像素补偿电路、显示装置和像素补偿方法

技术领域

本申请属于通信技术领域，具体涉及一种像素补偿电路、显示装置和像素补偿方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light EmittingDiode，AMOLED)显示装置中配置有多个有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，且每一个OLED对应一个像素补偿电路。

在相关技术中，像素补偿电路包括7个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动开关和1个电容，其中，TFT驱动开关为正沟道场效应晶体管(positive channel MetalOxide Semiconductor，PMOS管)，且该像素补偿电路的输入信号包括以下信号：第n行发光开关信号(EM[n])、第n行扫描信号(Scan[n])、第n-1行扫描信号(Scan[n-1])、初始复位信号(Vi)、数据信号(Vdata)以及高位信号(Vdd)。其中，7个TFT驱动开关和1个电容的连接结构复杂，且占用空间大，使得同一面积能够安装的OLED的数量少，从而使得AMOLED显示装置的像素密度(Pixels Per Inch，PPI)低。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种像素补偿电路、显示装置和像素补偿方法，能够解决相关技术中的AMOLED显示装置存在的PPI低的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种像素补偿电路，包括：发光二极管、数据信号传输端、高电压传输端、复位信号传输端、扫描信号输入端、开关信号输入端、补偿模块、驱动模块和复位模块；所述驱动模块、所述补偿模块和所述复位模块中至少一个模块包括开关晶体管；

所述扫描信号输入端分别与所述补偿模块的第一控制端、所述复位模块的控制端以及所述驱动模块的第一控制端连接，所述开关信号输入端分别与所述补偿模块的第二控制端以及所述驱动模块的第二控制端连接；

所述补偿模块的输入端与所述数据信号传输端连接，所述驱动模块的输入端与所述高电压传输端连接，所述复位模块的输入端与所述复位信号传输端连接；

所述补偿模块的输出端、所述驱动模块的输出端以及所述复位模块的输出端分别与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与基准电压传输端连接。

第二方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括第一方面所述的像素补偿电路。

第三方面，本申请实施例提供了一种像素补偿方法，应用于第二方面所述的显示装置，所述方法包括：

在第一工作状态下，经所述扫描信号输入端传输第一扫描控制信号；其中，在所述第一扫描控制信号的作用下，所述复位模块将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管的阳极和所述补偿模块的输出端连通，以复位所述发光二极管的阳极电压，并复位所述补偿模块向所述驱动模块提供的补偿电压；

在第二工作状态下，经所述扫描信号输入端传输第二扫描控制信号，并经所述开关信号输入端传输第一开关控制信号，且所述补偿模块向所述驱动模块提供补偿电压；其中，在所述第二扫描控制信号的作用下，所述复位模块将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管的阳极和所述补偿模块的输出端断开；在所述第二扫描控制信号和所述第一开关控制信号的共同作用下，所述数据信号传输端与所述驱动模块连通；在所述补偿模块提供的补偿电压的作用下，所述驱动模块将所述高电压传输端与所述发光二极管的阳极连通，以启动所述发光二极管工作。

在本申请实施例中，在驱动模块、补偿模块和复位模块中至少一个模块中设置开关晶体管，并由扫描信号输入端传输的扫描控制信号和由开关信号输入端传输的开关控制信号控制驱动模块、补偿模块和复位模块工作于不同的工作状态，以在实现像素补偿功能的同时，还能够简化像素补偿电路控制逻辑，并简化了像素补偿电路的结构，从而能够减小像素补偿电路的占用空间，进而提升显示装置的PPI。

附图说明

图1是本申请实施例提供的第一种像素补偿电路的电路图；

图2是本申请实施例提供的第一种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图；

图3是本申请实施例提供的第二种像素补偿电路的电路图；

图4是本申请实施例提供的第二种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图；

图5是本申请实施例提供的第三种像素补偿电路的电路图；

图6是本申请实施例提供的第三种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图；

图7是本申请实施例提供的一种像素补偿方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的像素补偿电路、显示装置和像素补偿方法进行详细地说明。

实施方式一

请参阅图1和图2，其中，图1是本申请实施例提供的第一种像素补偿电路的电路图；图2是本申请实施例提供的第一种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图。如图1所示，本申请实施例提供的第一种像素补偿电路包括：

