发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年8月3日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0096798号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文中。

技术领域

实施方式涉及包括其中诸如相机的光学元件定位在后表面上的组件区域的发光显示装置。

背景技术

显示装置为显示画面的装置，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和类似物。显示装置在各种电子装置(诸如，移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端)中使用。

诸如有机发光显示装置的显示装置可具有其中显示装置可通过使用柔性衬底弯折或折叠的结构。

例如，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光学传感器的光学元件形成在作为显示区域的外围的边框区域中，然而，随着显示区域的外围区域的尺寸逐渐减小而显示屏幕的尺寸增大，已开发了能够将相机或光学传感器定位在显示区域的背面上的技术，并且已开发了在显示装置的前面上不形成偏振器的结构，以改善光学传感器的效率。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，并且因此，其可能包含不构成在本国为本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

实施方式提供了能够在其中诸如相机的光学元件定位在显示区域的后表面上的组件区域中减小显示图像的像素的面积并且能够增加通过其透射光的透光区域的面积的发光显示装置，从而以改善的性能来操作定位在后表面上的光学元件。

然而，本公开的实施方式不限于在本文中阐述的那些实施方式。通过参照下面给出的本公开的详细描述，以上和其他的实施方式对本公开所属的领域的普通技术人员将变得更显而易见。

根据实施方式的发光显示装置可包括显示区域和由显示区域围绕的组件区域，光学元件布置在组件区域中，其中显示区域可包括连接到第一数据线并且分别与组件区域的相对侧相邻的第一正常像素和第二正常像素以及连接到第二数据线并且分别与组件区域的相对侧相邻的第三正常像素和第四正常像素，组件区域可包括连接到第一数据线的单位像素和旁路数据线，第二数据线和旁路数据线可由不同的导电层形成，并且第二数据线可在定位在显示区域与组件区域之间的边界区域中连接到旁路数据线。

第一数据线可由第二数据导电层形成，并且可在显示区域和组件区域中连续延伸。

第一数据线可在显示区域和组件区域中由第二数据导电层形成，边界区域可包括由第一数据导电层形成的连接部，并且连接部和第一数据线可在边界区域中彼此连接。

定位在组件区域中的单位像素可不连接到第二数据线和旁路数据线。

形成在显示区域中的第一数据线和第二数据线可由第二数据导电层形成，并且定位在组件区域中的旁路数据线可由第一数据导电层形成。

在发光显示装置中还可包括共同连接到第一正常像素、第二正常像素和单位像素的驱动电压线，并且驱动电压线可在显示区域中由第二数据导电层形成并且可连接到在组件区域中由第一数据导电层形成的驱动电压施加部。

组件区域还可包括由第二数据导电层形成的旁路驱动电压线和另一驱动电压施加部，并且旁路驱动电压线可连接到另一驱动电压施加部。

在发光显示装置中还可包括共同连接到第一正常像素、第二正常像素和单位像素的驱动电压线，驱动电压线可在显示区域和组件区域中由第二数据导电层形成，边界区域可包括由第一数据导电层形成的连接部，并且连接部和驱动电压线可在边界区域中连接。

在发光显示装置中还可包括共同连接到第一正常像素、第二正常像素和单位像素的第一初始化电压线，第一初始化电压线可在显示区域和组件区域中由第一数据导电层形成，组件区域还可包括由第二栅极导电层形成的第一初始化电压施加部，以使得第一初始化电压线可在组件区域中连接到第一初始化电压施加部。

组件区域还可包括由第一数据导电层形成的旁路第一初始化电压线和由半导体层形成的多个第一岛部，并且旁路第一初始化电压线和多个第一岛部可在组件区域中彼此连接。

发光显示装置还可包括共同连接到第一正常像素、第二正常像素和单位像素的第二初始化电压线，其中第二初始化电压线在显示区域和组件区域中由第一数据导电层形成，并且其中组件区域还可包括由第二栅极导电层形成的第二初始化电压施加部，以使得第二初始化电压线可在组件区域中连接到第二初始化电压施加部。

组件区域还可包括由第一数据导电层形成的旁路第二初始化电压线和由半导体层形成的多个第二岛部，并且旁路第二初始化电压线和多个第二岛部可在组件区域中彼此连接。

在发光显示装置中还可包括共同连接到第一正常像素、第二正常像素和单位像素的第二初始化电压线，第二初始化电压线可在显示区域和组件区域中由第一数据导电层形成，边界区域可包括由第二数据导电层形成的连接部，并且连接部和第二初始化电压线可在边界区域中连接。

显示区域还可包括连接到在与第一数据线和第二数据线交叉的方向上延伸的第一信号线并且分别与组件区域的其他相对侧相邻的第五正常像素和第六正常像素，组件区域的单位像素可连接到第一信号线，边界区域还可包括连接部，并且连接部和第一信号线可在边界区域中彼此连接。

显示区域还可包括连接到在与第一数据线和第二数据线交叉的方向上延伸的第二信号线并且分别与组件区域的其他相对侧相邻的第七正常像素和第八正常像素，组件区域还可包括旁路信号线，边界区域还可包括另一连接部，并且旁路信号线和第二信号线可在边界区域中连接到另一连接部。

根据实施方式的发光显示装置可包括显示区域和由显示区域围绕的组件区域，光学元件布置在组件区域中，其中显示区域可包括与组件区域的相对侧相邻并且共同连接到一个数据线的第一正常像素和第二正常像素以及与第一正常像素和第二正常像素相邻的第一电压线，组件区域可包括阻光部分和定位在阻光部分上的单位像素，阻光部分可包括与透光区域对应的多个开口，多个开口可在平面视图中不与单位像素重叠，第一电压线划分为与第一正常像素相邻的第一部分和与第二正常像素相邻第二部分，第一部分和第二部分彼此电断开，并且第一部分电连接到阻光部分。

第一电压线的第一部分和第一正常像素可彼此电断开，并且第一电压线的第二部分和第二正常像素可彼此电连接。

第一初始化电压或第二初始化电压可施加到第一电压线的第二部分。

显示区域可包括分别与组件区域的相对侧相邻并且共同连接到另一数据线的第三正常像素和第四正常像素以及第二电压线，施加到第一电压线的第二部分的电压施加到第二电压线，并且第三正常像素、第四正常像素和单位像素可共同连接到第二电压线。

在发光显示装置中还可包括与驱动部的一侧相邻的焊盘部以及将第一电压线的连接到阻光部分的第一部分和焊盘部连接的第一电压施加布线，其中第一电压施加布线可沿发光显示装置的边缘部分延伸。

根据实施方式，尽管共同连接到组件区域中包括的组件像素和显示区域中包括的正常像素的信号线和/或电压线通过不同的导电层连接，但连接不同的导电层的接触结构(在下文中，也被称为连接结构)可形成在定位在组件像素区域与正常像素区域之间的边界区域中，而不是在组件像素区域中，相应地，组件像素区域的面积不增加，而透光区域的面积为相对宽的。因此，增加了组件区域之中的透光区域的面积比，使得改善了光的透射率，并且定位在背面上的光学元件可以改善的性能来操作。

根据实施方式，在定位在组件区域中的单位像素的后表面上的阻光部分接收电压的情况下，不形成单独的布线，而是现有的布线划分为第一部分和第二部分，并且以它们中的一个连接到阻光部分的这种方式来施加电压，以使得不减小组件区域的透光区域的面积。

附图说明

图1是示出根据实施方式的发光显示装置的使用状态的示意性透视图。

图2是根据实施方式的发光显示装置的示意性分解透视图。

图3是根据实施方式的发光显示装置的框图。

图4是示出根据实施方式的发光显示装置的使用状态的示意性透视图。

图5是放大根据实施方式的发光显示装置的部分区域的示意性俯视图。

图6是根据实施方式的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。

图7至图18是示出根据实施方式的发光显示装置的正常像素之中的根据下面板层的制造顺序的每层的结构的示意性视图。

图19A、图19B、图20和图21是示出根据实施方式的第二组件区域的结构的示意性视图。

图22至图33是示出根据图21的第二组件像素之中的根据下面板层的制造顺序的每层的结构的示意性视图。

图34是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖面图。

图35和图36是按照表来示出根据实施方式的用于连接正常像素和第二组件像素的信号线以及用于连接电压线的导电层的示意性视图。

图37和图38是示出根据实施方式的发光显示装置中的用于向第二组件像素的阻光部分施加电压的结构的示意性视图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中使用的“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们为本文中公开的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效排列的情况下实践各种实施方式。这里，各种实施方式不必为排他性的，也不必限制本公开。例如，实施方式的具体形状、配置和特性可在另一实施方式中使用或实现。

除非另有说明，否则所示出的实施方式将被理解为提供本发明的特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独或统称为“元件”)可以其他方式组合、分离、互换和/或重新排列。

附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供为阐明相邻元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、大小、比例、示出元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可不同地实现实施方式时，可与描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行，或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，类似的附图标记表示类似的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或者层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或者层时，不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在具有或没有居间元件的情况下的物理、电和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的诸如X轴、Y轴和Z轴的三个轴，并且可在更广泛的意义上解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，并且可在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“A和B中的至少一个”可被解释为理解成是指仅A、仅B、或A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多的任何组合。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件和另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称作第二元件。

空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”、“上面”、“更高”或“侧”(例如，如在“侧壁”中)和类似词，可在本文中出于描述性目的而使用，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向为在其他元件或特性“上方”。因此，术语“下方”能涵盖上方和下方的取向两者。此外，设备可以其他方式取向(例如，旋转90度或在其他取向)，并且如此，相应地解释本文中使用的空间相对描述词。

本文中使用的用语用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。还注意的是，如本文中使用的，术语“基本上”、“约”和其他相似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且如此，被用来解释本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。

在本文中参照作为实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示来描述各种实施方式。如此，由例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中公开的实施方式不应必须被解释为限于特定示出的区的形状，而是将包括由例如制造而导致的形状上的偏差。以这种方式，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且如此，不一定旨在进行限制。

此外，在整个说明书中，当说到诸如布线、层、膜、区域、板和构成元件的部分“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不仅意味着在对应方向上直线地延伸的直线形状，而且还包括在一部分中弯折的结构、具有之字形结构的结构或者在包括曲线结构的同时延伸的结构来作为整体沿第一方向或第二方向延伸的结构。

例如，包括在说明书中描述的显示装置和显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或者包括通过在说明书中描述的制造方法制造的显示装置和显示面板等的电子装置不从本说明书的范围排除。

在下文中，参照图1至图3示意性地描述显示装置(例如，发光显示装置)的示意性结构。

图1是示出根据实施方式的发光显示装置的使用状态的示意性透视图，图2是根据实施方式的发光显示装置的示意性分解透视图，并且图3是根据实施方式的发光显示装置的框图。

参照图1，根据实施方式的发光显示装置1000可为用于显示运动图画或静止图像的装置，并且可用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告板、物联网(IOT)装置等的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子记事本、电子书、PMP(便携式多媒体播放器)、导航装置、UMPC(超移动PC)等的便携式电子装置的显示屏幕。例如，发光显示装置1000可在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中使用。例如，发光显示装置1000可用作汽车的仪器面板、汽车的中央仪表盘或布置在仪表板上的CID(中央信息显示器)、替代汽车的侧视镜的车内镜显示器、用于汽车的后座的娱乐装置、或布置在前座的后表面上的显示器。为了更好理解和描述方便，图1示出了发光显示装置1000被用作智能电话。

发光显示装置1000可在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面上在第三方向DR3上显示图像。其上显示图像的显示表面可对应于发光显示装置1000的前表面，并且可对应于覆盖窗WU的前表面。图像可包括静态图像以及动态图像。

在实施方式中，基于在其上显示图像的方向来限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可平行于第三方向DR3。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的分离距离可对应于显示面板在第三方向DR3上的厚度。

根据实施方式的发光显示装置1000可检测(或感测)从外部施加的用户的输入(参照图1中的手)。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入以施加到前面的用户的手来示出。然而，实施方式不限于此。用户的输入可以各种形式来提供，并且根据发光显示装置1000的结构，发光显示装置1000可感测施加到发光显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。

参照图1和图2，发光显示装置1000可包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，覆盖窗WU和壳体HM可被组合以形成发光显示装置1000的外观。

覆盖窗WU可包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可由玻璃、塑料或它们的组合制成。

覆盖窗WU的前表面可限定发光显示装置1000的前表面。透射区域TA可为光学透明区域。例如，透射区域TA可为具有约90％或更高的可见光透射率的区域。

阻挡区域BA可限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可与透射区域TA相邻，并且可围绕透射区域TA。阻挡区域BA可为与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可具有某种颜色。阻挡区域BA可由与限定透射区域TA的透明衬底分开提供的边框层来限定，或者可由通过将墨水插入或着色到透明衬底中而形成的墨水层来限定。

显示面板DP可包括显示图像的显示像素PX和驱动部50，并且显示像素PX可定位在显示区域DA和组件区域EA中。显示面板DP可包括包含显示区域DA和非显示区域PA的前表面。在实施方式中，显示区域DA和组件区域EA可为其中通过包括像素来显示图像的区域，并且同时可为其中通过将触摸传感器定位在显示像素PX在第三方向DR3上的上侧来感测外部输入的区域。

覆盖窗WU的透射区域TA可至少部分地与显示面板DP的显示区域DA和组件区域EA重叠。例如，透射区域TA可与显示区域DA和组件区域EA的整个表面重叠，或者可与显示区域DA和组件区域EA中的至少一部分重叠。相应地，用户可通过透射区域TA识别图像或基于图像提供外部输入。然而，实施方式不限于此。例如，其中显示图像的区域和其中检测外部输入的区域可彼此分离。

显示面板DP的非显示区域PA可至少部分地与覆盖窗WU的阻挡区域BA重叠。非显示区域PA可为由阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可与显示区域DA相邻，并且可围绕显示区域DA。在非显示区域PA中可不显示图像，并且可布置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。非显示区域PA可包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1以及包括驱动部50、连接布线和弯折区域的第二外围区域PA2。在图2的实施方式中，第一外围区域PA1可定位在显示区域DA的三个侧上，并且第二外围区域PA2可定位在显示区域DA的另一侧上。

在实施方式中，显示面板DP可组装成其中显示区域DA、组件区域EA和非显示区域PA面向覆盖窗WU的平坦状态。然而，实施方式不限于此。显示面板DP的非显示区域PA的部分可弯折。例如，非显示区域PA的部分可面向发光显示装置1000的后表面，以使得可减小在发光显示装置1000的前表面上所示的阻挡区域BA，并且如图2中所示，第二外围区域PA2可弯折以定位在显示区域DA的后表面上，并且被组装。

例如，显示面板DP的组件区域EA可包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可至少部分地由显示区域DA围绕。尽管第一组件区域EA1和第二组件区域EA2被示出为彼此间隔开，但实施方式不限于此，并且它们中的至少一些可以是连接的。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可为其中在第一组件区域EA1和第二组件区域EA2下方布置有通过使用红外光、可见光或声音操作的光学元件(参照图2的ES；在下文中被称为组件)的区域。

