阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的迅速发展，显示面板的尺寸在不断的增大，驱动电路的频率也在不断的增大，因此，对于薄膜晶体管的工作性能要求越来越高。

目前，大多数薄膜晶体管都采用非晶硅或多晶硅材料的有源层，这种采用传统方法和材料制备形成的传统结构只能得到优异的开态电流或优异的关态电流，两者无法兼得，使得晶体管的应用受到很大的限制。

因此，亟需解决目前的晶体管的开态电流和关态电流无法兼顾的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括：

相对设置的第一有源层和第二有源层；

设置在所述第一有源层和所述第二有源层之间的第一栅极；

与所述第一有源层和所述第二有源层电性连接的源极；

以及与所述第一有源层和所述第二有源层电性连接的漏极；

其中，所述第一有源层和所述第二有源层中至少一个为复合有源层，所述复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层为低温多晶硅层，所述第二子层为氢化非晶硅层，并且所述源极和所述漏极分别与所述第一子层电性连接。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一有源层为所述复合有源层，所述第二有源层为氧化物半导体层。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述阵列基板包括第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极一起控制所述薄膜晶体管组件。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第一有源层下方，所述第二栅极位于所述第一有源层上方。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第一有源层下方，所述第二栅极位于所述第二有源层下方。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一有源层在所述衬底基板上的正投影。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一有源层上背离所述衬底基板一侧设置有一刻蚀阻挡层。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述源极和所述漏极由同一导电膜层经图案化制得。

根据本发明实施例所提供的阵列基板，所述源极包括与所述第一有源层电性连接的第一源极以及与所述第二有源层电性连接的第二源极，所述漏极包括与所述第一有源层电性连接的第一漏极以及与所述第二有源层电性连接的第二漏极；所述第二源极通过第一过孔与所述第一源极连接，所述第二漏极通过第二过孔与所述第一漏极连接。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。

本申请的有益效果在于，本发明提供了一种阵列基板及显示面板，阵列基板的薄膜晶体管组件包括相对设置的第一有源层和第二有源层；设置在第一有源层和第二有源层之间的第一栅极；与第一有源层和第二有源层电性连接的源极；以及与第一有源层和第二有源层电性连接的漏极；其中，第一有源层和第二有源层中至少一个为复合有源层，复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层为低温多晶硅层，第二子层为氢化非晶硅层，并且源极和漏极分别与第一子层电性连接，由此改善了薄膜晶体管组件的开态电流和关态电流，增强了阵列基板的驱动能力，从而提升了显示面板的显示效果。同时两个薄膜晶体管设计为栅极、源极和漏极共用的结构，从而简化了开关元件的制备工艺流程，并且还通过双栅极控制，提高了薄膜晶体管组件稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图4为图2中阵列基板的第一有源层上方设置第二栅极的结构示意图；

图5为图3中阵列基板的第一有源层上方设置第二栅极的结构示意图；

图6为图5中阵列基板的第二有源层下方设置遮光层的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[内]、[外]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

为了方便对本发明技术方案的理解，下面结合附图及具体实施例对本发明的技术方案进行详细的说明。

本发明实施例提供的阵列基板，如图1所示，该阵列基板1包括：衬底基板10；设置在所述衬底基板10上的薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件包括：相对设置的第一有源层30和第二有源层90；设置在所述第一有源层30和所述第二有源层90之间的第一栅极70；与所述第一有源层30和所述第二有源层90电性连接的源极50；以及与所述第一有源层30和所述第二有源层90电性连接的漏极52。

本实施例提供的阵列基板为两个薄膜晶体管共用一个栅极的结构，具体地，所述薄膜晶体管组件包括第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层沿所述阵列基板的层叠方向设置并共用一第一栅极70，如图1所示，第一有源层30、第一栅极70，以及与所述第一有源层30电性连接的源极50和漏极52等效构成所述第一薄膜晶体管层；第二有源层90、第一栅极70，以及与所述第二有源层90电性连接的源极50和漏极52等效构成所述第二薄膜晶体管层。

