显示面板、包括显示面板的显示装置和显示面板制造方法

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月27日提交的韩国专利申请第10-2019-0176840号的优先权，出于所有的目的，其全部内容通过引用被并入本文。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及显示面板、包括显示面板的显示装置和显示面板制造方法。

背景技术

显示面板包括能够输出光的像素。显示面板的示例包括液晶显示(LCD)面板、等离子显示面板(PDP)和有机发光二极管(OLED)显示面板。

构成OLED面板的有机发光二极管是自发光的，并且不需要分离的光源。因此，可以相对地减小包括OLED面板的显示装置的厚度和重量。另外，包括OLED面板的显示装置可以具有高质量特性，例如，低功耗、高亮度、高响应率等。

前述内容仅旨在帮助理解本公开内容的背景，并且不旨在意味着本公开内容落入本领域技术人员已知的相关技术的范围内。

发明内容

本公开内容的目的是提供显示面板和包括显示面板的显示装置，其中，电流被稳定地提供至发光元件，并且显示面板具有优异的操作特性。

根据本公开内容的实施方式，提供有显示面板，该显示面板包括：包括发光区域和非发光区域的衬底；用于驱动显示面板的驱动元件；放置在非发光区域中并且与驱动元件间隔开的辅助电极；放置在驱动元件和辅助电极上的保护层；放置在保护层上并且连接至驱动元件的第一电极；放置在第一电极上的第一有机材料层；放置在第一有机材料层和保护层上方的第二电极；放置在第二电极与第一有机材料层之间的第二有机材料层；以及穿透保护层并且暴露辅助电极的接触孔，其中，第二电极在接触孔内电连接至辅助电极。

根据本公开内容的实施方式，提供有制造显示面板的方法，该方法包括：在衬底上形成用于驱动显示面板的驱动元件、以及与驱动元件间隔开的辅助电极；在驱动元件和辅助电极上形成保护层；形成连接至驱动元件的第一电极；在保护层中形成暴露辅助电极的接触孔；在第一电极上形成第一有机材料层；在第一有机材料层和保护层上形成第二有机材料层；以及以覆盖第二有机材料层的方式形成第二电极，其中，第二有机材料层的形成包括：形成被放置成在接触孔内不连续的第二有机材料层。

根据本公开内容的实施方式，通过辅助电极，与发光元件的阴极电极相对应的第二电极可以连接至辅助布线，使得通过辅助布线提供的电力可以被稳定地提供至第二电极。

因此，可以将电流稳定地提供至本公开内容的实施方式的发光元件。

附图说明

根据以下当结合附图时进行的详细描述将更清晰地理解本公开内容的上述及其他目的、特征和其他优点，在附图中：

图1是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图；

图2是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图；

图3是示出了根据本公开内容的实施方式的像素的图；

图4是根据本公开内容的实施方式的显示面板的截面图；

图5是图4中所示的部分AA的放大图；

图6至图15是示出了根据本公开内容的实施方式的制造显示面板的过程的图；

图16是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图；

图17是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图；以及

图18是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本公开内容的实施方式。

图1是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图。参照图1，显示装置1000可以包括显示面板100、控制器200、源极驱动器300、栅极驱动器400和电源电路500。

显示装置1000可以是能够显示图像和视频的装置。例如，显示装置1000可以涉及TV、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动电话、视频电话、电子书阅读器、计算机、相机、可穿戴装置等，但是不限于此。

显示面板100可以包括以行和列布置的多个像素(或子像素)PX。根据实施方式，图1中所示的多个像素PX可以以由n行和m列组成的网格结构布置(n和m是自然数)。

例如，显示面板100可以被实现为液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器、有机发光二极管(OLED)显示器、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器、电致变色显示器(ECD)、数字镜装置(DMD)、致动镜装置(AMD)、光栅光阀(GLV)、等离子显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)、真空荧光显示器(VFD)中的一个，但是不限于此。

根据实施方式，显示面板100可以包括：以m行布置的n条栅极线GL1至GLn；以及以m列布置的m条数据线DL1至DLm。像素PX可以被放置在栅极线GL1至GLn与数据线DL1至DLm的交叉处。

根据实施方式，可以基于每条栅极线来驱动显示面板100的像素PX。例如，在第一时段期间，布置在一条栅极线中的像素可以被驱动，以及在第一时段之后的第二时段期间，布置在另一栅极线中的像素可以被驱动。在此，其中驱动像素PX的单位时间段可以被称为一个水平时段(1个水平(1H)时间)。

像素PX可以包括被配置成发光的发光元件以及驱动发光元件的发光元件驱动电路。发光元件驱动电路可以连接至一条栅极线和一条数据线。发光元件可以位于发光元件驱动电路与用于连接的电源电压(例如，接地电压)之间。

根据实施方式，发光元件可以是发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或微发光二极管(LED)，但是本公开内容的实施方式不限于发光元件的类型。

每个像素PX可以是输出红色光的红色元件R、输出绿色光的绿色元件G、输出蓝色光的蓝色元件B和输出白色光的白色元件W中的一个。在显示面板100中，红色元件、绿色元件、蓝色元件和白色元件可以以各种方式布置。

发光元件驱动电路可以包括连接至栅极线GL1至GLn的开关元件，例如，薄膜晶体管(TFT)。当通过栅极线GL1至GLn施加栅极导通信号，并且开关元件导通时，发光元件驱动电路将数据信号(或像素信号)提供至发光元件，数据信号(或像素信号)通过连接至发光元件驱动电路的数据线DL1至DLm来接收。发光元件可以输出与图像信号相对应的光。

控制器200可以从外部接收图像信号RGB，并且可以对图像信号RGB执行图像处理，或者进行转换以使图像信号适合于显示面板100的结构，从而生成图像数据DATA。控制器200可以将图像数据DATA传输至源极驱动器300。

控制器200可以从外部主机装置接收控制信号CS。控制信号CS可以包括水平同步信号、垂直同步信号和时钟信号，但是不限于此。

基于接收到的控制信号CS，控制器200可以生成用于控制源极驱动器300的第一驱动控制信号DCS1、用于控制栅极驱动器400的第二驱动控制信号DCS2、以及用于控制电源电路500的第三驱动控制信号DCS3。