显示区域DA和组件区域EA可包括发光二极管LED(参见图6)以及用于产生发光电流并且将发光电流发送到多个发光二极管LED中的每个的像素电路部。例如，单个发光二极管LED和单个像素电路部被称为像素。在显示区域DA和组件区域EA中，单个像素电路部和单个发光二极管LED可以一对一的关系来形成。

第一组件区域EA1可包括光或/和声音可穿过的透射部以及包括像素的显示部。透射部可定位在相邻像素之间，并且可由光或/和声音可穿过的透明层形成。根据实施方式，光不透过的层(诸如阻光层)可与第一组件区域EA1重叠。在显示区域DA中包括的像素(在下文中被称为正常像素)的每单位面积的像素的数量(或像素密度)可与在第一组件区域EA1中包括的像素(在下文中被称为第一组件像素)的每单位面积的像素的数量(或像素密度)相同。

第二组件区域EA2可包括由透明层形成以使光从其穿过的区域(在下文中，也被称为透光区域)，透光区域可不包括导电层或半导体层，并且包括阻光材料的层(例如，像素限定层和/或阻光层)可包括与对应于第二组件区域EA2的位置重叠的开口，从而具有不阻挡光的结构。在第二组件区域EA2中包括的像素(在下文中，也被称为第二组件像素)的每单位面积的像素的数量(或像素密度)可小于在显示区域DA中包括的正常像素的每单位面积的像素的数量(或像素密度)。结果，第二组件像素的分辨率可低于正常像素的分辨率。

参照图3，除了包括显示像素PX的显示区域DA之外，显示面板DP还可包括触摸传感器TS。包括产生图像的显示像素PX，显示面板DP可由用户通过透射区域TA从外部在视觉上识别。例如，触摸传感器TS可定位在显示像素PX上，并且可检测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可检测提供到覆盖窗WU的外部输入。

参照图2，第二外围区域PA2可包括弯折部。显示区域DA和第一外围区域PA1可具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平坦状态，并且第二外围区域PA2的一侧可从平坦状态延伸并且可在经过弯折部之后再次具有平坦状态。结果，第二外围区域PA2的至少一部分可弯折，并且被组装成定位在显示区域DA的后表面侧上。在发光显示装置1000被组装的情况下，第二外围区域PA2的至少一部分可在平面视图中与显示区域DA重叠，以使得可减小发光显示装置1000的阻挡区域BA。然而，实施方式不限于此。例如，第二外围区域PA2可不弯折。

驱动部50可安装在第二外围区域PA2中，并且可安装在弯折部上或者定位在弯折部的侧(例如，相对侧)中的一侧上。驱动部50可以芯片的形式来实现。

驱动部50可电连接到显示区域DA和组件区域EA，以将电信号发送到显示区域DA和组件区域EA的像素。例如，驱动部50可将数据信号提供到布置在显示区域DA中的显示像素PX。在另一示例中，驱动部50可包括触摸驱动电路，并且可电连接到布置在显示区域DA和/或组件区域EA中的触摸传感器TS。例如，驱动部50可被设计为除了上述电路之外还包括各种电路，或者可被设计为将各种电信号提供到显示区域DA。

例如，焊盘部可定位在第二外围区域PA2的端部处，并且发光显示装置1000可通过焊盘部电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。例如，定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可包括用于驱动发光显示装置1000的各种驱动电路或用于电源的连接器。根据实施方式，代替柔性印刷电路板，可使用刚性印刷电路板(PCB)。

光学元件ES可布置在显示面板DP下面。光学元件ES可包括与第一组件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二组件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。第一光学元件ES1可使用红外光。例如，第一组件区域EA1可与不透射光的层(诸如阻光层)重叠。

第一光学元件ES1可为通过使用光或声音操作的电子元件。例如，第一光学元件ES1可为接收并且使用光的传感器(诸如红外传感器)、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、或输出声音的扬声器等。在通过使用光操作电子元件的情况下，可使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波长带的光。

第二光学元件ES2可为相机、红外相机(IR相机)、点投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一个。

参照图3，发光显示装置1000可包括显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可彼此电连接。在图3中，作为示例示出了显示面板DP的配置之中的定位在显示区域DA中的显示像素PX和触摸传感器TS。

电源模块PM可供给发光显示装置1000的整体操作所需的电力。电源模块PM可包括常规电池模块。

第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括用于操作发光显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可安装(例如，直接安装)在与显示面板DP电连接的母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器电连接到母板。

第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些可不安装在母板上，并且可通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到母板。

控制模块CM可控制发光显示装置1000的整体操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM可激活或禁用显示面板DP。控制模块CM可基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其他模块。

无线通信模块TM可通过使用蓝牙或Wi-Fi来与其他终端发送/接收无线信号。无线通信模块TM可通过使用通用通信线路来发送/接收语音信号。无线通信模块TM可包括调制并且发送要发送的信号的发送器TM1和解调接收的信号的接收器TM2。

图像输入模块IIM可处理图像信号以转换成在显示面板DP上显示的图像数据。音频输入模块AIM可在记录模式、语音识别模式等下通过麦克风来接收外部声音信号，以转换成电语音数据。

外部接口IF可用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口、或卡(例如，存储卡、SIM/UIM卡)座的接口。

第二电子模块EM2可包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，并且这些中的作为如图1和图2中所示的光学元件ES的至少一些可定位在显示面板DP的后表面上。光学元件ES可包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。例如，第二电子模块EM2可安装(例如，直接安装)在母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器电连接到显示面板DP或者电连接到第一电子模块EM1。

音频输出模块AOM可转换从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据，以输出到外部。

发光模块LM可产生并且输出光。发光模块LM可输出红外光。例如，发光模块LM可包括发光二极管元件。例如，光接收模块LRM可检测或感测红外光。在检测到特定水平以上的红外光的情况下，可激活光接收模块LRM。光接收模块LRM可包括互补金属氧化物半导体(CMOS)传感器。在由发光模块LM产生的红外光被输出之后，红外光可由外部被摄体(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可入射在光接收模块LRM上。相机模块CMM可拍摄外部图像。

在实施方式中，光学元件ES可附加地包括光学检测传感器或热检测传感器。光学元件ES可检测通过前表面接收的外部对象，或者可通过前表面将诸如语音的声音信号提供到外部。例如，光学元件ES可包括多个配置，并且不限于任一个实施方式。

再次参照图2，壳体HM可与覆盖窗WU组合。覆盖窗WU可布置在壳体HM的前面。壳体HM可与覆盖窗WU组合，以提供特定容纳空间。显示面板DP和光学元件ES可容纳在被提供在壳体HM与覆盖窗WU之间的特定容纳空间中。

壳体HM可包括具有相对高刚度的材料。例如，壳体HM可包括由玻璃、塑料或金属或者它们的组合制成的框架和/或板。壳体HM可以可靠地保护发光显示装置1000的安置(或容纳)在内部空间中的组件免受外部冲击的影响。

在下文中，参照图4描述根据实施方式的发光显示装置1000的结构。

图4是示出根据实施方式的发光显示装置的示意性透视图。

为了描述的方便，省略了与上述构成元件的配置相同的配置的描述，并且图4的实施方式示出了其中发光显示装置1000通过折叠线(例如，折叠轴FAX)折叠的可折叠发光显示装置。

参照图4，在实施方式中，发光显示装置1000可为可折叠显示装置。发光显示装置1000可基于折叠轴FAX向外或向内折叠。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，发光显示装置1000的显示表面可分别定位在第三方向DR3上的外侧上，以使得可在多个方向(例如，相反方向)上显示图像。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，不能从外部在视觉上识别显示表面。

在实施方式中，发光显示装置1000可包括显示区域DA、组件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA可划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可基于折叠轴FAX(或中心)而分别定位在左侧和右侧上，并且折叠区域FA可定位在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。此时，在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可定位在第三方向DR3上的侧(例如，相对侧)上，并且图像可在多个方向(例如，相反方向)上显示。例如，在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2不能从外部在视觉上识别。

图5是放大并且示出根据实施方式的发光显示装置的部分区域的示意性俯视图。

图5示出了根据实施方式的发光显示装置之中的显示面板DP的一部分，并且以用于移动电话的显示面板来示出。

显示区域DA可定位在显示面板DP的前面上，并且组件区域EA可定位在显示区域DA内。组件区域EA可包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。在图5的实施方式中，第一组件区域EA1可定位在与第二组件区域EA2相邻的位置中。在图5的实施方式中，第一组件区域EA1可定位到第二组件区域EA2的左侧。第一组件区域EA1的位置和数量可对于每个实施方式而变化。在图5中，对应于第二组件区域EA2的第二光学元件ES2(参见图2)可为相机，并且对应于第一组件区域EA1的第一光学元件ES1(参见图2)可为光学传感器。

发光二极管LED以及用于产生发光电流并且将发光电流发送到发光二极管LED中的每个的像素电路部可形成在显示区域DA中。例如，单个发光二极管LED和单个像素电路部被称为像素。在显示区域DA中，单个像素电路部和单个发光二极管LED可以一对一的关系来形成。显示区域DA在下文中也被称为‘正常显示区域’。在图5中，未示出显示面板DP在切割线下面的结构，但显示区域DA可定位在切割线下面。

根据实施方式的显示面板DP可主要划分为下面板层和上面板层。下面板层可为定位有像素的发光二极管LED和像素电路部的部分，并且可包括覆盖它们的封装层(参照图34中的400)。例如，下面板层可以是从衬底(参照图34中的110)到封装层(参照图34中的400)，并且可包括阳极(参照图34中的Anode)、像素限定层(参照图34中的380)、发射层(参照图34中的EML)、间隔物、功能层(参照图34中的FL1和FL2)以及阴极(参照图34中的Cathode)，并且还可包括在衬底与阳极之间的绝缘层、半导体层和导电层。例如，作为定位在封装层(参照图34中的400)上方的部分的上面板层可包括感测绝缘层(参照图34中的501、510和511)和感测触摸的感测电极(参照图34的540)，并且还可包括阻光层(参照图34的220)、滤色器(参照图34的230)和平坦化层(参照图34的550)。

第一组件区域EA1可仅由透明层形成以使光从其穿过，可不定位有导电层或半导体层以穿过光，光传感器区域(参照图18的OPS)可形成在下面板层中，并且开口(在下文中也被称为附加开口)可形成在像素限定层、上面板层的阻光层和滤色器中的与第一组件区域EA1对应的位置处，以具有不阻挡光的结构。例如，尽管光传感器区域定位在下面板层中，但在没有对应于上面板层的开口的情况下，上面板层可为显示区域DA，而不为第一组件区域EA1。单个第一组件区域EA1可包括多个相邻的光传感器区域。例如，与光传感器区域相邻的像素可包括在第一组件区域EA1中。例如，在对应于第一组件区域EA1的第一光学元件ES1使用红外光而不是可见光的情况下，第一组件区域EA1可与阻挡可见光的阻光层220重叠。

第二组件区域EA2可包括第二组件像素(参照图19B中的UPC)和透光区域(参照图19B中的UTA)，并且相邻的第二组件像素之间的空间可为透光区域。在图19A至图34中更详细地描述了根据实施方式的第二组件区域EA2。

例如，通过图7至图13和图34描述显示区域DA的正常像素之中的下面板层的结构。

例如，外围区域可进一步定位在显示区域DA外部。例如，图5示出了用于移动电话的显示面板，但在光学元件定位在显示面板的背面上的显示面板的情况下，图5的显示面板可应用于柔性显示装置。在发光显示装置之中的柔性显示装置的情况下，第二组件区域EA2和第一组件区域EA1的位置可不同于图5中的位置。

在下文中，参照图6详细地描述显示面板DP的定位在下面板层上的像素的结构。

下面的像素结构可为形成在显示区域DA中的正常像素的电路结构或形成在第二组件区域EA2中的第二组件像素的电路结构。根据实施方式，形成在第一组件区域EA1中的像素也可具有与图6中所示的电路结构相同的电路结构。

图6是根据实施方式的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。

根据实施方式的像素可包括与若干布线127、128、151、152、153、155、171、172和741连接的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED。例如，除了发光二极管LED以外的晶体管和电容器可形成像素电路部。在另一示例中，可省略升压电容器Cboost。

布线127、128、151、152、153、155、171、172和741可连接(例如，电连接)到像素。多个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。

第一扫描线151可连接(例如，电连接)到扫描驱动器，以将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2和第七晶体管T7。极性与施加到第一扫描线151的电压相反的电压可以与第一扫描线151的信号的时序相同的时序施加到第二扫描线152。例如，在负电压施加到第一扫描线151的情况下，正电压可施加到第二扫描线152。第二扫描线152可将第二扫描信号GC发送到第三晶体管T3。初始化控制线153可将初始化控制信号GI发送到第四晶体管T4。发光控制线155可将发光控制信号EM发送到第五晶体管T5和第六晶体管T6。

数据线171可为发送从数据驱动器产生的数据电压DATA的布线，并且由发光二极管LED发射的亮度可根据发送到发光二极管LED的发光电流的大小的改变而改变。驱动电压线172可施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127可发送第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128可发送第二初始化电压VAINT。公共电压线741可将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施方式中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可分别为恒定电压。

驱动晶体管T1(或第一晶体管)可为p型晶体管，并且可具有硅半导体作为半导体层。驱动晶体管T1可为根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(例如，存储在存储电容器Cst中的电压)的大小来调节输出到发光二极管LED的阳极Anode的发光电流的大小的晶体管。由于发光二极管LED的亮度根据输出到发光二极管LED的阳极Anode的发光电流的大小来调节，因此发光二极管LED的发光亮度可根据施加到像素的数据电压DATA来调节。例如，驱动晶体管T1的第一电极可接收驱动电压ELVDD，并且可通过第五晶体管T5连接(例如，电连接)到驱动电压线172。例如，驱动晶体管T1的第一电极也可连接到第二晶体管T2的第二电极，以接收数据电压DATA。例如，驱动晶体管T1的第二电极可将发光电流输出到发光二极管LED，并且可经由第六晶体管T6(在下文中被称为输出控制晶体管)连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极Anode。例如，驱动晶体管T1的第二电极也可连接到第三晶体管T3，并且施加到第一电极的数据电压DATA可传送到第三晶体管T3。例如，驱动晶体管T1的栅电极可连接(例如，电连接)到存储电容器Cst的电极(在下文中被称为‘第二存储电极’)。驱动晶体管T1的栅电极的电压可根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且相应地，由驱动晶体管T1输出的发光电流可被改变。存储电容器Cst可起到在一帧内保持驱动晶体管T1的栅电极的电压恒定的作用。例如，驱动晶体管T1的栅电极也可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3，以使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可通过第三晶体管T3发送到驱动晶体管T1的栅电极。例如，驱动晶体管T1的栅电极也可连接到第四晶体管T4，并且可通过接收第一初始化电压VINT来初始化。