如图1所示，所述阵列基板还包括在所述衬底基板10上从下往上依次层叠设置的缓冲层20、第一保护层40、第一绝缘层80、第二保护层100、第二钝化层102、第一电极106和第二绝缘层104，其中，所述第一有源层30位于所述缓冲层20上方；所述第一栅极70位于所述第一保护层40上方；所述第二有源层90位于所述第一绝缘层80上方；所述源极50和所述漏极52位于所述第二保护层100上方；所述第一电极106位于所述第二钝化层102上方。

通常阵列基板中每个子像素内设置的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)中包括栅极，栅极用于控制TFT的有源层的性质，以使有源层被导体化进而传递信号。具体的，栅极可以和扫描线连接，扫描线通电产生电信号后将电信号传递至栅极，栅极带电荷后可将有源层导体化，导体化的有源层将源极50的电信号传递至漏极52，进而导通TFT使TFT处于开启状态，此时TFT可控制相应的子像素显示图像。

本实施例中，对于每个子像素内均设有所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层构成的所述薄膜晶体管组件，通过设置公共的所述第一栅极70来同时驱动所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层，即所述第一栅极70既可以驱动所述第一薄膜晶体管层中的所述第一有源层30导体化，同时又可以驱动所述第二薄膜晶体管层中的所述第二有源层90导体化，这样使得所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层的驱动更简单，且可简化所述薄膜晶体管组件的结构，减少所述薄膜晶体管组件占据子像素的面积比例，提高开口率。

需要说明的是，对于其中一个子像素，所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层可以共用扫描线，即所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层通过同一条扫描线驱动，该扫描线可与所述第一栅极70同层连接设置，进一步简化工艺。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一薄膜晶体管层为顶栅型的薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管层为底栅型的薄膜晶体管，如图1所示，所述第一薄膜晶体管层的所述第一有源层30位于所述第一栅极70下方，并且，所述第二薄膜晶体管层的所述第二有源层90位于所述第一栅极70上方，其中，所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层共用所述第一栅极70、所述源极50和所述漏极52；如此设置形成的所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层相对于所述第一栅极70对称设置而形成并联电路，在该实施例中，第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层在共用源极50和漏极52的情况下，还共用所述第一栅极70，在实现第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层形成并联电路以增加开态电流的同时简化了开关元件的制备工艺。

如图1所示，在阵列基板的层叠方向上，所述第一栅极70对应设置在所述第一薄膜晶体管层的所述第一有源层30和所述第二薄膜晶体管层的所述第二有源层90之间，并且所述第一栅极70位于所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层在衬底基板10上的正投影覆盖范围内。

进一步地，在阵列基板的层叠方向上，通过将第二薄膜晶体管层设置在第一薄膜晶体管层上方，且第二薄膜晶体管层和第一薄膜晶体管层在竖直方向上具有重叠区域，这样薄膜晶体管组件整体占据的面积小于第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层两者各自占据的面积之和。薄膜晶体管组件在子像素内占据的面积为所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层中面积较大者占据的面积，因而本实施例可以进一步减小薄膜晶体管组件的占据面积，提高子像素的开口率，降低显示面板的功耗。

本发明的实施例中，通过将两个薄膜晶体管上下并联在一起，使得开关元件在开态情况下的电流量增大，并且通过上下设置两个薄膜晶体管的方式可以降低开关元件的占用空间，同时两个薄膜晶体管设计为栅极、源极和漏极共用的结构，从而简化了开关元件的制备工艺流程；此外，在一些实施例中，还可以进一步将栅极设置在所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层在衬底基板上的正投影覆盖范围内，如此设置，通过第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层共同驱动子像素，增强了薄膜晶体管组件对子像素的驱动能力，在满足显示面板高分辨率需求的同时，减小了第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层组成的薄膜晶体管组件占据的子像素的面积比例，增加了子像素的开口率，降低了显示面板的功耗。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一有源层30和所述第二有源层90中至少一个为复合有源层，所述复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，所述第一子层为低温多晶硅层，所述第二子层为氢化非晶硅层，并且所述源极50和所述漏极52分别与所述第一子层电性连接。

氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管目前普遍运用于液晶显示器的制造过程中，作为液晶显示像素驱动的开关器件，它具有容易制备，均一性好，成本较低等优点。由于a-Si:H薄膜晶体管的较低漏电流及其可控特性，使得其在对于电流和速度要求不高的某些领域中具有重大的应用价值，例如在大面积显示中，需要许多晶体管来控制发光管阵列，a-Si:H薄膜晶体管就能够很好地发挥作用。

但是a-Si:H薄膜晶体管同时也存在一些明显的缺陷，其中最重要的问题就是阈值电压的亚稳特性，比如随着使用时间的增加，在较长时间施加栅偏压以后，其阈值电压以及亚阈效率都将要发生漂移，a-Si:H薄膜晶体管的性能会发生劣化，导致TFT的电学性质不稳定。由于阈值电压漂移，必然引起驱动电流的漂移，而又因为OLED是一种电流驱动的发光器件，驱动电流的漂移使得a-Si:H薄膜晶体管对OLED的驱动性能很差，极易出现显示异常的情况。此外，如果阈值电压在面内漂移不均，也可能造成液晶显示不均的问题。

目前出现了一些技术，其中最有效的就是低温多晶硅(LTPS,Low TemperaturePoly-silicon)技术，具体方法是利用LTPS形成有源层，可以有效地稳定阈值电压。与a-Si:H TFT相比，LTPS TFT具有相对高的迁移率、抗干扰能力强、容易实现高度集成化等特点，在高分辨率显示领域具有应用优势，但是LTPS技术成本较高，而且所成薄膜器件的关态电流较大易增加显示屏的功耗。

其中，TFT的关态电流是指在TFT处于关闭状态下，TFT中产生的漏电流。

其中，当TFT的有源层中刚好形成沟道时所加的栅极电压即为阈值电压，阈值电压的降低有利于器件电压驱动能力的增强和功耗的降低。

从物理意义上来说，载流子迁移率代表着载流子在半导体晶格中自由移动的难易程度。载流子迁移率是TFT性能的一个非常关键的指标，它影响着半导体材料的电导率和器件的工作速率。因此，提高载流子迁移率可以有效的增强TFT电流驱动能力和开关转换速度。

随着显示面板尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，需要采用更高频率的驱动电路来驱动像素，现有的a-Si:H TFT的迁移率很难满足需求，而LTPS TFT的关态电流比a-Si:H TFT的关态电流大，导致增加显示屏的功耗。

对此，如图1所示，本实施例提供的阵列基板，通过在衬底基板10上设置薄膜晶体管组件，所述薄膜晶体管组件为两个薄膜晶体管共用一个栅极的结构，其中，所述第一薄膜晶体管层的所述第一有源层30和所述第二薄膜晶体管层的所述第二有源层90均为所述复合有源层，具体地，所述第一有源层30包括由下至上层叠设置的第一子层301和第二子层302，所述第一子层301为低温多晶硅层，所述第二子层302为氢化非晶硅层，并且所述源极50和所述漏极52分别与所述第一子层301电性连接；所述第二有源层90包括由下至上层叠设置的第一子层901和第二子层902，所述第一子层901为低温多晶硅层，所述第二子层902为氢化非晶硅层，并且所述源极50和所述漏极52分别与所述第一子层901电性连接。

其中，可以理解的是，每个子像素内均设有一个薄膜晶体管组件，即每个子像素内均设有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。对于大尺寸、分辨率高的显示面板，通过第一薄膜晶体管层和第二薄膜晶体管层来共同驱动子像素，不仅可满足子像素的驱动需求，而且可以提升薄膜晶体管组件的迁移率，满足显示面板的高分辨率需求。

本发明的实施例中提供的所述复合有源层为低温多晶硅层和氢化非晶硅层的叠层结构，由于低温多晶硅层的漏电流较大，通过叠加氢化非晶硅层降低漏电流，提高了薄膜晶体管组件的开关比，同时利用低温多晶硅层较高的迁移率，增强薄膜晶体管组件的电流驱动能力并且提高开关转换速度。由于源极和漏极与氢化非晶硅层连接不能形成欧姆接触，阻抗大，开启电流极低，无法应用，因此，本发明实施例中所述源极50和所述漏极52分别与所述低温多晶硅层电性连接，具体地，对于所述第一有源层30，所述第二子层302在衬底基板10上的正投影位于所述第一子层301在衬底基板10上的正投影范围内；对于所述第二有源层90，所述第二子层902在衬底基板10上的正投影位于所述第一子层901在衬底基板10上的正投影范围内。