控制器200可以将第一驱动控制信号DCS1传输至源极驱动器300，可以将第二驱动控制信号DCS2传输至栅极驱动器400，并且可以将第三驱动控制信号DCS3传输至电源电路500。

基于图像数据DATA和第一驱动控制信号DCS1，源极驱动器300可以生成与显示面板100上显示的图像相对应的数据信号DS1至DSm，并且可以将生成的数据信号DS1至DSm传输至显示面板100。数据信号DS1至DSm可以分别传输至像素PX。例如，在1H时段期间，通过数据线DL1至DLm，源极驱动器300可以将要在1H时段显示的数据信号DS1至DSm提供至在1H时段驱动的像素PX。

响应于第二驱动控制信号DCS2，栅极驱动器400可以将栅极信号GS1至GSn顺序地提供至多条栅极线GL1至GLn。栅极信号GS1至GSn中的每一个是用于导通像素PX的信号，像素PX连接至栅极线GL1至GLn中的每一个，并且栅极信号GS1至GSn中的每一个可以被施加至包括在每个像素PX中的晶体管的栅极端子。

基于第三驱动控制信号DCS3，电源电路500可以生成要提供至显示面板100的驱动电压DV，并且可以将生成的驱动电压DV传输至显示面板100。驱动电压DV可以包括低电势驱动电压和具有比低电势驱动电压更高的电势的高电势驱动电压。根据实施方式，通过分离的电力线，电源电路500可以将低电势驱动电压和高电势驱动电压分别传输至像素PX中的每一个。

在本说明书中，源极驱动器300和栅极驱动器400可以被称为面板驱动电路。

根据实施方式，控制器200、源极驱动器300和栅极驱动器400中的至少两个可以被实现为一个集成电路。另外，根据实施方式，源极驱动器300或栅极驱动器400可以被实现为安装在显示面板100上。另外，根据实施方式，电源电路500可以位于显示面板100的外部。

图2是示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置的图。参照图2，显示装置1000可以包括：连接至显示面板100的第一电路衬底600；连接至第一电路衬底600的第二电路衬底700；盖窗800；以及后盖900。

显示面板100可以放置在盖窗800的下方。从显示面板100发射的光可以通过盖窗800输出。

显示面板100可以包括输出光的显示区域DA和没有显示光的非显示区域NDA。

显示区域DA是包括多个像素PX的区域，并且可以被称为有源区域。在显示区域DA中，可以放置能够输出光的发光材料。例如，在显示区域DA中，可以输出红色光、绿色光和蓝色光中的任何一种及其组合。

非显示区域NDA可以沿着显示区域DA的外围放置。非显示区域NDA是指显示面板100上除了显示区域DA以外的区域。根据实施方式，栅极驱动器400可以被放置在非显示区域NDA中，但是对此不施加限制。

显示面板100还可以包括其中接收和输出信号的焊盘区域PA。根据实施方式，在焊盘区域PA中，可以放置通过其输入和输出信号的导电凸块。

第一电路衬底600可以位于显示面板100与第二电路衬底700之间以进行连接，或者可以电连接显示面板100和第一电路衬底600。

根据实施方式，第一电路衬底600可以附接至显示面板100的焊盘区域PA。根据实施方式，第一电路衬底600可以连接至放置在焊盘区域PA中的凸块，并且可以通过凸块传输信号。例如，第一电路衬底600可以包括多条布线，多条布线用于连接显示面板100中的凸块和形成在第二电路衬底700上的布线。

在第一电路衬底600上，可以安装源极驱动器300或栅极驱动器400。根据实施方式，第一电路衬底600可以将从源极驱动器300或栅极驱动器400传输的信号传输至显示面板100。

根据实施方式，第一电路衬底600可以被实现为柔性膜，但是不限于此。

第二电路衬底700可以连接至第一电路衬底600。根据实施方式，通过第一电路衬底600，第二电路衬底700可以将信号传输至显示面板100。

在第二电路衬底700上，可以安装控制器200或电源电路500。第二电路衬底700可以将从控制器200传输的控制信号传输至第一电路衬底600，或者可以将从电源电路500提供的驱动电压传输至第一电路衬底600。例如，第二电路衬底700可以包括连接至形成在第一电路衬底600上的各个布线的布线。

根据实施方式，第二电路衬底700可以是印刷电路板，但是不限于此。

盖窗800可以透射从显示面板100输出的光，并且可以向外显示光。根据实施方式，盖窗800可以包括：透射从显示面板100提供的光的透光区域TA；和不透光的阻光区域BA。例如，阻光区域BA可以是边框。

根据实施方式，盖窗800可以包括透光区域TA。在此情况下，通过盖窗800的所有表面，可以输出从显示面板100输出的光。

盖窗800可以是透明材料。根据实施方式，盖窗800可以是玻璃、塑料、蓝宝石、晶体、膜等，但是不限于此。盖窗800可以是能够透射从显示面板100输出的光的任何材料。

后盖900可以被放置在显示装置1000的底部处，并且可以将盖窗800和显示面板100保持在其中。根据实施方式，后盖900可以与盖窗800耦接，并且因此可以将显示面板100保持在其中。

后盖900可以由具有刚性的材料制成。

图3是示出了根据本公开内容的实施方式的像素的图。作为示例，图3示出了连接至第i栅极线GLi(1≤i≤n)和第j数据线DLj(1≤j≤m)的像素PXij。

参照图1至图3，像素PX可以包括开关晶体管ST、驱动晶体管DT、存储电容器CST、感测晶体管SST和发光元件LD。开关晶体管ST和驱动晶体管DT可以被称为驱动元件。

开关晶体管ST的第一电极(例如，源电极)电连接至第j数据线DLj，以及开关晶体管ST的第二电极(例如，漏电极)电连接至第一节点N1。开关晶体管ST的栅电极电连接至第i栅极线GLi。当通过第i栅极线GLi施加栅极导通电平处的栅极信号时，开关晶体管ST导通，并且将通过第j数据线DLj施加的数据信号传输至第一节点N1。