发光二极管1、数据信号传输端(即如图1中所示用于传输数据信号Vdata的信号传输端)、高电压传输端(即如图1中所示用于传输高电压信号Vdd的传输端)、复位信号传输端(即如图1中所示用于传输复位信号Vi的信号传输端)、扫描信号输入端(即如图1中所示用于传输扫描控制信号Scan[n]的传输端)、开关信号输入端(即如图1中所示用于传输开关信号EM[n]的信号传输端)、补偿模块2、驱动模块3和复位模块4；驱动模块3、补偿模块2和复位模块4中至少一个模块包括开关晶体管。

上述开关晶体具体可以是NMOS管，例如：低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)NMOS管或者氧化物薄膜晶体管(再例如：铟镓锌氧化物(Indium GalliumZinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO))NMOS管。

上述像素补偿电路的具体电路结构可以是：扫描信号输入端分别与所述补偿模块2的第一控制端(可以是如图1中所示T3的栅极)、所述复位模块4的控制端(可以是如图1中所示T4的栅极)以及所述驱动模块3的第一控制端(可以是如图1中所示T6的栅极)连接，所述开关信号输入端分别与所述补偿模块2的第二控制端(可以是如图1中所示T2的栅极)以及所述驱动模块3的第二控制端(可以是如图1中所示T5的栅极)连接；

所述补偿模块2的输入端(可以是如图1中所示T2的源极)与所述数据信号传输端连接，所述驱动模块3的输入端(可以是如图1中所示T5的源极)与所述高电压传输端连接，所述复位模块4的输入端(可以是如图1中所示T4的漏极)与所述复位信号传输端连接；

所述补偿模块2的输出端(可以是如图1中所示C1的第二端)、所述驱动模块3的输出端(可以是如图1中所示T6的漏极)以及所述复位模块4的输出端(可以是如图1中所示T4的源极)均与所述发光二极管1的阳极连接，所述发光二极管1的阴极与基准电压传输端连接。

在实际应用中，上述发光二极管1为OLED，同一AMOLED显示装置上可以安装多个呈阵列排列的像素补偿电路，每一个像素补偿电路中设置有一个OLED，则上述Scan[n]信号表示第n行像素补偿电路的扫描控制信号，EM[n]信号表示第n行像素补偿电路的发光开关控制信号，本申请实施例中，第N行像素补偿电路不受第[n-1]行像素补偿电路的Scan[n-1]信号的控制，从而简化了像素补偿电路的控制逻辑和电路复杂程度，而且，还能够避免生成所述Scan[n]信号和所述EM[n]信号的集成控制电路(IC)还需要向第n行像素补偿电路输出Scan[n-1]信号，从而简化了IC输出的控制信号的数量，从而能够降低IC的生产成本。

另外，上述数据信号Vdata、高电压信号Vdd和复位信号Vi可以是稳定的电压信号，具体的，上述高电压信号Vdd可以是约为4.6v(伏特)的高电位信号；上述复位信号Vi可以是-2.5v～-3.5v之间的电压信号；上述基准电压传输端用于传输基准电压Vss，该基准电压Vss可以是-3v～-3.5v之间的低电位信号。

在第一工作状态下，扫描信号输入端传输的Scan[n]信号控制复位模块4将所述复位信号传输端分别与发光二极管1的阳极和补偿模块2的输出端连通，以复位发光二极管1的阳极电压，并复位补偿模块2向驱动模块3提供的补偿电压。

需要说明的是，在复位补偿模块2向驱动模块3提供的补偿电压的过程中，开关信号输入端传输的EM[n]信号的还控制补偿模块2进行充电储能，且控制驱动模块3将高电压传输端与发光二极管1断开连接。

在第二工作状态下，所述扫描信号输入端传输的Scan[n]信号控制所述复位模块4将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管1的阳极和所述补偿模块2的输出端断开，所述扫描信号输入端传输的Scan[n]信号和所述开关信号输入端传输的EM[n]信号控制所述数据信号传输端与所述驱动模块3连通，并使所述驱动模块3在所述补偿模块2提供的补偿电压的作用下，将所述高电压传输端与所述发光二极管1的阳极连通，以启动所述发光二极管1工作。

