一种天线和天线的加工方法

技术领域

本申请涉及天线技术领域，尤其涉及一种天线和天线的加工方法。

背景技术

在5G移动通信的背景下，多输入多输出(mult-input and multi-ouput，MIMO)通信系统对天线的结构提出了更高的要求。

图1和图2为现有技术中应用于多输入多输出通信系统的一种天线，如图1和图2所示，天线包括馈电底板01、辐射装置阵列和屏蔽框03，辐射装置阵列设置于馈电底板01上，辐射装置阵列包括多个阵列设置的辐射装置02，辐射装置阵列能够实现多路信号输入和多路信号输出，馈电底板01用于向辐射装置阵列馈电，屏蔽框03用于屏蔽多个辐射装置02，以防止每个辐射装置02与其他辐射装置02之间产生串扰。目前，每个辐射装置02与馈电底板01之间，以及辐射装置02内部各零部件之间均通过焊接、结构连接等方式进行装配，这样，天线包括的零部件较多，结构复杂度较大，涉及大量的组装操作和焊接操作，装配难度较高，且天线内部的焊点、连接点多，难以保证天线的性能指标。

发明内容

本申请的实施例提供一种天线和天线的加工方法，能够降低天线的结构复杂度和装配难度，保证天线的性能。

为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本申请实施例提供一种天线，包括馈电底板和设置于馈电底板上的多个辐射装置，馈电底板用于向多个辐射装置馈电；辐射装置由第一绝缘基体和附着于第一绝缘基体上的第一导电金属层构成，馈电底板由板状的第二绝缘基体和附着于第二绝缘基体上的第二导电金属层构成，第一绝缘基体与第二绝缘基体一体成型。

本申请实施例提供的天线，由于该天线包括馈电底板和设置于馈电底板上的多个辐射装置，辐射装置由第一绝缘基体和附着于第一绝缘基体上的第一导电金属层构成，馈电底板由第二绝缘基体和附着于第二绝缘基体上的第二导电金属层构成，第一绝缘基体与第二绝缘基体一体成型，因此，第一绝缘基体和第二绝缘基体形成一体式结构，通过在第一绝缘基体上附着第一导电金属层，第二绝缘基体上附着第二导电金属层，并使第一导电金属层和第二导电金属层相接，即可实现辐射装置与馈电底板之间的导通，这样，辐射装置与馈电底板之间以及辐射装置内部无需通过焊接、结构连接等方式进行装配，因此天线包括的零部件较少，结构复杂度较低，无需焊接和组装操作，因此装配难度较小，且内部无焊点和连接点，因此能够保证天线的性能。

结合第一方面，在第一方面的第一种可选实现方式中，第一绝缘基体包括辐射基部和馈电基部，辐射基部为板状结构，且辐射基部与第二绝缘基体平行，馈电基部连接于辐射基部与第二绝缘基体之间，馈电基部为柱状结构，馈电基部的长度方向与第二绝缘基体垂直，柱状结构的截面为十字形截面，馈电基部包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱以及被中心柱分隔成的四个馈电基板，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板和第三馈电基板以及相对的第二馈电基板和第四馈电基板；多个辐射装置沿第一馈电基板和第二馈电基板之间夹角的平分线排列，多个辐射装置的第一馈电基板和第二馈电基板之间夹角的平分线平行，第一馈电基板和第二馈电基板围成的夹角区域为第一区域，第三馈电基板和第四馈电基板围成的夹角区域为第二区域，第二绝缘基体对应第一区域的部分开设有第一通孔，第二绝缘基体对应第二区域的部分开设有第二通孔；第一导电金属层包括辐射金属层和馈电金属层，辐射金属层附着于辐射基部上，馈电金属层附着于馈电基部上。这样，采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，其中，第一方向和第二方向为平行于第二绝缘基体且垂直于多个辐射装置的排列方向的两个相反方向，第三方向为垂直于第二绝缘基体且由第二绝缘基体指向第二绝缘基体背离第一绝缘基体的一侧的方向。此种结构的第一绝缘基体为常用的双极化辐射装置的基体结构，应用范围较广。

结合第一方面的第一种可选实现方式，在第一方面的第二种可选实现方式中，相邻两个辐射装置之间设有加强板，加强板与第二绝缘基体以及相邻两个辐射装置的辐射基部连接。这样，可以通过加强板提高多个第一绝缘基体与第二绝缘基体之间的连接强度。

结合第一方面的第二种可选实现方式，在第一方面的第三种可选实现方式中，加强板与多个辐射装置的排列方向平行，且加强板与第二绝缘基体垂直，加强板与第二绝缘基体一体成型。这样，在采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具成型多个第一绝缘基体和第二绝缘基体的同时，可以成型加强板，天线包括的零部件较少，装配难度较低。

