显示面板的制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种显示面板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，现有显示器件上的集成电路更加的精密，相应的，显示器件上的各膜层的精度要求较高，对制作工艺的要求变高。具体的，现有显示器件的蚀刻过程中，会通过光刻胶的曝光显影对待蚀刻膜层进行图案化，形成各待蚀刻膜层的图案。但由于曝光时光刻胶的界面会对光线进行反射，反射光线与入射光线形成干涉，使得光强在光刻胶深度方向不一致，形成驻波效应，影响显示器件的成膜精度。现有显示器件针对上述问题，会在光刻胶的底部和/或顶部旋涂抗反射材料来降低反射率，但由于旋涂的材料的抗反射性能较差，且旋涂的抗反射材料仅能满足小尺寸显示器件的工艺，无法满足大尺寸显示器件的工艺，导致大尺寸的显示器件出现成膜效果较差的技术问题，大尺寸的显示器件在后续工作时可能出现显示不良的问题。

所以，现有显示器件的制作过程中存在抗反射材料和旋涂工艺无法满足显示器件的抗反射要求导致显示不良的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，用以缓解现有显示器件的制作过程中存在抗反射材料和旋涂工艺无法满足显示器件的抗反射要求导致显示不良的技术问题。

本申请实施例提供一种待显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括：

提供基板；

在所述基板上涂布待蚀刻膜层；

在所述待蚀刻膜层上沉积光刻胶层；

在所述光刻胶层上形成抗反射涂层；所述抗反射涂层的材料包括含氟材料，且所述抗反射涂层的折射率小于光刻胶的折射率；

对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除所述抗反射涂层；

对未被所述光阻图案覆盖的待蚀刻膜层进行刻蚀处理；

去除所述光阻图案得到显示面板。

在一些实施例中，在所述光刻胶层上沉积抗反射涂层的步骤，包括：

在所述光刻胶层上通过喷涂工艺、真空沉积工艺或者磁控溅射工艺形成抗反射涂层。

在一些实施例中，所述对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除所述抗反射涂层的步骤，包括：

对所述光刻胶层进行曝光；

使用显影液对所述抗反射涂层和所述光刻胶层进行显影，去除所述抗反射涂层并形成光阻图案。

在一些实施例中，所述对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除所述抗反射涂层的步骤，包括：

对所述光刻胶层进行曝光；

使用等离子体蚀刻工艺去除所述抗反射涂层；

对所述光刻胶层进行显影形成光阻图案。

在一些实施例中，所述光刻胶层的折射率与所述抗反射涂层的折射率的差值大于或者等于0.3。

在一些实施例中，所述抗反射涂层的材料包括含氟丙烯酸树脂、氟化的环氧树脂、氟化镁、氟化铝、氟化钡中的至少一种。

在一些实施例中，所述抗反射涂层在显影液中的溶解度大于或者等于曝光后的光刻胶层在所述显影液中的溶解度。

在一些实施例中，所述光刻胶层对应的曝光光线的波长包括365纳米、248纳米、193纳米和13.5纳米中的一种。

在一些实施例中，所述光刻胶层的材料包括正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。

在一些实施例中，所述待蚀刻膜层的材料包括铜、氧化铟锡、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。

有益效果：本申请提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法通过提供基板，然后在基板上涂布待蚀刻膜层，然后在待蚀刻膜层上沉积光刻胶层，然后在光刻胶层上形成抗反射涂层，使抗反射涂层的材料包括含氟材料，且抗反射涂层的折射率小于光刻胶的折射率，然后对光刻胶进行曝光显影，形成光阻图案，并去除抗反射涂层，然后对未被光阻图案覆盖的待蚀刻膜层进行蚀刻处理，然后去除光阻图案得到显示面板。本申请通过在光刻胶层上形成抗反射涂层，使抗反射涂层的折射率小于光刻胶层的折射率，且抗反射涂层的材料包括含氟材料，则在对光刻胶层进行曝光时，可以通过抗反射涂层降低光刻胶顶部界面的反射率，提高待蚀刻膜层的成膜效果，且由于抗反射涂层的材料包括含氟材料，可以采用真空沉积、喷涂、磁控溅射等方式形成抗反射涂层，避免通过旋涂形成抗反射涂层导致无法实现大尺寸的显示器件的制作，使抗反射涂层的材料和形成工艺满足大尺寸的显示器件的制作需求，提高显示器件的良率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。