在具体实施中，所述驱动模块3在所述补偿模块2提供的补偿电压的作用下，将所述高电压传输端与所述发光二极管1的阳极连通，可以理解为：补偿模块2向驱动模块3提供补偿电压，以消除驱动模块3的导通阈值电压所消耗的电压，从而在驱动模块3将所述高电压传输端与所述发光二极管1的阳极连通时，能够避免驱动模块3的导通阈值电压使发光二极管1的阳极电压降低，从而能够提升流过发光二极管1的电流，使得发光二极管1的发光亮度更加稳定。

需要说明的是，本申请实施例提供的像素补偿电路还可以包括第三工作状态，其中，在第三工作状态下，所述扫描信号输入端传输的Scan[n]信号控制所述复位模块4将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管1的阳极和所述补偿模块2的输出端断开，所述扫描信号输入端传输的Scan[n]信号和所述开关信号输入端传输的EM[n]信号控制所述补偿模块2进行储能。

另外，上述第一工作状态也可以称之为复位状态，上述第三工作状态也可以称之为补偿状态，上述第二工作状态也可以称之为发光状态。其中，上述像素补偿电路在一个驱动周期内可以执行复位、补偿和发光功能，且上述第三工作状态下，补偿模块2进行储能，以在第二工作状态下，通过补偿模块2消除驱动模块3的阈值电压(即Vgsth)，从而使得流过发光二极管的电流更加稳定。

如图1所示，本申请实施例提供的第一种像素补偿电路中，驱动模块3包括：驱动晶体开关T1、第一晶体开关T5和第二晶体开关T6；

第一晶体开关T5的源极与所述高电压传输端连接，所述第一晶体开关T5的栅极与所述开关信号输入端连接，所述第一晶体开关T5的漏极与所述驱动晶体开关T1的源极连接；

所述驱动晶体开关T1的漏极与所述第二晶体开关T6的源极连接，所述驱动晶体开关T1的栅极通过所述补偿模块2与所述驱动晶体开关T1的源极连接，所述驱动晶体开关T1的漏极还通过所述补偿模块2与所述数据信号传输端连接；

所述第二晶体开关T6的漏极分别与所述发光二极管1的阳极、所述复位模块4以及所述补偿模块2连接，所述第二晶体开关T6的栅极与所述扫描信号输入端连接。

另外，补偿模块2包括：第三晶体开关T2、第四晶体开关T3和电容C1；

所述第三晶体开关T2的源极与所述数据信号传输端连接，所述第三晶体开关T2的漏极与所述驱动晶体开关T1的漏极连接，所述第三晶体开关T2的栅极与所述开关信号输入端连接；

所述第四晶体开关T3的源极与所述驱动晶体开关T1的源极连接，所述第四晶体开关T3的漏极分别与所述驱动晶体开关T1的栅极和所述电容C1的第一端连接，所述第四晶体开关T3的栅极与所述扫描信号输入端连接；

所述电容C1的第二端分别与所述复位模块4和所述发光二极管1的阳极连接。

进一步的，复位模块4包括：第五晶体开关T4，第五晶体开关T4的栅极与所述扫描信号输入端连接；第五晶体开关T4的源极连接于所述复位信号传输端；第五晶体开关T4的漏极连接于电容C1的第二端。

如图1所示实施例中，驱动晶体开关T1、第一晶体开关T5、第四晶体开关T3以及第五晶体开关T4为NMOS管；第三晶体开关T2和第二晶体开关T6为PMOS管。

本实施方式下，Scan[n]信号也可以称之为第一脉冲信号，EM[n]信号也可以称之为第二脉冲信号，该第一脉冲信号和第二脉冲信号的时序脉冲图如图2所示。

具体的，在第一帧时间t1内，Scan[n]信号为高电位(也可以称之为：高脉冲信号)，EM[n]信号为高电位。此时，作为NMOS管的T3、T4和T5导通，作为PMOS管的T2和T6断开。此时，如图1中所述A电的电位等于Vdd，且C1两端的电位分别为Vdd和Vi，此时C1充电，即且T1的栅极电压开始缓慢提升。

然后，在第二帧时间t2内，Scan[n]信号为高电位，EM[n]信号为低电位(也可以称之为：低脉冲信号)。此时作为NMOS管的T5断开，作为PMOS管的T2和T6导通，且作为NMOS管的T3和T4导通。如图1中所示C点的电位为Vdata，T1的栅极和漏极短接，A点电位为VA＝Vdd，其大于Vgsth，即此时T1相当于二极管，且T1导通，此时，C1开始放电，直到C1放电至使A点电位为Vdata+Vth时T1截止。该过程中，能够使C1中存储T1的阈值电压Vgsth。