存储电容器CST的第一电极电连接至第一节点N1，且存储电容器CST的第二电极接收高电势驱动电压ELVDD。可以使用和施加至第一节点N1的电压与高电势驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压对存储电容器CST进行充电。

驱动晶体管DT的第一电极(例如，源电极)接收高电势驱动电压ELVDD，以及驱动晶体管DT的第二电极(例如，漏电极)电连接至发光元件LD的第一电极(例如，阳极电极)。驱动晶体管DT的栅电极电连接至第一节点N1。当通过第一节点N1施加栅极导通电平处的电压时，驱动晶体管DT导通，并且可以取决于提供至栅电极的电压来控制流至发光元件LD的驱动电流的量。

感测晶体管SST的第一电极(例如，源电极)电连接至第二节点N2，以及感测晶体管SST的第二电极(例如，漏电极)电连接至参考电压线RVL。感测晶体管SST的栅电极电连接至感测线SL。基于通过感测线SL传输的感测电压，开关晶体管ST可以被导通，并且可以通过第二节点N2，将通过参考电压线RVL传输的参考电压施加至驱动晶体管DT的第一电极(例如，源电极)。

另外，感测晶体管SST可以检测像素PX(或驱动晶体管DT)的劣化程度，并且可以将检测的结果传输至源极驱动器300。例如，感测晶体管SST可以感测像素PXij的阈值电压，以识别像素PXij的劣化程度。具体地，通过检测第二节点N2的电压，感测晶体管SST可以感测阈值电压。

发光元件LD输出与驱动电流相对应的光。发光元件LD可以输出与红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种相对应的光。发光元件LD可以是有机发光二极管(OLED)或者具有在微米至纳米级范围内的尺寸的超小型无机发光二极管，但是不限于此。在下文中，将描述其中发光元件LD是有机发光二极管的本公开内容的实施方式。

另外，本公开内容中描述的像素PX的结构不解释为局限于参照图3描述的像素PXij的结构。根据实施方式，像素PX还可以包括至少一个元件，用于补偿驱动晶体管DT的阈值电压，或者初始化驱动晶体管DT的栅电极的电压和/或发光元件LD的阳极电极的电压。

图3示出了其中开关晶体管ST和驱动晶体管DT是NMOS晶体管的示例，但是对此不施加限制。例如，构成每个像素PX的晶体管中的至少一些或全部可以被配置成PMOS晶体管。在各种实施方式中，开关晶体管ST和驱动晶体管DT中的每一个可以被实现为低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)或低温多晶氧化物(LTPO)薄膜晶体管，但是不限于此。

图4是根据本公开内容的实施方式的显示面板的截面图。将参照图1至图4描述显示面板100的结构。

衬底110是显示面板100的基底构件，并且可以是透光衬底。衬底110可以是包括玻璃或钢化玻璃的刚性衬底，或者可以是由塑料材料制成的柔性衬底。例如，衬底110可以由玻璃或塑料材料，例如，聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等制成，但是衬底110的材料不限于此。

在衬底110上，可以放置包括焊盘121、电源布线123、下布线125、数据线127和辅助布线129的第一导电层120。

焊盘121可以从面板驱动电路接收用于驱动面板的信号。根据实施方式，焊盘121可以电连接至第一电路衬底600，并且可以从第一电路衬底600接收数据信号或栅极信号。

电源布线123可以是用于将驱动电压传输至发光元件LD的导电布线。根据实施方式，电源布线123可以是通过其施加高电势驱动电压ELVDD的导电布线，但是不限于此。

下布线125可以是具有阻光功能的导电金属。根据实施方式，下布线125可以保护显示面板100的驱动元件免受外部光的影响。

数据线127可以是用于将数据信号传输至像素PX的导电布线。数据线127可以电连接至数据线DL1至DLm。根据实施方式，数据线127可以指代数据线DL1至DLm。

辅助布线129可以从数据线127和下布线125间隔开放置。根据实施方式，辅助布线129可以连接至电源线，通过电源线施加低电势驱动电压ELVSS。如之后将描述的，通过辅助布线129，低电势驱动电压ELVSS可以传输至发光元件LD。

同时，图4示出了第一导电层120具有两层结构，但是本公开内容的实施方式不限于此。

根据实施方式，在第一导电层与衬底110之间，还可以放置绝缘膜。

在衬底110上，可以放置缓冲层130。根据实施方式，缓冲层130可以被放置在第一导电层120上。同时，焊盘121可以被暴露，而不被缓冲层130覆盖。例如，焊盘121可以不被绝缘层等覆盖其上，并且可以接收从外部提供的电信号。

缓冲层130可以防止离子或杂质从衬底110扩散，并且可以阻止水分从衬底110渗透。

可以以包括至少两层的多层结构来提供缓冲层130。根据实施方式，缓冲层130可以包括包含以下材料的层：无机材料，例如氧化物、氮化物等；有机材料；或有机无机化合物。例如，缓冲层130可以是硅氧化物或硅氮化物。

在缓冲层130上，可以放置有源图案131和存储电极133。

有源图案131可以包括基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料。例如，基于硅的半导体材料可以包括非晶硅或多晶硅。基于氧化物的半导体材料可以包括四元金属氧化物，例如，铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)；三元金属氧化物，例如，铟镓锌氧化物(InGaZnO)、铟锡锌氧化物(InSnZnO)、铟铝锌氧化物(InAlZnO)、锡镓锌氧化物(SnGaZnO)、铝镓锌氧化物(AlGaZnO)或锡铝锌氧化物(SnAlZnO)；或二元金属氧化物，例如，铟锌氧化物(InZnO)、锡锌氧化物(SnZnO)、铝锌氧化物(AlZnO)、锌镁氧化物(ZnMgO)、锡镁氧化物(SnMgO)、铟镁氧化物(InMgO)、铟镓氧化物(InGaO)、铟氧化物(InO)、锡氧化物(SnO)或锌氧化物(ZnO)。

