电子装置的制作方法

技术领域

本发明涉及一种电子装置的制作方法，特别涉及一种转移电子装置的微电子元件方法。

背景技术

随着科技与技术的演进与发展，电子装置在日常生活中已成为不可或缺的物品，以电子装置中显示器或触控显示器为例，显示器与触控显示器具有外型轻薄、耗电量少以及低辐射污染等特性，因此已被广泛地应用在各式携带式或穿戴式电子产品例如笔记本计算机(notebook)、智能型手机(smart phone)、手表以及车用显示器等，以提供更方便的信息传递与显示。

电子元件例如微型发光二极管(micro LED)或次毫米发光二极管(mini LED)是将传统的LED结构微小化及矩阵化之后，对每个像素点单独驱动和寻址控制的显示技术，目前已受到广泛的关注，被视为新一代的显示技术。如何将上述电子装置有效率且准确地转移至目标基板上，为本领域积极研究的课题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种电子装置的制作方法，可提升电子元件转移至目标基板的效率及准确率。

本发明一实施例提供一种电子装置的制作方法，步骤包括提供一导电载板，该导电载板上设置有至少一电子元件，拾取该至少一电子元件，至少于拾取该电子元件的步骤中，设定该导电载板具有一接地电压，以及将该电子元件转移至一目标基板上。

本发明另一实施例提供一种电子装置的制作方法，步骤包括提供一导电载板，该导电载板上设置有至少一电子元件，拾取该至少一电子元件，且设定该导电载板具有一参考电压，以及将该电子元件转移至一目标基板上。

本发明于电子元件上覆盖绝缘层后移除牺牲层，利用绝缘层将电子元件安置在导电载板上，可降低由于牺牲层黏着力大于转移头与电子元件之间的静电吸引力而不易拾取电子元件的风险。另外，本发明通过导电载板的导电结构控制电子元件的电荷，可提升转移的效率与准确率。

附图说明

为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来指示图中共有的相同元件，而可以预期的是，在一个实施例中所发明的元件可不须特定叙述而将其利用于其他实施例。除非特别说明，否则本文的附图不应被理解为按比例绘制，并且，为了清楚的表达与解释，附图通常被简化且省略了细节或元件，而本文附图与详述用于解释下文所讨论的原理，并以相似的标号表示相同的元件。

图1为根据本发明一实施例的电子装置的制作方法步骤流程图。

图2至图5为根据本发明一实施例的将电子元件自一暂时性基板转移至一导电载板的步骤剖面示意图。

图6为根据本发明一实施例的自一导电载板拾取电子元件的步骤剖面示意图。

图7为根据本发明一实施例的将电子元件转移至一目标基板的步骤剖面示意图。

图8例示了根据本发明另一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤剖面示意图。

图9例示了根据本发明又一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤剖面示意图。

图10例示了根据本发明再一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤剖面示意图。

附图标记说明：P1、P2、P3-间距；10-方法；100-暂时性基板；100a-表面；102-电子元件；104-电极；108-牺牲层；108a-侧壁；110-绝缘层；112-间隙；200-导电载板；211-导电结构；211-1、211-2、211-3、211-4-子导电结构；200a-上表面；200b-下表面；201、201'-基底层；202-导电垫；202-1、202-2-子导电垫；204-连接部；206-导电线路；208-衬垫层；209-中介绝缘层；210-间隙；220-控制电路；300-转移元件；301、301'-基底层；302-1、302-2、302-3、302-4-转移头；304-通孔；306-导电线路；309-中介绝缘层；310-间隙；320-控制电路；400-目标基板；402-接合垫；102a-顶面；102b-底面；12、14、16、18、20、22、24、26、28、30-步骤。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明。须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出显示设备的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」、「包括」与「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。

应理解的是，当元件或膜层被称为「在另一元件或膜层上」或「连接到另一元件或膜层」时，它可以直接在另一个元件或膜层上，或直接连接到另一个元件或膜层，或者两者之间可存在有其他元件或膜层。相对的，当元件被称为「直接在另一个元件或膜层上」，或「直接连接到另一个元件或膜层」时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