结合第一方面的第一种、第二种或第三种可选实现方式，在第一方面的第四种可选实现方式中，馈电金属层包括第一馈电金属层和第二馈电金属层；第一馈电基板靠近中心柱的位置设有第三通孔，第三通孔靠近中心柱的一个内表面与第二馈电基板的表面和第四馈电基板的表面共面，第一馈电金属层附着于第二馈电基板的表面、第三通孔靠近中心柱的一个内表面以及第四馈电基板的表面上；第二馈电基板靠近中心柱的位置设有第四通孔，第四通孔靠近中心柱的一个内表面与第一馈电基板的表面和第三馈电基板的表面共面，第二馈电金属层附着于第一馈电基板的表面、第四通孔靠近中心柱的一个内表面以及第三馈电基板的表面上；第三通孔至第二绝缘基体的距离与第四通孔至第二绝缘基体的距离不同。这样，可以通过第一馈电金属层和第二馈电金属层两个馈电结构向辐射金属层馈电，此结构简单，容易实现。

结合第一方面的第四种可选实现方式，在第一方面的第五种可选实现方式中，第三通孔远离中心柱的一个内表面与多个辐射装置的排列方向垂直，连接于第三通孔靠近中心柱的一个内表面与第三通孔远离中心柱的一个内表面之间的两个内表面与第二绝缘基体平行；第四通孔远离中心柱的一个内表面与多个辐射装置的排列方向垂直，连接于第四通孔靠近中心柱的一个内表面与第四通孔远离中心柱的一个内表面之间的两个内表面与第二绝缘基体平行。这样，在采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具成型多个第一绝缘基体和第二绝缘基体的同时，可以成型此第三通孔和第四通孔，降低了天线的成型难度。

结合第一方面的第一种、第二种或第三种可选实现方式，在第一方面的第六种可选实现方式中，馈电金属层包括第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层；第一馈电金属层附着于第一馈电基板上，第二馈电金属层附着于第二馈电基板上，第三馈电金属层附着于第三馈电基板上，第四馈电金属层附着于第四馈电基板上。这样，可以通过第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层四个馈电结构分别向辐射金属层馈电，无需在馈电基部上开孔。

结合第一方面，在第一方面的第七种可选实现方式中，第一绝缘基体包括辐射基部和馈电基部，辐射基部为板状结构，且辐射基部与第二绝缘基体平行，馈电基部连接于辐射基部与第二绝缘基体之间，馈电基部为柱状结构，馈电基部的长度方向与第二绝缘基体垂直，柱状结构的截面为十字形截面，馈电基部包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱以及被中心柱分隔成的四个馈电基板，四个馈电基板远离中心柱的一端在辐射基部所处平面上的投影均位于辐射基部的边沿外，第二绝缘基体上与辐射基部相对的区域开设有第五通孔；第一导电金属层包括辐射金属层和馈电金属层，辐射金属层附着于辐射基部上，馈电金属层附着于馈电基部上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，且此种结构的第一绝缘基体为常用的双极化辐射装置的基体结构，应用范围较广。

结合第一方面的第七种可选实现方式，在第一方面的第八种可选实现方式中，馈电金属层包括第一馈电金属层和第二馈电金属层，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板和第三馈电基板以及相对的第二馈电基板和第四馈电基板；第一馈电基板连接第二绝缘基体的一端端面上靠近中心柱的位置设有第一缺口，第一缺口靠近中心柱的一个内侧面与第二馈电基板的表面以及第四馈电基板的表面共面，第一馈电金属层附着于第二馈电基板的表面、第一缺口靠近中心柱的一个内侧面以及第四馈电基板的表面上；辐射基部背离馈电基部的表面与第二馈电基板靠近中心柱的一端相对的位置开设有第一凹槽，第一凹槽沿深度方向伸入第二馈电基板靠近中心柱的一端内，且第一凹槽靠近中心柱的一个内侧面与第一馈电基板的表面以及第三馈电基板的表面共面，第一馈电金属层附着于第一馈电基板的表面、第一凹槽靠近中心柱的一个内侧面以及第三馈电基板的表面上。这样，可以通过第一馈电金属层和第二馈电金属层两个馈电结构向辐射金属层馈电，此结构简单，容易实现。

结合第一方面的第七种可选实现方式，在第一方面的第九种可选实现方式中，馈电金属层包括第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板和第三馈电基板以及相对的第二馈电基板和第四馈电基板；第一馈电金属层附着于第一馈电基板上，第二馈电金属层附着于第二馈电基板上，第三馈电金属层附着于第三馈电基板上，第四馈电金属层附着于第四馈电基板上。这样，可以通过第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层四个馈电结构分别向辐射金属层馈电，无需在馈电基部上设置缺口或者凹槽。

