一种低成本的双栅显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种低成本的双栅显示面板。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器中，像素的驱动需要独立薄膜晶体管的控制，每个薄膜晶体管由一个栅极开关进行控制。随着显示行业的发展，使用者对显示器件的要求也越来越高。在现有的各类显示技术中，双栅场效应管因其独有的技术优势倍受青睐，双栅场效应管是一种三端器件，由两个栅极控制半导体载流层，具有抗干扰能力强、频率响应快、节省空间、功耗低等优点，可以广泛应用于放大器和微波通信领域。

附图1所示是传统双栅显示面板结构图，传统双栅显示面板分为GIP区和AA区(显示区)，从层结构上看，传统双栅显示面板包括玻璃衬底1，在玻璃衬底1上形成第一栅极2，在第一栅极2上形成第一绝缘层3，在第一绝缘层3上沉积半导体层4、源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7以及触控信号线8，GIP输出信号线6穿过第一绝缘层3上的过孔与第一栅极2连接，在半导体层4、源极信号线5、GIP输出信号线6和漏极信号线7的上方设置了第二绝缘层9，在第二绝缘层的上方形成第二栅极10和像素电极11，且第二栅极的材质与像素电极的材质不同，而且第二栅极的厚度大于像素电极的厚度。像素电极的材质为铟锡氧化物，而第一栅极和第二栅极可以用的材料有金属、合金或者金属+合金，具体的材质可以为钼、铜、钛、铝、氮化钼等等，钼是用来改善与铟锡氧化物的接触阻抗。从结构上看，第一栅极和第二栅极可以是单层、双层复合或三层复合。第二栅极10穿过第二绝缘层9的过孔与GIP输出信号线6连接，像素电极11穿过第二绝缘层9的过孔与漏极信号线7连接，在第二栅极10和像素电极11上沉积形成了第三绝缘层12，第三绝缘层12上形成了公共电极13，公共电极13穿过第三绝缘层12和第二绝缘层9与触控信号线8连接。

传统双栅显示面板共需使用九个光罩，其中第一个光罩用于制作第一栅极2，第二个光罩用于在第一绝缘层3上形成开孔，第三个光罩用于形成半导体层4，第四个光罩用于形成源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7和触控信号线8，第五个光罩用于在第二绝缘层9上形成开孔，第六个光罩用于形成像素电极11，第七个光罩用于形成第二栅极10，第八个光罩用于在第三绝缘层12上形成开孔，第九个光罩用于形成公共电极13。

现有技术的显示面板中，每形成一个栅极、电极、信号线或在绝缘层上开孔均需一个光罩，光罩使用的数量多，增加了生产的成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种低成本的双栅显示面板，在像素电极形成的同时制作第二栅极，减少了一个光罩，降低了生产成本。

本发明是这样实现的：

本发明提供了一种低成本的双栅显示面板，包括有玻璃衬底以及设置在玻璃衬底顶部的第一栅极，所述第一栅极顶部设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层顶部设置有半导体层，所述半导体层顶部设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层顶部设置有由相同材质制成的第二栅极和像素电极，且所述第二栅极和像素电极的厚度相同，使得沉积第二栅极和像素电极时，第二栅极和像素电极能够共用一个光罩，所述第二栅极和像素电极顶部设置有第三绝缘层；

所述双栅显示面板还包括有源极信号线、GIP输出信号线、漏极信号线、触控信号线以及公共电极，所述公共电极与触控信号线连接，所述源极信号线、GIP输出信号线、漏极信号线和触控信号线设置在第三绝缘层顶部，所述源极信号线、GIP输出信号线、漏极信号线和触控信号线的顶部设置有第四绝缘层，所述公共电极设置在第四绝缘层的顶部，所述公共电极穿过第四绝缘层和第三绝缘层与触控信号线连接。

进一步的，所述第二栅极和像素电极的材质为铟锡氧化物。

进一步的，所述第二栅极的厚度为0.6-0.8nm。

进一步的，所述第一栅极由第一长条部和与第一长条部一体成型的第一方形部组成，所述第二栅极由第二长条部和与第二长条部一体成型的第二方形部组成，所述第二方形部的长度尺寸与第一方形部的长度尺寸相等，或所述第二方形部的长度尺寸小于第一方形部的长度尺寸。