虽然诸如「第一」、「第二」、「第三」等术语可用来描述或命名不同的构件，而此些构件并不以此些术语为限。此些术语仅用以区别说明书中的一构件与其他构件，无关于此些构件的制造顺序。权利要求中可不使用相同术语，并可依照权利要求中元件宣告的顺序，以「第一」、「第二」、「第三」等来取代。据此，在以下说明书中，第一构件在权利要求中可能为第二构件。

请参考图1与图2至图7。图1为根据本发明一实施例的电子装置的制作方法10的步骤流程图。图2至图5可对应至图1的步骤14至步骤26，说明根据本发明一实施例的将至少一电子元件自一第一基板(例如暂时性基板)转移至一第二基板(例如导电载板)以提供设置有至少一该电子元件的第二基板(例如导电载板)的步骤剖面示意图。图6可对应至图1的步骤28，说明根据本发明一实施例的自第二基板(例如导电载板)拾取至少一电子元件的步骤剖面示意图。图7可对应至图1的步骤30，说明根据本发明一实施例的将至少一电子元件转移至一第三基板(例如目标基板)的步骤剖面示意图。应当理解，本发明的电子装置的制作方法并不限于图1所示方法10中的步骤，可以在任何方法10所示步骤之前、之后或之间执行额外的步骤。此外，一些步骤可以同时执行，或者以与图1中所示不同的顺序执行。

请参考图1和图2，本发明的电子装置的制作方法包括提供一导电载板，该导电载板上设置有至少一电子元件。提供该导电载板的步骤例如首先进行步骤14，提供一暂时性基板100，至少一电子元件102设置在暂时性基板100的表面100a上。然后进行步骤16，于暂时性基板100上设置一牺牲层108覆盖至少一电子元件102。在图2所示实施例中，暂时性基板100上可设置有多个电子元件102，这些电子元件102可排列成等间距或非等间距的数组。牺牲层108可覆盖该些电子元件102及/或覆盖相邻的电子元件102之间的缝隙。

暂时性基板100例如是用来在其上制作电子元件102的半导体磊晶基板，例如是硅基板、三五族基板、蓝宝石基板或其合适的基板，但不限于此。电子元件102可以是半导体元件，例如发光二极管(light emitting diode，LED)，而发光二极管LED可包含微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、量子点发光二极管(quantum LED)、奈米线发光二极管(nano wire LED)、棒状发光二极管(bar type LED)等、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QD-LED)或上述的组合，但不限于此。如图2所示，电子元件102可具有相对的顶面102a及底面102b，其中顶面102a靠近暂时性基板100的表面100a，底面102b远离暂时性基板100的表面100a，底面102b则设置有电极104，用来与外部电路电连接。

牺牲层108可用于将电子元件102固定在暂时性基板100上。牺牲层108材料例如是可图案化的光阻(photoresist)或黏着剂(adhesive)，或其他合适的材料。在本实施例中，牺牲层108涂布在暂时性基板100上并固化后，可进行蚀刻(etching back)制程移除部分牺牲层108以暴露出电子元件102的电极104，但不以此局限。

请参考图1和图3，接着进行步骤18，将暂时性基板100的表面100a在垂直方向(例如Z方向)上朝向，也就是说暂时性基板100的表面100a靠近一导电载板200的上表面200a设置，使牺牲层108设置在导电载板200上，以可贴附在导电载板200上。可利用热压接合使牺牲层108黏附在导电载板200上，或设置一胶层来黏合牺牲层108和导电载板200，但不限于此。

导电载板200的基底层201可包括半导体材料层，例如硅层、硅覆绝缘(silicon-oninsulator,SOI)层或其他合适的半导体材料层，但不限于此。导电载板200可包含单层或多层结构，且设置有导电结构，例如包括利用薄膜沉积制程、图案化制程、蚀刻制程、植入制程等半导体制程形成的导电结构，但不限于此。在一些实施例中，导电载板200可包括其他形成于其中或其表面的结构，例如晶体管、金属化结构、集成电路、钝化层、封装层、绝缘层等，但不限于此。