图2为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的各个步骤对应的显示面板的第一种示意图。

图3为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的各个步骤对应的显示面板的第二种示意图。

图4为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的各个步骤对应的显示面板的第三种示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本申请实施例针对现有显示器件的制作过程中存在抗反射材料和旋涂工艺无法满足显示器件的抗反射要求导致显示不良的技术问题，提供一种显示面板的制作方法，用以缓解上述技术问题。

如图1所示，本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法包括：

S1，提供基板11；该步骤对应的显示面板的结构如图2中的(a)所示；

S2，在基板11上涂布待蚀刻膜层12；该步骤对应的显示面板的结构如图2中的(a)所示；

S3，在待蚀刻膜层12上沉积光刻胶层13；该步骤对应的显示面板的结构如图2中的(b)所示；

S4，在光刻胶层13上形成抗反射涂层14；抗反射涂层的材料包括含氟材料，且抗反射涂层的折射率小于光刻胶的折射率；该步骤对应的显示面板的结构如图2中的(c)所示；

S5，对光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除抗反射涂层；该步骤对应的显示面板的结构如图3中的(a)所示；

具体的，如图3中的(a)所示，可以通过对光刻胶层进行曝光，然后可以通过显影液去除光刻胶层中曝光的部分以及抗反射涂层，得到光阻图案131。

S6，对未被所述光阻图案覆盖的待蚀刻膜层进行刻蚀处理；该步骤对应的显示面板的结构如图3中的(b)所示；

具体的，如图3中的(b)所示，在得到光阻图案131后，可以以光阻图案的图形对待蚀刻膜层进行蚀刻，蚀刻掉无光阻图案的区域的待蚀刻膜层的部分，得到蚀刻图案121，实现对待蚀刻膜层的图案化。

S7，去除所述光阻图案得到显示面板。该步骤对应的显示面板的结构如图3中的(b)所示。

具体的，如图3中的(b)所示，在得到蚀刻图案后，可以去除光阻图案，得到显示面板。需要说明的是，此时的显示面板为未制作完成的显示面板，还需要在待蚀刻膜层上制作其他膜层。

本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法通过在光刻胶层上形成抗反射涂层，使抗反射涂层的折射率小于光刻胶层的折射率，且抗反射涂层的材料包括含氟材料，则在对光刻胶层进行曝光时，可以通过抗反射涂层降低光刻胶顶部界面的反射率，提高待蚀刻膜层的成膜效果，且由于抗反射涂层的材料包括含氟材料，可以采用真空沉积、喷涂、磁控溅射等方式形成抗反射涂层，避免通过旋涂形成抗反射涂层导致无法实现大尺寸的显示器件的制作，使抗反射涂层的材料和形成工艺满足大尺寸的显示器件的制作需求，提高显示器件的良率。

在一种实施例中，在所述光刻胶层上沉积抗反射涂层的步骤，包括：

在所述光刻胶层上通过喷涂工艺、真空沉积工艺或者磁控溅射工艺形成抗反射涂层。通过采用喷涂工艺、真空沉积工艺或者磁控溅射工艺形成抗反射涂层，使得抗反射涂层可以应用在大尺寸的显示器件的制作过程中，提高抗反射涂层的适用性，且抗反射涂层可以降低显示面板的反射率，避免光刻胶层曝光时反射光和入射光干涉导致出现驻波效应，提高显示器件制作的良率。

