发光元件及用于发光元件的胺化合物

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2022年6月20日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0074697号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。

技术领域

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面在此涉及发光元件以及其中使用的胺化合物。

背景技术

近来，正在积极地进行作为图像显示装置的有机电致发光显示装置的开发。有机电致发光显示装置是包括自发光的发光元件的显示装置，在所述自发光的发光元件中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的发光材料发射光以实现图像的显示。

在发光元件至显示装置的应用中，需要或期望驱动电压的降低、亮度和效率的改善和/或使用寿命的增加，并且持续地需要或期望对能够适当地实现一种或多于一种的这些特性的发光元件的材料的开发。

发明内容

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及具有降低的驱动电压、改善的亮度和效率以及增加的使用寿命的发光元件。

本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面还涉及作为用于具有降低的驱动电压、改善的亮度和效率以及增加的使用寿命的发光元件的材料的胺化合物。其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

一个或多于一个的实施方案提供了发光元件，所述发光元件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及提供在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含由式1表示的胺化合物的至少一个功能层：

式1

在式1中，n1可以是0至2的整数，L

在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，Ar

在式A1-7中，a1可以是0至7的整数，以及R

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-1A至式1-1C中的任一种表示：

式1-1A

式1-1B

式1-1C

在式1-1A至式1-1C中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-2A至式1-2D中的任一种表示：

式1-2A

式1-2B

式1-2C

式1-2D

在式1-2A至式1-2D中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1-2A可以由式1-2AA和式1-2AB中的任一种表示：

式1-2AA

式1-2AB

在式1-2AA和式1-2AB中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-3A至式1-3C中的任一种表示：

式1-3A

式1-3B

式1-3C

在式1-3A至式1-3C中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1-3A可以由式1-3AA至式1-3AC中的任一种表示：

式1-3AA

式1-3AB

式1-3AC

在式1-3AA至式1-3AC中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1-3A可以由式1-3AD表示：

式1-3AD

在式1-3AD中，R

在一个或多于一个的实施方案中，所述至少一个功能层可以包括发射层、在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区以及在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，以及所述空穴传输区可以包含所述胺化合物。

在一个或多于一个的实施方案中，所述空穴传输区可以包括在所述第一电极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层和在所述空穴传输层上的电子阻挡层，以及所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的至少一个可以包含所述胺化合物。

根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案，提供了由式1表示的胺化合物。

附图说明

包括附图以提供对本公开内容的进一步理解，以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图例示出本公开内容的实施方案，并且连同描述一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：

图1是示出根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的平面视图；

图2是示出对应于图1中的线I-I′的部分的横截面视图；

图3是示意性地示出一个或多于一个的实施方案的发光元件的横截面视图；

图4是示意性地示出一个或多于一个的实施方案的发光元件的横截面视图；

图5是示意性地示出一个或多于一个的实施方案的发光元件的横截面视图；

图6是示意性地示出一个或多于一个的实施方案的发光元件的横截面视图；

图7是示意性地示出一个或多于一个的实施方案的发光元件的横截面视图；

图8是根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的横截面视图；

图9是根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的横截面视图；

图10是示出根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的横截面视图；以及

图11是示出根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的横截面视图。

具体实施方式

本公开内容可以具有各种修改并且可以以不同的形式实施，并且将参考附图更详细地解释示例性实施方案。然而，本公开内容可以以不同的形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，包括在本公开内容的主旨和技术范围内的所有修改、等同和替代应包括在本公开内容中。

在描述中，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、与另一个元件“连接”或与另一个元件“组合”时，它可以与另一个元件直接连接/直接结合在另一个元件上(例如，在其间没有任何介于中间的第三元件)，或者也可以提供介于中间的第三元件。

相同的参考数字通篇是指相同的元件。在附图中，为了有效解释技术内容，放大了元件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”可以包括可以定义相关要素的任何和所有组合。

应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文使用，单数形式旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。

此外，术语“下方”、“之下”、“上”和“上方”用于解释附图中显示的元件的关系。术语是相对概念并且基于附图中示出的方向进行解释。例如，如果附图中的装置被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将定向在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方向上)，并且本文使用的空间相对描述语应被相应地解释。

应进一步理解，术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”当用于本说明书时，指明规定的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或增添。

除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。此外，应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义解释，除非在本文明确如此定义。

如本文使用，诸如“......中的至少一个(种)”、“......中的一个(种)”和“选自”的表述当在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。例如，“选自a、b和c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”、“a至c中的至少一个”和“a、b和/或c中的至少一个”可以表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变体。

此外，“可以”的使用当描述本公开内容的实施方案时是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”。

如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限度)确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本说明书中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。

可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本发明的实施方案的显示装置和/或任何其它相关的装置或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。此外，显示装置的各种组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识到，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。

在下文，将参考附图解释本公开内容的实施方案。图1是示出显示装置DD的一个或多于一个的实施方案的平面视图。图2是一个或多于一个的实施方案的显示装置DD的横截面视图。图2是示出对应于图1的线I-I′的部分的横截面视图。

显示装置DD可以包括显示面板DP和提供在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP可以包括发光元件ED-1、ED-2和ED-3。显示装置DD可以包括多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3。光学层PP可以提供在显示面板DP上并且可以控制由外部光在显示面板DP处反射的光。光学层PP可以包括例如偏振层和/或滤色器层。在一些实施方案中，在一个或多于一个的实施方案的显示装置DD中可以不提供(例如，可以省略)光学层PP。

在光学层PP上，可以提供基体衬底BL。基体衬底BL可以是提供其中提供光学层PP的基体表面的构件。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或有机-无机复合材料层(例如，包含无机材料和有机材料)。在一些实施方案中，在一个或多于一个的实施方案中可以不提供(例如，可以省略)基体衬底BL。

根据一个或多于一个的实施方案的显示装置DD可以进一步包括封堵层。封堵层可以提供在显示元件层DP-ED与基体衬底BL之间。封堵层可以是有机层。封堵层可以包含基于丙烯酸的树脂、基于硅酮的树脂和/或基于环氧的树脂中的至少一种。

显示面板DP可以包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定层PDL，提供在像素限定层PDL中的发光元件ED-1、ED-2和ED-3以及提供在发光元件ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。

基体层BS可以是提供其中提供显示元件层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且基体层BS可以是无机层、有机层或有机-无机复合材料层。

在一个或多于一个的实施方案中，电路层DP-CL提供在基体层BS上，并且电路层DP-CL可以包括一个或多于一个的晶体管。一个或多于一个的晶体管中的每一个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED-1、ED-2和ED-3的驱动晶体管。

发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以具有本文以下将更详细地解释的根据图3至图6的实施方案的发光元件ED的结构。发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以包括第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B，电子传输区ETR和第二电极EL2。

在图2中，示出了其中发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中，并且空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2在所有发光元件ED-1、ED-2和ED-3中提供为公共层的实施方案。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以图案化并且提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。例如，在一个或多于一个的实施方案中，发光元件ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B以及电子传输区ETR可以通过喷墨印刷法图案化并且提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。

封装层TFE可以覆盖发光元件ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE可以封装显示元件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是一个层或多个层的堆叠层。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据一个或多于一个的实施方案的封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文，封装无机层)。在一些实施方案中，根据一个或多于一个的实施方案的封装层TFE可以包括至少一个有机层(在下文，封装有机层)和至少一个封装无机层。

封装无机层可以保护显示元件层DP-ED免于湿气/氧气的影响，并且封装有机层可以保护显示元件层DP-ED免于诸如粉尘颗粒的外来物质的影响。封装无机层可以包含硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物和/或铝氧化物，而不受特别限制。封装有机层可以包含基于丙烯酸的化合物、基于环氧的化合物等。封装有机层可以包含可光聚合的有机材料，而不受特别限制。

封装层TFE可以提供在第二电极EL2上并且可以在填充开口部分OH的同时提供。

参考图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是分别发射由发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上(例如，在平面视图中)彼此分开。

