拼接芯片的线上监控方法

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种拼接芯片的线上监控方法。

背景技术

社会信息化迅猛发展，大众及公共部门对摄像监控，电子地图，卫星跟踪方面的像素需求越来越高，超级像素也成为主流方向之一。

稳定的拼接技术可获得超级像素的拼接芯片，量产的拼接芯片的像素可高达225M，但拼接完成的芯片即拼接芯片的尺寸较大，为大尺寸芯片。大面阵拼接技术已较成熟，目前主要问题集中在工艺稳定模块，为此线上监控必须精确且全方位覆盖；现使用的量测机台工作原理为锁定重复单元来测试整个晶圆内多点值，受制于产品特殊性，拼接芯片产品一般不存重复的单元，导致大尺寸芯片无法进行正常线上监控。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种拼接芯片的线上监控方法，能实现对大尺寸的拼接芯片的线上监控。

为解决上述技术问题，本发明提供的拼接芯片的线上监控方法包括如下步骤：

步骤一、将多个小尺寸的拼接单元拼接形成大尺寸的拼接芯片，拼接时对所述拼接单元进行排序使所述拼接芯片的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限。

步骤二、在所述拼接芯片的长边外侧设置多个第一图形标记，所述第一图形标记将所述拼接芯片分割成多个重复测量单元，相邻两个所述第一图形标记之间的距离小于等于所述量测机台的识别宽度的下限。本发明中相邻两个所述第一图形标记之间的距离是指相邻两个所述第一图形标记的中心点之间的距离。

步骤三、所述量测机台通过所述第一图形标记锁定对应的所述重复测量单元并实现对锁定的所述重复测量单元进行测量，通过对所述拼接芯片上的所有所述重复测量单元进行测量完成所述拼接芯片的线上监控。

进一步的改进是，步骤一中，各所述拼接单元的大小都相同；或者，各所述拼接单元的大小不同。

进一步的改进是，各所述拼接单元的形状为矩形。

进一步的改进是，各所述拼接单元的大小小于等于光刻机的最大曝光视场。

进一步的改进是，所述拼接芯片上的各所述拼接单元分别通过单独曝光定义。

进一步的改进是，所述第一图形标记位于所述拼接芯片的长边外侧的切割道里。

进一步的改进是，所述光刻机的最大曝光视场为26mm×33mm。

进一步的改进是，步骤二中，各所述重复测量单元的大小相同。

进一步的改进是，所述第一图形标记的形状为十字型。

进一步的改进是，所述拼接芯片为图像传感器芯片。

进一步的改进是，所述拼接单元包括：芯片角落单元、像素区单元、左右电路单元和上下电路单元。

进一步的改进是，所述图像传感器芯片包括CIS芯片。

进一步的改进是，在所述拼接芯片上设置有量测衬垫，所述量测机台通过所述量测衬垫实现对相应的所述重复测量单元进行测量。

进一步的改进是，所述量测衬垫的设置靠近所述第一图形标记的切割道里。

进一步的改进是，相邻两个所述第一图形标记之间的距离等于所述像素区单元的沿所述拼接芯片的长边的边长。

进一步的改进是，所述像素区单元呈正方形。

本发明通过对拼接单元的拼接方式进行排序使拼接后的拼接芯片的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限，同时采用第一图形标记将拼接芯片的长边进行分割且将相邻两个第一图形标记的距离小于等于量测机台的识别宽度的下限，这样就能将拼接芯片分割成多个重复测量单元，重复测量单元的一个边长为拼接芯片的窄边宽度以及另一个边长为对应的两个第一图形标记的距离，故能使重复测量单元能被量测单元测量，也即量测机台能通过第一图形标记对各重复测试单元进行锁定并最后实现各重复测试单元的测试，所以本发明克服了现有技术中大尺寸的拼接芯片上不存在能进行测试的重复单元的缺陷，通过第一图形标记对拼接芯片进行分割后能实现对大尺寸的拼接芯片的线上监控。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是本发明实施例拼接芯片的线上监控方法的流程图；

图2是本发明实施例方法中拼接芯片的结构示意图；

图3是图2中的拼接单元的放大图。

具体实施方式

如图1所示，是本发明实施例拼接芯片2的线上监控方法的流程图；如图2所示，是本发明实施例方法中拼接芯片2的结构示意图，图3是图2中虚线框6处的拼接单元的放大图。本发明实施例拼接芯片2的线上监控方法包括如下步骤：

