一种3C-SiC单晶体的制备方法
文献发布时间:2024-04-18 20:01:30
技术领域
本发明涉及半导体材料制备技术领域,具体涉及一种3C-SiC单晶体的制备方法。
背景技术
碳化硅材料具有耐高温、耐高压、耐辐射、耐化学腐蚀、硬度大、热导率大等优点。相较于已经广泛工业应用的六方结构单晶4H-SiC,立方结构单晶3C-SiC具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和热导率,更适合用来制备MOSFET等器件。
目前,4H-SiC单晶已经被广泛应用于IGBT、MOSFET等器件的制造。在工业生产中,制作4H-SiC单晶衬底的第一步是生长厚度10mm以上的单晶体,接着通过切割、研磨和抛光步骤制作厚度350μm厚的衬底。然而,对于3C-SiC单晶,制备具有大厚度(>1mm)的单晶体仍然存在挑战。CN115692181A公开了一种方法,具体包括在正轴的4H-SiC单晶衬底上生长3C-SiC单晶,但因为易形成双堆叠晶界缺陷,不能得到应用。现有技术还公开了另外一种方法,具体包括采用化学气相沉积方法,在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶,但是由于Si的熔点是1414℃,生长温度不能高于或接近该温度,否则熔化或软化的Si基底不能作为生长基底。由于生长温度低,3C-SiC单晶的生长速度慢,难以生长大厚度的3C-SiC单晶。例如,MaterialsScience Forum Vols 457-460 (2004) pp 285-288对应的期刊文章公开了采用化学气相沉积方法,在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶,生长温度为1300℃,生长速度0.4-1.5μm/h,生长厚度2-6μm。
综上所述,需要开发一种新的3C-SiC单晶体的制备方法,以提高生长速度并得到大厚度3C-SiC单晶体。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题,本发明提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合,去除Si单晶基底,进一步在高于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题,3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h,制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
(1)采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,得到Si/3C-SiC复合体;
(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割,去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层,将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合,得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体;
(3)将步骤(2)所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体去除Si单晶基底,得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体;
(4)采用化学气相沉积在步骤(3)所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体;
(5)将步骤(4)所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体去除4H-SiC单晶基底,经环切得到3C-SiC单晶体。
本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合,去除Si单晶基底,进一步在高于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题,3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h,制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
需要说明的是,本发明中,步骤(1)与步骤(4)所述化学气相沉积可以是水平进气或竖直进气,优选竖直进气,采用的化学气相沉积装置可以是热壁式或冷壁式,优选热壁式。将基底固定于腔体内,可以通过悬挂丝固定,也可以是通过其他连接件连接固定。悬挂丝可以是石墨绳子或钼丝,优选钼丝。用来经过化学反应生成SiC的气体原料可以是三氯甲基硅烷(CH
作为本发明优选的技术方案,步骤(1)中,所述Si单晶基底的表面粗糙度<0.5nm,所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2-4度,例如2度、2.2度、2.5度、2.8度、3度、3.1度、3.3度、3.5度、3.7度或4度等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是,本发明中,Si单晶基底的表面粗糙度需要小于0.5nm,过大的表面粗糙度会导致SiC单晶在Si的(111)面以外的面外延生长,引入额外的缺陷;而且,生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2-4度,若偏向[001]方向的偏轴角度过小,会在生长3C-SiC单晶时引入双堆叠晶界缺陷,若偏向[001]方向的偏轴角度过大,制作的3C-SiC单晶不适合进行外延生长。
作为本发明优选的技术方案,步骤(1)中,所述化学气相沉积的生长温度为1000-1300℃,例如1000℃、1030℃、1050℃、1070℃、1100℃、1120℃、1150℃、1180℃、1200℃、1220℃、1250℃、1270℃或1300℃等,生长压力为100-500Pa,例如100Pa、200Pa、300Pa、400Pa或500Pa等,生长速度为0.5-2μm/h,例如0.5μm/h、0.7μm/h、1μm/h、1.1μm/h、1.3μm/h、1.5μm/h、1.8μm/h或2μm/h等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是,本发明中,对于在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,生长温度在1000-1300℃范围内,生长温度过低,不能形成3C-SiC单晶结构,生长温度过高,Si单晶基底发生软化,不能生长表面平整的3C-SiC单晶层;生长压力在100-500Pa范围内,生长压力过低,生长速度慢,生长压力过高,易生长SiC多晶;合适的生长速度控制在0.5-2μm/h范围内。
作为本发明优选的技术方案,步骤(1)中,所述3C-SiC单晶初始层的厚度为1-5μm,例如1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm或5μm等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是,本发明中,在Si单晶基底上生长的3C-SiC单晶初始层厚度为1-5μm,若厚度过薄,后续抛光过程中可能发生碎裂,若厚度过厚,会因为生长速度太慢而消耗工艺时间。
作为本发明优选的技术方案,步骤(2)中,所述3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度<2nm,所述4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度<2nm。
需要说明的是,本发明中,步骤(2)所述切割采用金刚线切割出圆形形状,然后对上下两个侧面的3C-SiC单晶初始层的外表面依次进行研磨和抛光,具体采用金刚石砂轮进行研磨,采用化学机械抛光方法进行抛光;若3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度过大,会导致后续键合面接触不良,影响键合效果,同理,用于支撑层的4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度过大,会导致后续键合面接触不良,影响键合效果。
作为本发明优选的技术方案,步骤(2)所述键合的温度为20-40℃,例如20℃、23℃、25℃、27℃、30℃、33℃、35℃、38℃或40℃等,所述键合在真空下进行,控制绝对真空度≤10
需要说明的是,本发明中,所述键合方法采用表面活化键合的方式,具体是将3C-SiC单晶初始层的外表面与4H-SiC单晶基底的外表面相接触后,实现原子级的结合。
作为本发明优选的技术方案,步骤(3)中,所述去除Si单晶基底采用化学腐蚀方法,例如化学原料采用HF酸溶液。