最后，在第三帧时间t3内，Scan[n]信号为低电位，EM[n]信号为高电位。作为NMOS管的T3和T4断开，作为PMOS管的T6导通，作为NMOS管的T5导通，作为PMOS管的T2断开。此时，T1的栅极(即A点)的电位为：Vdata+Vth，漏极(即C点)电位为：Vdata，源极电位为：Vdd，因此，T1的栅极和源极的电位差Vgs＝(Vdata+Vgsth)-Vdd，从而经过T1的电流为：Ids＝(1/2)K[Vgs-Vth]

其中，K＝C

该过程中，由补偿模块2向驱动模块3提供补偿电压，该补偿电压可以等于Vgsth，用于弥补T1的导通压差。

在具体实施中，上述MOS管导通是指该MOS管的源极与漏极导通，上述MOS管断开是指该MOS管的源极与漏极断开。

本实施方式中，将T3和T4设置为NMOS管结构，这样，在具有较长时间长度的t3内该T3和T4断开，而仅在时间长度较短的t1和t2内该T3和T4导通，可以缩短T3和T4的导通时间，从而减小该T3和T4在导通时的泄漏电压，从而能够减少像素补偿电路的能耗，并进一步减少补偿电路所存储的电压在t1和t2时间内发生泄漏，从而能够在t3时间内提升发光二极管的亮度。

作为一种可选的实施方式，T1为LTPS NMOS管，且T3和T4为氧化物NMOS管。

在具体实施中，相较于LTPS NMOS，氧化物NMOS管具有更加良好的截止电流特性，从而能够减少T3和T4在截止状态的泄露电流，能够减少像素补偿电路的能耗，进而能够提升发光二极管的亮度。

另外，T1采用LTPS NMOS管结构，能够使T1具有足够的驱动能力。

当然，T6、T3以及T4中的至少一个也可以是LTPS NMOS管，在此不作具体限定。

本申请实施例中，相较于现有技术中的7T1C的电路结构，在像素补偿电路中设置NMOS管，能够减少TFT驱动开关的数量，仅需6T1C边能够实现像素补偿功能，并且，无需采集第n-1行发光二极管的扫描信号以对第n行发光二极管的像素补偿电路进行控制，从而能够简化像素补偿电路的电路复杂程度和控制逻辑，有利于提升像素驱动电路的良品率。另外，通过简化像素补偿电路的电路复杂程度和减少TFT数量，能够减小像素补偿电路的体积，从而能够在固定面积的AMOLED显示装置上设置更多的发光二极管和其对应的像素补偿电路，从而提升了AMOLED显示装置的像素密度。

实施方式二

请参阅图3和图4，其中，图3是本申请实施例提供的第二种像素补偿电路的电路图；图4是本申请实施例提供的第二种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图。

与如图1和图2所示第一种像素补偿电路的不同之处在于，如图3所示像素补偿电路中，T1、T5以及T6为NMOS管；T2、T3以及T4为PMOS管。

且本实施方式下，Scan[n]信号和EM[n]信号分别呈如图4所示的脉冲信号。

具体的，在第一帧时间t1内，Scan[n]信号为低电位(也可以称之为：低脉冲信号)，EM[n]信号为高电位。此时，在Scan[n]信号和EM[n]信号的作用下，作为PMOS管的T3和T4导通，作为NMOS管的T6断开，作为NMOS管的T5导通，且作为PMOS管的T2断开。此时，如图3中所述A点的电位等于Vdd，且C1两端的电位分别为Vdd和Vi，此时C1充电，即且T1的栅极电压开始缓慢提升。

然后，在第二帧时间t2内，Scan[n]信号为低电位，EM[n]信号为低电位。此时作为NMOS管的T5和T6断开，作为PMOS管的T2、T3和T4导通。如图3中所示C点的电位为Vdata，T1的栅极和漏极短接，A点电位为VA＝Vdd，其大于Vgsth，即此时T1相当于二极管，且T1导通，此时，C1开始放电，直到C1放电至使A点电位为Vdata+Vth时T1截止。该过程中，能够使C1中存储T1的阈值电压Vgsth。

