存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种玉米条还条种密植栽培方法，有效提高大量秸秆条件下的播种质量和地力提升，实现增加种植密度降低成本增产增收的效果。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种玉米条还条种密植栽培方法，所述栽培方法包括如下步骤：

前茬秸秆留茬保存，播种时对所述秸秆粉碎灭茬，将碎秸从播种带推向非播种带，将非播种带的秸秆与土层一起混拌、镇压，在推茬播种带进行玉米种植，形成比空种植栽培，来年玉米播种带与非播种带区域进行轮换种植。

本发明中，所述前茬秸秆留茬高度为30cm～40cm。

本发明中，所述非播种带的宽度为90cm～120cm。

本发明中，所述混拌的土层深度在30cm内。

本发明中，所述非播种带的秸秆中添加腐熟混合剂。

本发明中，所述比空栽培为二比空栽培或三比空栽培或四比空栽培。

本发明中，所述比空栽培的种植密度为3500-6500株/亩。

本发明中，所述种植深度为3-5cm。

本发明中，所述种植前，在推茬播种带施肥。

本发明中，所述施肥深度为8-12cm。

本发明的有益效果如下：

(1)本发明采用条还条种栽培方式，在非播种带混拌还田，有效提高了土壤水分蓄积能力，实现了长期秸秆全量还田，特别是混拌还田，促进了秸秆快速降解，增加了土壤有机质及养分含量，使得土壤有机质提高8％，全氮含量提高12％，明显培肥了地力；同时解决秸秆焚烧污染的问题，具有绿色生产特点。

(2)本发明的栽培方式于田间一次完成秸秆处理、条带混拌、密植播种、精量施肥、滴灌浅埋等作业环节，有效提高大量秸秆条件下的播种质量和地力提升，具有明显节本增产增收效果，其中土壤养分利用效率提高15％。

(3)本发明的栽培方式同时采用缩行密植的比空栽培提高了群体质量，提高了全量秸秆还田下的出苗率和群体整齐度，其中出苗率提高7.5％，群体整齐度提高13％，产量平均提升13.5％。

附图说明

图1为四比空栽培模式下玉米秸秆条还条种机械化技术示意图。

具体实施方式

本发明提供了一种玉米条还条种密植栽培方法，所述栽培方法包括如下步骤：

前茬秸秆留茬保存，播种时对所述秸秆粉碎灭茬，将碎秸从播种带推向非播种带，将非播种带的秸秆与土层一起混拌、镇压，在推茬播种带进行玉米种植，形成比空种植栽培。在本发明中，于秋季春玉米收获后留茬，来年春季利用粉碎装置和推茬装置在播种时将秸秆推入非播种带进行碎秸保存。在本发明中，对所述粉碎装置和推茬装置没有特殊限定，采用本领域所熟知的农用装置即可。

在本发明中，所述前茬秸秆留茬高度为30cm～40cm，更优选为32cm～28cm。在本发明中，所述留茬高度能够使得大部分秸秆落入立茬内不被风吹散，以保证秸秆全量还田。

在本发明中，所述非播种带的宽度优选为90cm～120cm，更优选为95cm～100cm。在本发明中，对于不同栽培模式，非播种带宽度亦可根据具体的栽培模式进行确定。

在本发明中，所述混拌的土层深度优选在30cm内。在本发明中，所述混拌可利用长齿旋耕机使秸秆与土壤混拌，或采用推齿状镇压器进行压实。在本发明中，将作物秸秆混拌于土层中即可实现还田和腐解，深度加深进一步提高了作物播种质量，提高了出苗率和群体整齐度。

在本发明中，所述非播种带中秸秆还可与腐熟混合剂进行混拌，以便秸秆进一步腐解。在本发明中，所述腐熟混合剂包括但不限于真菌菌丝体、细菌和稳定剂。在本发明中，对所述腐熟混合剂的来源没有特殊限定，采用本领域技术人员熟知的常规市售产品即可。

在本发明中，所述种植方式采用比空栽培。在本发明中，所述比空栽培具体指种几垄玉米空一垄休闲。在玉米栽培种采取二比空或三比空或四比空，即种二垄或三垄或四垄玉米空一垄休闲的栽培模式。玉米“二比空”种植模式栽培技术即玉米“双行紧靠”栽培，种植二垄空一垄，将其三垄应栽的株数集中在两垄上，再增加10-15％的密度，施肥也是将其三垄的肥施入两垄中。“三比空”或“四比空”种植模式以此类推。