第二晶体管T2可为p型晶体管，并且可具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2可为将数据电压DATA接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极可连接(例如，电连接)到第一扫描线151和升压电容器Cboost的电极(在下文中被称为“下升压电极”)。第二晶体管T2的第一电极可连接(例如，电连接)到数据线171。第二晶体管T2的第二电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2因通过第一扫描线151发送的第一扫描信号GW的负电压而导通的情况下，通过数据线171传送的数据电压DATA可发送到驱动晶体管T1的第一电极，并且最终，数据电压DATA可发送到驱动晶体管T1的栅电极并且存储在存储电容器Cst中。

第三晶体管T3可为n型晶体管，并且可具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3可电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，第三晶体管T3可为操作为通过驱动晶体管T1的阈值电压来补偿数据电压DATA并且存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极可连接(例如，电连接)到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极可连接(例如，电连接)到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的另一电极(在下文中被称为“上升压电极”)。第三晶体管T3可因通过第二扫描线152发送的第二扫描信号GC的正电压而导通，以连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极并且将施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压发送到存储电容器Cst的第二存储电极从而存储到存储电容器Cst。此时，存储在存储电容器Cst中的电压可存储为其中存储在驱动晶体管T1关断的情况下的驱动晶体管T1的栅电极的电压的状态，以使得驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)可被补偿。

第四晶体管T4可为n型晶体管，并且可具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4可起到初始化驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极的作用。第四晶体管T4的栅电极可连接(例如，电连接)到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极可连接(例如，电连接)到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4可因通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压而导通。例如，第一初始化电压VINT可被发送到要被初始化的驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器Cboost的上升压电极。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可为p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。

第五晶体管T5可起到将驱动电压ELVDD发送到驱动晶体管T1的作用。第五晶体管T5的栅电极可连接(例如，电连接)到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第一电极。

第六晶体管T6可起到将从驱动晶体管T1输出的发光电流发送到发光二极管LED的作用。第六晶体管T6的栅电极可连接(例如，电连接)到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极Anode。

第七晶体管T7可为p型晶体管或n型晶体管，并且半导体层可包括硅半导体或氧化物半导体，在图6的实施方式中，第七晶体管T7可为p型晶体管并且可包括硅晶体管。第七晶体管T7可起到初始化发光二极管LED的阳极Anode的作用。第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到第一扫描线151，第七晶体管T7的第一电极可连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极Anode，并且第七晶体管T7的第二电极可连接(例如，电连接)到第二初始化电压线128。例如，第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到前一像素的第一扫描线151，以使得第七晶体管T7的栅电极可不与包括在同一像素中的第二晶体管T2的栅电极连接(例如，电连接)到相同的第一扫描线151，而是可与前一像素的第二晶体管T2的栅电极连接(例如，电连接)到相同的第一扫描线151。在第七晶体管T7通过第一扫描线151的负电压而导通的情况下，第二初始化电压VAINT可施加到要被初始化的发光二极管LED的阳极Anode。例如，第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到单独的旁路控制线，并且可由单独的旁路控制线来控制。根据实施方式，施加有第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线128可与施加有第一初始化电压VINT的第一初始化电压线127相同。

尽管已描述了单个像素包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(例如，存储电容器Cst和升压电容器Cboost)，但实施方式不限于此，并且根据实施方式可不包括升压电容器Cboost。尽管描述了其中第三晶体管和第四晶体管由n型晶体管形成的实施方式，但是仅它们中的一个可形成为n型晶体管，或者其他晶体管(例如，第七晶体管等)可形成为n型晶体管。

在上述中，参照图6描述了形成在显示区域DA中的像素的电路结构。

在下文中，通过图7至图18和图34描述形成在显示区域DA和第一组件区域EA1中的像素的下面板层的详细的平面结构和堆叠结构。例如，在光传感器区域(参照图18的OPS)在平面视图中与不透射光的层(诸如阻光层(参照图34的220)和/或像素限定层(参照图34的380))重叠的情况下，像素可为定位在显示区域DA中的正常像素。例如，在光传感器区域(参照图18的OPS)仅与光穿过的层重叠的情况下，像素可为定位在第一组件区域EA1中的像素(也被称为第一组件像素)。在定位在后表面上的第一光学元件ES1为红外传感器的情况下，第一组件像素的光传感器区域(参照图18的OPS)可在平面视图中与阻光层重叠。

图7至图18是示出根据实施方式的发光显示装置的正常像素之中的根据下面板层的制造顺序的每层的结构的示意性视图。

参照图7，金属层BML可定位在衬底110上。

衬底110可包括由于刚性特性而不弯折的材料(诸如玻璃)、或可弯折的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性衬底的情况下，如图34中所示，衬底110可具有在两层中形成聚酰亚胺和其上由无机绝缘材料形成的阻挡层的双层结构的结构。

金属层BML可包括扩展部BML1和将扩展部BML1彼此连接的连接部BML2。金属层BML的扩展部BML1可形成在稍后形成的第一半导体层之中的在平面视图中与驱动晶体管T1的沟道1132重叠的位置处。金属层BML也可被称作下屏蔽层，可包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等)或金属合金，并且可附加地包括非晶硅并且可由单层或多层组成。

参照图34，覆盖衬底110和金属层BML的缓冲层111可布置在衬底110和金属层BML上。缓冲层111可起到阻挡杂质元素渗透到第一半导体层130中的作用，并且可为包括硅氧化物(SiO

如图8中所示，由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130可定位在缓冲层111上。第一半导体层130可包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133。例如，除驱动晶体管T1之外，第一半导体层130还可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的沟道，并且可具有在每个沟道的侧(例如，相对侧)上通过等离子体处理或掺杂工艺而具有导电层特性的区域，以用作第一电极和第二电极。

驱动晶体管T1的沟道1132可在平面视图中具有以“U”形形状弯折的弯曲形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不限于此，并且可进行各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可弯折成各种不同的形状(诸如“S”形形状)或者可具有条形形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可定位在驱动晶体管T1的沟道1132的侧(例如，相对侧)上。定位在第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133可用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。

第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域可定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域可定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。第七晶体管T7的沟道、第一区域和第二区域可定位在从第一半导体层130的部分1136弯折并且可进一步向上延伸的部分1137中。

参照图34，第一栅极绝缘层141可定位在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅极绝缘层141可为包括硅氧化物(SiO

参照图9和图34，包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1可定位在第一栅极绝缘层141上。除了驱动晶体管T1之外，第一栅极导电层GAT1还可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的每个的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极1151可与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132可由驱动晶体管T1的栅电极1151覆盖。

第一栅极导电层GAT1还可包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可在大致水平方向(在下文中也被称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可连接(例如，电连接)到第二晶体管T2的栅电极，并且第一扫描线151可与第二晶体管T2的栅电极为一体的。第一扫描线151可连接(例如，电连接)到后一像素的第七晶体管T7的栅电极或者与后一像素的第七晶体管T7的栅电极为一体的。第一扫描线151可包括具有延伸宽度的下升压电极151a，并且与下面将描述的上升压电极3138t重叠，以形成升压电容器Cboost。

例如，发光控制线155可连接(例如，电连接)到第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极，并且发光控制线155与第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅电极可彼此为一体的。

第一栅极导电层GAT1可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。

在形成包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1之后，可执行等离子体处理或掺杂工艺，以使第一半导体层130的暴露区域导电。例如，第一半导体层130的由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可不导电，并且第一半导体层130的不被第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可具有与导电层相同的特性。结果，包括导电部分的晶体管可具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为p型晶体管。

参照图34，第二栅极绝缘层142可定位在包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1以及第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142可为包括硅氧化物(SiO

参照图10和图11，第二栅极导电层GAT2可包括布置在第二栅极绝缘层142上的存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155和第四晶体管T4的下屏蔽层4155。下屏蔽层3155和4155可分别定位在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道下方，并且可起到屏蔽从下侧提供到沟道的光或电磁干扰的作用。

第一存储电极1153可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠，以形成存储电容器Cst。开口1152可形成在存储电容器Cst的第一存储电极1153中。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153可包括在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸的连接部1153-1，以将相邻的第一存储电极1153彼此连接。第一存储电极1153的连接部1153-1可定位为具有与第一存储电极1153的上侧分离特定距离的上侧。以这种方式，通过形成第一存储电极1153的连接部1153-1，如图12中所示，间隔(或距离)gap1和间隔(或距离)gap2可形成为在平面视图中具有相同的间距。

第三晶体管T3的下屏蔽层3155可与第三晶体管T3的沟道3137和栅电极3151重叠。第四晶体管T4的下屏蔽层4155可与第四晶体管T4的沟道4137和栅电极4151重叠。

第二栅极导电层GAT2还可包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可大致在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的下屏蔽层3155并且可与第三晶体管T3的下屏蔽层3155为一体的。下初始化控制线153a可连接(例如，电连接)到第四晶体管T4的下屏蔽层4155，并且可彼此为一体的。

第二栅极导电层GAT2可包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti))或金属合金，并且可形成为单层或多层。

参照图34，第一层间绝缘层161可定位在包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155和第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层GAT2上。第一层间绝缘层161可包括包含硅氧化物(SiO

参照图11，包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层可定位在第一层间绝缘层161上。例如，氧化物半导体层可包括升压电容器Cboost的上升压电极3138t。

第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可彼此连接以彼此为一体的。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可定位在第三晶体管T3的沟道3137的侧(例如，相对侧)上，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可定位在第四晶体管T4的沟道4137的侧(例如，相对侧)上。第三晶体管T3的第二区域3138可连接到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137可与下屏蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137可与下屏蔽层4155重叠。

升压电容器Cboost的上升压电极3138t可定位在第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t可与升压电容器Cboost的定位在第一栅极导电层GAT1中的下升压电极151a重叠，以形成升压电容器Cboost。

参照图34，第三栅极绝缘层143可定位在包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层上。

第三栅极绝缘层143可定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。相应地，第三栅极绝缘层143可覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上表面和侧面。然而，实施方式不限于此，并且第三栅极绝缘层143可不定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可与第三晶体管T3的沟道3137重叠，并且可不与第一区域3136和第二区域3138重叠。例如，第三栅极绝缘层143可与第四晶体管T4的沟道4137重叠，并且可不与第一区域4136和第二区域4138重叠。

第三栅极绝缘层143可包括包含硅氧化物(SiO

参照图12，包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3可定位在第三栅极绝缘层143上。

第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的下屏蔽层3155重叠。

第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的下屏蔽层4155重叠。

第三栅极导电层GAT3还可包括上第二扫描线152b和上初始化控制线153b。

上第二扫描线152b和上初始化控制线153b可在大致水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b可包括第三晶体管T3的栅电极3151，并且可与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上初始化控制线153b可包括第四晶体管T4的栅电极4151，并且可与下初始化控制线153a一起形成初始化控制线153。

例如，第三栅极导电层GAT3还可包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可在大致水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸，并且可施加第二初始化电压VAINT。

参照图12的实施方式，在平面视图中，基于定位在第一栅极导电层GAT1中的发光控制线155，在平面中直到定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a的间隔gap1和在平面中直到定位在第二栅极导电层GAT2中的第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔gap2可彼此相同。例如，间隔gap2可为从发光控制线155的延伸部到第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)，但根据实施方式，间隔gap2可为从发光控制线155的不是延伸部的部分到第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)。

如上所述，其中两个间隔(或两个距离)gap1和gap2为恒定的部分可在平面视图中与下面将描述的定位在第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1(在下文中也被称为第一扩展部)和/或阳极Anode重叠，并且可在平面视图中与形成在像素限定层380中的开口之中的红色开口OPr和/或蓝色开口OPb(参见例如图18)重叠。此外，像素限定层380的红色开口OPr和/或蓝色开口OPb的中心部分可定位在作为平面视图中的两个间隔gap1和gap2的中心部分的发光控制线155上。例如，像素限定层380的红色开口OPr和/或蓝色开口OPb的上边界可在平面视图中与下第二初始化电压线128a重叠，并且像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb的下边界可在平面视图中与第一存储电极1153重叠。

如上所述，在像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb和/或红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极Anode中，定位在其下面的三个布线可具有彼此相同的间隔gap1和gap2，使得可进一步平坦化红色和/或者蓝色的发光二极管LED的阳极Anode。结果，通过防止从阳极Anode反射的光不对称地扩散以及通过减少由于因反射光引起的颜色扩散(例如，颜色分离)而导致的反射色带，可改善显示质量。

第三栅极导电层GAT3可包括金属(诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti))或金属合金，并且可由单层或多层形成。

在形成包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3之后，氧化物半导体层的由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可通过等离子体处理或掺杂工艺而形成为沟道，并且氧化物半导体层的不被第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可导电。第三晶体管T3的沟道3137可定位在栅电极3151下面，以与栅电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可不与栅电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可定位在栅电极4151下面，以与栅电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可不与栅电极4151重叠。上升压电极3138t可不与第三栅极导电层GAT3重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可具有n型晶体管的特性。

参照图34，第二层间绝缘层162可定位在包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3上。第二层间绝缘层162可具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可包括无机绝缘材料(诸如硅氮化物(SiN

参照图13，在第二层间绝缘层162中可形成有两种类型的开口OP1和OP2。可通过使用不同的掩模来形成两种类型的开口OP1和OP2。

开口OP1可为形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一个中的开口，并且可暴露第一半导体层130、第一栅极导电层GAT1或第二栅极导电层GAT2。

开口OP2可为形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中的开口，并且可暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层GAT3。

开口OP1中的至少一个可与驱动晶体管T1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且还可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。例如，开口OP1中的至少一个可与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可定位在第一存储电极1153的开口1152内部。

开口OP2中的至少一个可与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。

开口OP1中的另一个可与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中。

开口OP2中的另一个可与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。

参照图14和图15，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1可定位在第二层间绝缘层162上。图14是由于在图15中难以容易地识别第一数据导电层SD1而示出第一数据导电层SD1以及开口OP1和OP2的示意性俯视图，并且图15是示出第一数据导电层SD1下方的所有层的示意性俯视图。

第一连接电极1175可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175可通过开口OP1和第一存储电极1153的开口1152而连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的栅电极1151。第一连接电极1175可与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到升压电容器Cboost的上升压电极3138t。相应地，驱动晶体管T1的栅电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可通过第一连接电极1175连接(例如，电连接)。例如，驱动晶体管T1的栅电极1151也可通过第一连接电极1175连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。

第二连接电极3175可与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可通过开口OP1连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175可与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第一区域3136。相应地，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可通过第二连接电极3175连接(例如，电连接)。

第一数据导电层SD1还可包括上第二初始化电压线128b。上第二初始化电压线128b可具有在垂直方向(第二方向DR2)上延伸的布线部128b-1和从布线部128b-1在水平方向(例如，第一方向DR1)的侧(例如，相对侧)处突出的第一延伸部128b-2，并且可包括在从第一延伸部128b-2再次在垂直方向(例如，第二方向DR2)上弯折的情况下定位的第二延伸部128b-3。在第一延伸部128b-2和第二延伸部128b-3相遇的部分中，上第二初始化电压线128b可通过开口OP2电连接到定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a。结果，第二初始化电压VAINT可通过定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a在水平方向(例如，第一方向DR1)上发送，并且第一数据导电层SD1可通过上第二初始化电压线128b在垂直方向(例如，第二方向DR2)上发送第二初始化电压VAINT。