结合第一方面，在第一方面的第十种可选实现方式中，第二绝缘基体包括第一表面和背离第一表面的第二表面，第一绝缘基体包括辐射基部和馈电基部，辐射基部为设置于第一表面的凸台，第二表面上与辐射基部相对的位置设有第二凹槽，馈电基部设置于第二凹槽内，且馈电基部为长度方向与第二绝缘基体垂直的柱状结构；第一导电金属层包括辐射金属层和馈电金属层，辐射金属层附着于辐射基部上，馈电金属层附着于馈电基部上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，模具简单，容易实现。

结合第一方面，在第一方面的第十一种可选实现方式中，第一绝缘基体为长度方向与第二绝缘基体垂直的柱状结构，第一导电金属层包括辐射金属层和馈电金属层，辐射金属层和馈电金属层均附着于第一绝缘基体上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，模具简单，容易实现。

结合第一方面的第十一种可选实现方式，在第一方面的第十二种可选实现方式中，柱状结构的截面为十字形截面。这样，第一绝缘基体的结构简单，成型模具结构简单，容易制作。

结合第一方面的第十二种可选实现方式，在第一方面的第十三种可选实现方式中，第一绝缘基体包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱以及被中心柱分隔成的四个绝缘基板，四个绝缘基板包括相对的第一绝缘基板和第三绝缘基板以及相对的第二绝缘基板和第四绝缘基板；馈电金属层包括第一馈电金属层和第二馈电金属层；第二绝缘基体背离第一绝缘基体的表面与第一绝缘基板靠近中心柱的一端相对的位置开设有第三凹槽，第三凹槽沿深度方向伸入第一绝缘基板靠近中心柱的一端内，第三凹槽靠近中心柱的一个内侧面与第二绝缘基板的表面以及第四绝缘基板的表面共面，第一馈电金属层附着于第二绝缘基板的表面、第三凹槽靠近中心柱的一个内侧面以及第四绝缘基板的表面上；第二绝缘基板远离第二绝缘基体的端面靠近中心柱的位置开设有第二缺口，第二缺口靠近中心柱的一个内侧面与第一绝缘基板的表面以及第三绝缘基板的表面共面，第二馈电金属层附着于第一绝缘基板的表面、第二缺口靠近中心柱的一个内侧面以及第三绝缘基板的表面上。这样，可以通过第一馈电金属层和第二馈电金属层两个馈电结构向辐射金属层馈电，此结构简单，容易实现。

结合第一方面的第十一种可选实现方式，在第一方面的第十四种可选实现方式中，柱状结构包括位于中心的第一柱状结构和位于边沿的四个第二柱状结构，第一柱状结构的截面为十字形截面，第一柱状结构包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱以及被中心柱分隔成的四个绝缘板，四个第二柱状结构一一对应连接于四个绝缘板远离中心柱的一端，第二柱状结构为空心柱；辐射金属层设置于四个第二柱状结构远离第二绝缘基体的一端端面上，馈电金属层附着于第一柱状结构的侧面和四个第二柱状结构的侧面上。此结构用于设置辐射金属层的区域较大，辐射装置的辐射性能较优。

结合第一方面至第一方面的第十四种可选实现方式中任一种可选实现方式，在第一方面的第十五种可选实现方式中，天线还包括屏蔽框，该屏蔽框包括第一表面和背离第一表面的第二表面，屏蔽框围成有多个贯穿第一表面和第二表面的空腔，多个空腔与多个辐射装置一一对应，屏蔽框的第一表面固定于第二绝缘基体上，每个辐射装置均位于该辐射装置对应的空腔内。通过屏蔽框可以避免每个辐射装置与其他辐射装置之间产生串扰。

结合第一方面的第十五种可选实现方式，在第一方面的第十六种可选实现方式中，屏蔽框由第三绝缘基体和附着于第三绝缘基体上的第三导电金属层构成，第三绝缘基体与第二绝缘基体一体成型。这样，可以减小天线包括的零部件的数量，降低天线的装配复杂度。

结合第一方面至第一方面的第十六种可选实现方式中任一种可选实现方式，在第一方面的第十七种可选实现方式中，第一绝缘基体和第二绝缘基体的材料在600MHz～6GHz范围内的介电损耗角正切小于0.01。这样，第一绝缘基体和第二绝缘基体的材料在施加电场后介电损耗较小，发热量较小，天线的性能较优。