发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是由像素限定层PDL分开的区域。非发光区域NPXA可以是相邻发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的区域并且可以是对应于像素限定层PDL的区域。在本公开内容中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别对应于各自的像素。像素限定层PDL可以分隔发光元件ED-1、ED-2和ED-3。发光元件ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B可以提供并且分隔在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。

根据由发光元件ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分成多个组。在图1和图2中示出的一个或多于一个的实施方案的显示装置DD中，将分别发射红色光、绿色光和蓝色光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B例示为一个或多于一个的实施方案。例如，一个或多于一个的实施方案的显示装置DD可以包括彼此分开的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。

在根据一个或多于一个的实施方案的显示装置DD中，多个发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以发射具有不同波长区的光。例如，在一个或多于一个的实施方案中，显示装置DD可以包括发射(例如，配置成发射)红色光的第一发光元件ED-1、发射(例如，配置成发射)绿色光的第二发光元件ED-2和发射(例如，配置成发射)蓝色光的第三发光元件ED-3。例如，显示装置DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以分别对应于第一发光元件ED-1、第二发光元件ED-2和第三发光元件ED-3。

然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3可以发射相同波长区中的光，或者其中的至少一个可以发射不同波长区中的光。例如，第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3全部可以发射蓝色光。

根据一个或多于一个的实施方案的显示装置DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以布置成条纹形状或图案。参考图1，多个红色发光区域PXA-R可以沿第二方向轴DR2彼此布置，多个绿色发光区域PXA-G可以沿第二方向轴DR2彼此布置，并且多个蓝色发光区域PXA-B可以沿第二方向轴DR2彼此布置。此外，红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以沿第一方向轴DR1轮流(彼此交替地)布置。

在图1和图2中，将发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积示出为类似的，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以根据发射的光的波长区而彼此不同。如本文使用，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以意指在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上(例如，在平面视图中)的面积。

在一个或多于一个的实施方案中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置类型(或种类)不限于图1中示出的配置，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置顺序可以根据显示装置DD所需或所期望的显示品质的性质以各种适合的组合提供。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置类型(或种类)可以是波形瓦

在一些实施方案中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在一个或多于一个的实施方案中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

在下文，图3至图7是示意性地示出根据实施方案的发光元件的横截面视图。如图3中示出的根据一个或多于一个的实施方案的发光元件ED可以包括第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2，它们按该顺序堆叠。

当与图3相比时，图4示出了一个或多于一个的实施方案的发光元件ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。当与图4相比时，图5示出了一个或多于一个的实施方案的发光元件ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL以及第一空穴传输层至第三空穴传输层HTL-1、HTL-2和HTL-3。当与图3相比时，图6示出了一个或多于一个的实施方案的发光元件ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。当与图4相比时，图7示出了一个或多于一个的实施方案的发光元件ED的横截面视图，所述发光元件ED进一步包括提供在第二电极EL2上的覆盖层CPL。

一个或多于一个的实施方案的发光元件ED可以在提供在第一电极EL1与第二电极EL2之间的至少一个功能层中包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。至少一个功能层可以包括空穴传输区HTR、发射层EML和电子传输区ETR。例如，空穴传输区HTR可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物的发光元件ED可以显示降低的驱动电压、高效率、高亮度和长使用寿命特性。一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以包含一个芴部分和一个键合至胺基团的氮原子的四氢萘基基团。一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以包含仅一个芴部分。在一个或多于一个的实施方案的胺化合物中，芴部分可以直接键合至胺基团的氮原子。一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以包含仅一个四氢萘基基团。在一个或多于一个的实施方案的胺化合物中，四氢萘基基团可以直接键合至胺基团的氮原子，或者经由未取代的亚芳基基团间接键合。在包含在一个或多于一个的实施方案的胺化合物中的四氢萘基基团中，苯环可以是键合至胺基团的氮原子的位置。

在描述中，术语“取代或未取代的”对应于未取代的或被选自由氘原子、卤素原子、氰基基团、硝基基团、胺基团、甲硅烷基基团、氧基基团、硫基基团、亚磺酰基基团、磺酰基基团、羰基基团、硼基团、氧化膦基团、硫化膦基团、烷基基团、烯基基团、炔基基团、烃环基团、芳基基团、杂环基团及其组合组成的组中的至少一个取代基取代的基团。此外，示例的取代基中的每一个可以本身是取代或未取代的。例如，联苯基基团可以被解释为芳基基团或者被苯基基团取代的苯基基团。

在描述中，术语“经由与相邻基团结合形成环”可以意指经由与相邻基团结合形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环包括脂肪族烃环和芳香族烃环。杂环包括脂肪族杂环和芳香族杂环。烃环和杂环可以是单环或多环。此外，经由与相邻基团结合形成的环可以与另一个环结合以形成螺结构。

在描述中，术语“相邻基团”可以意指其中第一取代基与直接连接至被第二取代基取代的另一个原子的原子连接的一对取代基基团；连接至相同原子的一对取代基基团；或者其中第一取代基空间定位在与第二取代基最近的位置处的一对取代基基团。例如，在1,2-二甲基苯中，两个甲基基团可以解释为彼此“相邻基团”，并且在1,1-二乙基环戊烷中，两个乙基基团可以解释为彼此“相邻基团”。此外，在4,5-二甲基菲中，两个甲基基团可以解释为彼此“相邻基团”。

在描述中，卤素原子可以是氟原子、氯原子、溴原子和/或碘原子。

在描述中，烷基基团可以是直链的、支链的或环状的烷基基团。烷基基团的碳数可以是1至60、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基基团的实例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3,3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2,2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3,7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，而不受限制。

在描述中，烯基基团意指在具有2或大于2的碳数的烷基基团的中间和/或末端处包含一个或多于一个的碳双键的烃基团。烯基基团可以是直链或支链。碳数不受特别限制，但可以是2至60、2至30、2至20或2至10。烯基基团的实例可以包括乙烯基基团、1-丁烯基基团、1-戊烯基基团、1,3-丁二烯基基团、苯乙烯基基团、苯乙烯基乙烯基基团等，而不受限制。

在描述中，炔基基团意指在具有2或大于2的碳数的烷基基团的中间和/或末端处包含一个或多于一个的碳叁键的烃基团。炔基基团可以是直链或支链。碳数不受特别限制，但可以是2至60、2至30、2至20或2至10。炔基基团的具体实例可以包括乙炔基基团、丙炔基基团等，而不受限制。

在描述中，烃环基团意指衍生自脂肪族烃环的官能团或取代基。烃环基团可以是具有5个至60个或5个至30个成环碳原子的饱和的烃环基团。

在描述中，芳基基团意指衍生自芳香族烃环的官能团或取代基。芳基基团可以是单环芳基基团或多环芳基基团。芳基基团中的用于形成环的碳数(例如，成环碳原子)可以是6至50、6至30、6至20或6至15。芳基基团的实例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、

在描述中，芴基基团可以是取代的，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。取代的芴基基团的实例如下，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此：

在描述中，杂环基团意指衍生自包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子的环的官能团或取代基。杂环基团包括脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团。芳香族杂环基团可以是杂芳基基团。脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团可以各自独立地是单环或多环。

在描述中，杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。如果杂环基团包含两个或多于两个的杂原子，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂环基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团，并且具有包括杂芳基基团的概念。杂环基团的用于形成环的碳数(例如，成环碳原子)可以是2至60、2至30、2至20或2至10。

在描述中，脂肪族杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。脂肪族杂环基团的成环碳原子数可以是2至60、2至30、2至20或2至10。脂肪族杂环基团的实例可以包括氧杂环丙烷基团、硫杂环丙烷基团、吡咯烷基团、哌啶基团、四氢呋喃基团、四氢噻吩基团、硫杂环己烷基团、四氢吡喃基团、1,4-二氧杂环己烷基团等，而不受限制。

在描述中，杂芳基基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。如果杂芳基基团包含两个或多于两个的杂原子，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂芳基基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团。杂芳基基团的用于形成环的碳数(例如，成环碳原子)可以是2至30、2至20或2至10。杂芳基基团的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，而不受限制。