其中，开关比是指在转移特性曲线所测范围内TFT的开态电流与关态电流之比，开关比越大，TFT的开关特性越明显。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述源极50和所述漏极52由同一导电膜层经图案化制得，其中，第一薄膜晶体管层与第二薄膜晶体管层共用所述源极50和所述漏极52，具体地，所述源极50与所述第一有源层30和所述第二有源层90电性连接，并且所述漏极52与所述第一有源层30和所述第二有源层90电性连接，本实施例通过在同一制程中，采用同种材料制备一体成型结构的所述源极50和所述漏极52，可以简化工艺，节省成本。

进一步地，如图1所示，所述第一电极106通过所述第二钝化层102上的过孔与所述漏极52电性连接。具体的，可以根据所述第一电极106与所述源极50和所述漏极52的电性连接需求来设置所述第一电极106的位置，例如当所述第一电极106需要与所述源极50电性连接时，所述第一电极106可以设于所述源极50远离衬底基板10的一侧以便于与所述源极50电性连接；相反的，当所述第一电极106需要与所述漏极52电性连接时，所述第一电极106可以设于所述漏极52远离衬底基板10的一侧以便与所述漏极52电性连接。

进一步地，当所述阵列基板用于液晶显示面板时，所述第一电极106可以为像素电极，根据所述液晶显示面板中液晶分子的性质，例如需要将液晶分子两端的电压设置为正电压或者负电压，可以将所述第一电极106与所述漏极52或者所述源极50电性连接；当所述阵列基板用于有机发光二极管屏幕时，所述第一电极106可以为阳极，由于阳极呈正电压状态，可以将所述第一电极106与所述漏极52电性连接以获取正电压。

可选地，所述第一电极106、所述源极50和所述漏极52可以同层制备，即制作完所述第二有源层90后，可以采用相同或者不同的材料、相同或者不同的光罩在所述第二有源层90上形成所述第一电极106、所述源极50和所述漏极52，即本实施例可以避免在所述源极50和所述漏极52上制作钝化层，以及在所述钝化层中设置过孔，并通过过孔将所述第一电极106和所述漏极52电性连接，故本实施例节省了制程的工序和原料。

需要注意的是，所述源极和所述漏极的组成材料相同，且所述源极和所述漏极同时制备。当所述第一电极106和所述源极采用相同的材料同时制备时，可以通过同一光罩制作所述第一电极106、所述源极和所述漏极，具体的，所述光罩可以包括第一图案和第二图案，所述第一图案可以和所述第一电极106的图案一致，以形成所述第一电极106，所述第二图案可以与所述源极和所述漏极的图案一致，以形成所述源极和所述漏极，避免使用不同的光罩分别制作所述第一电极106、所述源极和所述漏极，减少了光罩的种类和数量。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，如图2所示，所述源极包括与所述第一有源层30电性连接的第一源极500以及与所述第二有源层90电性连接的第二源极501，所述漏极包括与所述第一有源层30电性连接的第一漏极520以及与所述第二有源层90电性连接的第二漏极521；所述第二源极501通过第一过孔502与所述第一源极500连接，所述第二漏极521通过第二过孔503与所述第一漏极520连接。

本实施例中，如图2所示，所述阵列基板还包括位于所述第一源极500和所述第一漏极520上的第一钝化层60，所述第一源极500和所述第一漏极520位于所述第一保护层40背离所述衬底基板10的一侧并位于所述第一钝化层60下方；其中，所述第一保护层40上设有连通至所述第一有源层30的第一接触孔310，所述第一源极500与所述第一漏极520分别通过所述第一接触孔310与所述第一有源层30连接。