结合第一方面的第十七种可选实现方式，在第一方面的第十八种可选实现方式中，第一绝缘基体和第二绝缘基体的材料为聚苯硫醚(polyphenylene sulphide，PPS)及其改性材料、聚苯醚(polyphenylene oxide，PPO)及其改性材料、液晶高分子(liquidcrystal polymer，LCP)及其改性材料、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)及其改性材料、间规聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene，SPS)及其改性材料、环状聚烯烃及其改性材料、氟塑料及其改性材料。

第二方面，本申请实施例提供一种天线的加工方法，天线包括馈电底板和设置于馈电底板上的多个辐射装置，辐射装置由第一绝缘基体和附着于第一绝缘基体上的第一导电金属层构成，馈电底板由板状的第二绝缘基体和附着于第二绝缘基体上的第二导电金属层构成，加工方法包括：将多个辐射装置的第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，形成一体式结构；在一体式结构上附着导电金属层，导电金属层包括多个辐射装置的第一导电金属层和第二导电金属层。

本申请实施例提供的天线的加工方法，由于该加工方法包括：将多个辐射装置的第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，形成一体式结构；在一体式结构上附着导电金属层，导电金属层包括多个辐射装置的第一导电金属层和第二导电金属层，因此，辐射装置与馈电底板之间以及辐射装置内部无需通过焊接、结构连接等方式进行装配，因此天线包括的零部件较少，结构复杂度较低，无需焊接和组装操作，因此装配难度较小，且内部无焊点和连接点，因此能够保证天线的性能。

结合第二方面，在第二方面的第一种可选实现方式中，在一体式结构上附着导电金属层包括：在一体式结构的表面附着金属打底层；绝缘隔离第一区域的金属打底层和第二区域的金属打底层，第一区域为一体式结构的表面上待设置导电金属层的区域，第二区域为一体式结构的表面上除待设置导电金属层的区域外的区域；采用电镀工艺在第一区域的金属打底层上附着导电金属层；去除第二区域的金属打底层。此方法简单，电镀工艺成熟，容易实现。

附图说明

图1为现有技术提供的一种不包括屏蔽框的天线的装配图；

图2为现有技术提供的一种天线的爆炸图；

图3为本申请实施例提供的第一种天线的正面结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第一种天线的背面结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第二种天线的立体图；

图6为本申请实施例提供的第二种天线去除辐射基部和辐射金属层后的结构的立体图；

图7为本申请实施例提供的第二种天线中第一馈电基板、第四馈电基板、第一馈电金属层和第三通孔的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的第二种天线中第一馈电基板、第二馈电基板、第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三通孔和第四通孔的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的第二种天线中第二馈电基板、第三馈电基板、第二馈电金属层和第四通孔的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的第二种天线去除辐射基部和辐射金属层后的结构的俯视图；

图11为本申请实施例提供的第三种天线的正面结构示意图；

图12为本申请实施例提供的第三种天线的背面结构示意图；

图13为本申请实施例提供的第三种天线的正面的局部结构示意图；

图14为本申请实施例提供的第三种天线中第一馈电基板、第二馈电基板、第三馈电基板、第四馈电基板和第一凹槽的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的第三种天线中第一馈电基板、第二馈电基板、第一馈电金属层、第二馈电金属层、第一缺口和第五通孔的结构示意图；

图16为本申请实施例提供的第四种天线的正面结构示意图；

图17为本申请实施例提供的第四种天线的背面结构示意图；

图18为图17中区域I的局部结构示意图；

图19为本申请实施例提供的第五种天线的正面结构示意图；

图20为本申请实施例提供的第五种天线的背面结构示意图；

图21为本申请实施例提供的第五种天线的正面的第一个局部结构示意图；

图22为本申请实施例提供的第五种天线的正面的第二个局部结构示意图；

图23为本申请实施例提供的第五种天线的背面的局部结构示意图；

图24为本申请实施例提供的第六种天线的正面结构示意图；

图25为本申请实施例提供的第六种天线的正面的局部结构示意图；

图26为本申请实施例提供的天线的加工方法的第一种流程图；

图27为本申请实施例提供的天线的加工方法的第二种流程图。

具体实施方式

第一方面，本申请实施例提供一种天线，如图3和图4所示，包括馈电底板2和设置于馈电底板2上的多个辐射装置1，馈电底板2用于向多个辐射装置1馈电；辐射装置1由第一绝缘基体11和附着于第一绝缘基体11上的第一导电金属层12构成，馈电底板2由板状的第二绝缘基体21和附着于第二绝缘基体21上的第二导电金属层22构成，第一绝缘基体11与第二绝缘基体21一体成型。