在描述中，对以上描述的芳基基团的相同解释可以适用于亚芳基基团，但亚芳基基团是二价基团。对以上描述的杂芳基基团的相同解释可以适用于亚杂芳基基团，但亚杂芳基基团是二价基团。

在描述中，硼基团可以意指键合至硼原子的以上定义的烷基基团或芳基基团。硼基团可以包括烷基硼基团和芳基硼基团。硼基团的实例可以包括二甲基硼基团、二乙基硼基团、叔丁基甲基硼基团、二苯基硼基团、苯基硼基团等，而不受限制。

在描述中，羰基基团的碳数不受特别限制，但碳数可以是1至40、1至30或1至20。例如，羰基基团可以具有以下结构，但不限于此：

在描述中，亚磺酰基基团和磺酰基基团的碳数不受特别限制，但可以是1至30、1至20或1至10。亚磺酰基基团可以包括烷基亚磺酰基基团和芳基亚磺酰基基团。磺酰基基团可以包括烷基磺酰基基团和芳基磺酰基基团。

在描述中，硫基基团可以包括烷基硫基基团和芳基硫基基团。硫基基团可以意指与硫原子结合的以上定义的烷基基团或芳基基团。硫基基团的实例可以包括甲基硫基基团、乙基硫基基团、丙基硫基基团、戊基硫基基团、己基硫基基团、辛基硫基基团、十二烷基硫基基团、环戊基硫基基团、环己基硫基基团、苯基硫基基团、萘基硫基基团等，而不受限制。

在描述中，氧基基团可以意指与氧原子结合的以上定义的烷基基团或芳基基团。氧基基团可以包括烷氧基基团和芳基氧基基团。烷氧基基团可以是直链、支链或环状链。烷氧基基团的碳数不受特别限制，但可以是例如1至30、1至20或1至10。氧基基团的实例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

在描述中，甲硅烷基基团可以意指键合至硅原子的以上定义的烷基基团或芳基基团。甲硅烷基基团包括烷基甲硅烷基基团和芳基甲硅烷基基团。甲硅烷基基团的实例可以包括三甲基甲硅烷基基团、三乙基甲硅烷基基团、叔丁基二甲基甲硅烷基基团、乙基二甲基甲硅烷基基团、丙基二甲基甲硅烷基基团、三苯基甲硅烷基基团、二苯基甲硅烷基基团、苯基甲硅烷基基团等，而不受限制。

在描述中，胺基团的碳数不受特别限制，但可以是1至30、1至20或1至10。胺基团可以包括烷基胺基团和芳基胺基团。胺基团的实例可以包括甲基胺基团、二甲基胺基团、苯基胺基团、二苯基胺基团、萘基胺基团、9-甲基-蒽基胺基团等，而不受限制。

在描述中，烷基硫基基团、烷基亚磺酰基基团、烷基磺酰基基团、烷氧基基团、烷基硼基团、烷基甲硅烷基基团和烷基胺基团中的烷基基团可以与以上描述的烷基基团的实例相同。

在描述中，芳基氧基基团、芳基硫基基团、芳基亚磺酰基基团、芳基磺酰基基团、芳基硼基团、芳基甲硅烷基基团和芳基胺基团中的芳基基团可以与以上描述的芳基基团的实例相同。

在描述中，直连键可以意指单键。在一个或多于一个的实施方案中，在描述中，

一个或多于一个的实施方案的发光元件ED可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以由下式1表示：

式1

在式1中，n1可以是0至2的整数。L

在式1中，n2可以是0或1。如果n2是0，Ar

Ar

Ar

R

在一个或多于一个的实施方案中，R

在一个或多于一个的实施方案中，Ar

在A1-7中，a1可以是0至7的整数。如果a1是2或大于2的整数，多个R

例如，式1可以由式1-X表示。在式1-X中，Ar

式1-X

在式1-X中，与式1中提供的相同描述可以适用于Ar

/>

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-1A至式1-1C中的任一种表示。式1-1A至式1-1C表示其中n2是0或1的式1。

式1-1A

式1-1B

式1-1C

式1-1A表示其中n2是0的式1。式1-1B表示其中n2是1的式1，并且Ar

例如，在式1-1A中，Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-2A至式1-2D中的任一种表示。式1-2A至式1-2D表示其中n1是0，并且n1是1或2，以及体现L

式1-2A

式1-2B

式1-2C

式1-2D

在式1-2A至式1-2D中，与式1中提供的相同描述可以适用于Ar

式1-2A表示式1，其中n1是1，L

式1-2C和式1-2D表示其中n1是2，并且L

在一个或多于一个的实施方案中，式1-2A可以由式1-2AA和式1-2AB中的任一种表示。式1-2AA和式1-2AB表示式1-2A，其中体现了四氢萘基基团的键合位置。

式1-2AA

式1-2AB

在式1-2AA和式1-2AB中，与式1-2A中提供的相同描述可以适用于Ar

式1-2C可以由式1-2CA或式1-2CB表示。式1-2CA和式1-2CB表示式1-2C，其中体现了四氢萘基基团的键合位置。

式1-2CA

式1-2CB

在式1-2CA和式1-2CB中，与式1-2C中提供的相同描述可以适用于Ar

式1-2D可以由式1-2DA或式1-2DB表示。式1-2DA和式1-2DB表示式1-2D，其中体现了四氢萘基基团的键合位置。

式1-2DA

式1-2DB

在式1-2DA和式1-2DB中，与式1-2D中提供的相同描述可以适用于Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1可以由式1-3A至式1-3C中的任一种表示。式1-3A至式1-3C表示式1，其中体现了包含R

式1-3A

式1-3B

式1-3C

式1-3A表示了式1的情况，其中Ar

在式1-3A至式1-3C中，与式1中提供的相同描述可以适用于Ar

在一个或多于一个的实施方案中，式1-3A可以由式1-3AA至式1-3AC中的任一种表示。式1-3AA至式1-3AC表示式1-3A的情况，其中R

式1-3AA

/>

式1-3AB

式1-3AC

式1-3AA表示式1-3A的情况，其中R

式1-3A可以由式1-3AD表示。式1-3AD表示式1-3A的情况，其中R

式1-3AD

在式1-3AD中，R

例如，式1-3B可以由式3-BA至式1-3BC中的任一种表示。式1-3BA表示式1-3B的情况，其中R

式1-3BA

式1-3BB

式1-3BC

在式1-3BC中，R

例如，式1-3C可以由式3-CA至式1-3CC中的任一种表示。式1-3CA表示式1-3C的情况，其中R

式1-3CA

式1-3CB

式1-3CC

在式1-3CC中，R

一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以由以下化合物组1中的化合物中的任一种表示。一个或多于一个的实施方案的发光元件ED可以包含化合物组1中的化合物中的至少一种。

化合物组1

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以包含键合至胺基团的一个芴部分和一个四氢萘基基团。一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以是单胺化合物。一个或多于一个的实施方案的胺化合物不包含(例如，可以排除)取代或未取代的咔唑基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的芘基基团和取代或未取代的三联苯基基团。蒽基基团、菲基基团、芘基基团和三联苯基基团是通过稠合三个或多于三个的苯基基团形成的取代基。当与包含通过稠合三个或多于三个的苯基基团形成的取代基(代替例如式1中的苯基基团)的化合物相比时，一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以显示改善的最高占据分子轨道(HOMO)的能级与最低未占据分子轨道(LUMO)的能级之间的差，并且可以改善电荷迁移率，从而改善发光元件ED的驱动性质。

包含一个芴部分和一个四氢萘基基团的一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以具有高玻璃化转变温度并且可以防止或减少结晶。此外，包含一个芴部分和一个四氢萘基基团的一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以显示低折射率和优异的或改善的空穴传输性质。因此，包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物的发光元件ED可以显示降低的驱动电压、高亮度、高效率和长使用寿命特性。例如，在一个或多于一个的实施方案的发光元件ED中，空穴传输区HTR可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