进一步的，所述双栅显示面板分为GIP区和显示区；

在所述GIP区内，所述源极信号线和GIP输出信号线均与半导体层连接，所述GIP输出信号线分别与第一栅极和第二栅极连接；

在所述显示区内，所述半导体层与源极信号线和漏极信号线连接，且漏极信号线与像素电极连接。

本发明的优点在于：由于第二栅极和像素电极的材质和厚度均相同，因此，第二栅极与像素电极能够共用一个光罩同时制作，相比较传统的双栅面板减少了一个光罩，并且减少了一道薄膜工艺，减少面板的制作成本。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1为现有技术中面板结构示意图。

图2为本发明双栅面板的结构示意图。

图3为图2所示结构的俯视图。

图中标号说明：

1、玻璃衬底；2、第一栅极；3、第一绝缘层；4、半导体层；5、源极信号线；6、GIP输出信号线；7、漏极信号线；8、触控信号线；9、第二绝缘层；10、第二栅极；11、像素电极；12、第三绝缘层；13、公共电极；14、第四绝缘层；15、第一长条部；16、第一方形部；17、第二长条部；18、第二方形部。

具体实施方式

如图2和图3所示，本发明提供了一种低成本的双栅显示面板，包括有玻璃衬底1以及设置在玻璃衬底1顶部的第一栅极2，所述第一栅极2顶部设置有第一绝缘层3，所述第一绝缘层3顶部设置有半导体层4，所述半导体层4顶部设置有第二绝缘层9，所述第二绝缘层9顶部设置有由相同材质制成的第二栅极10和像素电极11，所述第二栅极10和像素电极11的材质为铟锡氧化物，且所述第二栅极10和像素电极11的厚度相同，所述第二栅极10的厚度为0.6-0.8nm，所述第二栅极10和像素电极11顶部设置有第三绝缘层12；

所述双栅显示面板还包括有源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7、触控信号线8以及公共电极13，所述源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7和触控信号线8设置在第三绝缘层12顶部，所述源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7和触控信号线8的顶部设置有第四绝缘层14，所述公共电极13设置在第四绝缘层14的顶部，所述公共电极13穿过第四绝缘层14和第三绝缘层12与触控信号线8连接，所述双栅显示面板分为GIP区和显示区；

在所述GIP区内，所述源极信号线5和GIP输出信号线6均与半导体层4连接，所述GIP输出信号线6分别与第一栅极2和第二栅极10连接；

在所述显示区内，所述半导体层4与源极信号线5和漏极信号线7连接，且漏极信号线7与像素电极11连接。

在本实施例的优点不仅能够减少光罩的数量，减少面板的生产成本，由于第一绝缘层3的顶部仅设置了半导体层4，在半导体层4镀完后便覆盖第二绝缘层9，减少了半导体层4暴露在外界环境的时间，半导体的沟道特性会更稳定。而且，源极信号线5和漏极信号线7与第一栅极2间隔了第三绝缘层12、第二绝缘层9和第一绝缘层3，与现有技术中的双栅显示面板相比，能够进一步降低源极、漏极与栅极的寄生电容。

下列结合生产过程中使用的光罩数量来说明本实施例的优点：

如图2所示，本实施例共需使用八个光罩，其中第一个光罩用于制作第一栅极2，第二个光罩用于形成半导体层4，第三个光罩用于形成第二栅极10和像素电极11，第四个光罩用于在第三绝缘层12上形成开孔E和开孔F，第五个光罩用于在第三绝缘层12上形成开孔G、开孔H、开孔I、开孔J和开孔K，第六个光罩用于形成源极信号线5、GIP输出信号线6、漏极信号线7和触控信号线811，第七个光罩用于在第四绝缘层14上形成开孔L，第八个光罩用于形成公共电极13。

在实施例中，所述第一栅极2都由第一长条部15和与第一长条部15一体成型的第一方形部16组成，所述第二栅极10都由第二长条部17和与第二长条部17一体成型的第二方形部18组成，所述第二方形部18的长度尺寸L2与第一方形部16的长度尺寸L1相等，或所述第二方形部18的长度尺寸L2小于第一方形部16的长度尺寸L1，且第二方形部18的长度尺寸L2需大于相对应的沟道区。

第二方形部18的长度尺寸L2与第一方形部16的长度尺寸L1可以根据机台的制程能力来确定，如果机台的制程能力比较差，为了避免第二栅极10与像素电极11发生短接的风险，就使第二方形部18的长度尺寸L2小于第一方形部16的长度尺寸L1；如果机台的制程精度高，第二方形部18的长度尺寸L2与第一方形部16的长度尺寸L1相等。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。