在一种实施例中，所述对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除所述抗反射涂层的步骤，包括：

对所述光刻胶层进行曝光；

使用显影液对所述抗反射涂层和所述光刻胶层进行显影，去除所述抗反射涂层并形成光阻图案；该步骤对应的显示面板的结构如图3中的(a)所示。通过使抗反射涂层溶于显影液，使得在对光刻胶层进行曝光后，可以通过显影液同时去除抗反射层和光刻胶层中曝光的部分，提高显示面板的蚀刻效率，提高显示器件的制作效率。

在一种实施例中，所述对所述光刻胶层进行曝光显影，形成光阻图案，并去除所述抗反射涂层的步骤，包括：

对所述光刻胶层进行曝光；

使用等离子体蚀刻工艺去除所述抗反射涂层；该步骤对应的显示面板的结构如图4中的(a)所示；

对所述光刻胶层进行显影形成光阻图案；该步骤对应的显示面板的结构如图4中的(b)所示。通过使用等离子体蚀刻工艺去除抗反射涂层，使得在对光刻胶层进行显影时，不会影响到光刻胶层的显影过程，从而可以形成光阻图案，对待蚀刻膜层进行蚀刻得到目标基板。

在一种实施例中，所述光刻胶层的折射率与所述抗反射涂层的折射率的差值大于或者等于0.3。通过使抗反射涂层的折射率比光刻胶层的折射率低0.3及以上，使得在光刻胶层上设置抗反射涂层时，抗反射涂层能够将反射率降低至1％以下，避免光刻胶层的界面的反射光线过多，导致出现驻波效应影响制作的显示器件的良率。

具体的，通过在光刻胶层上设置抗反射涂层，并使抗反射涂层的折射率比光刻胶层的折射率低0.3及以上，使得光线在进入显示面板时，光线会向光刻胶层内折射，减少反射光线的数量，降低显示面板的反射率，避免反射光和入射光干涉导致制作的显示器件出现不良。

在一种实施例中，所述抗反射涂层的材料包括含氟丙烯酸树脂、氟化的环氧树脂、氟化镁、氟化铝、氟化钡中的至少一种。通过使抗反射涂层的材料包括含氟有机材料或者含氟无机材料，使得在光刻胶层上形成抗反射涂层时，抗反射涂层可以降低显示面板的反射率，避免光刻胶曝光时反射光和入射光干涉导致出现驻波效应，提高显示器件制作的良率。

具体的，抗反射涂层的材料包括含氟丙烯酸树脂、氟化的环氧树脂等含氟有机材料，则在形成抗反射涂层时可以通过喷涂工艺或者真空沉积工艺形成抗反射涂层，使得抗反射涂层可以用在大尺寸的显示器件上，提高抗反射涂层的适用性。且抗反射涂层的材料包括含氟丙烯酸树脂、氟化的环氧树脂，在去除抗反射涂层时，可以通过显影液去除抗反射涂层，提高显示器件的制作效率。

具体的，抗反射涂层的材料包括氟化镁、氟化铝、氟化钡等含氟无机材料，则在形成抗反射涂层时可以通过磁控溅射工艺形成抗反射涂层，使得抗反射涂层可以用在大尺寸的显示器件上，提高抗反射涂层的适用性。且抗反射涂层的材料包括氟化镁、氟化铝、氟化钡，可以降低显示面板的反射率，避免光刻胶层的界面的反射光线与入射光线干涉影响显示器件的良率。

在一种实施例中，所述抗反射涂层在显影液中的溶解度大于或者等于曝光后的光刻胶层在所述显影液中的溶解度。通过使抗反射涂层在显影液中的溶解度大于或者等于曝光后的光刻胶层在显影液中的溶解度，则在图案化光刻胶层时，可以对显示面板进行曝光，然后通过显影液去除抗反射涂层和光刻胶层的部分，形成光刻胶的光阻图案，则可以通过显影液同时去除抗反射涂层和光刻胶的部分，提高显示器件的制作效率。