导电载板200可包含至少一导电结构211，导电结构211可包含设置在导电载板200的上表面200a上的多个导电垫202、设置在下表面200b上的导电线路206，以及电连接导电垫202和导电线路206的连接部204，其中连接部204设置在贯穿导电载板200的通孔207中。导电垫202和其所电连接的导电线路206以及连接部204可视为一个子导电结构，例如子导电结构211-1、211-2、211-3、211-4，各子导电结构可分别为独立电路，也可以设计成多个子导电结构互相电连接而形成一组联合电路。再者，在同一组联合电路中的子导电结构可以是互相邻近设置或间隔设置，本发明不以上述设计为限。导电结构211的材料可包括金属材料或其他适合的导电材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)等金属材料或其合金，但不限于此。

在一些实施例中，步骤18可包括将电子元件102与导电载板200电连接，例如将电子元件102的电极104设置在对应的导电结构211的导电垫202上并电连接电极104和导电垫202。根据本发明一实施例，可利用热压接合使电极104和对应的导电垫202之间形成金属-金属键结来将电子元件102设置在导电载板200上。在其他实施例中，也可利用导电胶例如异向性导电胶膜(anisotropic conductive film,ACF)(图未示)来黏合电极104和导电垫202，但不限于此。

需特别说明的是，图中所示导电垫202、导电线路206以及连接部204的结构及设置方式是以便于绘图及说明为目的举例。导电垫202、导电线路206以及连接部204可根据设计需求进行配置。例如，可根据设计需求将导电垫202图案化以配合电子元件102的电极104设置。例如在本实施例中，电子元件102的电极104是设置在同一块导电垫202上。在其他实施例中(例如图8或图10)，对应同一个电子元件102的导电垫202可被图案化成多个区块，因此电子元件102的电极104分别设置在不同区块的导电垫202上。

请参考图1和图4，接着进行步骤20，移除暂时性基板100，暴露出电子元件102的顶面102a，然后进行步骤22，移除部分牺牲层108，使邻近电子元件102的牺牲层108围绕电子元件102。部分导电载板200可自围绕电子元件102的牺牲层108之间显露出来。移除部分牺牲层108的方法例如是对牺牲层108进行一图案化制程，例如曝光-显影制程或微影-蚀刻制程，以移除部分牺牲层108并且保留邻近电子元件102的牺牲层108。在图4所示实施例中，邻近电子元件102的牺牲层108围绕电子元件102(例如是在XY方向构成的平面中，以电子元件102为中心，围绕电子元件102的四周)，并且可暴露出导电载板200的部分上表面200a。如图4所示，邻近电子元件102的牺牲层108的侧壁108a可与导电载板200的上表面200a具有一夹角成一斜面，或者是垂直于上表面200a。在其他实施例中，侧壁108a亦可弧形，但不限于此。图案化牺牲层108后，部分的导电垫202可暴露出来而与后续设置的绝缘层110接触。在其他实施例中，图案化牺牲层108后，导电垫202可完全被邻近的牺牲层108覆盖。

请继续参考图1和图4。接着，进行步骤24，设置一绝缘层110覆盖电子元件102的顶面102a以及邻近电子元件102的牺牲层108。绝缘层110可覆盖及/或直接接触电子元件的顶面102a、电子元件102周围的牺牲层108以及导电载板200的上表面200a暴露出来的部分。绝缘层110可由介电材料构成，材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅，或者是高介电常数(high-k)介电材料，但不限于此。可以以化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或原子层沉积(ALD)等制程来形成绝缘层110，但不限于此。

请参考图1和图5，接着进行步骤26，移除牺牲层108，以在绝缘层110和导电载板200之间提供一间隙112，即电子元件102是设置在间隙112内。步骤26移除牺牲层108的方法可例如：先以蚀刻制程或其他合适的制程图案化绝缘层110，以在绝缘层110中形成开口(图未示)，然后通过开口进行湿蚀刻制程或其他合适的制程移除牺牲层108。移除牺牲层108后，电子元件102可藉由设置在其顶面102a的绝缘层110将其固定在导电载板200上。在一些实施例中，上述图案化绝缘层110的步骤可不移除电子元件102之间的绝缘层110。