在第一电极EL1上提供空穴传输区HTR。空穴传输区HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层或发射辅助层、和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的结构，并且可以具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。

在一些实施方案中，空穴传输区HTR可以具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或者从第一电极EL1堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/第一空穴传输层HTL-1/第二空穴传输层HTL-2/第三空穴传输层HTL-3、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层、空穴注入层HIL/缓冲层、空穴传输层HTL/缓冲层、或者空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL的结构，而不受限制。

如果空穴传输区HTR包括第一空穴传输层至第三空穴传输层HTL-1、HTL-2和HTL-3，第一空穴传输层至第三空穴传输层HTL-1、HTL-2和HTL-3中的至少一个可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。例如，第一空穴传输层至第三空穴传输层HTL-1、HTL-2和HTL-3可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。第一空穴传输层HTL-1和第三空穴传输层HTL-3可以包含相同的材料，并且第二空穴传输层HTL-2可以包含与第一空穴传输层HTL-1和第三空穴传输层HTL-3的材料不同的材料。然而，这些是示例，并且本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

可以使用一种或多于一种的适合的方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett，LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法)形成空穴传输区HTR。

空穴传输区HTR可以进一步包含以下表示的化合物。空穴传输区HTR可以包含由以下式H-1表示的化合物：

式H-1

在以上式H-1中，L

在式H-1中，Ar

由式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在一个或多于一个的实施方案中，由式H-1表示的化合物可以是二胺化合物，其中Ar

由式H-1表示的化合物可以由以下化合物组H中的化合物中的任一种表示。然而，化合物组H中列出的化合物仅是示例，并且由式H-1表示的化合物不限于在以下化合物组H中表示的化合物。

化合物组H

/>

空穴传输区HTR可以包含酞菁化合物(例如铜酞菁)、N

在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区HTR可以包含咔唑衍生物(例如N-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑)、基于芴的衍生物、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、基于三苯胺的衍生物(例如4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'-双[N,N'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(HMTPD)、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3,9'-联咔唑(CCP)、1,3-双(N-咔唑基)苯(mCP)和/或1,3-双(1,8-二甲基-9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。

空穴传输区HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包含空穴传输区的化合物。

空穴传输区HTR的厚度可以是，例如，约

除了以上描述的材料之外，空穴传输区HTR可以进一步包含电荷产生材料以增加导电性。电荷产生材料可以基本上均匀地或非基本上均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可以是，例如，p-掺杂剂。p-掺杂剂可以包括金属卤化物化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的至少一种，而不受限制。例如，p-掺杂剂可以包括金属卤化物化合物(例如CuI和/或RbI)、醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(例如氧化钨和/或氧化钼)、含氰基基团的化合物(例如二吡嗪并[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(HAT-CN)和/或4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(NDP9))等，而不受限制。

如以上描述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可以进一步包括缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层可以根据从发射层EML发射的光的波长来补偿共振距离并且可以增加发射效率。作为包含在缓冲层中的材料，可以使用可以包含在空穴传输区HTR中的材料。电子阻挡层EBL是起防止或减少从电子传输区ETR至空穴传输区HTR的电子注入的作用的层。

再参考图3至图7，第一电极EL1具有导电性。可以使用金属材料、金属合金或适合的导电化合物形成第一电极EL1。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。在一些实施方案中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。第一电极EL1可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn中的至少一种，其两种或多于两种的化合物，其两种或多于两种的混合物和/或其氧化物。

如果第一电极EL1是透射电极，第一电极EL1可以包含透明金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。如果第一电极EL1是半透反射电极或反射电极，第一电极EL1可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、其一种或多于一种的化合物、或者其一种或多于一种的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)；或者第一电极EL1可以包含LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、或LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。此外，第一电极EL1可以具有包括多个层的结构，所述多个层包括使用任一种以上材料形成的反射层或半透反射层，以及使用ITO、IZO、ZnO和/或ITZO形成的透射导电层。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。在一个或多于一个的实施方案中，第一电极EL1可以包含以上描述的金属材料中的一种或多于一种、选自以上描述的金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合和/或以上描述的金属材料的氧化物。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。第一电极EL1的厚度可以是约

在空穴传输区HTR上提供发射层EML。发射层EML可以具有，例如，约

在一个或多于一个的实施方案的发光元件ED中，发射层EML可以包含蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、

发射层EML可以包含由以下式E-1表示的化合物。由以下式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料：

式E-1

在式E-1中，R

式E-1可以由以下化合物E1至化合物E19中的任一种表示：

/>

在一个或多于一个的实施方案的发光元件ED中，发射层EML可以包含主体和掺杂剂。例如，发射层EML可以包含一种主体和一种掺杂剂。在一些实施方案中，发射层EML可以包含两种或多于两种的主体、敏化剂和掺杂剂。例如，发射层EML可以包含空穴传输主体和电子传输主体。发射层EML可以包含磷光敏化剂或热激活延迟荧光(TADF)敏化剂作为敏化剂。如果发射层EML包含空穴传输主体、电子传输主体、敏化剂和掺杂剂，空穴传输主体和电子传输主体可以形成激基复合物，并且可以发生从激基复合物至敏化剂以及从敏化剂至掺杂剂的能量转移。然而，这是示例，并且包含在发射层EML中的材料不限于此。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以包含以下由式HT-1表示的第二化合物、由式ET-1表示的第三化合物和由式M-b表示的第四化合物中的至少一种。

例如，第二化合物可以用作发射层EML的空穴传输主体材料。由式HT-1表示的第二化合物可以包含咔唑部分：

式HT-1

在式HT-1中，L

在式HT-1中，R

第二化合物可以由以下化合物组2中的化合物中的任一种表示。在化合物组2中，D是氘原子，并且Ph是苯基基团。

化合物组2

/>

/>

在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以包含由式ET-1表示的第三化合物。由式ET-1表示的第三化合物可以包括含有N作为成环原子的杂环。例如，第三化合物可以用作发射层EML的电子传输主体材料。在一些实施方案中，第三化合物可以用作电子传输区ETR的电子传输材料：

式ET-1

在式ET-1中，Y

b1至b3可以各自独立地是0至10的整数。L

Ar

第三化合物可以由以下化合物组3中的化合物中的任一种表示。一个或多于一个的实施方案的发光元件ED可以包含化合物组3中的化合物中的任一种。在化合物组3中，D是氘原子，并且Ph是苯基基团。

化合物组3

/>

/>

/>

/>

/>

/>

在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以包含由以下式M-b表示的第四化合物。由式M-b表示的第四化合物可以包含铂(Pt)作为中心金属。例如，第四化合物可以用作发射层EML的磷光敏化剂。在一些实施方案中，第四化合物可以用作发射层EML的磷光掺杂剂材料：

式M-b

在式M-b中，Q

在式M-b中，R

由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。由式M-b表示的化合物可以由以下化合物中的任一种表示。然而，以下化合物是示例，并且由式M-b表示的化合物不限于以下表示的化合物：

在以上化合物中，R、R

发射层EML可以包含由以下式M-a表示的化合物。由式M-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料：

式M-a

在式M-a中，Y

由式M-a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂。由式M-a表示的化合物可以由以下化合物M-a1至化合物M-a25中的任一种表示。然而，化合物M-a1至化合物M-a25是示例，并且由式M-a表示的化合物不限于由化合物M-a1至化合物M-a25表示的那些：

/>

/>

化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3至化合物M-a7可以用作绿色掺杂剂材料。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以包含由以下式E-2a或式E-2b表示的化合物。由以下式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料：

式E-2a

在式E-2a中，“a”可以是0至10的整数，L

在一个或多于一个的实施方案中，在式E-2a中，A

式E-2b

在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以各自独立地是未取代的咔唑基团、或者被具有6个至30个成环碳原子的芳基基团取代的咔唑基团。L

由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以由以下化合物组E-2中的化合物中的任一种表示。然而，以下化合物组E-2中列出的化合物仅是示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于以下化合物组E-2中示出的化合物。

