一种超临界CO2光刻胶去除液及光刻胶的去除方法

技术领域

本发明涉及一种超临界CO

背景技术

现有技术中，光刻胶的去除主要有干法去胶法和湿法去胶法。其中湿法去胶法是一种化学方法，利用对胶体有化学吸附作用去除基体上的胶体。传统工艺采用硫酸双氧水去胶工艺，需要将基体浸泡10分钟以上才可以，而且此去除液具有强酸性与强氧化性，对基体表面的金属层具有很强的腐蚀性，从而造成对衬底的损失。同时该去除液对使用中操作人员要求高。

还有采用NMP或EKC等这类有机溶剂进行去胶工艺，该工艺也需要将基体浸泡20分钟以上，会对基体表面产生腐蚀性，而且这一类有机溶剂具有致癌性。针对以上问题，迫切需要一种新型的光刻胶去除液。

发明内容

本发明的目的在于提供一种超临界CO

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例中提供一种含超临界CO

进一步的，所述超临界CO

较为优选的，所述非离子碳氢表面活性剂包括2，6，8-三甲基-4-壬基醇聚氧乙烯醚和2-乙基己醇聚氧丙烯聚氧乙烯醚中的任意一种或两种以上组合，但不限于此。

较为优选的，所述有机胺包括二异丁胺、乙二胺以及正丁胺中的一种或任意两种以上组合，但不限于此。

较为优选的，所述有机溶剂包括乙醇以及丙醇中的一种或任意两种以上组合，但不限于此。

进一步的，所述超临界CO

本发明实施例中还提供一种光刻胶的去除方法，该方法使用所述的含超临界CO

进一步的，通过将所述去除液喷淋到光刻胶表面的方式进行去除。

进一步的，所述去除液是将超临界CO

与现有技术相比，本发明的优点包括：(1)本发明提供的所述的含超临界CO

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

以下结合若干实施例对本发明的技术方案作进一步的解释说明。

本发明实施例中提供一种含超临界CO

进一步的，所述超临界CO

较为优选的，所述非离子碳氢表面活性剂包括2，6，8-三甲基-4-壬基醇聚氧乙烯醚和2-乙基己醇聚氧丙烯聚氧乙烯醚中的任意一种或两种以上组合，但不限于此。

较为优选的，所述有机胺包括二异丁胺、乙二胺以及正丁胺中的一种或任意两种以上组合，但不限于此。

较为优选的，所述有机溶剂包括乙醇以及丙醇中的一种或任意两种以上组合，但不限于此。

进一步的，所述超临界CO

本发明实施例中还提供一种光刻胶的去除方法，该方法使用所述的含超临界CO

进一步的，通过将所述去除液喷淋到光刻胶表面的方式进行去除。

进一步的，所述去除液是将超临界CO

本发明实施例还提供一种光刻胶的去除方法，该方法具体包括以下步骤：

提供质量分数为1～10wt％的非离子碳氢表面活性剂，并加入有机溶剂中，在室温下混合均匀，再将有机胺加入到混合液中制得备用液体，之后将超临界CO

以下结合实施例对本发明的技术作进一步的解释说明。

实施例1

提供质量分数为10mL5wt％的2，6，8-三甲基-4-壬基醇聚氧乙烯醚，并加入20mL1.0mol/L的乙醇中，在室温下混合均匀，再将10mL乙二胺加入到混合液中制得备用液体，之后将超临界CO

实施例2

提供质量分数为10mL10wt％的2-乙基己醇聚氧丙烯聚氧乙烯醚，并加入20mL1.0mol/L的乙醇中，在室温下混合均匀，再将10mL乙二胺加入到混合液中制得备用液体，之后将超临界CO

实施例3

提供质量分数为10mL10wt％的2-乙基己醇聚氧丙烯聚氧乙烯醚，并加入20mL1.0mol/L的丙醇中，在室温下混合均匀，再将10mL二异丁胺加入到混合液中制得备用液体，之后将超临界CO

应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。