有源图案131可以是驱动晶体管DT的有源区域。根据实施方式，有源图案131可以包括漏极区域131a、第一源极区域131c、以及第一漏极区域131a与源极区域131c之间的第一沟道区域131b。例如，第一源极区域131c和第一漏极区域131a可以包含p型或n型杂质。电子或空穴可以从第一源极区域131c流出，可以穿过第一沟道区域131b，并且可以被引入至第一漏极区域131a中。

可以放置存储电极133，使得存储电极133中的至少部分与下布线125交叠。在下布线125与存储电极133之间，可以形成存储电容器CST。

绝缘层135可以放置在有源图案131和存储电极133上。根据实施方式，绝缘层135可以放置在有源图案131与栅电极143之间，这将在之后描述。例如，绝缘层135可以放置在有源图案131的沟道131b与栅电极143之间。

绝缘层135可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、或者呈包括它们的多层结构。

在绝缘层135上，可以放置包括源电极141、栅电极143、漏电极145和辅助电极147的第二导电层140。

栅电极143可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种或者两种或更多种的合金。另外，栅电极143可以包括由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种或者两种或更多种的合金所组成的多层。例如，栅电极143可以包括钼和铝或者钼和铝-钕的两层，但是不限于此。同时，图4示出了栅电极143具有两层结构，但是本公开内容的实施方式不限于此。

源电极141和漏电极145彼此间隔开放置。源电极141和漏电极145可以分别连接至有源图案131的源极区域131a和漏极区域131c。

根据实施方式，源电极141可以通过接触孔连接至电源布线123，接触孔穿透缓冲层130和绝缘层135。漏电极145可以通过接触孔连接至下电极LE，接触孔穿透缓冲层130和绝缘层135。因此，通过源电极141，经由电源布线123传输的电信号可以被传输至漏电极145。

源电极141和漏电极145可以形成为单层或多层，单层或多层由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种或者两种或更多种的合金构成。在源电极141和漏电极145是多层的情况下，它们可以由钼和铝-钕的两层组成，或者由钛和铝和钛；钼和铝和钼；或钼和铝-钕和钼的三层组成。同时，图4示出了源电极141和漏电极145具有两层结构，但是本公开内容的实施方式不限于此。

有源图案131、源电极141、栅电极143和漏电极145可以构成晶体管。根据实施方式，晶体管可以是，例如，驱动晶体管DT或开关晶体管ST。图4示出了由有源图案131、源电极141、栅电极143和漏电极145构成驱动晶体管DT的示例。

同时，图4示出了平面TFT类型，其中，源电极141、栅电极143和漏电极145位于一个平面上，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，在栅电极143上，还可以定位层间绝缘层。源电极141和漏电极145可以被放置在层间绝缘层上。

辅助电极147可以电连接至辅助布线129。根据实施方式，辅助电极147可以通过接触孔与辅助布线129接触，接触孔穿透缓冲层130和绝缘层135。辅助电极147可以由与源电极141和漏电极145相同的材料组成，并且可以形成为单层或多层。

根据实施方式，辅助电极147可以被放置成具有斜率。亦即，辅助电极147可以包括放置在辅助布线129上的第一部分，以及放置在辅助布线129和保护层150上的第二部分。第一部分和第二部分可以彼此成角度。

在第二导电层140上，可以放置保护层150。保护层150可以覆盖第二导电层140和有源图案131。保护层150可以是包括有机膜和无机膜中的至少一个的层，有机膜和无机膜具有绝缘功能、平坦化功能或防水功能。

保护层150可以包括第一保护层151和放置在第一保护层151上的第二保护层153。第一保护层151可以使第二导电层140和有源图案131绝缘。根据实施方式，第一保护层151可以包括硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)、以及包括它们的多个膜。例如，第一保护层151可以是钝化层。

根据实施方式，第一保护层151可以包括多层，并且另外的导电层还可以形成在包括在第一保护层151中的多层之间。形成在第一保护层151中的导电层还可以包括电路元件和驱动线的电极，例如，晶体管DT和ST的辅助栅电极、存储电容器CST的上电极等。例如，第一保护层151可以是钝化层。

第二保护层153可以放置在第一保护层151上。第二保护层153可以是用于减小第二保护层153下方的层之间的水平差的平坦化膜。根据实施方式，第二保护层153可以包括有机材料，例如，聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、丙烯酸酯等。例如，第二保护层153可以是外套层。

根据实施方式，可以省略第一保护层151和第二保护层153中的任一个。在此情况下，保护层150可以仅由除了省略的层之外的一个层形成。

第一接触孔155可以形成在保护层150中。根据实施方式，第一接触孔155可以穿透第一保护层151和第二保护层153来形成，并且可以暴露保护层150和漏电极145的至少一部分。

第二接触孔157可以形成在保护层150中。根据实施方式，第二接触孔157可以穿透第一保护层151和第二保护层153来形成，并且可以暴露保护层150和辅助电极147的至少一部分。

根据实施方式，第二接触孔157可以暴露保护层150的侧表面，并且由第二接触孔157暴露的保护层150的侧表面与保护层150的顶表面之间的角度可以是90度或者更少。

在保护层150上，可以放置第一电极161。第一电极161可以是用于将至少两层或至少两个元件彼此连接的导电电极。根据实施方式，第一电极161可以由透明导电材料，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)等组成，但是不限于此。

第一电极161可以连接至漏电极145。从有源图案131的漏极区域131c传输的信号可以穿过漏电极145，并且可以传输至下电极LE。另外，信号可以从漏电极145传输至第一电极161。

第一电极161可以经由第一接触孔155与漏电极145接触，第一接触孔155穿透保护层150。根据实施方式，在保护层150上，第一电极161可以沿着第一接触孔155放置。

另外，第一电极161可以电连接至其上的第一有机材料层171，并且可以向第一有机材料层171提供孔。例如，第一电极161可以用作阳极(负极)电极。

在保护层150上，可以放置分隔壁163。分隔壁163可以限定像素PX的发光区域EA。分隔壁163可以包括暴露第一电极161的至少一部分的开口，并且可以以覆盖未暴露的第一电极161的剩余部分(例如，边缘)的方式形成。第一电极161的暴露的部分可以被限定为像素PX的发光区域EA。