化合物组E-2

/>

/>

发射层EML可以进一步包含本领域中适合的材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包含双(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4-(1-(4-(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基-氧化膦(POPCPA)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、2,8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq

发射层EML可以进一步包含由以下式F-a至式F-c中的任一种表示的化合物。由式F-a至式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。

式F-a

在式F-a中，选自R

在*-NAr

式F-b

在式F-b中，R

在式F-b中，U和V可以各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。在式F-b中，由U和V表示的环的数量可以各自独立地是0或1。

例如，在式F-b中，如果U或V的数量是1，一个环在U或V的指定部分处形成稠合环，并且如果U或V的数量是0，在U或V的指定部分处不存在环。例如，如果U的数量是0并且V的数量是1，或者如果U的数量是1并且V的数量是0，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有四个环的环化合物。如果U和V两者的数量是0，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有三个环的环化合物。如果U和V两者的数量是1，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有五个环的环化合物。

式F-c

在式F-c中，A

在式F-c中，A

在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以包含苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4'-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(DPAVB)、N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N-苯基苯胺(N-BDAVBi)和/或4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝和/或其衍生物(例如，2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP))、芘和/或其衍生物(例如，1,1-二芘、1,4-二芘基苯和/或1,4-双(N,N-二苯基氨基)芘)等作为掺杂剂材料。

发射层EML可以包含适合的磷光掺杂剂材料。例如，磷光掺杂剂可以使用包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)和/或铥(Tm)的金属络合物。例如，双(4,6-二氟苯基吡啶根合-N,C2')吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)、双(2,4-二氟苯基吡啶根合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(Ⅲ)(FIr6)和/或八乙基卟啉铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

发射层EML可以包含量子点材料。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。

II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及其混合物组成的组。

III-VI族化合物可以包括二元化合物，例如In

I-III-VI族化合物可以选自由以下组成的组：三元化合物，所述三元化合物选自由AgInS、AgInS

III-V族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。在一个或多于一个的实施方案中，III-V族化合物可以进一步包含II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。

IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是二元化合物，所述二元化合物选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组。

在这种情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以基本上均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布状态存在于同一颗粒中。在一些实施方案中，其中一个量子点包围另一个量子点的核/壳结构可以是可能的。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。

在一些实施方案中，量子点可以具有以上描述的核/壳结构，所述核/壳结构包括包含纳米晶体的核和包裹核的壳。量子点的壳可以起到用于防止或减少核的化学变性以保持半导体性质的保护层的作用和/或用于赋予量子点电泳性质的充电层的作用。壳可以具有单层或多层。量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物及其组合。

例如，金属氧化物和非金属氧化物可以各自独立地包括二元化合物，例如SiO

半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

量子点可以具有约45nm或小于45nm，例如，约40nm或小于40nm或者约30nm或小于30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在这些范围中的任一个内，可以改善颜色纯度和/或颜色再现性。此外，经由此类量子点发射的光在所有方向上发射，并且可以改善光视角性质。

量子点的形状可以是本领域中的任何合适的形状，而不受特别限制。例如，可以使用球形、角锥形、多臂和/或立方形纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，纳米板等的形状。

量子点可以根据颗粒尺寸来控制发射的光的颜色，并且因此，量子点可以具有各种发射颜色，例如蓝色、红色和绿色。

在如图3至图7中示出的实施方案的发光元件ED中，在发射层EML上提供电子传输区ETR。电子传输区ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一种。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。例如，电子传输区ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者使用电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。此外，电子传输区ETR可以具有使用多种不同材料形成的单层结构，或者从发射层EML堆叠的电子传输层ETL/电子注入层EIL、或空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，而不受限制。电子传输区ETR的厚度可以是，例如，约

可以使用一种或多于一种的适合的方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法)形成电子传输区ETR。

电子传输区ETR可以包含以上描述的由以上式ET-1表示的第三化合物。电子传输区ETR可以包含基于蒽的化合物。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。电子传输区ETR可以包含，例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq

在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区ETR可以包含金属卤化物(例如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和/或KI)、镧系金属(例如Yb)和/或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区ETR可以包含KI:Yb、RbI:Yb、LiF:Yb等作为共沉积材料。在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区ETR可以使用金属氧化物(例如Li

除了上述材料之外，电子传输区ETR可以包含2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的至少一种。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。

电子传输区ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包含电子传输区的化合物。

如果电子传输区ETR包括电子传输层ETL，电子传输层ETL的厚度可以是约

第二电极EL2提供在电子传输区ETR上。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。例如，如果第一电极EL1是阳极，第二阴极EL2可以是阴极，并且如果第一电极EL1是阴极，第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn中的至少一种，其两种或多于两种的化合物，其两种或多于两种的混合物和/或其氧化物。

第二电极EL2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。如果第二电极EL2是透射电极，第二电极EL2可以包含透明金属氧化物，例如，ITO、IZO、ZnO、ITZO等。

如果第二电极EL2是半透反射电极或反射电极，第二电极EL2可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、Yb、W、包含其的化合物和/或其混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)；或者第二电极EL2可以包含LiF/Ca、或LiF/Al。在一些实施方案中，第二电极EL2可以具有多层结构，所述多层结构包括使用任一种以上描述的材料形成的反射层或半透反射层，以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层。例如，第二电极EL2可以包含前述金属材料、选自前述金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合和/或前述金属材料的氧化物。

在一个或多于一个的实施方案中，第二电极EL2可以与辅助电极连接(例如，电联接)。如果第二电极EL2与辅助电极连接，可以减小第二电极EL2的电阻。

在一个或多于一个的实施方案中，在一个或多于一个的实施方案的发光元件ED中的第二电极EL2上，可以进一步提供覆盖层CPL。覆盖层CPL可以包括多个层或单个层。

在一个或多于一个的实施方案中，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，如果覆盖层CPL包含无机材料，无机材料可以包括碱金属化合物(例如LiF)、碱土金属化合物，例如SiON、SiN

例如，如果覆盖层CPL包含有机材料，有机材料可以包括α-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq

在一个或多于一个的实施方案中，覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或大于1.6。例如，相对于约550nm至约660nm的波长范围中的光，覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或大于1.6。

图8至图10是根据本公开内容的实施方案的显示装置的横截面视图。在下文，在参考图8和图11的实施方案的显示装置的解释中，将不再解释与关于图1至图7提供的解释重叠的部分，并且将主要解释不同的特征。

参考图8，根据一个或多于一个的实施方案的显示装置DD-a可以包括包含显示元件层DP-ED的显示面板DP、提供在显示面板DP上的光控制层CCL、以及滤色器层CFL。在图8中示出的一个或多于一个的实施方案中，显示面板DP包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL、以及显示元件层DP-ED，并且显示元件层DP-ED可以包括发光元件ED。

发光元件ED可以包括第一电极EL1、提供在第一电极EL1上的空穴传输区HTR、提供在空穴传输区HTR上的发射层EML、提供在发射层EML上的电子传输区ETR和提供在电子传输区ETR上的第二电极EL2。图3至图7的发光元件ED的结构可以适用于图8中示出的发光元件ED的结构。在一个或多于一个的实施方案中，发光元件ED可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

参考图8，发射层EML可以提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。例如，由像素限定层PDL分隔并且与发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个对应地提供的发射层EML可以发射相同波长区中的光。在一个或多于一个的实施方案的显示装置DD-a中，发射层EML可以发射蓝色光。在一个或多于一个的实施方案中，发射层EML可以提供为所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。

光控制层CCL可以提供在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以是量子点和/或磷光体。光转换器可以转换提供的光的波长并且然后发射经转换的光。例如，光控制层CCL可以是包含量子点的层和/或包含磷光体的层。

光控制层CCL可以包括多个光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。光控制部件CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分开。