需要说明的是，第一导电金属层12是指用于实现信号辐射、信号传输或阻抗匹配等功能的导电金属层，第二导电金属层22是指用于实现功率分配、相位调整或信号传输等功能的导电金属层，为了使馈电底板2能够向辐射装置1馈电，第一导电金属层12和第二导电金属层22应相接，以实现电信号导通。

本申请实施例提供的天线，如图3和图4所示，由于该天线包括馈电底板2和设置于馈电底板2上的多个辐射装置1，辐射装置1由第一绝缘基体11和附着于第一绝缘基体11上的第一导电金属层12构成，馈电底板2由第二绝缘基体21和附着于第二绝缘基体21上的第二导电金属层22构成，第一绝缘基体11与第二绝缘基体21一体成型，因此，第一绝缘基体11和第二绝缘基体21形成一体式结构，通过在第一绝缘基体11上附着第一导电金属层12，第二绝缘基体21上附着第二导电金属层22，并使第一导电金属层12和第二导电金属层22相接，即可实现辐射装置1与馈电底板2之间的导通，这样，辐射装置1与馈电底板2之间以及辐射装置1内部无需通过焊接、结构连接等方式进行装配，因此天线包括的零部件较少，结构复杂度较低，无需焊接和组装操作，因此装配难度较小，且内部无焊点和连接点，因此能够保证天线的性能。

在上述实施例中，第一绝缘基体11的结构形状有多种，在此不做具体限定。

在第一种可选实施例中，如图5所示，第一绝缘基体11包括辐射基部111和馈电基部112，辐射基部111为板状结构，且辐射基部111与第二绝缘基体21平行，馈电基部112连接于辐射基部111与第二绝缘基体21之间，馈电基部112为柱状结构，馈电基部112的长度方向与第二绝缘基体21垂直，柱状结构的截面为十字形截面，如图6所示，馈电基部112包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱112e以及被中心柱112e分隔成的四个馈电基板，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板112a和第三馈电基板112c以及相对的第二馈电基板112b和第四馈电基板112d；多个辐射装置1沿第一馈电基板112a和第二馈电基板112b之间夹角的平分线(也即是图10中的线l)排列，多个辐射装置1的第一馈电基板112a和第二馈电基板112b之间夹角的平分线平行，第一馈电基板112a和第二馈电基板112b围成的夹角区域(也即是图10中的区域m)为第一区域，第三馈电基板112c和第四馈电基板112d围成的夹角区域(也即是图10中的区域n)为第二区域，如图7和图10所示，第二绝缘基体21对应第一区域的部分开设有第一通孔5，第二绝缘基体21对应第二区域的部分开设有第二通孔6；如图5所示，第一导电金属层12包括辐射金属层121和馈电金属层122，辐射金属层121附着于辐射基部111上，馈电金属层122附着于馈电基部112上。这样，采用沿第一方向(也即是图5中的方向A)、第二方向(也即是图5中的方向B)和第三方向(也即是图7中的方向C)出模的模具即可将多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21一体成型，其中，如图5所示，第一方向和第二方向为平行于第二绝缘基体21且垂直于多个辐射装置1的排列方向的两个相反方向，如图7所示，第三方向为垂直于第二绝缘基体21且由第二绝缘基体21指向第二绝缘基体21背离第一绝缘基体11的一侧的方向。此种结构的第一绝缘基体11为常用的双极化辐射装置1的基体结构，应用范围较广。

在上述实施例中，如图10所示，第一馈电基板112a和第二馈电基板112b之间夹角的平分线(也即是图10中的线l)是指：第一馈电基板112a厚度方向的平分面e与第二馈电基板112b厚度方向的平分面f之间夹角的平分线。第一馈电基板112a靠近第二馈电基板112b的侧面为第一侧面，第二馈电基板112b靠近第一馈电基板112a的侧面为第二侧面，所述第一侧面远离中心柱112e的一个边与第二侧面远离中心柱112e的一个边所形成的平面为第一平面，第一馈电基板112a和第二馈电基板112b围成的夹角区域是指由第一侧面、第二侧面和第一平面所围成的空间区域，也即是图10中的区域m。第三馈电基板112c靠近第四馈电基板112d的侧面为第三侧面，第四馈电基板112d靠近第三馈电基板112c的侧面为第四侧面，第三侧面远离中心柱112e的一个边与第四侧面远离中心柱112e的一个边所形成的平面为第二平面，第三馈电基板112c和第四馈电基板112d围成夹角区域是指第三侧面、第四侧面和第二平面围成的空间区域，也即是图10中的区域n。