根据实施方式，分隔壁163还可以包括暴露保护层150的一部分的开口。亦即，分隔壁163可以放置在保护层150的一部分上，而不是整个保护层150上。

根据实施方式，分隔壁163可以被放置成覆盖辅助电极147在第二接触孔157内的一部分，但是不限于此。

分隔壁163可以由能够阻挡光的材料(例如，有色材料)制成。因此，除了分隔壁163的开口之外，光不穿过层，而光仅穿过分隔壁163的开口。

分隔壁163可以包括有机材料，例如，聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、丙烯酸酯等。另外，分隔壁163可以包括包含硅氧化物和硅氮化物的无机材料。根据实施方式，分隔壁163可以是包括有机材料和无机材料的多层结构。

在第一电极161上，可以放置第一有机材料层171。根据实施方式，在分隔壁163之间，第一有机材料层171可以被放置在其中暴露第一电极161的部分上。例如，第一有机材料层171可以被放置在第一电极161上，被分隔壁163包围。

根据实施方式，分隔壁163可以以高于第一有机材料层171的方式形成。

响应于从第一电极161传输的电信号，第一有机材料层171可以输出光。根据实施方式，从第一有机材料层171输出的光可以是红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任一种，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，从第一有机材料层171输出的光的颜色可以是品红色、青色和黄色中的一种。

第一有机材料层171可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和有机发射层。空穴注入层(HIL)被放置在第一电极161上，并且空穴被从第一电极161注入至空穴注入层(HIL)中。空穴传输层(HTL)被放置在空穴注入层上，并且帮助注入的空穴移动。使用从空穴传输层传输的空穴和第二电极175提供的电子，有机发光层来由自身发光，这将在之后描述。

第一有机材料层171可以以两个或更多个堆叠的串联结构形成。在此情况下，每个堆叠可以包括空穴注入层、空穴传输层和有机发光层。在第一有机材料层171以两个或更多个堆叠的串联结构形成的情况下，可以在堆叠之间形成电荷生成层。电荷生成层可以包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。n型电荷生成层位于下堆叠附近。p型电荷生成层形成在n型电荷生成层上，并且因此位于上堆叠附近。n型电荷生成层将电子注入至下堆叠中，并且p型电荷生成层将空穴注入至上堆叠中。n型电荷生成层可以是通过以下方式获得的有机层：将碱金属例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)，或者碱土金属例如，镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)掺杂至具有电子传输能力的有机主体材料中。p型电荷生成层可以是通过以下方式获得的有机层：将掺杂剂掺杂至具有空穴传输能力的有机主体材料中。

第一有机材料层171可以通过将包含有机材料的溶液施加至衬底上的喷墨工艺来形成，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，第一有机材料层171也可以通过沉积工艺或激光转移工艺来形成。

根据实施方式，在通过喷墨工艺形成第一有机材料层171的情况下，第一有机材料层171的表面可以是弯曲表面。例如，第一有机材料层171的顶表面可以具有凹形或凸形。

在第一有机材料层171上，可以放置第二有机材料层173和第二电极175。第二有机材料层173可以沿着第一有机材料层171的表面放置，以及第二电极175可以沿着第二有机材料层173的表面放置。

第二有机材料层173可以被放置成覆盖第一有机材料层171，以及第二电极175可以被放置成覆盖第二有机材料层173。根据实施方式，第二有机材料层173可以沿着第一有机材料层171、分隔壁163和保护层150的表面放置。

第二有机材料层173可以将从第二电极175释放的电子平滑地传输至第一有机材料层171。例如，第二有机材料层173可以包括：从第二电极175释放的电子注入其中的电子注入层(EIL)；以及将注入的电子传输至第一有机材料层171的电子传输层(ETL)。

第二电极175可以将电子提供至第一有机材料层171。例如，第二电极175可以用作阴极(正极)电极。第二电极175可以包括能够透射光的透明导电材料(TCO)，或者半透射导电材料，包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)，钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其合金。

在本公开内容的实施方式中，第二电极175可以沿着第二接触孔157放置，第二接触孔157穿透保护层150，并且暴露辅助电极147的至少一部分。同时，第二有机材料层173的延展性可以低于第二电极175的延展性，使得第二有机材料层173可以不沿着第二接触孔157放置，并且可以由于第二接触孔157形成的保护层150的水平差而被切割。亦即，第二有机材料层173可以在第二接触孔157附近不连续。

由于第二有机材料层173被第二接触孔157分开，所以辅助电极147在第二接触孔157内的暴露部分没有被第二有机材料层173覆盖。因此，第二电极175可以在第二接触孔157内电连接至辅助电极147。例如，第二电极175可以与辅助电极147的被第二接触孔157暴露的部分接触，并且第二电极175可以通过辅助电极147从辅助布线129接收电力。例如，通过辅助布线129提供的低电势驱动电压ELVSS可以被提供至第二电极175。

根据本公开内容的实施方式，由于通过辅助电极147，第二电极175可以连接至辅助布线129，所以通过辅助布线129提供的电力被稳定地提供至第二电极175，从而电流可以被稳定地提供至发光元件LD，并且可以增强显示面板100的操作特性。

同时，分隔壁163可以被放置在第二接触孔157中的至少部分中。第二有机材料层173和第二电极175可以被放置在分隔壁163上，分隔壁163放置在第二接触孔157中。根据实施方式，分隔壁163的斜率可以为小于50度的角，并且第二有机材料层173可以沿着分隔壁163放置而不被切割。

封装层180可以放置在第二电极175上。封装层180可以防止氧气、水分或异物渗透至封装层180以下的层(例如，有机材料层171和173)中。根据实施方式，封装层180可以形成为包括至少一层无机层和至少一层有机层的多层结构。例如，封装层180可以是多层结构，其中，无机层、有机层和无机层以该顺序堆叠。