第二延伸部128b-3的端部可通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1137，以将第二初始化电压VAINT发送到第七晶体管T7。

第一数据导电层SD1还可包括连接部127CM和171CM、阳极连接部ACM1和扩展部FL-SD1。

连接部127CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第二栅极导电层GAT2的第一初始化电压线127，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第二半导体层(例如，氧化物半导体层)的一部分，以将流过第一初始化电压线127的第一初始化电压VINT发送到氧化物半导体层的第四晶体管T4。

连接部171CM可通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1134，例如，第二晶体管T2。

阳极连接部ACM1可通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1136，例如，第六晶体管T6。

扩展部FL-SD1可宽地形成，以便将定位成覆盖在其上的红色和蓝色的发光二极管LED中包括的阳极进行平坦化。例如，扩展部FL-SD1可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层130的部分1135(例如，第五晶体管T5)，并且还可通过开口OP1电连接到第一存储电极1153。定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)的扩展部FL-SD1可在平面视图中与红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极重叠，所以它可被称作用于平坦化针对红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极的扩展部。

根据图15的实施方式，在平面视图中从定位在第一栅极导电层GAT1中(或由第一栅极导电层GAT1形成)的发光控制线155到定位在第三栅极导电层GAT3中(或由第三栅极导电层GAT3形成)的下第二初始化电压线128a的间隔gap1与在平面视图中从定位在第一栅极导电层GAT1中(或由第一栅极导电层GAT1形成)的发光控制线155到定位在第二栅极导电层GAT2中(或由第二栅极导电层GAT2形成)的第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔gap2可彼此相同。发光控制线155、下第二初始化电压线128a以及第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔gap1和gap2为恒定的部分可在平面视图中与第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1重叠。例如，其中两个间隔gap1和gap2为恒定的部分可在平面视图中与下面将描述的红色和蓝色的发光二极管LED中包括的阳极Anode以及像素限定层380的在平面视图中与红色和蓝色的发光二极管LED对应的红色开口OPr和蓝色开口OPb重叠。

第一数据导电层SD1可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。

参照图34，第一有机层181可定位在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1上。第一有机层181可为包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。

参照图16、图17和图34，第一有机层181可包括下有机层开口OP3。包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接部ACM2的第二数据导电层SD2可定位在第一有机层181上。第二有机层182和第三有机层183可定位在第二数据导电层SD2上，并且第二有机层182和第三有机层183包括阳极连接开口OP4。阳极连接部ACM2可通过阳极连接开口OP4电连接到阳极。由于在图17中难以容易地识别第二数据导电层SD2，所以图16是仅示出第二数据导电层SD2以及开口OP3和OP4的示意性俯视图，并且图17是示出第二数据导电层SD2和所有周围层的示意性俯视图。

参照图16和图17，第一有机层181的下有机层开口OP3可与定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)的连接部171CM、阳极连接部ACM1和扩展部FL-SD1重叠，以暴露连接部171CM、阳极连接部ACM1和扩展部FL-SD1。

第二数据导电层SD2可包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接部ACM2。

数据线171和驱动电压线172可在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸。数据线171可通过下有机层开口OP3连接(例如，电连接)到第一数据导电层SD1的连接部171CM，并且可通过连接部171CM连接(例如，电连接)到第二晶体管T2。驱动电压线172可通过下有机层开口OP3，通过第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1电连接到第五晶体管T5和第一存储电极1153。阳极连接部ACM2可通过开口OP3电连接到第一数据导电层SD1的阳极连接部ACM1，并且可电连接到第六晶体管T6。

参照图16，驱动电压线172可包括扩展部FL-SD2(在下文中被称为第二扩展部)和突出布线部172-e，并且可具有不在形成有阳极连接部ACM2的部分处形成的结构。

扩展部FL-SD2可宽地形成，以便平坦化上覆的阳极。定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2可在平面视图中与绿色的发光二极管LED的阳极重叠，所以它可被称作用于平坦化针对绿色的发光二极管LED的阳极的扩展部。

例如，驱动电压线172的突出布线部172-e也可在两个数据线171的侧(例如，相对侧)上形成为两个，以便平坦地形成红色和/或蓝色的发光二极管LED的上覆的阳极，以使得总共四个布线171和172-e的结构可定位在阳极下方。

参照图17的实施方式，具有恒定的两个间隔(或距离)gap1和gap2的部分可在平面视图中与定位在第二数据导电层SD2中的四个布线171和172-e的结构重叠。例如，其中两个间隔gap1和gap2可为恒定的部分以及四个布线171和172-e可在平面视图中与下面将描述的红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极Anode和/或像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb重叠。

由于如上所述的阳极Anode下面的结构以及有机层181、182和183，阳极Anode可具有整平特性，使得从阳极Anode反射的光不能不对称地扩散，并且结果，可减少由于因反射光引起的颜色扩散(例如，颜色分离)现象而导致的反射色带，从而改善显示质量。

例如，与定位在第二数据导电层SD2中(或由第二数据导电层SD2形成)的扩展部FL-SD2重叠的绿色的发光二极管LED的阳极而不是与定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)的扩展部FL-SD1重叠的红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极，可具有改善的平坦化特性。根据实施方式，定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2可与不同颜色的发光二极管LED的阳极重叠。

在实施方式中，扩展部FL-SD1和扩展部FL-SD2可电连接到驱动电压线172，以使得可发送驱动电压ELVDD。

第二数据导电层SD2可包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti))或金属合金，并且可由单层或多层形成。

参照图34，第二有机层182和第三有机层183可定位在第二数据导电层SD2上。第二有机层182和第三有机层183可为有机绝缘体，并且可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。在另一示例中，可省略第三有机层183。

阳极连接开口OP4可形成在第二有机层182和第三有机层183中，阳极Anode和阳极连接部ACM2通过阳极连接开口OP4电连接。

对于第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183，为了使定位在其上的阳极更平坦，在层叠每个有机层之后可包括通过使用狭缝掩模来使每个有机层的顶表面平坦的曝光和显影工艺。每次堆叠每个有机层的情况下可执行通过使用这样的狭缝掩模的工艺，并且在堆叠一些有机层之后，可不进行用狭缝掩模的曝光工艺。例如，此时使用的狭缝掩模具有其中狭缝图案平行于第一方向DR1(例如，在水平方向上)的图案，以使得可进一步容易地去除有机层的由于形成在第一数据导电层SD1和/或第二数据导电层SD2中的垂直方向(例如，第二方向DR2)上的图案而产生的台阶。

参照图18，阳极Anode可形成在第三有机层183上。阳极Anode还可包括延伸部Anode-e，以通过阳极连接开口OP4从像素电路单元接收电流。

参照图18和图34，像素限定层380可定位在阳极Anode上，并且像素限定层38的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb可形成为与阳极Anode重叠。

形成在像素限定层380中的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb可划分为与红色的发光二极管LED的阳极重叠的红色开口OPr、与绿色的发光二极管LED的阳极重叠的绿色开口OPg以及与蓝色的发光二极管LED的阳极重叠的蓝色开口OPb。阳极Anode的延伸部Anode-e可不被像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb暴露，并且可具有在平面中与像素限定层380重叠的结构。结果，阳极连接开口OP4可在平面视图中具有与像素限定层380重叠的结构。根据实施方式，像素限定层380可具有不透明特性，并且可包括黑色颜料。

在实施方式中，通过定位在阳极Anode下方的第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1和第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2，阳极Anode之中的至少由像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb暴露的部分可形成为平坦的。

参照图18的实施方式，其中两个间隔gap1和gap2可为恒定的部分可在平面视图中与红色和/或蓝色的发光二极管LED的阳极Anode和/或像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb重叠。例如，像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb的中心部分可定位在作为在平面视图中的两个间隔gap1和gap2的中心部分的发光控制线155上。例如，像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb的上边界可在平面视图中与下第二初始化电压线128a重叠，并且像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb的下边界可在平面视图中与第一存储电极1153重叠。由于如上所述的阳极Anode下面的结构以及有机层181、182和183，阳极Anode可具有整平特性，以使得从阳极Anode反射的光不能不对称地扩散，并且结果，可减少由于因反射光引起的颜色扩散(例如，颜色分离)现象而导致的反射色带，从而改善显示质量。

在下文中，通过图19A至图33描述第二组件区域EA2和第二组件像素的结构，首先通过图19A至图21描述第二组件区域EA2的整个结构。

图19A、图19B、图20和图21是示出根据实施方式的第二组件区域的结构的示意性视图。

图19A示出了放大的第二组件区域EA2，并且图19B通过放大第二组件区域EA2的一部分而示出了单位像素UPC和透光区域UTA的结构。

图20更清楚地示出了基于定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域的正常像素和第二组件像素的布置，并且图21示出了一个单位像素UPC。

首先，参照图19A，第二组件区域EA2可由显示区域DA围绕，并且可具有平面圆形形状或与其相似的形状。例如，如图19A中所示，在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界被放大的情况下，它与圆形形状对应，但如图20中所示，在放大视图中，正常像素与第二组件像素之间的边界可不包括曲线，而是弯折的短直线，使得边界可不为圆形的，而是可具有与圆形相似的形状。由于第二组件区域EA2的平面形状可变化，因此实施方式不限于此。

图19B示出了根据实施方式的形成在第二组件区域EA2中的单位像素UPC和透光区域UTA的平面形状。

根据图19B的实施方式的单位像素UPC可以特定间隔布置在菱形的每个顶点位置处。阻光部分UBML可定位在单位像素UPC下方。阻光部分UBML可包括宽地形成的扩展部和用于在倾斜方向上将扩展部彼此连接的连接部，并且可形成由扩展部和连接部划分的开口区域。阻光部分UBML的开口区域对应于透光区域UTA，并且一个单位像素UPC可布置在阻光部分UBML的扩展部上。

单个单位像素UPC可包括单个红色第二组件像素、单个蓝色第二组件像素和单个绿色第二组件像素。在图19B中，示出了每种颜色的发光二极管LED(例如，R、G和B)。蓝色的发光二极管LED(例如，B)可沿单位像素UPC的一侧延伸，并且红色的发光二极管LED(例如，R)和绿色的发光二极管LED(例如，G)可布置在蓝色的发光二极管LED(例如，B)旁边。在一个单位像素UPC中包括的像素的数量和布置可与图19B的像素的数量和布置不同。

在图20中，更清楚地示出了位于定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域的侧(例如，相对侧)上的正常像素和第二组件像素的布置。

根据图20的实施方式，第二组件区域EA2可具有其中包括红色、蓝色和绿色的第二组件像素的单位像素UPC一个接一个地规则排列，并且它们之间的空间可形成透光区域UTA的结构。因此，第二组件区域EA2的每单位面积的像素的数量(或像素密度)可小于显示区域DA的正常像素的每单位面积的像素的数量(或像素密度)。因此，显示区域DA的分辨率可为高的，并且第二组件区域EA2的分辨率可形成为相对低的。

参照图21，放大了一个单位像素UPC以及具有扩展部和连接部的阻光部分UBML的结构。阻光部分UBML未位于的区域可为透光区域UTA。图21示出了一个单位像素UPC的结构中的晶体管的位置和每个布线的位置，但由于结构复杂并且难以清楚地确认，因此，在下文中，通过图22至图33来基于一个单位像素UPC的制造顺序对其进行详细地描述。

图22至图33是示出根据图21的第二组件像素之中的根据下面板层的制造顺序的每层的结构的示意性视图。

参照图22，阻光部分UBML可定位在衬底110上。

衬底110可包括由于刚性特性而不弯折的材料(诸如玻璃)或可弯折的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性衬底的情况下，如图34中所示，衬底110可具有其中可在两层中形成聚酰亚胺和其上由无机绝缘材料形成的阻挡层的双层结构的结构。

阻光部分UBML可包括扩展部UBML1和将扩展部UBML1彼此连接的连接部UBML2。阻光部分UBML的扩展部UBML1可在平面视图中形成在与后续的一个单位像素UPC重叠的位置处。开口区域可由扩展部UBML1和连接部UBML2限定。在第二组件区域EA2中，阻光部分UBML的开口区域(例如，其中可不形成阻光部分UBML的区域)对应于透光区域UTA。阻光部分UBML可由与正常像素的金属层BML的材料相同的材料并且通过与正常像素的金属层BML的工艺相同的工艺形成，并且可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等的金属或其合金，可附加地包括非晶硅，并且可由单层或多层形成。

在衬底110和阻光部分UBML上可定位有覆盖衬底110和阻光部分UBML的缓冲层111。缓冲层111可起到阻挡杂质元素渗透到第一半导体层U130中的作用，并且可为包括硅氧化物(SiO

如图23中所示，在缓冲层111上可定位有由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层U130。第一半导体层U130可包括驱动晶体管T1的沟道U1132、第一区域U1131和第二区域U1133。例如，除了驱动晶体管T1之外，第一半导体层U130还可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的沟道，并且可具有在每个沟道的侧(例如，相对侧)上通过等离子体处理或掺杂工艺而具有导电层特性的区域，以用作第一电极和第二电极。第一半导体层U130可由与正常像素的第一半导体层130的材料相同的材料并且通过与正常像素的第一半导体层130的工艺相同的工艺形成。

驱动晶体管T1的沟道U1132可形成为直线形状，并且根据实施方式，驱动晶体管T1的沟道U1132可形成为弯曲形状。驱动晶体管T1的第一区域U1131和第二区域U1133可定位在驱动晶体管T1的沟道U1132的侧(例如，相对侧)上。定位在第一半导体层U130中(或由第一半导体层U130形成)的第一区域U1131和第二区域U1133可用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。

在第一半导体层U130中，第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第一区域U1131向下延伸的部分U1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第一区域U1131向上延伸的部分U1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第二区域U1133向上延伸的部分U1136中。第七晶体管T7的沟道、第一区域和第二区域可定位在从第一半导体层U130的部分U1136向上延伸的部分U1137中。

在第二组件区域EA2的第一半导体层U130中可附加地形成有具有岛状结构的第一岛部U1138和第二岛部U1139。第一岛部U1138和第二岛部U1139可具有可在后续的工艺中连接(例如，电连接)到不同的上覆的布线的结构，并且可起到通过连接到上覆的布线的结构来阻挡光从侧面进入的作用。

参照图34，第一栅极绝缘层141可定位在包括驱动晶体管T1的沟道U1132、第一区域U1131和第二区域U1133的第一半导体层U130上。第一栅极绝缘层141可为包括硅氧化物(SiO

参照图24，包括驱动晶体管T1的栅电极U1151的第一栅极导电层GAT1可定位在第一栅极绝缘层141上。除了驱动晶体管T1之外，第一栅极导电层GAT1还可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的每个的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极U1151可与驱动晶体管T1中的沟道U1132重叠。驱动晶体管T1的沟道U1132可由驱动晶体管T1的栅电极U1151覆盖。