最后，在第三帧时间t3内，Scan[n]信号为高电位，EM[n]信号为高电位。作为NMOS管的T5和T6导通，作为PMOS管的T3、T4和T2断开。此时，T1的栅极(即A点)的电位为：Vdata+Vth，漏极(即C点)电位为：Vdata，源极电位为：Vdd，因此，T1的栅极和源极的电位差Vgs＝(Vdata+Vgsth)-Vdd，从而经过T1的电流为：Ids＝(1/2)K[Vgs-Vth]

其中，K＝C

该过程中，由补偿模块2向驱动模块3提供补偿电压，该补偿电压可以等于Vgsth，用于弥补T1的导通压差。

本实施方式中，上述T3、T4和T2可以是LTPS PMOS管，上述T5和T6可以是氧化物NMOS管，上述T1可以是LTPS NMOS管。

本实施方式中，T5和T6可以是氧化物NMOS管，在T5和T6断开时，能够利用氧化物NMOS管具有的良好的截止特性，减少T5和T6的漏电电流，从而减小像素补偿电路的功耗。

本实施方式提供的像素补偿电路，通过改变Scan[n]信号和EM[n]信号的脉冲变化趋势，能够实现与如图1所示像素补偿电路相同的功能，且取得相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

实施方式三

请参阅图5和图6，其中，图5是本申请实施例提供的第三种像素补偿电路的电路图；图6是本申请实施例提供的第三种像素补偿电路中扫描控制信号和开关控制信号的时序脉冲图。

与如图1和图2所示第一种像素补偿电路的不同之处在于，如图5所示像素补偿电路中，T1、T2、T3以及T4为NMOS管；T5和T6为PMOS管。

且本实施方式下，Scan[n]信号和EM[n]信号分别呈如图6所示的脉冲信号。

具体的，在第一帧时间t1内，Scan[n]信号为高电位(也可以称之为：高脉冲信号)，EM[n]信号为低电位(也可以称之为：低脉冲信号)。此时，作为NMOS管的T3和T4导通，作为PMOS管的T5导通，作为NMOS管的T2断开，且作为PMOS管的T6断开。此时，如图5中所述A电的电位等于Vdd，且C1两端的电位分别为Vdd和Vi，此时C1充电，即且T1的栅极电压开始缓慢提升。

然后，在第二帧时间t2内，Scan[n]信号为高电位，EM[n]信号为高电位。此时作为PMOS管的T5和T6断开，作为NMOS管的T2、T3和T4导通。如图5中所示C点的电位为Vdata，T1的栅极和漏极短接，A点的电位为VA＝Vdd，其大于Vgsth，即此时T1相当于二极管，且T1导通，此时，C1开始放电，直到C1放电至使A点的电位为Vdata+Vth时T1截止。该过程中，能够使C1中存储T1的阈值电压Vgsth。

最后，在第三帧时间t3内，Scan[n]信号为低电位，EM[n]信号为低电位。作为NMOS管的T2、T3和T4断开，作为PMOS管的T5和T6导通。此时，T1的栅极(即A点)的电位为：Vdata+Vth，漏极(即C点)电位为：Vdata，源极电位为：Vdd，因此，T1的栅极和源极的电位差Vgs＝(Vdata+Vgsth)-Vdd，从而经过T1的电流为：Ids＝(1/2)K[Vgs-Vth]

其中，K＝C

该过程中，由补偿模块2向驱动模块3提供补偿电压，该补偿电压可以等于Vgsth，用于弥补T1的导通压差。

本实施方式中，T3和T4可以是氧化物NMOS管，在T3和T4断开时，能够利用氧化物NMOS管具有的良好的截止特性，减少T3和T4的漏电电流，从而减小像素补偿电路的功耗。

本实施方式提供的像素补偿电路，通过改变Scan[n]信号和EM[n]信号的脉冲变化趋势，能够实现与如图1所示像素补偿电路相同的功能，且取得相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种显示装置，该显示装置可以包括本申请实施例提供的任一种像素补偿电路。

在具体实施中，本申请实施例提供的显示装置具体可以称之为为AMOLED显示装置，该AMOLED显示装置中可以包括多个呈阵列分布的像素补偿电路，且还可以包括控制IC，以使控制IC输出每一行像素补偿电路的像素驱动信号(包括扫描控制信号和开关控制信号)。