参考图8，分割图案BMP可以提供在分开的光控制部件CCP1、CCP2和CCP3之间，但本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此。在图8中，分割图案BMP显示为不与光控制部件CCP1、CCP2和CCP3重叠，但在一些实施方案中，光控制部件CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以与分割图案BMP重叠。

光控制层CCL可以包括包含将由发光元件ED提供的第一颜色光转换(例如，配置成转换)成第二颜色光的第一量子点QD1的第一光控制部件CCP1、包含将第一颜色光转换(例如，配置成转换)成第三颜色光的第二量子点QD2的第二光控制部件CCP2和透射(例如，配置成透射)第一颜色光的第三光控制部件CCP3。在一个或多于一个的实施方案中，第一光控制部件CCP1可以提供作为第二颜色光的红色光，并且第二光控制部件CCP2可以提供作为第三颜色光的绿色光。第三颜色控制部件CCP3可以透射并且提供作为由发光元件ED提供的第一颜色光的蓝色光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，并且第二量子点QD2可以是绿色量子点。对于量子点QD1和量子点QD2，可以适用与以上描述的那些相同的描述。

在一个或多于一个的实施方案中，光控制层CCL可以进一步包含散射体SP。第一光控制部件CCP1可以包含第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部件CCP2可以包含第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部件CCP3可以不包含量子点(可以排除或不包含任何量子点)但可以包含散射体SP。

散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO

第一光控制部件CCP1、第二光控制部件CCP2和第三光控制部件CCP3中的每一个可以分别包含用于分别分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在一个或多于一个的实施方案中，第一光控制部件CCP1可以包含分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部件CCP2可以包含分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部件CCP3可以包含分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。

基体树脂BR1、BR2和BR3是其中分散有量子点QD1和量子点QD2以及散射体SP的介质，并且可以由一种或多于一种的适合的树脂组合物(其可以通常被称为粘合剂)构成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以各自独立地是基于丙烯酸的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于硅酮的树脂、基于环氧的树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在一个或多于一个的实施方案中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。

光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以起到阻挡或减少水分和/或氧气(在下文，将称为“湿气/氧气”)的渗透的作用。阻挡层BFL1可以阻挡或减少光控制部件CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧气。在一个或多于一个的实施方案中，阻挡层BFL1可以覆盖光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。在一些实施方案中，可以在滤色器层CF1与光控制部件CCP1、CCP2和CCP3之间提供阻挡层BFL2。

阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包含无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包含硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物和/或确保光透射率的金属薄膜形成。在一个或多于一个的实施方案中，阻挡层BFL1和BFL2可以进一步包括有机层。阻挡层BFL1和BFL2可以由单个层或多个层构成。

在一个或多于一个的实施方案的显示装置DD中，滤色器层CFL可以提供在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接提供在光控制层CCL上。在这种情况下，可以不提供(例如，可以省略)阻挡层BFL2。

滤色器层CFL可以包括过滤器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射(例如，配置成透射)第二颜色光的第一过滤器CF1、透射(例如，配置成透射)第三颜色光的第二过滤器CF2和透射(例如，配置成透射)第一颜色光的第三过滤器CF3。例如，第一过滤器CF1可以是红色过滤器，第二过滤器CF2可以是绿色过滤器，并且第三过滤器CF3可以是蓝色过滤器。第一过滤器至第三过滤器CF1、CF2和CF3可以分别对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B提供。

过滤器CF1、CF2和CF3中的每一个可以包含聚合物光敏树脂和颜料和/或染料。第一过滤器CF1可以包含红色颜料和/或染料，第二过滤器CF2可以包含绿色颜料和/或染料，并且第三过滤器CF3可以包含蓝色颜料和/或染料。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且第三过滤器CF3可以不包含颜料或染料。第三过滤器CF3可以包含聚合物光敏树脂并且不包含颜料或染料。第三过滤器CF3可以是透明的。可以使用透明光敏树脂形成第三过滤器CF3。

在一个或多于一个的实施方案中，第一过滤器CF1和第二过滤器CF2可以是黄色过滤器。第一过滤器CF1和第二过滤器CF2可以无差别地一体提供(例如，可以彼此集成)。

在一些实施方案中，滤色器层CFL可以进一步包括光阻挡部件。光阻挡部件可以是黑色矩阵。光阻挡部件可以通过包含有机光阻挡材料和/或无机光阻挡材料(包括黑色颜料和/或黑色染料)来形成。光阻挡部件可以防止或减少漏光并且可以划分相邻过滤器CF1、CF2和CF3之间的边界。

在滤色器层CFL上，可以提供基体衬底BL。基体衬底BL可以是提供其上提供有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或有机-无机复合材料层。在一些实施方案中，可以不提供(例如，可以省略)基体衬底BL。

图9是示出根据一个或多于一个的实施方案的显示装置的一部分的横截面视图。在图9中，示出了对应于图8中的显示面板DP的一部分的横截面视图。在一个或多于一个的实施方案的显示装置DD-TD中，发光元件ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光元件ED-BT可以包括相对地提供的第一电极EL1和第二电极EL2，以及在厚度方向上按顺序堆叠并且提供在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个可以包括发射层EML(图8)，发射层EML提供在其间的空穴传输区HTR和电子传输区ETR(图8)。例如，包括在一个或多于一个的实施方案的显示装置DD-TD中的发光元件ED-BT可以是包括多个发射层EML的串联结构的发光元件。多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的至少一个可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

在图9中示出的一个或多于一个的实施方案中，由发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光可以全部是蓝色光。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光的波长区可以彼此不同。例如，包括发射不同波长区中的光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光元件ED-BT可以发射白色光。

在相邻发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3之间，可以提供电荷产生层CGL1和CGL2。电荷产生层CGL1和CGL2可以包括p-型(例如，P)电荷产生层和/或n-型(例如，N)电荷产生层。

参考图10，根据一个或多于一个的实施方案的显示装置DD-b可以包括通过堆叠两个发射层形成的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。与图2的显示装置DD相比，图10中示出的显示装置DD-d的不同之处在于，第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3各自包括在厚度方向上堆叠的两个发射层。在第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中，两个发射层可以发射相同波长区中的光。

第一发光元件ED-1可以包括第一红色发射层EML-R1和第二红色发射层EML-R2。第二发光元件ED-2可以包括第一绿色发射层EML-G1和第二绿色发射层EML-G2。此外，第三发光元件ED-3可以包括第一蓝色发射层EML-B1和第二蓝色发射层EML-B2。发射辅助部件OG可以提供在第一红色发射层EML-R1与第二红色发射层EML-R2之间、在第一绿色发射层EML-G1与第二绿色发射层EML-G2之间、以及在第一蓝色发射层EML-B1与第二蓝色发射层EML-B2之间。

发射辅助部件OG可以包括单层或多层。发射辅助部件OG可以包括电荷产生层。例如，发射辅助部件OG可以包括按顺序堆叠的电子传输区、电荷产生层和空穴传输区。发射辅助部件OG可以提供为全部第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的公共层。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且发射辅助部件OG可以图案化和提供在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。

第一红色发射层EML-R1、第一绿色发射层EML-G1和第一蓝色发射层EML-B1可以提供在发射辅助部件OG与电子传输区ETR之间。第二红色发射层EML-R2、第二绿色发射层EML-G2和第二蓝色发射层EML-B2可以提供在空穴传输区HTR与发射辅助部件OG之间。

例如，第一发光元件ED-1可以包括按顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二红色发射层EML-R2、发射辅助部件OG、第一红色发射层EML-R1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第二发光元件ED-2可以包括按顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二绿色发射层EML-G2、发射辅助部件OG、第一绿色发射层EML-G1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第三发光元件ED-3可以包括按顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二蓝色发射层EML-B2、发射辅助部件OG、第一蓝色发射层EML-B1、电子传输区ETR和第二电极EL2。

在一个或多于一个的实施方案中，光学辅助层PL可以提供在显示元件层DP-ED上。光学辅助层PL可以包括偏振层。光学辅助层PL可以提供在显示面板DP上并且可以适当地控制由外部光在显示面板DP处反射的光。在一些实施方案中，在根据一个或多于一个的实施方案的显示装置中可以不提供(例如，可以省略)光学辅助层PL。