第一栅极导电层GAT1还可包括第一扫描线U151和发光控制线U155。第一扫描线U151和发光控制线U155可在大致水平方向(在下文中也被称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线U151可连接(例如，电连接)到第二晶体管T2的栅电极，并且第一扫描线U151可与第二晶体管T2的栅电极为一体的。第一扫描线U151可包括具有延伸宽度的下升压电极U151a，并且可与下面将描述的上升压电极U3138t重叠，以形成升压电容器Cboost。第一扫描线U151可连接(例如，电连接)到后一像素的第七晶体管T7的栅电极或与后一像素的第七晶体管T7的栅电极为一体的。因此，当前像素的第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到前一像素的第一扫描线U151(N-1)或与前一像素的第一扫描线U151(N-1)为一体的。

例如，发光控制线U155可连接(例如，电连接)到第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极，并且发光控制线U155与第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅电极可彼此为一体的。

第二组件区域EA2的第一栅极导电层GAT1还可包括大致在水平方向(在下文中也被称为第一方向DR1)上延伸的前面第二个第一扫描线U151(N-2)、后一第一扫描线U151(N+1)和前一发光控制线U155(N-1)以及后一发光控制线U155(N+1)。前扫描线和后扫描线以及发光控制线中的至少一些可不连接(例如，电连接)到第二组件区域EA2的单位像素UPC。例如，不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC的扫描线或发光控制线可仅连接到定位在第二组件区域EA2的侧(例如，相对侧)上的显示区域DA的正常像素，并且可通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC来延伸。在实施方式中，后一发光控制线U155(N+1)可不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC，并且前一第一扫描线U151(N-1)可不连接(例如，电连接)到单位像素UPC的驱动晶体管T1，而是可连接(例如，电连接)到第七晶体管T7。

基于当前单位像素UPC，前面第二个第一扫描线U151(N-2)、前一第一扫描线U151(N-1)、后一第一扫描线U151(N+1)和后一发光控制线U155(N+1)可为旁路信号线。在旁路信号线需要通过开口连接(例如，电连接)到另一导电层的情况下，可在定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域中形成有接触结构。

第二组件区域EA2的第一栅极导电层GAT1可由与正常像素的第一栅极导电层GAT1的材料相同的材料并且通过与正常像素的第一栅极导电层GAT1的工艺相同的工艺形成，并且第二组件区域EA2的第一栅极导电层GAT1可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层形成。

在形成包括驱动晶体管T1的栅电极U1151的第一栅极导电层GAT1之后，可执行等离子体处理或掺杂工艺，以使第二组件区域EA2的第一半导体层U130的不被第一栅极导电层GAT1覆盖并且被暴露的部分导电。例如，第一半导体层U130的由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可不导电，并且第一半导体层U130的不被第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可具有与导电层相同的特性。结果，包括导电部分的晶体管可具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为p型晶体管。

参照图34，第二栅极绝缘层142可定位在包括驱动晶体管T1的栅电极U1151的第一栅极导电层GAT1以及第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142可为包括硅氧化物(SiO

参照图25，在第二栅极绝缘层142上可定位有包括存储电容器Cst的第一存储电极U1153、下第二扫描线U152a和下初始化控制线U153a的第二栅极导电层GAT2。

第一存储电极U1153可与驱动晶体管T1的栅电极U1151重叠，以形成存储电容器Cst。开口U1152可形成在存储电容器Cst的第一存储电极U1153中。存储电容器Cst的第一存储电极U1153的开口U1152可与驱动晶体管T1的栅电极U1151重叠。第一存储电极U1153可在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸，以使得三个相邻的第一存储电极U1153可彼此连接(例如，电连接)。

下第二扫描线U152a和下初始化控制线U153a可在大致水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线U152a可与第三晶体管T3的沟道重叠，以用作下屏蔽层，并且下初始化控制线U153a可与第四晶体管T4的沟道重叠，以用作下屏蔽层。例如，下屏蔽层可定位在每个沟道下面，并且可起到屏蔽从下侧提供到沟道的光或电磁干扰的作用。

第二栅极导电层GAT2还可包括第一初始化电压施加部U127和第二初始化电压施加部U128。

第一初始化电压施加部U127和第二初始化电压施加部U128具有在水平方向(例如，第一方向DR1)上伸长的像岛的结构，并且可各自具有三个扩展部。第一初始化电压施加部U127和第二初始化电压施加部U128可通过后续的工艺分别连接(例如，电连接)到第一半导体层U130的一部分，以使得第一初始化电压VINT和第二初始化电压VAINT可施加到第一半导体层U130。

第二栅极导电层GAT2可附加地包括在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸的前面第二个下第二扫描线U152a(N-2)、前面第二个下初始化控制线U153a(N-2)、前一下初始化控制线U153a(N-1)和后一下初始化控制线U153a(N+1)。

前扫描线、后扫描线和初始化控制线中的至少一些可不连接(例如，电连接)到第二组件区域EA2的单位像素UPC。例如，不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC的扫描线或初始化控制线可仅连接到定位在第二组件区域EA2的侧(例如，相对侧)上的显示区域DA的正常像素，并且可通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC来延伸。在实施方式中，前一下初始化控制线U153a(N-1)和后一下初始化控制线U153a(N+1)可不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC。

基于当前单位像素UPC，前面第二个下第二扫描线U152a(N-2)、前面第二个下初始化控制线U153a(N-2)、前一下初始化控制线U153a(N-1)以及后一下初始化控制线U153a(N+1)可为旁路信号线。在旁路信号线需要通过开口连接(例如，电连接)到另一导电层的情况下，可在定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域中形成有接触结构。

第二组件区域EA2的第二栅极导电层GAT2可由与正常像素的第二栅极导电层GAT2的材料相同的材料并且通过与正常像素的第二栅极导电层GAT2的工艺相同的工艺形成，并且第二组件区域EA2的第二栅极导电层GAT2可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层形成。

参照图34，第一层间绝缘层161可定位在包括存储电容器Cst的第一存储电极U1153的第二栅极导电层GAT2上。第一层间绝缘层161可包括包含硅氧化物(SiO

参照图26，在第一层间绝缘层161上可定位有包括第三晶体管T3的沟道U3137、第一区域U3136和第二区域U3138以及第四晶体管T4的沟道U4137、第一区域U4136和第二区域U4138的氧化物半导体层。例如，氧化物半导体层可包括升压电容器Cboost的上升压电极U3138t。

第三晶体管T3的沟道U3137、第一区域U3136和第二区域U3138以及第四晶体管T4的沟道U4137、第一区域U4136和第二区域U4138可彼此连接，并且可彼此为一体的。第三晶体管T3的第一区域U3136和第二区域U3138可定位在第三晶体管T3的沟道U3137的侧(例如，相对侧)上，并且第四晶体管T4的第一区域U4136和第二区域U4138可定位在第四晶体管T4的沟道U4137的侧(例如，相对侧)上。第三晶体管T3的第二区域U3138可连接到第四晶体管T4的第二区域U4138。第三晶体管T3的沟道U3137可与下第二扫描线U152a的一部分重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137可与下初始化控制线U153a的一部分重叠。

升压电容器Cboost的具有延伸宽度的上升压电极U3138t可定位在第三晶体管T3的第二区域U3138与第四晶体管T4的第二区域U4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极U3138t可与升压电容器Cboost的定位在第一栅极导电层GAT1中(或由第一栅极导电层GAT1形成)的下升压电极U151a重叠，以形成升压电容器Cboost。

参照图34，第三栅极绝缘层143可定位在包括第三晶体管T3的沟道U3137、第一区域U3136和第二区域U3138、第四晶体管T4的沟道U4137、第一区域U4136和第二区域U4138以及升压电容器Cboost的上升压电极U3138t的氧化物半导体层上。

第三栅极绝缘层143可定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。相应地，第三栅极绝缘层143可覆盖第三晶体管T3的沟道U3137、第一区域U3136和第二区域U3138、第四晶体管T4的沟道U4137、第一区域U4136和第二区域U4138以及升压电容器Cboost的上升压电极U3138t的上表面和侧面。然而，实施方式不限于此，并且第三栅极绝缘层143可不定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可与第三晶体管T3的沟道U3137重叠，并且可不与第一区域U3136和第二区域U3138重叠。例如，第三栅极绝缘层143可与第四晶体管T4的沟道U4137重叠，并且可不与第一区域U4136和第二区域U4138重叠。

第三栅极绝缘层143可包括包含硅氧化物(SiO

参照图27，包括上第二扫描线U152b和上初始化控制线U153b的第三栅极导电层GAT3可定位在第三栅极绝缘层143上。

上第二扫描线U152b和上初始化控制线U153b可在大致水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线U152b可包括第三晶体管T3的栅电极，并且可与下第二扫描线U152a一起形成第二扫描线U152。上初始化控制线U153b可包括第四晶体管T4的栅电极，并且可与下初始化控制线U153a一起形成初始化控制线U153。

第三栅极导电层GAT3还可包括在大致水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸的前面第二个上第二扫描线U152b(N-2)、前面第二个上初始化控制线U153b(N-2)、前一上第二扫描线U152b(N-1)和后一上第二扫描线U152b(N+1)。

扫描线和初始化控制线中的至少一些可不连接(例如，电连接)到第二组件区域EA2的单位像素UPC。例如，不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC的扫描线或初始化控制线可仅连接到定位在第二组件区域EA2的侧(例如，相对侧)上的显示区域DA的正常像素，并且可通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC来延伸。在实施方式中，前一上第二扫描线U152b(N-1)和后一上第二扫描线U152b(N+1)可不连接到第二组件区域EA2的单位像素UPC。

第二组件区域EA2的第三栅极导电层GAT3可由与正常像素的第三栅极导电层GAT3的材料相同的材料并且通过与正常像素的第三栅极导电层GAT3的工艺相同的工艺形成，并且第二组件区域EA2的第三栅极导电层GAT3可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层形成。

在实施方式中，第二栅极导电层GAT2中的通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC而延伸的布线可为前一下初始化控制线U153a(N-1)和后一下初始化控制线U153a(N+1)，并且第三栅极导电层GAT3中的通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC而延伸的布线可为前一上第二扫描线U152b(N-1)和后一上第二扫描线U152b(N+1)。因此，下初始化控制线和上初始化控制线两者可具有进行绕过并且通过第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3延伸的结构。基于当前单位像素UPC，前面第二个上第二扫描线U152b(N-2)、前面第二个上初始化控制线U153b(N-2)、前一上第二扫描线U152b(N-1)和后一上第二扫描线U152b(N+1)可为旁路信号线。

在形成包括上第二扫描线U152b和上初始化控制线U153b的第三栅极导电层GAT3之后，氧化物半导体层的由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可通过等离子体处理或掺杂工艺而形成为沟道，并且氧化物半导体层的不被第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可为导电的。第三晶体管T3的沟道U3137可定位在与上第二扫描线U152b重叠的区域中，并且第三晶体管T3的第一区域U3136和第二区域U3138可不与上第二扫描线U152b重叠。第四晶体管T4的沟道U4137可定位在与上初始化控制线U153b重叠的区域中，并且第四晶体管T4的第一区域U4136和第二区域U4138可不与上初始化控制线U153b重叠。上升压电极U3138t可不与第三栅极导电层GAT3重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可具有n型晶体管的特性。

参照图34，第二层间绝缘层162可定位在第三栅极导电层GAT3上。第二层间绝缘层162可具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可包括无机绝缘材料(诸如硅氮化物(SiN

参照图28，在第二层间绝缘层162中可形成有两种类型的开口OP1和OP2。可通过使用不同的掩模来形成两种类型的开口OP1和OP2。

开口OP1可为形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一个中的开口，并且可暴露第一半导体层U130、第一栅极导电层GAT1或第二栅极导电层GAT2。

开口OP2可为形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中的开口，并且可暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层GAT3。

开口OP1中的一个可与驱动晶体管T1的栅电极U1151的至少一部分重叠，并且还可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。例如，开口OP1中的一个可与第一存储电极U1153的开口U1152重叠，并且可定位在第一存储电极U1153的开口U1152内部。

开口OP2中的一个可与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。

开口OP1中的另一个可与驱动晶体管T1的第二区域U1133的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中。

开口OP2中的另一个可与第三晶体管T3的第一区域U3136的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。

参照图29和图30，在第二层间绝缘层162上可定位有包括第一连接电极U1175、第二连接电极U3175和第一旁路数据线U171p-1的第一数据导电层SD1。由于在图30中可能难以容易地识别第一数据导电层SD1，所以图29是仅示出第一数据导电层SD1以及开口OP1和OP2的示意性俯视图，并且图30是示出第一数据导电层SD1下方的所有层的示意性俯视图。

第一连接电极U1175可与驱动晶体管T1的栅电极U1151重叠。第一连接电极U1175可通过开口OP1和第一存储电极U1153的开口U1152连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的栅电极U1151。第一连接电极U1175可与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极U1175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到升压电容器Cboost的上升压电极U3138t。相应地，驱动晶体管T1的栅电极U1151和升压电容器Cboost的上升压电极U3138t可通过第一连接电极U1175连接(例如，电连接)。例如，驱动晶体管T1的栅电极U1151还可通过第一连接电极U1175连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第二区域U3138和第四晶体管T4的第二区域U4138。

第二连接电极U3175可与驱动晶体管T1的第二区域U1133重叠。第二连接电极U3175可通过开口OP1连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二区域U1133。第二连接电极U3175可与第三晶体管T3的第一区域U3136重叠。第二连接电极U3175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第一区域U3136。相应地，驱动晶体管T1的第二区域U1133和第三晶体管T3的第一区域U3136可通过第二连接电极U3175连接(例如，电连接)。

第一旁路数据线U171p-1可在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸，可不连接(例如，电连接)到第二组件区域EA2的单位像素UPC，但可仅连接到定位在第二组件区域EA2的侧(例如，相对侧)上的显示区域DA的正常像素，并且可通过绕过第二组件区域EA2的单位像素UPC来延伸。

参照图16和图17，正常像素的数据线171可定位在第二数据导电层SD2中(或由第二数据导电层SD2形成)，并且在第二组件区域EA2中，第一旁路数据线U171p-1可形成在第一数据导电层SD1中。数据电压可通过正常像素的数据线171发送到第一旁路数据线U171p-1，并且可再次发送到正常像素的数据线171，使得需要形成其中正常像素的数据线171中的一个与第一旁路数据线U171p-1连接的接触结构。参照图29至图32，在第二组件区域EA2中未示出第一旁路数据线U171p-1通过其连接到其他部分的开口。例如，在第一旁路数据线U171p-1连接到正常像素的数据线171的开口定位在单位像素UPC内的情况下，单位像素UPC的面积可能禁不住增加。例如，考虑到随着布线的宽度减小而在与开口重叠的部分中延长布线的宽度是常见的，单位像素UPC的面积可相对显著地增加。在单位像素UPC的面积在第二组件区域EA2的面积恒定的情况下增加的情况下，透光区域UTA的面积可能降低，并且第二组件区域EA2的透光率可能降低。在实施方式中，通过形成与第一旁路数据线U171p-1和正常像素的数据线171重叠的开口而将第一旁路数据线U171p-1和正常像素的数据线171彼此连接的接触结构可布置在定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域(或定位在正常像素与第二组件像素(或单位像素UPC)之间的边界区域)中，以使得透光区域UTA的面积可不减小，并且第二组件区域EA2的透光率可增加。