在本发明中，所述比空栽培为二比空栽培或三比空栽培或四比空栽培。经试验表明，本发明采用比空栽培相对于等行距或大小行栽培更有利于提高作物的光能利用和增产效果，同时减小秸秆对播种的影响，提高播种质量和作物出苗率。

在本发明中，所述比空种植密度优选为3500-6500株/亩，更优选为4500-6000株/亩。经实验表明，本发明采用缩行密植的比空栽培提高了群体质量，提高了全量秸秆还田下的出苗率和群体整齐度，其中出苗率提高7.5％，群体整齐度提高13％，产量平均提升13.5％。

在本发明中，所述种植深度为3-5cm，有效提升作物播种质量，提高出苗率和群体整齐度。

在本发明中，所述施肥深度为8-12cm。在本发明的具体实施例中，所述种植施肥技术为：于播种时被推茬的少量或无茬的播种带，用圆盘式或立式开沟器进行前后错位施肥和播种，两行播种沟中间一个施肥沟，施肥播种后，再进行复土镇压。施肥种类及用量采用本领域中的常规施肥方法即可。

下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

条还条种密植栽培方法：在播种前对前茬秸秆高留茬30cm保存，播种时进行秸秆粉碎灭茬，并通过主动式推茬器将碎秸从播种带推向非播种带，非播种带宽度为90cm，并充添腐熟混合剂与秸秆一起混拌，混拌于28cm土层中并镇压。之后以三行为一组，其中两行种玉米，一行为空行进行玉米二比空栽培种植，播种密度为3500株/亩，种植深度为5cm，施肥深度为8cm。来年玉米播种带与非播种带区域进行轮换种植。

实施例2

条还条种密植栽培方法：在播种前对前茬秸秆高留茬30cm保存，播种时进行秸秆粉碎灭茬，并通过主动式推茬器将碎秸从播种带推向非播种带，非播种带宽度为95cm，并充添腐熟混合剂与秸秆一起混拌，混拌于28cm土层中并镇压。之后进行以四行为一个组，连续种植三行空一行，通过定行缩株增密，调控群体通风透光的三比空栽培种植，播种密度为4500株/亩，种植深度为5cm，施肥深度为8cm。来年玉米播种带与非播种带区域进行轮换种植。

实施例3

条还条种密植栽培方法：在播种前对前茬秸秆高留茬30cm保存，播种时进行秸秆粉碎灭茬，并通过主动式推茬器将碎秸从播种带推向非播种带，非播种带宽度为100cm，并充添腐熟混合剂与秸秆一起混拌，混拌于28cm土层中并镇压。之后进行以五行为一个组，连续种四行空一行，通过缩株增密改善群体质量的四比空栽培种植，播种密度为5500株/亩，种植深度为5cm，施肥深度为8cm。来年玉米播种带与非播种带区域进行轮换种植。

实施例4

2018年、2019年在中国农业科学院公主岭及铁岭试验基地，供试品种为玉米郑单958，分别设计常规旋耕、常规深耕及条还条种处理，采用裂区设计，每个小区面积300m

条还条种密植栽培方法：采用实施例2的栽培方法。

常规翻耕：在播种前对前茬秸秆高留茬35cm保存，播种时进行秸秆粉碎灭茬，使用翻耕机对种植地进行翻耕，翻耕深度为30cm，翻后耙耢2-3次，达到平整细碎土块，之后进行常规60cm等行距播种，播种密度为4500株/亩，种植深度为4cm。

常规旋耕：播种前对前茬秸秆高留茬35cm保存，播种时使用旋耕机对秸秆与种植地同时进行深旋，旋耕深度为30cm，之后进行常规60cm等行距播种，播种密度为4500株/亩，种植深度为4cm。

具体试验结果如下：

表1不同处理条件下玉米产量及产量构成因素

实施例5

2019年在中国农业科学院公主岭及铁岭试验基地，供试品种为玉米郑单958，采用3500、4500、5500株/亩，设计常规60cm种植，二比空、三比空、四比空四种种植方式，三次重复，每个处理小区面积40m

实验结果表明，三比空及四比空种植方式表现出明显的增产优势。具体见下表：

表2不同种植方式下产量及产量构成的比较

实施例6

2019年在中国农业科学院公主岭及铁岭试验基地，设计旋耕种植、深耕种植、条还条种三种种植模式，小区面积300m

实验结果结果如下：

表3不同耕种方式下对玉米农艺性状的影响

表4不同耕种方式下玉米氮肥利用效率(每kg氮肥产玉米kg/N)

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。