不同于图9和图10，图11中的显示装置DD-c被示出为包括四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。发光元件ED-CT可以包括相对地提供的第一电极EL1和第二电极EL2，以及在第一电极EL1与第二电极EL2之间在厚度方向上按顺序堆叠的四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1中的至少一个可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。

在第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间，可以提供电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3。提供在在相邻发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间的电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。

在四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1中，第一发光结构至第三发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可以发射蓝色光，并且第四发光结构OL-C1可以发射绿色光。然而，本公开内容的一个或多于一个的实施方案不限于此，并且第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1可以发射不同波长的光。

在下文，参考实施方案和比较实施方案，将更详细地解释根据一个或多于一个的实施方案的胺化合物和根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的发光元件。然而，以下实施方案是用以帮助对本公开内容的理解的示例，但本公开内容的范围不限于此。

实施例

1.实施方案的胺化合物的合成

将通过例示化合物1、化合物2、化合物18、化合物19、化合物24、化合物28、化合物42、化合物43、化合物59、化合物60、化合物65、化合物68、化合物124、化合物125、化合物141、化合物142、化合物148、化合物151、化合物182、化合物183、化合物199、化合物200、化合物205、化合物209、化合物223、化合物227和化合物239的合成方法来解释根据一个或多于一个的实施方案的胺化合物的合成方法。然而，在下文解释的胺化合物的合成方法是实例，并且根据本公开内容的一个或多于一个的实施方案的胺化合物的合成方法不限于以下实施例。

首先，将解释在以下描述的胺化合物的合成方法中使用的中间体C1至中间体C7的合成方法。

中间体C1的合成

将中间体C1-2(20mmol，1当量)、双(频哪醇)二硼(40mmol，2当量)、PdCl

将中间体C1-1(14mmol，1当量)、1-溴-4-碘苯(14mmol，1当量)、Pd(Pph

中间体C2的合成

将中间体C2-2(20mmol，1当量)、双(频哪醇)二硼(40mmol，2当量)、PdCl

将中间体C2-1(16mmol，1当量)、1-溴-4-碘苯(16mmol，1当量)、Pd(Pph

中间体C3的合成

将中间体C3-2(20mmol，1当量)、双(频哪醇)二硼(40mmol，2当量)、PdCl

将中间体C3-1(10mmol，1当量)、1-氨基-4-溴苯(10mmol，1当量)、Pd(Pph

中间体C4的合成

将中间体C4-2(20mmol，1当量)、三氟磺酸酐(80mmol，4当量)、三乙醇胺(TEA、60mmol，3当量)和MC(200ml)放入1颈圆底烧瓶中并且在约0℃下搅拌约2小时。在反应完成之后，将反应产物使用乙醚/H

将中间体C4-1(18mmol，1当量)、1-氨基-4-溴苯(18mmol，1当量)、Pd(Pph

中间体C5的合成

将中间体C5-4(50mmol，1当量)、N-溴琥珀酰亚胺(NBS，50mmol，1当量)和MC(400ml)放入1颈圆底烧瓶中并且在约70℃下搅拌约4小时。在反应完成之后，将反应产物使用乙醚/H

将中间体C5-3(45mmol，1当量)、苯基硼酸(45mmol，1当量)、Pd(Pph

将中间体C5-2(36mmol，1当量)、BBr

将中间体C5-1(31.5mmol，1当量)、三氟磺酸酐(63mmol，2当量)、TEA(63mmol，2当量)和MC(400ml)放入1颈圆底烧瓶中并且在约0℃下搅拌约2小时。在反应完成之后，将反应产物使用乙醚/H

中间体C6的合成

将中间体C6-1(100mmol，1当量)、CuI(100mmol，1当量)、NH

中间体C7的合成

将中间体C7-1(100mmol，1当量)、CuI(100mmol，1当量)、NH

(1)化合物1的合成

可以通过例如以下反应1的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物1。

反应1

将中间体1-1(11mmol，1.1当量)、中间体C1(10mmol，1当量)、Pd

(2)化合物2的合成

可以通过例如以下反应2的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物2。

反应2

将中间体C3(22mmol，1.1当量)、2-溴-9,9-二甲基芴(20mmol，1当量)、Pd

将中间体2-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(3)化合物18的合成

可以通过例如以下反应3的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物18。

反应3

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C4(20mmol，1当量)、Pd

将中间体18-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(4)化合物19的合成

可以通过例如以下反应4的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物19。

反应4

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C5(20mmol，1当量)、Pd

将中间体19-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(5)化合物24的合成

可以通过例如以下反应5的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物24。

反应5

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C6(20mmol，1当量)、Pd

将中间体24-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(6)化合物28的合成

可以通过例如以下反应6的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物28。

反应6

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C7(20mmol，1当量)、Pd

将中间体28-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(7)化合物42的合成

可以通过例如以下反应7的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物42。

反应7

将中间体42-1(11mmol，1.1当量)、中间体C1(10mmol，1当量)、Pd

(8)化合物43的合成

可以通过例如以下反应8的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物43。

反应8

将中间体C3(22mmol，1.1当量)、9-溴-11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴(20mmol，1当量)、Pd

将中间体43-1(13.6mmol，1.1当量)、中间体C1(12.36mmol，1当量)、Pd

(9)化合物59的合成

可以通过例如以下反应9的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物59。

反应9

将11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴-9-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C4(20mmol，1当量)、Pd

将中间体59-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(10)化合物60的合成

可以通过例如以下反应10的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物60。

反应10

将11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴-9-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C5(20mmol，1当量)、Pd

将中间体60-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(11)化合物65的合成

可以通过例如以下反应11的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物65。

反应11

将11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴-9-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C6(20mmol，1当量)、Pd

将中间体65-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(12)化合物68的合成

可以通过例如以下反应12的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物68。

反应12

将11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴-9-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C7(20mmol，1当量)、Pd

将中间体68-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(13)化合物124的合成

可以通过例如以下反应13的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物124。

反应13

将中间体124-1(11mmol，1.1当量)、中间体C1(10mmol，1当量)、Pd

(14)化合物125的合成

可以通过例如以下反应14的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物125。

反应14

将中间体C3(22mmol，1.1当量)、2-溴-9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴(20mmol，1当量)、Pd

将中间体125-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(15)化合物141的合成

可以通过例如以下反应15的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物141。

反应15

9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C4(20mmol，1当量)、Pd

将中间体141-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(16)化合物142的合成

可以通过例如以下反应16的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物142。

反应16

将9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C5(20mmol，1当量)、Pd

将中间体142-1(10mmol，1.1当量)、中间体C1(9mmol，1当量)、Pd

(17)化合物148的合成

可以通过例如以下反应17的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物148。

反应17

将9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、1-(2-溴苯基)金刚烷(20mmol，1当量)、Pd

将中间体148-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(18)化合物151的合成

可以通过例如以下反应18的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物151。

反应18

将9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C7(20mmol，1当量)、Pd

将中间体151-1(16mmol，1.1当量)、中间体C1(14.5mmol，1当量)、Pd

(19)化合物182的合成

可以通过例如以下反应19的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物182。

反应19

将中间体1-1(11mmol，1.1当量)、中间体C2(10mmol，1当量)、Pd

(20)化合物183的合成

可以通过例如以下反应20的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物183。

反应20

将中间体C3(22mmol，1.1当量)、2-溴-9,9-二甲基芴(20mmol，1当量)、Pd

将中间体183-1(16mmol，1.1当量)、中间体C2(14.5mmol，1当量)、Pd

(21)化合物199的合成

可以通过例如以下反应21的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物199。

反应21

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C4(20mmol，1当量)、Pd

将中间体199-1(10mmol，1.1当量)、中间体C2(9mmol，1当量)、Pd

(22)化合物200的合成

可以通过例如以下反应22的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物200。

反应22

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C5(20mmol，1当量)、Pd

将中间体200-1(10mmol，1.1当量)、中间体C2(9mmol，1当量)、Pd

(23)化合物205的合成

可以通过例如以下反应23的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物205。

反应23

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C6(20mmol，1当量)、Pd

将中间体205-1(16mmol，1.1当量)、中间体C2(14.5mmol，1当量)、Pd

(24)化合物209的合成

可以通过例如以下反应24的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物209。

反应24

将2-氨基-9,9-二甲基芴(22mmol，1.1当量)、中间体C7(20mmol，1当量)、Pd

将中间体209-1(16mmol，1.1当量)、中间体C2(14.5mmol，1当量)、Pd

(25)化合物223的合成

可以通过例如以下反应25的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物223。

反应25

将中间体223-1(11mmol，1.1当量)、中间体C2(10mmol，1当量)、Pd

(26)化合物227的合成

可以通过例如以下反应26的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物227。

反应26

将9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、4”-氯-3'-苯基-1,1':2',1”-三联苯(20mmol，1当量)、Pd