请参考图1和图6，接着进行步骤28，自导电载板200拾取电子元件102，其中至少于拾取电子元件102的步骤中，设定导电载板200具有一电压，例如是一参考电压。可利用转移元件300拾取电子元件102。转移元件300可包括多个可导电的转移头302-1、302-2、302-3、302-4，还可选择性包括导电线路306和位于通孔304中的连接线路，用来选择性的提供电压至各转移头302-1、302-2、302-3、302-4。转移元件300可电连接到至少一控制电路320，并通过导电线路306分别控制提供至各转移头302-1、302-2、302-3、302-4的电压。例如，如图6所示，拾取电子元件102时，控制电路320可提供一拾取电压(pull-in voltage)至预定要拾取电子元件102的转移头302-2、302-4，使其与对应的对电子元件102产生静电吸引力以拾取该电子元件102，达到选择性拾取电子元件102的目的。各转移头302-1、302-2、302-3、302-4的导电线路306可分别为独立电路，也可以设计成多个转移头互相电连接而形成一组转移头。再者，同一组转移头可以是互相邻近设置或间隔设置，本发明不以上述设计为限。

根据一些实施例，转移元件300可包括弹性机构设计，例如两层基底层301、301’夹设一中介绝缘层309，基底层301、301’与中介绝缘层309之间还可具有一间隙310。间隙310可藉由移除部分的中介绝缘层309形成，但不局限于此。基底层301、301’和中介绝缘层309的材料可包含半导体材料例如硅、氧化硅，但不限于此。基底层301’可选择具有弹性的材料，或作厚度的调整，使其具有弹性的功能，但不限于此。在本实施例中，基底层301、301’可为硅层。上述结构可提供转移头302-1、302-2、302-3、302-4在垂直方向上的弹性位移，能补偿由于导电载板200及/或转移元件300的翘曲变形(warpage)，及/或电子元件102的厚度变异造成的高低起伏，可提升转移头302-1、302-2、302-3、302-4拾取电子元件102的准确性。

「参考电压」可以是交流电压或直流电压，主要用来使导电载板200电连接至电路的基准电位或参考电位，换句话说，代表电连接至一个无穷尽的电荷源或电荷吸收槽，可以无限制的提供电荷或吸收电荷。在本实施例中，参考电压可小于拾取电压，使导电载板200电连接的电位小于转移元件300电连接的电位。在一些实施例中，交流电压可例如是接地电压，此接地电压可介于10E-12至10E-5伏(V)、10E-6至10E-5伏(V)或10E-12至10E-6伏(V)之间。在一些实施例中，直流电压可例如是趋近于0伏，可根据实际需求调整。

步骤28的过程详细来说，包括使转移头302-1、302-2、302-3、302-4各别在对应的电子元件102上方，然后移动转移元件300(及/或移动导电载板200)，使转移头302-1、302-2、302-3、302-4靠近及/或直接接触绝缘层110，并且至少在此过程中，由控制电路320提供拾取电压(pull-in voltage)至预定做拾取动作的转移头302-2和302-4，并且设定导电载板200具有参考电压(例如接地电压)，使拾取电压产生的电场可极化绝缘层110，而在电子元件102的顶面102a累积与拾取电压相反的感应电荷，导电载板200及/或电子元件102中的电荷则可以被导通掉。例如，当拾取电压为正电压时，会产生感应负电荷累积在电子元件102顶面102a；当拾取电压为负电压时，会产生感应正电荷累积在电子元件102顶面102a附近。藉由上述机制，可在转移头302-2、302-4和对应的电子元件102之间产生静电吸引力(electrostatic attractive force)将电子元件102吸附在转移头302-2、302-4上。在转移元件300远离导电载板200时，即可将吸附的电子元件102自导电载板200分离。在一些实施例中，上述拾取电子元件102的过程中可选择性的加热导电载板200或从转移头302加热电子元件102，以帮助电极104自导电载板200分离。