需要说明的是，第一区域在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第一投影区域，第一通孔5在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第二投影区域，第二区域在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第三投影区域，第二通孔6在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第四投影区域，第一投影区域、第二投影区域、第三投影区域和第四投影区域均为三角形投影区域，为了使多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21能够采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具一体成型，第二投影区域与第一投影区域重合，或者第二投影区域靠近中心柱112e的两条边与第一投影区域靠近中心柱112e的两条边共线，第二投影区域的另外一条边位于第一投影区域的另外一条边远离中心柱112e的一侧；第四投影区域与第三投影区域重合，或者第四投影区域靠近中心柱112e的两条边与第三投影区域靠近中心柱112e的两条边共线，第四投影区域的另外一条边位于第三投影区域的另外一条边远离中心柱112e的一侧。

在一些实施例中，如图5和图6所示，相邻两个辐射装置1之间设有加强板4，加强板4与第二绝缘基体21以及相邻两个辐射装置1的辐射基部111连接。这样，可以通过加强板4提高多个第一绝缘基体11与第二绝缘基体21之间的连接强度。

在一些实施例中，如图5和图6所示，加强板4与多个辐射装置1的排列方向平行，且加强板4与第二绝缘基体21垂直，加强板4与第二绝缘基体21一体成型。这样，在采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具成型多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21的同时，可以成型加强板4，天线包括的零部件较少，装配难度较低。

馈电金属层122的结构形式有多种，在此不做具体限定。

在一些实施例中，如图7、图8和图9所示，馈电金属层122包括第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222；第一馈电基板112a靠近中心柱的位置设有第三通孔13，第三通孔13靠近中心柱的一个内表面与第二馈电基板112b的表面和第四馈电基板112d的表面共面，第一馈电金属层1221附着于第二馈电基板112b的表面、第三通孔13靠近中心柱的一个内表面以及第四馈电基板112d的表面上；第二馈电基板112b靠近中心柱的位置设有第四通孔14，第四通孔14靠近中心柱的一个内表面与第一馈电基板112a的表面和第三馈电基板112c的表面共面，第二馈电金属层1222附着于第一馈电基板112a的表面、第四通孔14靠近中心柱的一个内表面以及第三馈电基板112c的表面上；第三通孔13至第二绝缘基体21的距离与第四通孔14至第二绝缘基体21的距离不同。这样，可以通过第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222两个馈电结构向辐射金属层121馈电，此结构简单，容易实现。

在上述实施例中，可选的，如图7、图8和图9所示，第三通孔13远离中心柱的一个内表面与多个辐射装置1的排列方向垂直，连接于第三通孔13靠近中心柱的一个内表面与第三通孔13远离中心柱的一个内表面之间的两个内表面与第二绝缘基体21平行；第四通孔14远离中心柱的一个内表面与多个辐射装置1的排列方向垂直，连接于第四通孔14靠近中心柱的一个内表面与第四通孔14远离中心柱的一个内表面之间的两个内表面与第二绝缘基体21平行。这样，在采用沿第一方向、第二方向和第三方向出模的模具成型多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21的同时，可以成型此第三通孔13和第四通孔14，降低了天线的成型难度。

在另一些实施例中，馈电金属层122包括第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层；第一馈电金属层附着于第一馈电基板112a上，第二馈电金属层附着于第二馈电基板112b上，第三馈电金属层附着于第三馈电基板112c上，第四馈电金属层附着于第四馈电基板112d上。这样，可以通过第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层四个馈电结构分别向辐射金属层121馈电，无需在馈电基部112上开孔。

在第二种可选实施例中，如图13所示，第一绝缘基体11包括辐射基部111和馈电基部112，辐射基部111为板状结构，且辐射基部111与第二绝缘基体21平行，馈电基部112连接于辐射基部111与第二绝缘基体21之间，馈电基部112为柱状结构，馈电基部112的长度方向与第二绝缘基体21垂直，柱状结构的截面为十字形截面，如图14所示，馈电基部112包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱(图中未示出)以及被中心柱分隔成的四个馈电基板，如图13所示，四个馈电基板远离中心柱的一端在辐射基部111所处平面上的投影均位于辐射基部111的边沿外，第二绝缘基体21上与辐射基部111相对的区域开设有第五通孔7；第一导电金属层12包括辐射金属层121和馈电金属层122，辐射金属层121附着于辐射基部111上，馈电金属层122附着于馈电基部112上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体21的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21一体成型，且此种结构的第一绝缘基体11为常用的双极化辐射装置1的基体结构，应用范围较广。

需要说明的是，辐射基部111在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第五投影区域，第五通孔7在第二绝缘基体21朝向第二绝缘基体21的表面上的投影区域为第六投影区域，为了使多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21能够采用沿垂直于第二绝缘基体21的一个方向出模的模具一体成型，第六投影区域应与第五投影区域重合，或者第五投影区域位于第六投影区域的边界范围内。