将中间体227-1(10mmol，1.1当量)、中间体C2(9mmol，1当量)、Pd

(27)化合物239的合成

可以通过例如以下反应27的步骤合成根据一个或多于一个的实施方案的化合物239。

反应27

将9,9-二甲基-5-苯基-9H-芴-2-胺(22mmol，1.1当量)、中间体C4(20mmol，1当量)、Pd

将中间体239-1(10mmol，1.1当量)、中间体C2(9mmol，1当量)、Pd

2.发光元件的制造和评价

(1)发光元件的制造

通过以下方法制造包含实施方案的胺化合物或比较化合物的发光元件。使用化合物1、化合物2、化合物18、化合物19、化合物24、化合物28、化合物42、化合物43、化合物59、化合物60、化合物65、化合物68、化合物124、化合物125、化合物141、化合物142、化合物148、化合物151、化合物182、化合物183、化合物199、化合物200、化合物205、化合物209、化合物223、化合物227和化合物239作为空穴传输层的材料制造实施例1至实施例27的发光元件。使用NPB的材料作为空穴传输层的材料制造比较例1的发光元件。使用比较化合物HX-1至比较化合物HX-10作为空穴传输层的材料制造比较例2至比较例11的发光元件。

为了形成阳极，将康宁公司(Corning Co.)的具有约15Ω/cm

在衬底上，将2-TNATA的材料真空沉积至约

在空穴传输层上，将9,10-二(萘-2-基)蒽(在下文，DNA)的蓝色荧光主体和4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(在下文，DPAVBi)的蓝色荧光掺杂剂以约98:2的重量比共沉积以形成具有约

实施例1至实施例27以及比较例2至比较例11中使用的实施例化合物和比较化合物显示在表1中。

表1

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/>

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(2)发光元件的性质的评价

表2示出了实施例和比较例的发光元件的驱动电压、亮度、效率和半衰期的评价结果。作为评价设备，使用I-V-L Test System Polaronix V7000(制造商：McSience Inc.)。基于约50mA/cm

表2

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参考表2，可以发现，当与比较例1至比较例5的发光元件相比时，在实施例1至实施例27的发光元件中驱动电压降低并且亮度改善。此外，可以发现，对于实施例1至实施例27的发光元件，效率增加并且使用寿命增加。实施例1至实施例27的发光元件包含化合物1、化合物2、化合物18、化合物19、化合物24、化合物28、化合物42、化合物43、化合物59、化合物60、化合物65、化合物68、化合物124、化合物125、化合物141、化合物142、化合物148、化合物151、化合物182、化合物183、化合物199、化合物200、化合物205、化合物209、化合物223、化合物227和化合物239，并且化合物1、化合物2、化合物18、化合物19、化合物24、化合物28、化合物42、化合物43、化合物59、化合物60、化合物65、化合物68、化合物124、化合物125、化合物141、化合物142、化合物148、化合物151、化合物182、化合物183、化合物199、化合物200、化合物205、化合物209、化合物223、化合物227和化合物239作为实施方案的胺化合物。一个或多于一个的实施方案的胺化合物包含一个芴部分和一个四氢萘基基团，并且芴部分直接键合至胺基团的氮原子，以及四氢萘基基团直接或间接键合至胺基团的氮原子。因此，包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物的发光元件可以显示低驱动电压、高亮度、高效率和长使用寿命特性。

比较例2的发光元件包含比较化合物HX-1，并且比较化合物HX-1包含菲基基团。可以发现，当与实施例1至实施例27的发光元件相比时，包含含有菲基基团的比较化合物HX-1的发光元件显示出增加的驱动电压、更低的亮度和效率以及更短的使用寿命。

如以上描述，一个或多于一个的实施方案的胺化合物不包含蒽基基团、菲基基团、芘基基团或苯并菲基基团。当与包含蒽基基团、菲基基团、芘基基团和/或苯并菲基基团的化合物相比时，可以发现一个或多于一个的实施方案的胺化合物显示出改善的HOMO能级与LUMO能级之间的差，并且显示出改善的空穴传输性质。此外，包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物的发光元件可以显示出改善的驱动性质。

比较例3的发光元件包含比较化合物HX-2，并且比较化合物HX-2包含咔唑基团。一个或多于一个的实施方案的胺化合物不包含咔唑基团。可以发现，当与实施例1至实施例27的发光元件相比时，包含含有咔唑基团的比较化合物HX-2的比较例3的发光元件显示出增加的驱动电压、低亮度和效率以及短使用寿命。

比较例4的发光元件包含比较化合物HX-3，并且比较化合物HX-3包含四氢萘基基团但不包含芴部分。一个或多于一个的实施方案的胺化合物和比较化合物HX-3关于包含芴部分而不同。

比较例5的发光元件包含比较化合物HX-4，并且比较化合物HX-4不包含四氢萘基基团但包含两个芴部分。一个或多于一个的实施方案的胺化合物和比较化合物HX-4关于包含四氢萘基基团和芴部分的数量而不同。

比较化合物HX-3和比较化合物HX-4不包含四氢萘基基团和芴部分中的至少一个。可以发现，当与实施例1至实施例27的发光元件相比时，包含不含四氢萘基基团和芴部分中的至少一个的比较化合物HX-3和比较化合物HX-4的比较例4和比较例5的发光元件显示出增加的驱动电压、低亮度和效率以及短使用寿命。

比较例6至比较例10的发光元件包含比较化合物HX-5至比较化合物HX-9，并且比较化合物HX-5至比较化合物HX-9包含三个或多于三个的苯基基团的稠合取代基(蒽基基团、菲基基团、芘基基团、苯并菲基基团、

比较例11的发光元件包含比较化合物HX-10，并且比较化合物HX-10包含两个四氢萘基基团。比较化合物HX-10在其末端处包含两个脂肪族基团，并且具有降低的折射率、不平滑的π-π共轭和低迁移率。因此，认为包含比较化合物HX-10的比较例11的发光元件显示出降低的空穴迁移率、电子积聚和短使用寿命。

一个或多于一个的实施方案的发光元件可以包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及提供在第一电极与第二电极之间的至少一个功能层。至少一个功能层可以包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物。包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物的发光元件可以显示低驱动电压、高亮度、高效率和长使用寿命特性。

一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以包含一个芴部分和一个四氢萘基基团。因此，一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以显示高的或改善的玻璃化转变温度并且防止或减少结晶。此外，一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以显示低折射率性质和优异的空穴传输性质。

一个或多于一个的实施方案的发光元件包含一个或多于一个的实施方案的胺化合物并且可以显示低驱动电压、高亮度、高效率和长使用寿命特性。

一个或多于一个的实施方案的胺化合物可以有助于驱动电压的降低，亮度和效率的改善以及发光元件的使用寿命的增加。

尽管已经描述了本公开内容的实施方案，但应理解，本公开内容不应局限于这些实施方案，而在如由所附权利要求及其等同要求保护的本公开内容的主旨和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种改变和修改。