进一步地，如图2所示，所述第二源极501和所述第二漏极521设置在所述第二保护层100背离所述衬底基板10一侧；其中，所述第二保护层100上设有连通至所述第二有源层90的第二接触孔312，所述第二源极501和所述第二漏极521分别通过所述第二接触孔312与所述第二有源层90连接。

具体的，所述第一薄膜晶体管层包括所述第一有源层30、第一源极500和第一漏极520，第一源极500和第一漏极520分别位于所述第一有源层30两侧，且第一源极500和第一漏极520均与所述第一有源层30电连接。同样的，所述第二薄膜晶体管层中包括所述第二有源层90、第二源极501和第二漏极521，第二源极501和第二漏极521分别位于所述第二有源层90两侧，且第二源极501和第二漏极521均与所述第二有源层90电连接。

进一步地，如图2所示，所述第二源极501通过第一过孔502与所述第一源极500连接，所述第二漏极521通过第二过孔503与所述第一漏极520连接，所述第一过孔502和所述第二过孔503贯穿所述第二保护层100和第一绝缘层80，并且部分贯穿第一钝化层60，通过所述第一过孔502和所述第二过孔503分别暴露所述第一源极500和所述第一漏极520，从而使得所述第二源极501通过第一过孔502与所述第一源极500连接，所述第二漏极521通过第二过孔503与所述第一漏极520连接。

上述实施例中，通过第一源极500和第一漏极520均与第一有源层30连接，第二源极501和第二漏极521均与第二有源层90连接，并且第二源极501与第一源极500电连接，第二漏极521与第一漏极520电连接，使第一源极500和第二源极501共同构成所述薄膜晶体管组件的源极，第一漏极520和第二漏极521共同构成所述薄膜晶体管组件的漏极，如图1和2所示，与一体化结构的源极和漏极相比，在本实施例中，第一源极500和第一漏极520以及第二源极501和第二漏极521分开制作的设计有利于减小接触阻抗，可有效提高薄膜晶体管的迁移率和阈值电压，并且不需要限制第一有源层30结构就可以实现源极和漏极与有源层之间的电连接，可以简化工艺节省成本。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一薄膜晶体管层和所述第二薄膜晶体管层中的有源层材质不同，其中，所述第一有源层30和所述第二有源层90中的一者为所述复合有源层，另一者为氧化物半导体层。如图3所示，以所述第二有源层90为氧化物半导体层，所述第一有源层30为复合有源层为例，具体地，以复合有源层作为第一薄膜晶体管层的有源层，利用氢化非晶硅材料漏电流低并且低温多晶硅层的迁移率较高的特点，增强其TFT的开关特性，可以满足频率较高的驱动电路的需求；同时设置氧化物半导体TFT作为第二薄膜晶体管层，氧化物半导体TFT的迁移率虽然略低于低温多晶硅TFT，但其能够满足对子像素的驱动需求，并且氧化物半导体TFT的均一性好、透明度高，制作工艺简单，可以更好的满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述阵列基板包括第二栅极72，所述第二栅极72在衬底基板上的正投影与第一有源层30和第二有源层90在衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述第一栅极70与所述第二栅极72一起控制所述薄膜晶体管组件，通过双栅极控制，提高所述薄膜晶体管组件稳定性。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第二有源层下方，所述第二栅极位于所述第二有源层上方，具体地，所述第一栅极和所述第二栅极共同控制所述第二薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层为顶栅型的薄膜晶体管，在本实施例中，如图4所示，以所述第一有源层30和所述第二有源层90均为复合有源层为例，所述第二栅极72位于所述第二钝化层102上方，与所述第二有源层90相对应，所述第一栅极70和所述第二栅极72一起控制所述第二薄膜晶体管层，通过双栅极控制第二薄膜晶体管层，提高了其稳定性。

可选地，如图5所示，以所述第二有源层90为氧化物半导体层，所述第一有源层30为复合有源层为例，所述第二栅极72位于所述第二钝化层102上方，与所述第二有源层90相对应，所述第一栅极70和所述第二栅极72一起控制所述第二薄膜晶体管层，由于氧化物半导体的稳定性不如低温多晶硅，通过双栅极控制第二薄膜晶体管层，可以提高氧化物半导体TFT的稳定性。