例如，除了数据线之外，其中具有旁路结构的诸如信号线、控制线、电压线等的布线可通过开口连接(例如，电连接)到定位在另一导电层中的部分的接触结构也可不形成在单位像素UPC内，而是可定位在边界区域中。根据实施方式，为了进一步改善透光率，将应当通过不同的导电层连接的诸如信号线、控制线、电压线等的布线进行连接的接触结构可全部布置在边界区域中。

在图29和图30中，在单个单位像素(UPC)结构中，在第一数据导电层SD1中可提供有一对第一旁路数据线U171p-1，并且因此，显示区域DA的数据线171可通过第一旁路数据线U171p-1彼此连接(例如，电连接)。

第一数据导电层SD1还可包括第一初始化电压线U127b和第二初始化电压线U128b。

第一初始化电压线U127b和第二初始化电压线U128b在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸，并且具有突出部分或延伸部分。

第一初始化电压线U127b的突出部分可通过开口OP1连接(例如，电连接)到定位在第二栅极导电层GAT2中的第一初始化电压施加部U127，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第四晶体管T4的定位在氧化物半导体层中的第一区域U4136。例如，与第一初始化电压线U127b的突出部分对应并且定位在与第一初始化电压施加部U127和第四晶体管T4的第一区域U4136重叠的部分处的连接部U127CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一初始化电压施加部U127，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第四晶体管T4的第一区域U4136。结果，流过第一初始化电压线U127b的第一初始化电压VINT可通过第一初始化电压施加部U127发送到第四晶体管T4的第一区域U4136。

例如，第二初始化电压线U128b的延伸部分可通过开口OP1连接(例如，电连接)到定位在第二栅极导电层GAT2中(或由第二栅极导电层GAT2形成)的第二初始化电压施加部U128，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第一半导体层U130的部分U1137，以连接(例如，电连接)到第七晶体管T7的第一电极。例如，与第二初始化电压线U128b的延伸部分对应并且定位在与第二初始化电压施加部U128和第一半导体层U130的部分U1137重叠的部分处的连接部U128CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第二初始化电压施加部U128，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第七晶体管T7的第一电极。结果，流过第二初始化电压线U128b的第二初始化电压VAINT可通过第二初始化电压施加部U128发送到第七晶体管T7的第一电极。

例如，第一数据导电层SD1还可包括在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸的旁路第一初始化电压线U127bp和旁路第二初始化电压线U128bp。

旁路第一初始化电压线U127bp可通过开口OP1连接(例如，电连接)到定位在第一半导体层U130中的第一岛部U1138，以形成阻挡结构，并且旁路第二初始化电压线U128bp也可通过开口OP1连接到定位在第一半导体层U130中的第二岛部U1139，以形成阻挡结构。

旁路第一初始化电压线U127bp和旁路第二初始化电压线U128bp可定位在大致在垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸的其他布线(例如，第一旁路数据线U171p-1、第一初始化电压线U127b和第二初始化电压线U128b)外部，从而如上所述的阻挡结构可起到阻挡光从透光区域UTA进入单位像素UPC的侧面的作用。例如，该阻挡结构可不是将穿过显示区域DA和第二组件区域EA2的电压线进行连接的结构。

在旁路第一初始化电压线U127bp和旁路第二初始化电压线U128bp也需要通过开口连接(例如，电连接)到其他导电层的情况下，如第一旁路数据线U171p-1一样，接触结构可形成在边界区域中。

第一数据导电层SD1可包括具有在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上伸长的像岛的结构的驱动电压施加部U172a。驱动电压施加部U172a可具有在端(例如，相对端)处的扩展部以及在中间突出的突出部。驱动电压施加部U172a的突出部可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层U130的部分U1135和第二栅极导电层GAT2的第一存储电极U1153。结果，驱动电压ELVDD可施加到第五晶体管T5的第一电极以及第一存储电极U1153。

例如，与驱动电压施加部U172a的突出部对应并且定位在与第一半导体层U130的部分U1135和第一存储电极U1153重叠的部分处的连接部U172CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层U130的部分U1135和第二栅极导电层GAT2的第一存储电极U1153。结果，发送到驱动电压施加部U172a的驱动电压ELVDD可通过连接部U172CM施加到第五晶体管T5的第一电极以及第一存储电极U1153。

例如，第一数据导电层SD1还可包括连接部U171CM和阳极连接部UACM1。

连接部U171CM可通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1134，例如，第二晶体管T2。

阳极连接部UACM1可通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1136，例如，第六晶体管T6。

第二组件区域EA2的第一数据导电层SD1可由与正常像素的第一数据导电层SD1的材料相同的材料并且通过与正常像素的第一数据导电层SD1的工艺相同的工艺形成，并且第二组件区域EA2的第一数据导电层SD1可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层形成。

参照图34，第一有机层181可定位在包括第一连接电极U1175和第二连接电极U3175的第一数据导电层SD1上。第一有机层181可为包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。

参照图31、图32和图34，第一有机层181可包括下有机层开口OP3。

在第一有机层181上可定位有包括数据线U171、驱动电压线U172b和阳极连接部UACM2的第二数据导电层SD2。

在第二数据导电层SD2上可定位有第二有机层182和第三有机层183，并且阳极连接开口OP4可形成在第二有机层182和第三有机层183中。阳极连接部UACM2可通过阳极连接开口OP4电连接到阳极(例如，图33中的UAnode)。由于在图32中难以容易地识别第二数据导电层SD2，所以图31是仅示出第二数据导电层SD2以及开口OP3和OP4的示意性俯视图，并且图32是示出第二数据导电层SD2和所有周围层的示意性俯视图。

参照图31和图32，下有机层开口OP3可与定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)的待暴露的连接部U171CM、阳极连接部UACM1和驱动电压施加部U172a的扩展部重叠。

第二数据导电层SD2可包括数据线U171、第二旁路数据线U171p-2、驱动电压线U172b、旁路驱动电压线U172p和阳极连接部UACM2。

数据线U171、第二旁路数据线U171p-2、驱动电压线U172b和旁路驱动电压线U172p可在大致垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸。

数据线U171可通过下有机层开口OP3连接(例如，电连接)到第一数据导电层SD1的连接部U171CM，并且可通过连接部U171CM连接(例如，电连接)到第二晶体管T2。

驱动电压线U172b可通过下有机层开口OP3，通过第一数据导电层SD1的驱动电压施加部U172a的扩展部电连接到第五晶体管T5和第一存储电极U1153。

旁路驱动电压线U172p可不连接(例如，电连接)到当前单位像素UPC的驱动电压施加部U172a，但旁路驱动电压线U172p可连接到相邻的单位像素UPC的驱动电压施加部U172a(被称为附加驱动电压施加部)。

阳极连接部UACM2可通过开口OP3电连接到第一数据导电层SD1的阳极连接部UACM1，并且可电连接到第六晶体管T6。

因为第二旁路数据线U171p-2像正常像素的数据线171一样位于第二数据导电层SD2中，所以第二旁路数据线U171p-2可不包括单独的接触结构。例如，数据电压可通过正常像素的数据线171发送到第二旁路数据线U171p-2，并且再次发送到正常像素的数据线171。例如，正常像素的数据线171与第二旁路数据线U171p-2可彼此为一体的，从而不包括接触结构。例如，在第二旁路数据线U171p-2需要通过开口与另一导电层连接(例如，电连接)的情况下，像第一旁路数据线U171p-1一样，接触结构可形成在边界区域中。

第二组件区域EA2的第二数据导电层SD2可由与正常像素的第二数据导电层SD2的材料相同的材料并且通过与正常像素的第二数据导电层SD2的工艺相同的工艺形成，并且第二组件区域EA2的第二数据导电层SD2可包括金属(诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti))或金属合金，并且可由单层或多层形成。

在图29至图32中所示的实施方式中，第一旁路数据线U171p-1的数量和第二旁路数据线U171p-2的数量可分别为2和3。这是显示区域DA的正常像素包括一个红色正常像素、一个蓝色正常像素和两个绿色正常像素，第二组件区域EA2的单位像素UPC各自包括一个第二组件像素并且仅一个单位像素UPC形成在布置有总共八个正常像素的空间中的原因。例如，与八个正常像素连接的八个数据线中的仅三个可连接(例如，电连接)到单位像素UPC，并且其他五个数据线可变成旁路数据线并且可不连接(例如，电连接)到单位像素UPC。在实施方式中，两个旁路数据线可作为第一旁路数据线U171p-1定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)，并且剩余三个旁路数据线可作为第二旁路数据线U171p-2定位在第二数据导电层SD2中(或由第二数据导电层SD2形成)。

这些旁路数据线可在需要通过开口将它们与另一导电层连接的情况下在定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域中形成接触结构。

参照图34，第二有机层182和第三有机层183可定位在第二数据导电层SD2上。第二有机层182和第三有机层183可为有机绝缘体，并且可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。在另一示例中，可省略第三有机层183。

参照图33和图34，第二有机层182和第三有机层183包括阳极连接开口OP4。例如，阳极UAnode和阳极连接部UACM2可电连接。

参照图33，阳极UAnode可形成在第三有机层183上。阳极UAnode可包括延伸部分，以通过阳极连接开口OP4从像素电路部接收电流。

除了具有与图7至图18的结构相同的结构的正常像素和具有与图22至图33的结构相同的结构的第二组件区域EA2的单位像素UPC的剖面结构之外，通过图34还描述了第二组件区域EA2的透光区域UTA的剖面结构。

图34是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖面图。

图34可主要划分为透光区域UTA的剖面结构和像素的剖面结构。例如，像素可对应于显示区域DA的正常像素以及第一组件区域EA1和第二组件区域EA2的组件像素。在下文中，将描述正常像素的结构。

发光显示装置可主要划分为下面板层和上面板层，并且下面板层可为定位有像素的发光二极管LED和像素电路部的部分，并且可包括直到覆盖发光二极管LED的封装层400。例如，像素电路部可包括第二有机层182和第三有机层183并且意味着其下方的配置，并且发光二极管LED可为第三有机层183的上部并且可意味着定位在封装层400下面的配置。定位在封装层400上方的结构可对应于上面板层。在另一示例中，可不包括第三有机层183。

参照图34，衬底110可包括第一子衬底层110-1、第二子衬底层110-2、第三子衬底层110-3和第四子衬底层110-4。

第一子衬底层110-1和第四子衬底层110-4中的每个可包括聚酰亚胺系树脂、丙烯酸酯系树脂、甲基丙烯酸酯系树脂、聚异戊二烯系树脂、乙烯系树脂、环氧系树脂、氨酯系树脂、纤维素系树脂、硅氧烷系树脂、聚酰胺系树脂和苝系树脂中的至少一种。例如，第一子衬底层110-1和第四子衬底层110-4中的每个可包括聚酰亚胺。

第二子衬底层110-2和第三子衬底层110-3中的每个可包括无机材料。例如，第二子衬底层110-2和第三子衬底层110-3中的每个可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物和非晶硅中的至少一种。例如，第二子衬底层110-2可包括硅氮氧化物，并且第三子衬底层110-3可包括硅氧化物。

第一子衬底层110-1的厚度可比第四子衬底层110-4的厚度厚。例如，第一子衬底层110-1的厚度可为约100000埃，并且第四子衬底层110-4的厚度可为约56000埃。第二子衬底层110-2的厚度可比第三子衬底层110-3的厚度薄。例如，第二子衬底层110-2的厚度可为约1000埃，并且第三子衬底层110-3的厚度可为约5000埃。然而，第一子衬底层110-1、第二子衬底层110-2、第三子衬底层110-3和第四子衬底层110-4的厚度不限于以上值。

阻挡层110-5可布置在衬底110上面。阻挡层110-5可包括子阻挡层110-51、110-52、110-53、110-54、110-55和金属层BML。

子阻挡层110-51、110-52、110-53、110-54和110-55可包括在远离衬底110的方向上依次堆叠的第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55。第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55中的每个可包括无机材料。例如，第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55中的每个可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物和非晶硅中的至少一种。例如，第一子阻挡层110-51可包括硅氮氧化物，第二子阻挡层110-52可包括硅氧化物，第三子阻挡层110-53可包括非晶硅，第四子阻挡层110-54可包括硅氧化物，并且第五子阻挡层110-55可包括硅氧化物。

在第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55之中，第五子阻挡层110-55可最接近晶体管。第五子阻挡层110-55可被称为上子阻挡层。第五子阻挡层110-55的厚度可比第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53和第四子阻挡层110-54中的每个的厚度厚。例如，第五子阻挡层110-55的厚度可大于第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53和第四子阻挡层110-54的厚度之和。例如，第一子阻挡层110-51可为约1000埃，第二子阻挡层110-52可为约1500埃，第三子阻挡层110-53可为约100埃，第四子阻挡层110-54可为约130埃，并且第五子阻挡层110-55可为约4200埃。例如，第五子阻挡层110-55的厚度可比上述厚度厚。

可将具有特定电压电平的恒定电压施加到金属层BML，并且作为示例，可提供驱动电压ELVDD。

金属层BML可布置在第四子阻挡层110-54与第五子阻挡层110-55之间。金属层BML可由第五子阻挡层110-55覆盖。由于第五子阻挡层110-55在第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55之中具有最厚的厚度，因此可减小因提供到金属层BML的电压而导致的晶体管的特性的变化程度。

金属层BML可具有限定透光区域UTA的开口BMop。在可在阴极Cathode上形成开口CEop的情况下，金属层BML可为用作掩模的图案。例如，从衬底110的后表面朝向阴极Cathode照射的光可穿过金属层BML的开口BMop到达阴极Cathode和盖层CPA中的每个的一部分。例如，阴极Cathode和盖层CPA的一部分可通过穿过金属层BML的开口BMop的光来去除。光可为激光束。

与金属层BML的开口BMop重叠的区域可被限定为透光区域UTA，并且剩余区域可被限定为除了透光区域UTA以外的区域，例如，显示区域DA或组件区域EA。金属层BML可包括钛、银、包括银的合金、钼、包括钼的合金、铝、包括铝的合金、铝氮化物、钨、钨氮化物、铜、氧化铟锡或氧化铟锌以及类似物，但实施方式不限于此。

缓冲层111可布置在阻挡层110-5上面。可在全部的显示区域DA、组件区域EA和透光区域UTA中提供缓冲层111。缓冲层111可防止金属原子或杂质从衬底110向第一半导体图案层ACT1的扩散。例如，缓冲层111可在用于形成第一半导体图案层ACT1的结晶工艺期间调节热供应速度，以使得可均匀地形成第一半导体图案层ACT1。