具体的，可以对光刻胶层的部分进行曝光，然后使用显影液对抗反射涂层和光刻胶层进行处理，使得抗反射涂层溶于显影液中，同时，光刻胶层中曝光的部分也溶于显影液中，得到光刻胶的光阻图案，无需采用多个步骤去除抗反射涂层和光刻胶层的部分，提高了显示器件的制作效率。

具体的，可以使光刻胶层包括正性光刻胶，使得在对光刻胶层进行曝光后，通过显影液去除光刻胶层中曝光的部分，得到光阻图案。但本申请实施例不限于此，例如光刻胶层可以包括负性光刻胶，使得在对光刻胶层进行曝光后，通过显影液去除光刻胶中未曝光的部分，得到光阻图案。

具体的，可以使抗反射涂层对光线的吸收为0，即使得光线能够完全透过抗反射涂层，避免抗反射涂层对光线遮挡导致对光刻胶层的曝光效果较差，进而导致光刻胶层无法被完全刻蚀的问题。

在一种实施例中，光刻胶层对应的曝光光线的波长包括365纳米、248纳米、193纳米和13.5纳米中的一种。通过使光刻胶层的曝光光线的波长包括365纳米、248纳米、193纳米和13.5纳米中的一种，使得在设置抗反射涂层时，可以选用i线光刻胶、深紫外光刻胶或者极紫外光刻胶作为光刻胶层的材料，增加光刻胶层的材料选用范围，则可以通过本申请实施例提供的显示面板的制作方法制作各种精度的待蚀刻图案，且可以避免光刻胶层的界面的反射光线与入射光线干涉影响显示器件的良率。

具体的，光刻胶层的曝光光线的波长包括365纳米、248纳米、193纳米和13.5纳米中的一种，则可以通过不同的光刻胶层制作不同精度的蚀刻图案，使得在制作显示器件时，可以制作不同精度的显示器件，且通过设置抗反射涂层可以避免光刻胶层的界面的反射光线与入射光线干涉，提高显示器件的良率。

在一种实施例中，所述待蚀刻膜层的材料包括铜、氧化铟锡、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种。通过使待蚀刻膜层的材料包括铜、氧化铟锡、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种，使得显示面板可以对无机材料和金属材料进行蚀刻，提高显示面板的适用性，且可以通过设置抗反射涂层减少显示面板的反射光线，使得在对待蚀刻膜层进行蚀刻时，提高蚀刻的准确性，提高显示器件的良率。

在一种实施例中，基板的材料包括玻璃或者硅片。

在一种实施例中，基板的尺寸为730毫米*920毫米。

根据上述实施例可知：

本申请实施例提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法通过提供基板，然后在基板上涂布待蚀刻膜层，然后在待蚀刻膜层上沉积光刻胶层，然后在光刻胶层上形成抗反射涂层，使抗反射涂层的材料包括含氟材料，且抗反射涂层的折射率小于光刻胶的折射率，然后对光刻胶进行曝光显影，形成光阻图案，并去除抗反射涂层，然后对未被光阻图案覆盖的待蚀刻膜层进行蚀刻处理，然后去除光阻图案得到显示面板。本申请通过在光刻胶层上形成抗反射涂层，使抗反射涂层的折射率小于光刻胶层的折射率，且抗反射涂层的材料包括含氟材料，则在对光刻胶层进行曝光时，可以通过抗反射涂层降低光刻胶顶部界面的反射率，提高待蚀刻膜层的成膜效果，且由于抗反射涂层的材料包括含氟材料，可以采用真空沉积、喷涂、磁控溅射等方式形成抗反射涂层，避免通过旋涂形成抗反射涂层导致无法实现大尺寸的显示器件的制作，使抗反射涂层的材料和形成工艺满足大尺寸的显示器件的制作需求，提高显示器件的良率。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。