根据实施方式，有机层可以比无机层厚，以便防止异物渗透至有机材料层171和173中。另外，有机层可以由能够透射从第一有机材料层171输出的光的透明材料制成，但是不限于此。

无机层可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物和钛氧化物中的至少一种。有机层可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、苯并环丁烯树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。

在封装层180上，可以形成上衬底190。上衬底190可以由与衬底110相同的材料构成。通过粘合剂等，上衬底190可以附接在封装层180上。然而，上衬底190的结合方法不限于此。

在各种实施方式中，在封装层180与上衬底190之间，还可以形成滤色器191。滤色器191可以放置在发光区域EA中。滤色器191是波长选择滤光器，其通过透射特定波长带中的光并且阻挡其他特定波长带中的光，来选择性地透射入射光的仅部分的波长带。滤色器191可以由感光树脂构成，感光树脂包含着色剂，例如颜料、染料等。从发光元件LD输出并且穿过滤色器191的光可以具有红色、绿色和蓝色中的任何一种。在发光元件LD输出白色光的情况下，可以省略用于白色光的滤色器191。

图5是图4中所示的部分AA的放大图。参照图1至图5，通过穿透保护层150，第二接触孔157可以暴露保护层150的侧表面。例如，第二接触孔157可以以这样的方式穿透保护层150，即，保护层150的表面(例如，顶表面)与保护层150的被第二接触孔157暴露的暴露表面153a之间的角度α等于或小于90度。亦即，由于第二接触孔157，保护层150可以具有水平差。例如，保护层150可以具有倒锥形形状。

台阶覆盖率是指材料或层能够在具有水平差的表面上均匀地保持厚度的程度。例如，对于第一表面与在第一表面处弯曲的第二表面之间的水平差，台阶覆盖率可以被定义为(第二表面处的厚度)/(第一表面处的厚度)，但是不限于此。

由于台阶覆盖率高，所以即使在具有水平差的表面上，也可以均匀地放置材料或层。由于台阶覆盖率高，所以可以沿着具有水平差的表面更均匀地放置材料或层。

在本公开内容中，第二有机材料层173的台阶覆盖率可以比第二电极175的台阶覆盖率差。因此，第二有机材料层173可以不被放置成完全覆盖第二接触孔157，并且由于由第二接触孔157形成的保护层150的水平的差异，第二有机材料层173可以被切割，同时第二电极175可以沿着具有由第二接触孔157形成的保护层150的水平差的表面放置。换句话说，第二有机材料层173可能不能完全覆盖保护层150的被第二接触孔157暴露的暴露表面153a，同时第二电极175可以被放置成完全覆盖暴露表面153a。例如，第二有机材料层173在第二接触孔157内可以不连续，并且可以包括在第二接触孔157内彼此分离的至少两个部分173a和173b。

在本文中，辅助电极147的被第二接触孔157暴露的部分可以不被第二有机材料层173覆盖。例如，辅助电极147可以在第二有机材料层173的彼此分离的两个部分173a与173b之间被暴露。第二电极175可以沿着保护层150的暴露表面153a被放置成覆盖第二接触孔157，并且第二电极175可以与辅助电极147接触。因此，第二电极175可以电连接至辅助电极147。根据该配置，通过辅助布线129提供的低电势驱动电压ELVSS可以被提供至第二电极175。

同时，图5示出了第二有机材料层173的第一部分173a没有被放置在保护层150的暴露表面153a上。然而，根据实施方式，第二有机材料层173的第一部分173a可以被放置成覆盖暴露表面153a的一部分。然而，即使在此情况下，辅助电极147的被第二接触孔157暴露的部分也可能没有被第二有机材料层173覆盖。

图6至图15是示出了根据本公开内容的实施方式的制造显示面板的过程的图。参照图6至图15，将描述根据本公开内容的实施方式的制造显示面板的过程。

参照图6，可以提供衬底110，并且在衬底110上，可以形成第一导电层120。第一导电层120可以包括焊盘121、电源布线123、下布线125、数据线127和辅助布线129。如图6中所示，第一导电层120可以提供为包括至少两个金属层的多层结构，但本公开内容的实施方式不限于此。

第一导电层120可以通过图案化工艺形成。根据实施方式，焊盘121、电源布线123、下布线125、数据线127和辅助布线129可以通过以下方式形成：在衬底110上施加(或沉积)金属材料，并且然后，使用掩模执行图案化，但是对此不施加限制。

参照图7，在第一导电层120上，可以形成缓冲层130。例如，可以通过沉积工艺来形成缓冲层130。

在缓冲层130上，可以形成有源图案131和存储电极133。根据实施方式，可以在缓冲层130上施加基于氧化物的半导体材料或基于硅的半导体材料，并且可以通过使用掩模执行图案化，从而形成有源图案131。

根据实施方式，通过对基于氧化物的半导体材料或基于硅的半导体材料执行热处理或离子注入，可以形成有源图案131的源极区域131a和漏极区域131c，但是对此不施加限制。

参照图8，在缓冲层130上，可以形成绝缘层135。根据实施方式，绝缘层135可以被放置成覆盖缓冲层130和有源图案131。例如，包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的无机层可以形成在缓冲层130和有源图案131上，并且然后，无机层可以选择性地进行图案化，从而形成绝缘层135。

另外，在绝缘层135上，可以形成第二导电层140，第二导电层140包括驱动晶体管DT的电极141、143和145以及辅助电极147。根据实施方式，通过在绝缘层135上选择性地执行图案化，形成了分别暴露电源布线123、下布线125和辅助布线129的接触孔，并且在各个接触孔中，可以形成漏电极145、源电极141和辅助电极147。

参照图9，保护层150可以形成在绝缘层135和第二导电层140上。可以形成保护层150，以覆盖绝缘层135和第二导电层140两者。根据实施方式，在形成第一保护层151之后，可以在第一保护层151上形成第二保护层153。例如，可以通过沉积工艺来形成保护层150。