需要说明的是,本发明中,3C-SiC单晶初始层表面采用化学腐蚀方法在去除Si单晶基底后,不需要进行研磨和抛光步骤。
作为本发明优选的技术方案,步骤(4)中,所述化学气相沉积的生长温度为1500-1600℃,例如1500℃、1510℃、1520℃、1530℃、1540℃、1550℃、1560℃、1570℃、1580℃、1590℃或1600℃等,生长压力为500-2000Pa,例如500Pa、800Pa、1000Pa、1300Pa、1500Pa、1700Pa、1800Pa或2000Pa等,生长速度为50-200μm/h,例如50μm/h、80μm/h、100μm/h、120μm/h、150μm/h、160μm/h、180μm/h或200μm/h等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
需要说明的是,本发明中,对于在3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,生长温度在1500-1600℃范围内,若生长温度过低,会导致生长速度过低,若生长温度过高,则易引入4H-SiC晶型缺陷;生长压力在500-2000Pa范围内,若生长压力过低,会导致生长速度慢,若生长压力过高,易生长SiC多晶;合适的生长速度控制在50-200μm/h范围内。
作为本发明优选的技术方案,步骤(4)中,所述3C-SiC单晶加厚层的厚度为1-5mm,例如1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm等,但并不仅限于所列举的数值,上述数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案,步骤(5)中,所述去除4H-SiC单晶基底采用金刚线切割,所述环切采用金刚线切割,获得圆形的3C-SiC单晶体。
作为本发明优选的技术方案,步骤(5)中,所述3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
与现有技术方案相比,本发明至少具有以下有益效果:
本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合,去除Si单晶基底,进一步在高于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题,3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h,制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
附图说明
图1是本发明所述3C-SiC单晶体的制备方法的流程示意图;
图2是本发明实施例1所述3C-SiC单晶体的XRD摇摆曲线检测结果。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
为更好地说明本发明,便于理解本发明的技术方案,本发明的典型但非限制性的实施例如下:
本发明所述3C-SiC单晶体的制备方法的流程示意图如图1所示,所述制备方法包括如下步骤:
(1)采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,得到Si/3C-SiC复合体;
(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割,去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层,将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合,得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体;
(3)将步骤(2)所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体去除Si单晶基底,得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体(图1中仅示出了一个4H-SiC/3C-SiC复合体);
(4)采用化学气相沉积在步骤(3)所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体;
(5)将步骤(4)所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体去除4H-SiC单晶基底,经环切得到3C-SiC单晶体。
实施例1
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
(1)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中,所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.25nm,所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向4度,生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1300℃,生长压力为500Pa,接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为2μm/h,生长时间为2.5h,共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层,得到Si/3C-SiC复合体;
(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割,去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层,具体采用金刚线切割出圆形形状,对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光,具体采用金刚石砂纸进行研磨,采用化学机械抛光方法进行抛光,抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm,4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm,将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合,实现原子级的结合,得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体;
(3)将步骤(2)所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底,得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体;
(4)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤(3)所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1600℃,生长压力为2000Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20,生长速度为200μm/h,生长时间为25h,共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层,得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体;
(5)将步骤(4)所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底,采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体,单晶体厚度为4.5mm,经XRD摇摆曲线检测,3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为32arcsec,如图2所示。
实施例2
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
(1)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中,所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.35nm,所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向3度,生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1200℃,生长压力为300Pa,接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为1μm/h,生长时间为5h,共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层,得到Si/3C-SiC复合体;