缓冲层111可包括无机层。例如，缓冲层111可包括包含硅氮化物的第一子缓冲层以及布置在第一子缓冲层上面并且包括硅氧化物的第二子缓冲层。缓冲层111可不与透光区域UTA重叠。例如，在缓冲层111中可限定有对应于透光区域UTA的开口ILop。由于缓冲层111不提供在透光区域UTA中，因此可进一步改善透光区域UTA的透射率。

包括晶体管的像素电路部可布置在缓冲层111上面，并且发光二极管LED可布置在像素电路部上面。

作为示例，示出了像素电路部的硅薄膜晶体管LTPS TFT和氧化物薄膜晶体管Oxide TFT。

第一半导体图案层ACT1可布置在缓冲层111上。第一半导体图案层ACT1可包括硅半导体。例如，硅半导体可包括非晶硅、多晶硅或类似物。例如，第一半导体图案层ACT1可包括低温多晶硅。

仅示出了布置在缓冲层111上的第一半导体图案层ACT1的一部分，并且第一半导体图案层ACT1可进一步布置在另一区域中。第一半导体图案层ACT1可跨多个像素以特定图案布置。根据第一半导体图案层ACT1是否被掺杂，第一半导体图案层ACT1可具有不同的电性质。第一半导体图案层ACT1可包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区域，并且N型晶体管可包括掺杂有N型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可为非掺杂区域或以比第一区域低的浓度掺杂的区域。

第一区域的电导率可大于第二区域的电导率，并且第一区域可实质上充当电极或信号线。第二区域可实质上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。例如，半导体图案层的一部分可为晶体管的有源区域，另一部分可为晶体管的源区域或漏区域，并且另一部分可为连接电极或连接信号线。

硅薄膜晶体管LTPS TFT的源区域、有源区域和漏区域可由第一半导体图案层ACT1形成。在剖面上，源区域和漏区域可从有源区域在相反方向上延伸。

像素电路部可包括无机层和有机层。在实施方式中，堆叠在缓冲层111上的绝缘层141、142、143、161和162可为无机层，并且绝缘层181、182和183可为有机层。

第一栅极绝缘层141可布置在缓冲层111上面。第一栅极绝缘层141可覆盖第一半导体图案层ACT1。第一栅极绝缘层141可为无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。第一栅极绝缘层141可包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。在实施方式中，第一栅极绝缘层141可为单层的硅氧化物层。除了第一栅极绝缘层141之外，下面描述的绝缘层也可具有单层结构或多层结构。

硅薄膜晶体管LTPS TFT的栅电极GE1可布置在第一栅极绝缘层141上。栅电极GE1可为金属图案层的一部分。栅电极GE1可与有源区域重叠。在掺杂第一半导体图案层的工艺中，栅电极GE1可用作掩模。栅电极GE1可包括钛、银、包括银的合金、钼、包括钼的合金、铝、包括铝的合金、铝氮化物、钨、钨氮化物、铜、氧化铟锡或氧化铟锌以及类似物，但实施方式不限于此。

第二栅极绝缘层142可布置在第一栅极绝缘层141上，并且可覆盖栅电极GE1。第二栅极绝缘层142可为无机层，并且可具有单层或多层结构。第二栅极绝缘层142可包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的至少一种。在实施方式中，第二栅极绝缘层142可具有包括硅氮化物层的单层结构。

第一层间绝缘层161可布置在第二栅极绝缘层142上面。第一层间绝缘层161可为无机层，并且可具有单层结构或多层结构。例如，第一层间绝缘层161可具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。电容器(例如，存储电容器Cst或升压电容器Cboost)的电极CE可布置在第二栅极绝缘层142与第一层间绝缘层161之间。例如，电容器(例如，存储电容器Cst或升压电容器Cboost)的另一电极可布置在第一栅极绝缘层141与第二栅极绝缘层142之间。

第二半导体图案层ACT2可布置在第一层间绝缘层161上。第二半导体图案层ACT2可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括根据金属氧化物是否被还原而划分的区域。其中金属氧化物被还原的区域(在下文中，还原区域)可具有比其中金属氧化物未被还原的区域(在下文中，非还原区域)大的电导率。还原区域可实质上具有晶体管的源极/漏极或信号线的作用。非还原区域实质上对应于晶体管的有源区域(或半导体区域、沟道)。例如，第二半导体图案层ACT2的一部分可为晶体管的有源区域，另一部分可为晶体管的源/漏区域，并且另一部分可为信号传输区域。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的源区域、有源区域和漏区域可由第二半导体图案层ACT2形成。在剖面上，源区域和漏区域可从有源区域在相反方向上延伸。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT可与金属层BML重叠。因此，从显示面板DP的下部入射的光可被金属层BML阻挡，所以光不能提供到氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的有源区域，并且由下衬底的极化引起的静电电势电压可被屏蔽。

根据位置，氧化物薄膜晶体管Oxide TFT可不与金属层BML重叠，并且可添加用于阻挡光并且屏蔽氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的下部的层。

第三栅极绝缘层143可布置在第一层间绝缘层161上面。第三栅极绝缘层143可覆盖第二半导体图案层ACT2。第三栅极绝缘层143可为无机层，并且可具有单层或多层结构。第三栅极绝缘层143可包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。在实施方式中，第三栅极绝缘层143可具有包括硅氧化物的单层结构。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的栅电极GE2可布置在第三栅极绝缘层143上。栅电极GE2可为金属图案层的一部分。栅电极GE2可与有源区域重叠。在掺杂第二半导体图案层ACT2的工艺中，栅电极GE2可用作掩模。

第二层间绝缘层162可布置在第三栅极绝缘层143上，并且可覆盖栅电极GE2。第二层间绝缘层162可为无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。例如，第二层间绝缘层162可具有包括硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。

开口ILop可限定在缓冲层111以及像素电路部中包括的绝缘层141、142、143、161、162、181、182和183中的至少一些绝缘层中。例如，开口ILop可限定在缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162中，并且与透光区域UTA重叠的缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162可分别被去除，可改善透光区域UTA的透射率。

缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162的侧壁可比金属层BML的侧壁更突出。

第一有机层181可布置在第二层间绝缘层162上面。第一有机层181可包括有机材料，并且第一有机层181可包括聚酰亚胺系树脂。例如，第一有机层181可包括光敏聚酰亚胺。

第一有机层181可布置到显示区域DA、组件区域EA和透光区域UTA。相应地，第一有机层181可被称为公共有机层。第一有机层181可具有填充定位在缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162中的开口ILop的结构。例如，第一有机层181可与透光区域UTA重叠。由于第一有机层181提供在透光区域UTA中，因此可减小第一有机层181的上表面的台阶差。在与透光区域UTA重叠的层的台阶差减小的情况下，可平滑(或减小)入射到透光区域UTA的光的衍射。相应地，可减少由于衍射而导致的图像失真，并且可改善从定位在后表面上的诸如相机的装置获取的图像的质量。

布置到透光区域UTA的预备公共有机层60_P的在厚度方向上的部分可被去除，以形成(或提供)第一有机层181。在图34中，预备公共有机层60-P可用虚线示出，并且去除部分60-del可用暗阴影示出。可使用半色调掩模来从预备公共有机层60-P形成第一有机层181。

透光区域UTA中的第一有机层181的厚度可小于显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度。例如，透光区域UTA中的第一有机层181的厚度可为第一有机层181的最小厚度或平均厚度，并且显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度可为第一有机层181的最大厚度或平均厚度。透光区域UTA中的第一有机层181的厚度可为显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度的至少40％并且小于100％。随着根据区域的第一有机层181的厚度差增加，第一有机层181的上表面的台阶差可增加。例如，在图案化最接近透光区域UTA的导电层的工艺中，可能比设计图案化(或去除)更多的导电层。例如，线(或布线)变得更细的可能性可增加，并且相应地，缺陷发生的可能性可增加。如在实施方式中，在透光区域UTA中的第一有机层181的厚度与显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度之比提供为40％或更大的情况下，可减小缺陷的可能性。因此，通过将根据区域的厚度比提供为40％或更大，可改善透光区域UTA的透射率，并且可最小化副作用。

例如，在显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度为约15000埃的情况下，透光区域UTA中的第一有机层181的厚度可为约6000埃或更大且约10000埃或更小。在透光区域UTA中的第一有机层181的厚度超过约10000埃的情况下，透射率改善效果可能劣化。因此，透光区域UTA中的第一有机层181的厚度可在显示区域DA和组件区域EA中的第一有机层181的厚度的40％或更大且小于约10000埃的范围内确定。

第二有机层182可布置在第一有机层181的顶表面(或上表面)上，并且第三有机层183可布置在第二有机层182的顶表面(或上表面)上。

第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183中的每个可包括通用聚合物(诸如BCB(苯并环丁烯)、聚酰亚胺、HMDSO(六甲基二硅氧烷)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸系聚合物、酰亚胺系聚合物、芳基醚系聚合物、酰胺系聚合物、氟系聚合物、对二甲苯系聚合物、乙烯醇系聚合物或它们的组合。

发光二极管LED可布置在像素电路部上面。每个发光二极管LED包括阳极Anode、第一功能层FL1、发射层EML、第二功能层FL2和阴极Cathode。第一功能层FL1、第二功能层FL2和阴极Cathode可完全提供到除了透光区域UTA以外的显示区域DA和组件区域EA。

阳极Anode可布置在第三有机层183上面。阳极Anode可通过穿过第二有机层182和第三有机层183的开口连接到像素电路部的电极。阳极Anode可为透射电极(或半透射电极)或反射电极。在实施方式中，阳极Anode可包括由银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬或它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明电极层或半透明电极层。透明电极层或半透明电极层可包括选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、锌氧化物、铟氧化物以及掺杂铝的锌氧化物组成的组中的至少一种。例如，阳极Anode可提供为其中氧化铟锡、银和氧化铟锡依次堆叠的多层结构。

像素限定层380可布置在第三有机层183上面。像素限定层380可具有吸收光的性质，例如，像素限定层380可具有黑色。像素限定层380可包括黑色组分(例如，黑色着色剂)。黑色组分可包括黑色染料和黑色颜料。黑色组分可包括炭黑、诸如铬的金属、或其氧化物。

在像素限定层380中可限定有暴露阳极Anode的一部分的开口OP。例如，像素限定层380可覆盖阳极Anode的边缘。例如，像素限定层380可覆盖第三有机层183的与透光区域UTA相邻的侧面。像素限定层380可与第二有机层182的与透光区域UTA相邻的侧面间隔开。相应地，像素限定层380可与第二有机层182和第三有机层183稳定地接触。像素限定层380可为由具有黑色的有机材料形成的黑色像素限定层，以使得从外部施加的光不能反射回外部，并且根据实施方式，像素限定层380可由透明有机材料形成。因此，根据实施方式，像素限定层380可包括负型黑色的有机材料，并且可包括黑色颜料。

间隔物可定位在像素限定层380上。

第一功能层FL1可布置在阳极Anode和像素限定层380上。第一功能层FL1可包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、或空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)两者。第一功能层FL1可布置(例如，完全布置)在除了透光区域UTA以外的显示区域DA和组件区域EA中。

发射层EML可布置在第一功能层FL1上，并且可定位在与像素限定层380的开口OP对应的区域中。发射层EML可包括发射某种颜色的光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。

第二功能层FL2可布置在第一功能层FL1上，并且可覆盖发射层EML。第二功能层FL2可包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、或电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)两者。第二功能层FL2可布置(例如，完全布置)到除了透光区域UTA以外的显示区域DA和组件区域EA。

阴极Cathode可布置在第二功能层FL2上。阴极Cathode可布置(例如，完全布置)到除了透光区域UTA以外的显示区域DA和组件区域EA。在阴极Cathode中可限定有与金属层BML的开口BMop对应(或重叠)的开口CEop。阴极Cathode的开口CEop的最小宽度可大于金属层BML的开口BMop的最小宽度。

盖层CPA可进一步定位在阴极Cathode上。盖层CPA可起到通过相长干涉的原理来改善发光效率的作用。盖层CPA可包括例如对于具有589nm的波长的光具有1.6或更大的折射率的材料。盖层CPA可为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层、或包括有机材料和无机材料的复合盖层。例如，盖层CPA可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地利用包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基取代。

盖层CPA的与阴极Cathode的开口CEop重叠的一部分可被去除。由于去除了包括与透光区域UTA重叠的一部分的盖层CPA的一部分以及阴极Cathode的一部分，因此可进一步改善透光区域UTA的透光率。

封装层400可布置在发光二极管LED上。封装层400可包括依次堆叠的第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403，但封装层400的层不限于此。

第一无机封装层401和第二无机封装层403可保护发光二极管LED免受湿气和氧的影响，并且有机封装层402可保护发光二极管LED免受诸如灰尘颗粒的外来颗粒的影响。第一无机封装层401和第二无机封装层403可包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层、或铝氧化物层。有机封装层402可包括丙烯酸系有机层，但实施方式不限于此。

在封装层400上可附加地布置有检测触摸的结构。结构可包括感测绝缘层501、510和511以及感测触摸的感测电极540。

第一感测绝缘层501可布置(例如，直接布置)在封装层400上。第一感测绝缘层501可为包括硅氮化物、硅氮氧化物和硅氧化物中的至少一种的无机层。在另一示例中，第一感测绝缘层501可为包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺系树脂的有机层。第一感测绝缘层501可具有单层结构或沿第三方向DR3堆叠的多层结构。

在第一感测绝缘层501上可包括至少一个感测电极540，并且感测电极540可具有单层结构或沿第三方向DR3堆叠的多层结构。

具有单层结构的感测电极540可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡、氧化铟锌、锌氧化物或氧化铟锌锡。例如，透明导电层可包括诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯或类似物。

多层结构的感测电极540可包括金属层。金属层可具有钛/铝/钛的三层结构。多层结构的感测电极540可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

在第一感测绝缘层501上包括两个感测电极的情况下，第二感测绝缘层510可布置在两个感测电极之间。第二感测绝缘层510可包括无机层。无机层可包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。

在另一示例中，第二感测绝缘层510可包括有机层。有机层可包括丙烯酸系树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯系树脂、环氧系树脂、氨酯系树脂、纤维素系树脂、硅氧烷系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂和苝系树脂中的至少一种。

第三感测绝缘层511可布置在第二感测绝缘层510上，并且可覆盖感测电极540。感测电极540可包括导电图案层。第三感测绝缘层511可覆盖导电图案层，并且可减少或消除在后续工艺中对导电图案层的损坏的可能性。

第三感测绝缘层511可包括无机材料。例如，第三感测绝缘层511可包括硅氮化物，但实施方式不限于此。

用于减少外部光的反射的抗反射层可定位在第三感测绝缘层511上，并且抗反射层可包括阻光层220、滤色器230和平坦化层550。阻光层220和滤色器230可不布置在透光区域UTA中。

阻光层220可布置为与感测电极540的导电图案层重叠。第三感测绝缘层511可布置在阻光层220与感测电极540之间。阻光层220可防止外部光被感测电极540反射。阻光层220的材料不受限制，只要它为吸收光的材料即可。阻光层220可为具有黑色的层，并且在实施方式中，阻光层220可包括黑色组分(例如，黑色着色剂)。黑色组分可包括黑色染料和黑色颜料。黑色组分可包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