参照图10，在保护层150中，可以形成穿透保护层150的接触孔155和157。根据实施方式，通过蚀刻保护层150，可以形成接触孔155和157。

通过蚀刻保护层150，可以形成第一接触孔155，使得暴露漏电极145中的至少一部分。通过蚀刻保护层150，可以形成第二接触孔157，使得暴露辅助电极147中的至少一部分。

根据实施方式，第二接触孔157穿透保护层150，使得可以暴露保护层150的侧表面。如上所述，保护层150的被第二接触孔157暴露的暴露表面153a可以具有倒锥形形状。例如，通过湿法蚀刻，可以形成第二接触孔157，但是对此不施加限制。

参照图11，第一电极161可以形成在保护层150上。根据实施方式，第一电极161的至少部分可以以沿着第一接触孔155放置的方式形成。因此，第一电极161可以与通过第一接触孔155暴露的漏电极145接触。

根据实施方式，可以在保护层150上施加(或沉积)透明导电材料，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)等，并且然后，通过使用掩模可以选择性地执行图案化，从而形成第一电极161。

在第一电极161上，可以形成分隔壁163。根据实施方式，分隔壁163可以以暴露第一电极161的一部分并且覆盖剩余部分的方式形成在第一电极161上。另外，分隔壁163可以以暴露辅助电极147的一部分并且覆盖剩余部分的方式形成在第二接触孔157中。

可以在保护层150和第一电极161上施加有机材料或无机材料，并且可以通过使用掩模选择性地执行图案化，从而形成分隔壁163。在本文中，通过图案化工艺，可以形成暴露第一电极161的至少一部分的开口，并且可以形成暴露辅助电极147的至少一部分的开口。

根据实施方式，覆盖辅助电极147的至少一部分的分隔壁163可以通过湿法蚀刻形成，但是对此不施加限制。

同时，在本说明书中，描述了第一电极161进行图案化之后，分隔壁163进行图案化。然而，根据实施方式，第一电极161和分隔壁163可以通过一个图案化形成。

根据实施方式，分隔壁163的表面中的至少一部分可以是疏水的。例如，在施加有机绝缘材料与疏水材料例如氟(F)的混合物的溶液之后，可以通过光刻工艺形成分隔壁163。由于光刻工艺期间发出的光，疏水材料例如，氟可能移动至分隔壁163的顶部，并且因此，分隔壁163的顶表面具有疏水性，并且剩余部分可能具有亲水性。然而，本实施方式不限于此。分隔壁163的整个部分可以是疏水的。在整个分隔壁163是疏水的情况下，当通过喷墨工艺形成输出不同颜色的光的第一有机材料层171时，分隔壁163可以用作在第一有机材料层171中控制流动的坝，这将在之后进行描述。

参照图12，可以形成用于输出光的第一有机材料层171。根据实施方式，可以通过以下方式形成第一有机材料层171：沉积有机材料(沉积工艺)、施加包含有机材料的溶液(喷墨工艺)、或者使用激光照射包含有机材料的膜(激光转移工艺)，但是本公开内容的实施方式不限于此。然而，假设通过喷墨工艺形成第一有机材料层171来描述本公开内容。

在由分隔壁163包围的发光区域EA中，第一有机材料层171可以形成在暴露的阳极电极210上。根据实施方式，可以通过喷墨工艺形成第一有机材料层171，其中，使用喷嘴等将有机溶液滴至由分隔壁163包围的腔内，并且有机溶液硬化。通过分隔壁163，可以防止有机溶液溢出到发光区域EA的外部。

根据实施方式，当通过喷墨工艺形成第一有机材料层171时，第一有机材料层171的中心区域与边缘区域(与分隔壁163相邻)之间可能存在高度差，这是由于第一有机材料层171与分隔壁163之间的力。例如，第一有机材料层171的顶表面可能在中心部分处最薄，并且可能在边缘处最厚，但是本公开内容的实施方式不限于此。

参照图13，第二有机材料层173可以形成在第一有机材料层171上。第二有机材料层173可以是用于注入或传输从第二电极175传输的电子的层。

根据实施方式，可以通过以下方式形成第二有机材料层173：沉积有机材料(沉积工艺)、施加包含有机材料的溶液(喷墨工艺)、或者使用激光照射包含有机材料的膜(激光转移工艺)，但是本公开内容的实施方式不限于此。然而，假设通过沉积工艺形成第二有机材料层173来描述本公开内容。

第二有机材料层173可以以这样的方式沉积在表面上，即，覆盖第一有机材料层171、分隔壁163和保护层150。如上所述，由于第二接触孔157的倒锥形形状，所以当沉积第二有机材料层173时，第二有机材料层173可以形成为被第二接触孔157形成的保护层150的水平差分离。例如，第二有机材料层173可以以在第二接触孔157内不连续的方式形成(例如，沉积)，并且可以包括在第二接触孔157内彼此分离的两个部分173a和173b。因此，由第二接触孔157暴露的辅助电极147可以不被第二接触孔157完全覆盖，并且可以具有暴露的至少一部分。

参照图14，在第二有机材料层173上，可以形成第二电极175。第二电极175可以是能够提供电子的阴极电极。

根据实施方式，可以通过沉积工艺来形成第二电极175，但是本公开内容的实施方式不限于此。

第二电极175可以以这样的方式沉积在表面上，即，覆盖第二有机材料层173和保护层150。如上所述，第二电极175比第二有机材料层173具有更好的台阶覆盖率。因此，不同于第二有机材料层173，第二电极175可以被放置成不在第二接触孔157附近分离，而是完全覆盖第二接触孔157。亦即，第二电极175可以以在第二接触孔157内连续的方式形成，并且因此，可以与暴露的辅助电极147直接接触。因此，由于第二电极175可以通过辅助电极147连接至辅助布线129，所以通过辅助布线129提供的电力被稳定地提供至第二电极175，从而电流可以被稳定地提供至发光元件LD。

参照图15，在第二电极175上，可以形成封装层180。封装层180可以形成为包括无机层和有机层的多层结构。根据实施方式，可以形成能够防止异物或水分从外部渗透的无机层，并且在无机层上可以形成使下部结构的不规则性平坦化的有机层。例如，有机层可以以比无机层厚的方式形成。