其中，第(n+1)行的像素补偿电路的扫描控制信号Scan[n+1]比第n行的像素补偿电路的扫描控制信号Scan[n]延迟一个t1时间帧的长度，且第(n+1)行的像素补偿电路的开关控制信号EM[n+1]比第n行的像素补偿电路的开关控制信号WM[n]延迟一个t1时间帧的长度。

具体的，如图2、图4和图6所示，第二时间帧t2内的Scan[n+1]信号与第一时间帧t1内的Scan[n]信号相同，第三时间帧t3内的Scan[n+1]信号与第二时间帧t2内的Scan[n]信号相同；且第二时间帧t2内的EM[n+1]信号与第一时间帧t1内的EM[n]信号相同，第三时间帧t3内的EM[n+1]信号与第二时间帧t2内的EM[n]信号相同，并可以依次类推。

其中，n可以是0至AMOLED显示装置中包括的像素补偿电路的行数N之间的任一整数。

需要说明的是，本申请实施例提供的AMOLED显示装置可以是具有LTPS AMOLED硬屏、柔性屏或者折叠屏的显示装置，也可以是具有低温多晶氧化物(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，LTPO)AMOLED像素驱动电路的显示装置，即AMOLED显示装置中的像素驱动电路包括LTPO NMOS管。

本申请实施例提供的AMOLED显示装置中，配置有结构简单且控制逻辑简单的像素补偿电路，从而能够较小像素补偿电路的占用空间，以及简化控制IC输出的像素驱动信号的复杂程度，能够提升AMOLED显示装置的像素密度，并且能够降低AMOLED显示装置的生产成本。

请参阅图7，是本申请实施例提供的一种像素补偿方法的流程图，该像素补偿方法能够应用于本申请上一实施例中提供的显示装置，如图7所示，该像素补偿方法可以包括以下步骤：

步骤701、在第一工作状态下，经所述扫描信号输入端传输第一扫描控制信号；其中，在所述第一扫描控制信号的作用下，所述复位模块将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管的阳极和所述补偿模块的输出端连通，以复位所述发光二极管的阳极电压，并复位所述补偿模块向所述驱动模块提供的补偿电压；

步骤702、在第二工作状态下，经所述扫描信号输入端传输第二扫描控制信号，并经所述开关信号输入端传输第一开关控制信号，且所述补偿模块向所述驱动模块提供补偿电压；其中，在所述第二扫描控制信号的作用下，所述复位模块将所述复位信号传输端分别与所述发光二极管的阳极和所述补偿模块的输出端断开；在所述第二扫描控制信号和所述第一开关控制信号的共同作用下，所述数据信号传输端与所述驱动模块连通；在所述补偿模块提供的补偿电压的作用下，所述驱动模块将所述高电压传输端与所述发光二极管的阳极连通，以启动所述发光二极管工作。

在实施中，上述第一工作状态与如图1至图6所示实施例中的像素补偿电路中的第一工作状态具有相同含义，且上述第二工作状态与如图1至图6所示实施例中的像素补偿电路中的第二工作状态具有相同含义，在此不再赘述。

作为一种可选的实施方式，所述扫描信号输入端用于传输第一脉冲信号，所述开关信号输入端用于传输第二脉冲信号；在第一帧时间和第二帧时间内，所述第一脉冲信号为高脉冲信号，在第三帧时间内，所述第一脉冲信号为低脉冲信号，所述第二脉冲信号与所述第一脉冲信号对应；

其中，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的驱动周期包括按时序排列的所述第一帧时间、所述第二帧时间和所述第三帧时间，且所述第一帧时间和所述第二帧时间的时间长度之和小于所述第三帧时间的时间长度。

需要说明的是，本申请实施例提供的像素补偿方法应用于包括如图1至图6所示实施例中的像素补偿电路的显示装置，本申请实施例提供的像素补偿方法与如图1至图6所示实施例中的像素补偿电路的工作流程对应，对于重复的内容，这里不再赘述。

本申请实施例提供的像素补偿方法，具有与本申请实施例提供的像素补偿电路相同的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述像素补偿电路AMOLED显示装置或者执行的各个过程。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。