馈电金属层122的设置方式有多种，在此不做具体限定。

在一些实施例中，如图15所示，馈电金属层122包括第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222，如图14所示，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板112a和第三馈电基板112c以及相对的第二馈电基板112b和第四馈电基板112d；如图15所示第一馈电基板112a连接第二绝缘基体21的一端端面上靠近中心柱的位置设有第一缺口8，第一缺口8靠近中心柱的一个内侧面与第二馈电基板112b的表面以及第四馈电基板112d的表面共面，第一馈电金属层1221附着于第二馈电基板112b的表面、第一缺口8靠近中心柱的一个内侧面以及第四馈电基板112d的表面上；如图14所示，辐射基部111背离馈电基部112的表面与第二馈电基板112b靠近中心柱112e的一端相对的位置开设有第一凹槽9，第一凹槽9沿深度方向伸入第二馈电基板112b靠近中心柱的一端内，且第一凹槽9靠近中心柱的一个内侧面与第一馈电基板112a的表面以及第三馈电基板112c的表面共面，第一馈电金属层1221附着于第一馈电基板112a的表面、第一凹槽9靠近中心柱的一个内侧面以及第三馈电基板112c的表面上。这样，可以通过第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222两个馈电结构向辐射金属层121馈电，此结构简单，容易实现。

在另一些实施例中，馈电金属层122包括第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层，四个馈电基板包括相对的第一馈电基板112a和第三馈电基板112c以及相对的第二馈电基板112b和第四馈电基板112d；第一馈电金属层附着于第一馈电基板112a上，第二馈电金属层附着于第二馈电基板112b上，第三馈电金属层附着于第三馈电基板112c上，第四馈电金属层附着于第四馈电基板112d上。这样，可以通过第一馈电金属层、第二馈电金属层、第三馈电金属层和第四馈电金属层四个馈电结构分别向辐射金属层121馈电，无需在馈电基部112上设置缺口或者凹槽。

在第三种可选实施例中，如图16所示，第二绝缘基体21包括第一表面100和背离第一表面100的第二表面(图中未示出)，第一绝缘基体11包括辐射基部111(如图16所示)和馈电基部112(如图18所示)，如图16所示，辐射基部111为设置于第一表面100的凸台，如图17所示，第二表面上与辐射基部111相对的位置设有第二凹槽200，如图18所示，馈电基部112设置于第二凹槽200内，且馈电基部112为长度方向与第二绝缘基体21垂直的柱状结构；第一导电金属层12包括辐射金属层121(如图16所示)和馈电金属层122(如图18所示)，辐射金属层121附着于辐射基部111上，馈电金属层122附着于馈电基部112上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体21的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21一体成型，模具简单，容易实现。

在上述实施例中，馈电基部112的截面可以为十字形截面，也可以为L形截面，还可以为其他形状截面，在此不做具体限定，且馈电金属层122可以附着于馈电基部112的侧面，也可以附着于馈电基部112的端面，在此不做具体限定。在一些实施例中，如图18所示，馈电基部112的截面为L形截面，馈电金属层122附着于馈电基部112的端面，这样，馈电金属层122可以通过耦合的方式向辐射金属层121馈电。

辐射金属层121可以附着于辐射基部111的顶面，也可以附着于辐射基部111的侧面，在此不做具体限定。在一些实施例中，如图16所示，辐射金属层121附着于辐射基部111的顶面。

在第四种可选实施例中，如图21或图25所示，第一绝缘基体11为长度方向与第二绝缘基体21垂直的柱状结构，第一导电金属层12包括辐射金属层121和馈电金属层122，辐射金属层121和馈电金属层122均附着于第一绝缘基体11上。这样，采用沿垂直于第二绝缘基体21的一个方向出模的模具即可将多个第一绝缘基体11和第二绝缘基体21一体成型，模具简单，容易实现。