(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割,去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层,具体采用金刚线切割出圆形形状,对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光,具体采用金刚石砂纸进行研磨,采用化学机械抛光方法进行抛光,抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm,4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm,将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合,实现原子级的结合,得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体;
(3)将步骤(2)所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底,得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体;
(4)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤(3)所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1550℃,生长压力为1000Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20,生长速度为100μm/h,生长时间为50h,共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层,得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体;
(5)将步骤(4)所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底,采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体,单晶体厚度为4.5mm,经XRD摇摆曲线检测,3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为45arcsec。
实施例3
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
(1)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中,所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.45nm,所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向2度,生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1000℃,生长压力为100Pa,接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为0.5μm/h,生长时间为10h,共生长了5μm的3C-SiC单晶初始层,得到Si/3C-SiC复合体;
(2)对步骤(1)所述Si/3C-SiC复合体的侧面进行切割,去除位于侧面的所述3C-SiC单晶初始层,具体采用金刚线切割出圆形形状,对于上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别进行研磨与抛光,具体采用金刚石砂纸进行研磨,采用化学机械抛光方法进行抛光,抛光后3C-SiC单晶初始层的用于键合的外表面的表面粗糙度为1.6nm,4H-SiC单晶基底的用于键合的外表面的表面粗糙度为1nm,将上下两个侧面的所述3C-SiC单晶初始层的外表面分别与两个4H-SiC单晶基底的外表面相接触进行键合,实现原子级的结合,得到Si/3C-SiC/4H-SiC复合体;
(3)将步骤(2)所述Si/3C-SiC/4H-SiC复合体采用HF酸溶液腐蚀去除Si单晶基底,得到两个4H-SiC/3C-SiC复合体;
(4)采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在步骤(3)所述4H-SiC/3C-SiC复合体的3C-SiC单晶初始层上生长3C-SiC单晶加厚层,所述4H-SiC/3C-SiC复合体通过钼丝固定于腔体内。生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1500℃,生长压力为500Pa。接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20,生长速度为50μm/h,生长时间为100h,共生长了5mm的3C-SiC单晶加厚层,得到4H-SiC/3C-SiC加厚复合体;
(5)将步骤(4)所述4H-SiC/3C-SiC加厚复合体采用金刚线切割去除4H-SiC单晶基底,采用金刚线环切获得圆形的3C-SiC单晶体,单晶体厚度为4.5mm,经XRD摇摆曲线检测,3C-SiC单晶体的(111)峰的半高宽为40arcsec。
实施例4
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:步骤(1)中所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.6nm。
实施例5
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:步骤(1)中所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向1度。
实施例6
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:步骤(1)中所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向5度。
实施例7
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:步骤(4)中生长温度为1400℃。
实施例8
本实施例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:步骤(4)中生长温度为1700℃。
对比例1
本对比例提供了一种3C-SiC单晶体的制备方法,相比于实施例1,区别仅在于:全程采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体,不再采用4H-SiC单晶基底;具体内容如下:
采用竖直进气的热壁式化学气相沉积装置在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶层,所述Si单晶基底通过钼丝固定于腔体中,所述Si单晶基底的表面粗糙度为0.25nm,所述生长的生长方向为Si单晶基底表面法向为(111)面偏[001]方向4度,生长开始时,先将腔体加热至生长温度,并维持在一定压力,生长温度为1300℃,生长压力为500Pa,接着通入原料气体和稀释气进行生长,原料气体为三氯甲基硅烷和氢气,三氯甲基硅烷和氢气的流量比为1:20。生长速度为2μm/h,生长时间为100h,共生长了200μm的3C-SiC单晶层。
将上述实施例与对比例所得3C-SiC单晶体的相关结果汇总在表1中。
表1
注:“-”表示未表征。
需要说明的是,由于对比例1在Si单晶基底上,耗时100h,仅仅生长了厚度为200μm的3C-SiC单晶层,即,厚度为0.2mm的3C-SiC单晶层,不利于去除Si单晶基底得到3C-SiC单晶体,所以并未进行XRD摇摆曲线表征。
综上所述,本发明所述制备方法先在低于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶初始层,接着将3C-SiC单晶初始层与4H-SiC单晶基底相接触进行键合,去除Si单晶基底,进一步在高于Si熔点的一定温度下,采用化学气相沉积在3C-SiC单晶初始层上快速生长3C-SiC单晶加厚层。本发明所述制备方法解决了在Si单晶基底上生长3C-SiC单晶体速度慢且难以长厚的问题,3C-SiC单晶的生长速度可达到200μm/h,制备得到的3C-SiC单晶体的厚度≥1mm,且(111)峰的半高宽小于50arcsec。
本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征,但本发明并不局限于上述详细结构特征,即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
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