开口OPBM可限定在阻光层220中。开口OPBM可分别与发射层EML重叠。滤色器230可布置为与阻光层220的开口OPBM对应。滤色器230可透射从与滤色器230重叠的发射层EML提供的光。

阻光层220可不定位在透光区域UTA中，在与透光区域UTA相邻的区域中阻光层220的端部可比像素限定层380的端部和阴极Cathode的端部进一步突出。

平坦化层550可覆盖阻光层220和滤色器230。平坦化层550可包括有机材料，并且可将平坦表面提供到平坦化层550的上表面。在另一示例中，可省略平坦化层550。

在另一示例中，可省略滤色器230，并且反射调节层可添加在省略了滤色器230的地方。反射调节层可选择性地吸收从显示面板和/或电子装置内部反射的光或从显示面板或电子装置外部入射的光之中的一些波段中的光。

作为示例，反射调节层可吸收490nm至505nm的第一波长区域和585nm至600nm的第二波长区域，以使得可将第一波长区域和第二波长区域中的透光率提供为40％或更小。反射调节层可吸收具有在从发射层EML发射的红光、绿光和蓝光的波长范围之外的波长的光。如此，反射调节层可吸收不属于从发射层EML发射的红色、绿色或蓝色的波长范围的波长的光，从而防止或最小化显示面板和/或电子装置的亮度的降低。例如，可同时防止或最小化显示面板和/或电子装置的光效率的劣化，并且可改善可视性。

反射调节层可提供为包括染料、颜料或它们的组合的有机材料层。反射调节层可包括四氮杂卟啉(TAP)系化合物、卟啉系化合物、金属卟啉系化合物、恶嗪系化合物、方酸鎓系化合物、三芳基甲烷系化合物、聚次甲基系化合物、蒽醌系化合物、酞菁系化合物、偶氮系化合物、苝系化合物、呫吨系化合物、联胺系化合物、二吡咯亚甲基系化合物、花青系化合物或者它们的组合。

在实施方式中，反射调节层可具有约64％至约72％的透射率。反射调节层的透射率可根据反射调节层中包括的颜料和/或染料的含量来调节。反射调节层可在平面视图中与发光区域重叠，但可在平面视图中不与透光区域UTA重叠。

在如上所述的透光区域UTA中可不定位有金属层BML、第一半导体图案层ACT1、第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2、第二半导体图案层ACT2、第三栅极导电层GAT3、第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2和阳极Anode。在另一示例中，可不形成发射层EML和感测电极540。在另一示例中，可不形成缓冲层111、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143、第二层间绝缘层162、第二有机层182和第三有机层183。

例如，在透光区域UTA中可在像素限定层380、阻光层220和滤色器230中形成有附加开口，以使得可不形成像素限定层380、阻光层220和滤色器230。

在上文中，已描述了其中形成有总共三个有机层并且第二有机层和第三有机层中可形成有阳极连接开口的实施方式。然而，可形成有至少两个有机层，阳极连接开口可定位在远离衬底定位的上有机层中，并且下有机层开口可定位在下有机层中。

在上文中，详细地检查了整个发光显示装置和像素的结构。

在下文中，基于实施方式，通过图35和图36详细地描述每个布线是否定位在显示区域DA、第二组件区域EA2以及定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间的边界区域中的任何导电层中。

图35和图36是示出根据实施方式的用于连接信号线和电压线的结构的示意性视图，而信号线和电压线用于连接正常像素和第二组件像素。

图35示出了基于在第二方向DR2上延伸的结构的第二组件区域EA2的第二方向DR2上的上侧处的与显示区域DA的边界区域BOR。图36示出了基于随着在第一方向DR1上延伸而连接的结构的第二组件区域EA2的第一方向DR1上的左侧处的与显示区域DA的边界区域BOR。例如，边界区域BOR可定位在显示区域DA与第二组件区域EA2之间，并且可为其中可不形成显示区域DA的正常像素或第二组件区域EA2的单位像素UPC的部分。例如，在边界区域BOR中，可定位有连接在正常像素与单位像素UPC之间的信号线或电压线，并且也可定位有用于电连接信号线或电压线的接触结构。

首先，图35的结构总结在如下表1中所示的表中。

(表1)

在表1中，SD1、SD2和GAT1分别表示第一数据导电层、第二数据导电层和第一栅极导电层，并且位于括号中的符号表示图7至图34的附图标记。例如，施加电压中描述的ELVDD、VAINT、VINT、DATA_R、DATA_G和DATA_B分别指示驱动电压、第二初始化电压、第一初始化电压、用于红色像素的数据电压、用于绿色像素的数据电压和用于蓝色像素的数据电压。

如图35中所示，连接显示区域DA和第二组件区域EA2的电压线和/或信号线的接触结构可仅定位在边界区域BOR中。

如此，由于包括开口的接触结构定位在边界区域中，因此由第二组件区域EA2的单位像素UPC占据的面积不增加，透光区域UTA的面积可为相对宽的，并且透光区域UTA的透射率可增加。

由于图35中描述的各种电压布线的连接结构仅为实施方式，因此连接结构可形成在与图35不同的导电层中，或者可通过单独的导电层连接(例如，电连接)而不直接连接，或可直接连接。

例如，图36的结构总结在如下表2中所示的表中。

(表2)

在表2中，SD1、SD2、GAT1、GAT2和GAT3分别表示第一数据导电层、第二数据导电层、第一栅极导电层、第二栅极导电层和第三栅极导电层。例如，施加电压中描述的GC、GW、GI和EM分别表示第二扫描信号、第一扫描信号、初始化控制信号和光控制信号，并且附接在信号之后的(N)、(N-1)、(N-2)和(N+1)分别指示针对当前像素、前一像素、前面第二个像素和后一像素的信号。在表2中，存在其中对于一个信号在两行中显示两个导电层的部分，这指示对应信号线可形成为双层结构。然而，根据实施方式，对应信号线可形成为单层结构。

如图36中所示，连接显示区域DA和第二组件区域EA2的电压线和/或信号线的接触结构可仅定位在边界区域BOR中。

如此，由于包括开口的接触结构定位在边界区域中，因此由第二组件区域EA2的单位像素UPC占据的面积可不增加，透光区域UTA的面积可为相对宽的，并且透光区域UTA的透射率可增加。

由于图36中描述的各种信号布线的连接结构仅为实施方式，因此连接结构可形成在与图36不同的导电层中，或者可通过单独的导电层连接(例如，电连接)而不直接连接，或可直接连接。

例如，电压可施加到定位在第二组件区域EA2的单位像素UPC下方的阻光部分UBML。

图35示出了用于将电压施加到阻光部分UBML的布线中的一个布线UBML-CL。例如，电压可施加到定位在与第二组件区域EA2对应的部分中的阻光部分UBML，并且通过图37和图38，这被描述为将电压施加到阻光部分UBML的方法中一个。

图37和图38是示出根据实施方式的发光显示装置中的用于将电压施加到第二组件像素的阻光部分的结构的示意性视图。

图37是示出整个发光显示装置中的定位在与第二组件区域EA2对应的部分中的阻光部分UBML以及用于将电压施加到阻光部分UBML的布线UBML-SL和UBML-CL以及焊盘UBML-P的结构的示意性视图。

根据图37，焊盘UBML-P(在下文中也被称为用于阻光部分的电压焊盘)可定位在驱动部50的侧(例如，相对侧)上。从焊盘UBML-P延伸的第一电压施加布线UBML-SL(在下文中也被称为用于阻光部分的第一电压布线)可沿发光显示装置的外部(或边缘部分)延伸。第一电压施加布线UBML-SL可通过第二电压施加布线UBML-CL连接(例如，电连接)到阻光部分UBML，并且第二电压施加布线UBML-CL可使用定位在第一数据导电层SD1中的布线中的一个作为第二电压施加布线UBML-CL。

通过图38更详细地描述用于连接第二电压施加布线UBML-CL和阻光部分UBML的结构。

图38是示出第二电压施加布线UBML-CL和阻光部分UBML的连接关系的示意性视图，并且通过将第二电压施加布线UBML-CL示出为更大来清楚地示出与阻光部分UBML的连接结构。图38示出了透光区域UTA的尺寸为小的，但这是因为它与第二电压施加布线UBML-CL与阻光部分UBML之间的连接关系无关，并且该尺寸实际上并不小。例如，如图21至图32中所示，透光区域UTA的尺寸可具有比第二电压施加布线UBML-CL的宽度宽的宽度。

参照图38，定位在第一数据导电层SD1中(或由第一数据导电层SD1形成)并且在第二方向DR2上相邻地延伸的第一初始化电压线127和第二初始化电压线128之中的布线的部分可被断开，并且可连接(例如，电连接)到第一电压施加布线UBML-SL，以用作第二电压施加布线UBML-CL。在图38中，第一初始化电压线127和第二初始化电压线128分别示出为附图标记127(SD1)和128(SD1)，并且因为没有断开而作为整体施加有相同电压的第一初始化电压线127和第二初始化电压线128分别用附图标记127'(SD1)和128'(SD1)来识别。

第一数据导电层SD1的第一初始化电压线127或第二初始化电压线128中的一些可被断开，并且通过开口OPBML连接到阻光部分UBML。例如，第一数据导电层SD1的第一初始化电压线127或第二初始化电压线128的不连接到阻光部分UBML的一部分仍然可用作第一初始化电压线127和/或第二初始化电压线128。例如，第二电压施加布线UBML-CL可与定位在显示区域DA中的正常像素电断开。

在阻光部分UBML上可布置有像图21至图33一样的单位像素UPC。阻光部分UBML的开口对应于透光区域UTA。

施加到阻光部分UBML的电压可为驱动电压ELVDD，并且根据实施方式，可施加各种电压。

图38示出了通过使用第一初始化电压线127和/或第二初始化电压线128将电压施加到阻光部分UBML，但可通过使用其他各种电压线来施加电压。

到图37和图38处示出的阻光部分UBML的电压施加结构可被描述为如下。

显示区域DA可包括分别布置在第二组件区域EA2的侧(例如，相对侧)上并且共同连接到数据线171的第一正常像素PX1和第二正常像素PX2；以及与第一正常像素PX1和第二正常像素PX2相邻定位的第一电压线，第二组件区域EA2可包括阻光部分UBML和定位在阻光部分UBML上的单位像素UPC，阻光部分UBML可具有与透光区域UTA对应的开口，开口可在平面视图中不与单位像素UPC重叠，第一电压线可划分为与第一正常像素PX1相邻的第一部分UBML-CL(SD1)和与第二正常像素PX2相邻定位的第二部分128(SD1)，第一部分UBML-CL(SD1)和第二部分128(SD1)可电断开，并且第一部分UBML-CL(SD1)可电连接到阻光部分UBML。例如，第一电压线可为在第二方向DR2上延伸的各种电压线(例如，第一初始化电压线、第二初始化电压线、驱动电压线等)。

第一部分UBML-CL(SD1)和第一正常像素PX1可电断开，并且第二部分128(SD1)和第二正常像素PX2可电连接。

显示区域DA可包括定位在第二组件区域EA2的在第二方向DR2上的侧(例如，相对侧)上并且连接到另一数据线171的第三正常像素PX3和第四正常像素PX4；以及施加有与施加到第一电压线的第二部分128(SD1)的电压(例如，第二初始化电压VAINT)相同的电压的另一电压线128'(SD1)(被称为第二电压线)，并且第三正常像素PX3、第四正常像素PX4和单位像素UPC可共同连接(例如，电连接)到第二电压线128'(SD1)。

还可包括布置在驱动部50的一侧上的焊盘UBML-P以及用于连接第一电压线的与阻光部分UBML连接的第一部分和焊盘UBML-P的第一电压施加布线UBML-SL，并且第一电压施加布线UBML-SL可沿发光显示装置的外部延伸。在该结构中，第一电压线的第一部分可对应于第二电压施加布线UBML-CL。如上所述，可不形成单独的布线，并且可通过使用电压线的部分将电压施加到阻光部分UBML，使得可不减小第二组件区域EA2的透光区域UTA，并且可增加第二组件区域EA2的透光率。

施加到图38中所示的每个区域中的第一电压线的第一部分和第二部分以及第二电压线的电压在下表3中示出。

(表3)

例如，用于BML的电压可为施加到阻光部分UBML的电压并且可为驱动电压ELVDD，VAINT表示施加到第二初始化电压线128的第二初始化电压VAINT，并且VINT表示施加到第一初始化电压线127的第一初始化电压VINT。

在表3中，因为定位在第二方向DR2上的侧(例如，相对侧)上的上部的显示区域DA和下部的显示区域DA施加不同的电压，所以用“断开”表示的部分指示通过在与第二组件区域EA2重叠的部分中的断开而在上部和下部处施加不同的电压的结构。

在表3中，尽管其示出了通过使用施加有第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线128将电压施加到阻光部分UBML，但如图38中所示，通过使用施加第一初始化电压VINT的第一初始化电压线127将一部分断开可划分与第一正常像素PX1相邻定位的第一部分UBML-CL(SD1)以及与第二正常像素PX2相邻定位的第二部分127(SD1)，第一部分UBML-CL(SD1)和第二部分127(SD1)可彼此电断开，并且第一部分UBML-CL(SD1)可电连接到阻光部分UBML。

参照图38，显示区域DA还可包括分别与第二组件区域EA2的其他相对侧相邻的第五正常像素PX5和第六正常像素PX6。第五正常像素PX5和第六正常像素PX6可连接到在与连接到第一正常像素PX1和第二正常像素PX2的数据线171以及连接到第三正常像素PX3和第四正常像素PX4的另一数据线171交叉的方向上延伸的信号线。第二组件区域EA2中的单位像素UPC可连接到信号线，边界区域BOR还可包括连接部(例如，图36中的第二扫描信号GC(N)、第一扫描信号GW(N)、初始化控制信号GI(N)和光控制信号EM(N))，并且连接部和信号线可在边界区域BOR中连接。

参照图38，显示区域DA还可包括与第二组件区域EA2的其他相对侧相邻的第七正常像素PX7和第八正常像素PX8。第七正常像素PX7和第八正常像素PX8可连接到在与连接到第一正常像素PX1和第二正常像素PX2的数据线171以及连接到第三正常像素PX3和第四正常像素PX4的另一数据线171交叉的方向上延伸的其他信号线。第二组件区域EA2还可包括旁路信号线，边界区域BOR还可包括其他连接部(例如，图36中的第二扫描信号GC(N+1)、第一扫描信号GW(N+1)、初始化控制信号GI(N+1)和光控制信号EM(N+1))，并且旁路信号线(例如，图27中的前面第二个第一扫描线U151(N-2)、前一第一扫描线U151(N-1)、后一第一扫描线U151(N+1)和后一发光控制线U155(N+1))和其他信号线可在边界区域BOR中连接到其他连接部。

在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在实质上不脱离本公开的原理以及精神和范围的情况下，可对实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的实施方式仅在一般和描述的意义上使用，并且不用于限制的目的。