步骤28的过程，控制电路320提供拾取电压至预定要拾取电子元件102的转移头302-2、302-4的时机可选择在转移头302-1、302-2、302-3、302-4接触绝缘层110之前、接触绝缘层110之后，或接触绝缘层110当下，但不限于此。设定导电载板200具有参考电压的时机可以是在控制电路320提供拾取电压的同时或之前，或者至少在转移头302-2和302-4拾取电子元件102的当下，但不限于此。

在图6所示实施例中，电子元件102自导电载板200分离时，会拉断固定电子元件102的绝缘层110，使部分的绝缘层110b留在导电载板200，部分的绝缘层110(110a)随电子元件102移动。绝缘层110的厚度可根据实际需求调整，例如介在几埃

请参考图1和图7，接着进行步骤30，将电子元件102转移至一目标基板400上。在一些实施例中，可将电子元件102的电极104设置在目标基板400上的接合垫402上。接合垫402的材料可包括金属材料或其他适合的导电材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)等金属材料或其合金，但不限于此。后续，可选择性移除绝缘层110。

目标基板400可以是具有控制电路的任何合适的基板，而且基板可具有驱动电路板，例如软性电路板(FPC)或印刷电路板(PCB)等，但不限于此。在一些实施例中，目标基板400可包括薄膜晶体管，例如是顶闸极、底闸极、双闸极薄膜晶体管，或其组合，但不限于此。目标基板400可用于电子元件，例如包括液晶(liquid crystal,LC)、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、量子点(quantum dot)、荧光材料(fluorescentmaterial)、磷光材料(phosphor material)、发光二极管(light-emitting diode.LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微型发光二极管(micro LED)或其他显示介质的显示设备，但不限于此。为了简化图示，图7仅绘示出目标基板400上用来设置电子元件102的接合垫402。

在一些实施例中，可利用热压接合使电极104和对应的接合垫402之间形成金属-金属键结来将电子元件102设置在目标基板400上。在其他实施例中，在其他实施例中，也可利用导电胶例如异向性导电胶膜(anisotropic conductive film,ACF)(图未示)来黏合电极104和导电垫202，但不限于此。

需特别说明的是，图2至图7所示电子元件102设置在导电载板200上的间距P1(如图3)、转移头302-1、302-2、302-3、302-4的间距P2(如图6)、接合垫402的间距P3(如图7)、每批次拾取的电子元件102的数量与间隔数量，以及电子元件102设置至目标基板400的位置等等，均是以便于说明和绘图为目的，本发明并不以此为限。举例来说，转移头302-1、302-2、302-3、302-4的间距P2可以等于电子元件102的间距P1，或者大于电子元件102的间距P1，例如是电子元件102的间距P1的整数倍。接合垫402的间距P3与电子元件102设置在导电载板200上的间距P1可不相等。接合垫402的间距P3可大于、小于或等于转移头302-1、302-2、302-3、302-4的间距P2。以上本发明的「间距」是指相邻的元件的同侧边的间距。

下文将针对本发明的不同实施例进行说明，且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同的部分进行详述，而不再对相同的部分作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同的元件以相同的标号进行标示，用以方便在各实施例间互相对照。

请参考图8，绘示了根据本发明另一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤。与前文图1至图6所示实施例差异在于，图8所示对应同一个电子元件102的子导电结构的导电垫202可分成子导电垫202-1跟子导电垫202-2，分别对应于电子元件102的一电极104跟另一电极。另外，子导电垫202-1、202-2上还可设置一衬垫层208，使电子元件102与导电载板200电性绝缘，亦即与子导电垫202-1、202-2电性绝缘。在一些实施例中，衬垫层208材料可包含绝缘材料，材料可与绝缘层110相同。另外，导电载板200还电连接至一控制电路220，控制电路220可选择性提供给各子导电结构相等或不相等的电压。

在本实施例中，在步骤28自导电载板200拾取电子元件102之前，控制电路220可设定导电载板200具有一第一电压，例如提供一吸附电压至各导电垫202，然后吸附电压产生的的电场可极化衬垫层208，并在电子元件102的电极104累积与吸附电压相反的感应电荷。藉由上述机制，可在导电垫202和电极104之间产生静电吸引力，将电子元件102吸附在导电载板200上，避免电子元件102在被拾取起之前位移。