进一步地，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极70和所述第二栅极72之间彼此例如电连接，以使得栅线的信号同时对第二薄膜晶体管层形成控制。第一栅极70和第二栅极72位于不同层上，为了使得二者能够电连接，例如可以通过设置过孔将二者电连接，例如该过孔通过穿过第二钝化层102、第二保护层100和第一绝缘层80形成。

此外，如果背光源发出的光照射到有源层之后会产生光生载流子而破坏有源层的电学特性，例如导致薄膜晶体管的漏电流增大，所以在本发明实施例中，对于顶栅型结构的薄膜晶体管根据需要还可以设置遮光层以对有源层进行遮光。例如，如图6所示，本实施例中具有顶栅型薄膜晶体管结构的所述第一薄膜晶体管层还可以包括设置于第一有源层30与衬底基板10之间的遮光层201。所述遮光层201的形成材料例如可以包括金属、黑色树脂等不透明材料。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第一栅极位于所述第二有源层下方，所述第二栅极位于所述第一有源层下方，具体地，所述第一栅极和所述第二栅极共同控制所述第一薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层为底栅型的薄膜晶体管，在本实施例中，如图7所示，以所述第二有源层90为复合有源层，所述第一有源层30为氧化物半导体层为例，所述第二栅极72位于所述衬底基板10上方，与所述第一有源层30相对应，所述第一栅极70和所述第二栅极72一起控制所述第一薄膜晶体管层，通过双栅极控制第一薄膜晶体管层，可以提高氧化物半导体TFT的稳定性。

进一步地，如图7所示，所述第二栅极72在所述衬底基板10上的正投影覆盖所述第一有源层30在所述衬底基板10上的正投影，通过所述第二栅极72作为遮光层，以对有源层进行遮光，避免背光源发出的光照射到有源层之后会产生光生载流子而破坏有源层的电学特性，并且无需制作额外的遮光层，可以简化工艺节省成本。

一种具体的实施方式中，本发明实施例所提供的阵列基板，所述第二有源层90上背离所述衬底基板10一侧设置有一刻蚀阻挡层，具体地，如图7所示，所述第二源极501和所述第二漏极521位于所述刻蚀阻挡层101背离所述衬底基板10的一侧；其中，所述刻蚀阻挡层101上设有连通至所述第二有源层90的一接触孔，所述第二源极501与所述第二漏极521分别通过所述接触孔与所述第二有源层90连接，本实施例中，对于底栅结构的所述第二薄膜晶体管层，可以通过所述刻蚀阻挡层101保护所述第二有源层90，避免在所述第二源极501和所述第二漏极521的蚀刻过程中，对所述第二有源层90造成损伤。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括如前所述的阵列基板。通过采用如前所述的阵列基板，不仅提升了显示面板的显示性能，降低了其显示功耗，而且还简化了显示面板的制备工艺，提高了显示面板的制备效率。

综上，本发明提供了一种阵列基板和显示面板，阵列基板的薄膜晶体管组件包括相对设置的第一有源层和第二有源层；设置在第一有源层和第二有源层之间的第一栅极；与第一有源层和第二有源层电性连接的源极；以及与第一有源层和第二有源层电性连接的漏极；其中，第一有源层和第二有源层中至少一个为复合有源层，复合有源层包括由下至上层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层为低温多晶硅层，第二子层为氢化非晶硅层，并且源极和漏极分别与第一子层电性连接，使晶体管的性能得到有效增强。通过将两个薄膜晶体管上下并联在一起，使得开关元件在开态情况下的电流量增大，并且通过上下设置两个薄膜晶体管的方式可以降低开关元件的占用空间，同时两个薄膜晶体管设计为栅极、源极和漏极共用的结构，从而简化了开关元件的制备工艺流程，并且通过复合有源层的设置改善了晶体管的开态电流和关态电流，另一方面还通过双栅极控制，提高了薄膜晶体管组件稳定性。因此，本发明不仅可满足子像素的驱动需求，而且可以提升薄膜晶体管组件的迁移率，满足显示面板的高分辨率需求。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。