在封装层180上，可以放置上衬底190。根据实施方式，通过使用粘合剂等，上衬底190可以附接在封装层180上。

另外，在上衬底190与封装层180之间，可以形成滤色器191。根据实施方式，通过进行图案化，滤色器191可以形成在上衬底190的表面上，并且上衬底190其上形成滤色器191的表面以及封装层180可以附接至彼此。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

图16是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图。图16的显示面板100A与图4的显示面板100的不同在于：显示面板100A的分隔壁163没有放置在第二接触孔157内。将省略与图4的实施方式的对应部分相同的部分的描述。

参照图16，分隔壁163可以暴露整个第二接触孔157，并且分隔壁163可以不形成在辅助电极147上。由于分隔壁163没有放置在第二接触孔157内，所以由于第二接触孔157形成的保护层150的水平差而导致第二有机材料层173可以被切割，并且第二有机材料层173可以被放置成在第二接触孔157内不连续。

根据实施方式，第二有机材料层173可以在第二接触孔157内不连续，并且可以包括在第二接触孔157内彼此分离的至少三个部分173a、173b和173c。

在本文中，辅助电极147的被第二接触孔157暴露的部分可以不被第二有机材料层173覆盖。例如，辅助电极147可以在第二有机材料层173的彼此分离的三个部分173a、173b和173c之间被暴露。

第二电极175可以沿着保护层150的暴露表面153a被放置成覆盖第二接触孔157，并且第二电极175可以在第二接触孔157内与辅助电极147接触。在图16的实施方式中，第二电极175可以在在第二接触孔157内彼此分离的两个部分处与辅助电极147接触。根据该配置，通过辅助布线129提供的低电势驱动电压ELVSS可以被提供至第二电极175。

图17是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图。图17的显示面板100B与图4的显示面板100的不同在于：显示面板100B还包括沿着第二接触孔157放置的第三电极165。将省略与图4的实施方式的对应部分相同的部分的描述。

参照图17，第三电极165可以放置在保护层150上，与第一电极161间隔开。

第三电极165可以与第一电极161基本相同。根据实施方式，第三电极165可以由透明导电材料，例如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)等组成。例如，可以在保护层150和第二接触孔157上施加透明导电材料，并且然后，可以通过使用掩模执行图案化，从而形成第三电极165。

可以通过使用与第一电极161相同的掩模来形成第三电极165，但是对此不施加限制。

第三电极165可以沿着保护层150被放置成覆盖第二接触孔157。第三电极165可以遍及第二接触孔157内而放置，并且因此，可以电连接至辅助电极147。根据实施方式，沿着保护层150和保护层150的被第二接触孔157暴露的暴露表面153a，可以以恒定的厚度放置第三电极165。亦即，第三电极165可以被放置成保持第二接触孔157中的水平差。

在第三电极165上，可以放置第二有机材料层173。同时，如上所述，由于第二有机材料层173的台阶覆盖率，所以第二有机材料层173可以不被放置成完全覆盖第三电极165，并且可以由于由第二接触孔157形成的第三电极165的水平差而被切割。相反，第二电极175可以在第二接触孔157内、沿着具有的第三电极165的水平差的表面而放置。例如，第二有机材料层173可以在第二接触孔157内不连续，并且可以包括在第二接触孔157内彼此分离的至少两个部分173a和173b。

因此，第三电极165的至少一部分没有被第二有机材料层173覆盖。例如，第三电极165可以在第二有机材料层173的彼此分离的两个部分173a和173b之间被暴露。第二电极175可以被放置成覆盖第三电极165，并且第二电极175可以在第二接触孔157内与第三电极165接触。

同时，分隔壁163可以放置在第二接触孔157的至少一部分中。分隔壁163可以被放置成覆盖第三电极165的至少一部分。第二有机材料层173和第二电极175可以放置在分隔壁163上，分隔壁163放置在第二接触孔157中。

如上所述，由于第三电极165电连接至辅助电极147，所以第二电极175电连接至辅助电极147。根据该配置，通过辅助布线129提供的低电势驱动电压ELVSS可以被提供至第二电极175。

图18是示出了根据本公开内容的实施方式的显示面板的图。图18的显示面板100C与图17的显示面板100B的不同在于：显示面板100C的分隔壁163没有放置在第二接触孔157内。将省略与图17的实施方式的对应部分相同的部分的描述。

参照图18，分隔壁163可以暴露整个第二接触孔157，并且分隔壁163可以不形成在第三电极165上。由于分隔壁163没有放置在第二接触孔157内，所以由于第二接触孔157形成的第三电极165的水平差而导致第二有机材料层173可以被切割，并且第二有机材料层173可以被放置成在第二接触孔157内不连续。

根据实施方式，第二有机材料层173可以在第二接触孔157内不连续，并且可以包括在第二接触孔157内彼此分离的至少三个部分173a、173b和173c。

在本文中，第三电极165的至少一部分没有被第二有机材料层173覆盖。例如，第三电极165可以在第二有机材料层173的彼此分离的三个部分173a、173b和173c之间被暴露。

第二电极175可以沿着具有由第二接触孔157形成的水平差的表面被放置成覆盖第三电极165，并且第二电极175可以在第二接触孔157内与第三电极165接触。在图17的实施方式中，第二电极175可以在在第二接触孔157内彼此分离的两个部分处与第三电极165接触。根据该配置，通过辅助布线129提供的低电势驱动电压ELVSS可以被提供至第二电极175。

根据本公开内容的实施方式，通过辅助电极147，与发光元件LD的阴极电极相对应的第二电极175可以连接至辅助布线129，使得通过辅助布线129提供的电力可以被稳定地提供至第二电极175。

因此，可以将电流稳定地提供至本公开内容的实施方式的发光元件LD。

为了说明的目的，已经参照附图中示出的实施方式描述了本公开内容，并且本公开内容所属领域的技术人员将容易理解，可以以各种方式修改本公开内容，并且其他等效的实施方式是可能的。因此，本公开内容的范围应当由所附权利要求的技术思想来确定。