请继续参考图8。在进行电子元件102的拾取步骤时，可至少在转移头302-1、302-2、302-3、302-4接触绝缘层110时，控制电路220可设定导电载板200具有一电压，例如提供一参考电压(例如交流电压或直流电压)至各子导电结构的子导电垫202-1、202-2，以消除电子元件102和子导电垫202-1、202-2之间的静电吸引力或残留的感应电荷，将导电载板200维持于不同转移元件300的电位，例如导电载板200的电位低于转移元件300的电位，使进行步骤28自导电载板200拾取电子元件102时，转移头302-2、302-4可顺利的拾取电子元件102。本实施例中，可藉由导电载板200的控制电路220选择性的释放要被拾取的电子元件102。根据本发明的一些实施例，前述的参考电压不等于第一电压，或参考电压可小于第一电压。

在步骤28自导电载板200拾取电子元件102之后，控制电路220可设定导电载板200具有一第二电压，例如转而对导电垫202提供另一吸附电压，以吸附住其余未被拾取的电子元件102。第一电压与第二电压可大致上相等，但不以此为限。第一电压与第二电压不等于前述的参考电压。例如，，第一电压与第二电压可大于参考电压。

本发明可通过控制电路320调整提供至各转移头302-1、302-2、302-3、302-4的电压及/或通过控制电路220调整提供至各子导电结构211-1、211-2、211-3、211-4的电压来达到选择要拾取的电子元件102的目的。例如，请继续参考图8，在控制电路320提供拾取电压的同时或之前，或者至少在转移头302-2和302-4拾取电子元件102的当下，控制电路220可选择性地提供参考电压至子导电结构211-2和211-4的子导电垫202-1、202-2，而未提供至子导电结构211-1和211-1的子导电垫202-1、202-2。

请参考图9，绘示了根据本发明又一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤。与前文图1至图6所示实施例差异在于，图9所示导电载板200可包括弹性机构设计，例如两层基底层201、201’夹设一中介绝缘层209，基底层201、201’之间还可具有一间隙210。间隙210可藉由移除部分的中介绝缘层209形成，但不局限于此。基底层201、201’和中介绝缘层209的材料可包含半导体材料，例如硅、氧化硅，但不限于此。中介绝缘层209可选择具有弹性的材料，或作厚度的调整，使其具有弹性的功能，但不限于此。在本实施例中，基底层201、201’可为硅层。

请参考图10，绘示了根据本发明再一实施例的导电载板，以及自该导电载板拾取电子元件的步骤。与前文图1至图6所示实施例差异在于，图10所示导电载板200的各子导电结构亦可分别与不同的控制电路220电连接，以及具有如图9所示的弹性机构设计。另外，本实施例可包括如图8所示的衬垫层208，使电子元件102与子导电垫202电性绝缘，亦即与导电载板200电性绝缘，并藉由如前文描述的机制将电子元件102吸附在导电载板200上。

图9与图10的实施力具有弹性机构设计，弹性机构设计可提供导电垫202，及/或设置在导电垫202上的电子元件102在垂直方向上的弹性位移，能补偿由于导电载板200及/或转移元件300的翘曲变形(warpage)，及/或电子元件102之间的厚度变异造成的高低起伏，可提升转移头302-1、302-2、302-3、302-4拾取电子元件102的准确性。

综上所述，本发明一方面利用绝缘层110将电子元件102固定在导电载板200上，可减少电子元件102在转移过程中位置偏移的情况，也可降低由于牺牲层108黏着力大于转移头302与电子元件102之间的静电吸引力而不易拾取电子元件102的风险。另一方面，本发明可选择性设定导电载板200具有参考电压来移除电子元件102的残余电荷以利转移头302利用静电吸引力吸附电子元件102进行转移，可提升转移的效率与良率。另外，在电子元件102跟导电载板200之间设置有绝缘层208的情况下，可通过控制电路220提供导电载板200吸附电压以对电子元件102产生静电吸引力，帮助电子元件102在被拾取前可固定在导电载板200上，并可于拾取电子元件102时设定导电载板200具有参考电压来释放电子元件102。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。须知悉的是，在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。