步骤一、将多个小尺寸的拼接单元拼接形成大尺寸的拼接芯片2，拼接时对所述拼接单元进行排序使所述拼接芯片2的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限。

本发明实施例中，所述拼接芯片2形成于晶圆1，线上监控为未对所述晶圆1进行切割的条件下进行测试实现监控。

所述晶圆1上形成有多个所述拼接芯片2。图2的虚线框3中显示了2个所述拼接芯片2。

图2中，所述拼接芯片2的窄边宽度用d1表示，长边长宽度用d2表示。

本发明实施例中，各所述拼接单元的大小都相同；或者，各所述拼接单元的大小不同。各所述拼接单元的形状为矩形。各所述拼接单元的大小小于等于光刻机的最大曝光视场。所述拼接芯片2上的各所述拼接单元分别通过单独曝光定义。所述光刻机的最大曝光视场为26mm×33mm。

所述拼接芯片2为图像传感器芯片。所述图像传感器芯片包括CIS芯片。如图3所示，所述拼接单元包括：芯片角落单元101、像素区单元103、左右电路单元102和上下电路单元104。对于一个所述拼接芯片2，需要重复四次所述芯片角落单元101的曝光，图3中显示了四个相邻的所述拼接芯片2的所述芯片角落单元101。所述左右电路单元102会经过多次曝光，多次曝光的所述左右电路单元102上下拼接在一起，图3中显示了两个左右相邻的所述左右电路单元102。所述像素区单元103会按照左右和上下重复曝光进行拼接，图3中仅显示了一个所述像素区单元103。所述上下电路单元104会经过多次曝光，多次曝光的所述上下电路单元104左右拼接在一起，图3中显示了两个上下相邻的所述上下电路单元104。

图3中还显示了各所述拼接芯片2之间具有切割道106。图3中还显示了芯片角落(diecorner)图形标记105。

所述第一图形标记4位于所述拼接芯片2的长边外侧的切割道106里。

步骤二、在所述拼接芯片2的长边外侧设置多个第一图形标记4，所述第一图形标记4将所述拼接芯片2分割成多个重复测量单元5，相邻两个所述第一图形标记4之间的距离小于等于所述量测机台的识别宽度的下限。

本发明实施例中相邻两个所述第一图形标记4之间的距离是指相邻两个所述第一图形标记4的中心点之间的距离，图2中两个所述第一图形标记4之间的距离用d3表示。

步骤二中，各所述重复测量单元5的大小相同。

所述第一图形标记4的形状为十字型。

相邻两个所述第一图形标记4之间的距离等于所述像素区单元103的沿所述拼接芯片2的长边的边长。所述像素区单元103呈正方形。

步骤三、所述量测机台通过所述第一图形标记4锁定对应的所述重复测量单元5并实现对锁定的所述重复测量单元5进行测量，通过对所述拼接芯片2上的所有所述重复测量单元5进行测量完成所述拼接芯片2的线上监控。

在所述拼接芯片2上设置有量测衬垫，所述量测机台通过所述量测衬垫实现对相应的所述重复测量单元5进行测量。

所述量测衬垫的设置靠近所述第一图形标记4的切割道106里。

本发明实施例通过对拼接单元的拼接方式进行排序使拼接后的拼接芯片2的窄边宽度小于等于量测机台的识别宽度的下限，同时采用第一图形标记4将拼接芯片2的长边进行分割且将相邻两个第一图形标记4的距离小于等于量测机台的识别宽度的下限，这样就能将拼接芯片2分割成多个重复测量单元5，重复测量单元5的一个边长为拼接芯片2的窄边宽度以及另一个边长为对应的两个第一图形标记4的距离，故能使重复测量单元5能被量测单元测量，也即量测机台能通过第一图形标记4对各重复测试单元进行锁定并最后实现各重复测试单元的测试，所以本发明实施例克服了现有技术中大尺寸的拼接芯片2上不存在能进行测试的重复单元的缺陷，通过第一图形标记4对拼接芯片2进行分割后能实现对大尺寸的拼接芯片2的线上监控。

以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。