在一些实施例中，如图19和图21所示，柱状结构的截面为十字形截面。这样，第一绝缘基体11的结构简单，成型模具结构简单，容易制作。

在上述实施例中，馈电金属层122的设置方式有多种，在此不做具体限定。示例的，如图21所示，第一绝缘基体11包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱11e以及被中心柱11e分隔成的四个绝缘基板，四个绝缘基板包括相对的第一绝缘基板11a和第三绝缘基板11c以及相对的第二绝缘基板11b和第四绝缘基板11d；馈电金属层122包括第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222；第二绝缘基体21背离第一绝缘基体11的表面与第一绝缘基板11a靠近中心柱11e的一端相对的位置开设有第三凹槽10，第三凹槽10沿深度方向伸入第一绝缘基板11a靠近中心柱11e的一端内，第三凹槽10靠近中心柱11e的一个内侧面与第二绝缘基板11b的表面以及第四绝缘基板11d的表面共面，第一馈电金属层1221附着于第二绝缘基板11b的表面、第三凹槽10靠近中心柱11e的一个内侧面以及第四绝缘基板11d的表面上；如图21和图22所示，第二绝缘基板11b远离第二绝缘基体21的端面靠近中心柱11e的位置开设有第二缺口20，第二缺口20靠近中心柱11e的一个内侧面与第一绝缘基板11a的表面以及第三绝缘基板11c的表面共面，第二馈电金属层1222附着于第一绝缘基板11a的表面、第二缺口20靠近中心柱11e的一个内侧面以及第三绝缘基板11c的表面上。这样，可以通过第一馈电金属层1221和第二馈电金属层1222两个馈电结构向辐射金属层121馈电，此结构简单，容易实现。

在另一些实施例中，如图24和图25所示，柱状结构包括位于中心的第一柱状结构111和位于边沿的四个第二柱状结构112，第一柱状结构111的截面为十字形截面，第一柱状结构111包括截面为十字形截面的交叉区域的中心柱以及被中心柱分隔成的四个绝缘板，四个第二柱状结构112一一对应连接于四个绝缘板远离中心柱的一端，第二柱状结构112为空心柱；辐射金属层121设置于四个第二柱状结构112远离第二绝缘基体21的一端端面上，馈电金属层122附着于第一柱状结构111的侧面和四个第二柱状结构112的侧面上。此结构用于设置辐射金属层121的区域较大，辐射装置1的辐射性能较优。

在上述第一种可选实施例、第二种可选实施例、第三种可选实施例和第四种可选实施例中，第二绝缘基体21朝向第一绝缘基体11的表面为正面，第二绝缘基体21背离第一绝缘基体11的表面为背面，如图5和图7所示、如图11和图12所示、如图16和图17所示、如图19和图20所示或者如图25所示，第二导电金属层22包括馈电传输层22a和第一地层22b，馈电传输层22a和第一地层22b中的一个附着于正面，馈电传输层22a和第一地层22b中的另一个附着于背面上。馈电金属层122用于将馈电传输层22a传输的信号馈入辐射金属层121，在一般情况下，第一导电金属层12还包括第二地层(图中未示出)，该第二地层与馈电金属层122相对。为了使馈电金属层122能够将馈电传输层22a传输的信号馈入辐射金属层121，馈电金属层122应与馈电传输层22a导通连接，第二地层应与第一地层22b导通连接。当馈电金属层122所附着的面与馈电传输层22a所附着的面能够相接时，馈电金属层122与馈电传输层22a可以直接导通连接，当馈电金属层122所附着的面与馈电传输层22a所附着的面不能相接时，可以在第二绝缘基体21上开设通孔或通槽，以使馈电金属层122与馈电传输层22a能够沿该通孔或通槽的内壁导通连接。同理，当第一地层22b所附着的面与第二地层所附着的面能够相接时，第一地层22b与第二地层可以直接导通连接，当第一地层22b所附着的面与第二地层所附着的面不能相接时，可以在第二绝缘基体21上开设通孔或通槽，以使第一地层22b与第二地层能够沿该通孔或通槽的内壁导通连接。示例的，如图16、图17和图18所示，馈电金属层122所处的平面与馈电传输层22a所处平面不能相接，因此，如图18所示，第二绝缘基体21上开设有通孔a，馈电金属层122与馈电传输层22a之间能够通过该通孔a的内壁和馈电连接层c导通连接。又示例的，如图21、图22和图23所示，第二地层15所处的平面与第一地层22b所处平面不能相接，因此，如图22和图23所示，第二绝缘基体21上开设有通槽b，第二地层15与第一地层22b之间能够由该通槽b的内壁导通连接。

在一些实施例中，如图3所示，天线还包括屏蔽框3，该屏蔽框3包括第一表面(图中未示出)和背离第一表面的第二表面300，屏蔽框3围成有多个贯穿第一表面和第二表面300的空腔31，多个空腔31与多个辐射装置1一一对应，屏蔽框3的第一表面固定于第二绝缘基体21上，每个辐射装置1均位于该辐射装置1对应的空腔31内。通过屏蔽框3可以避免每个辐射装置1与其他辐射装置1之间产生串扰。

在一些实施例中，屏蔽框3由第三绝缘基体和附着于第三绝缘基体上的第三导电金属层构成，第三绝缘基体与第二绝缘基体21一体成型。这样，可以减小天线包括的零部件的数量，降低天线的装配复杂度。

在上述实施例中，第三导电金属层是指用于实现信号屏蔽功能的导电金属层。

在一些实施例中，第一绝缘基体11和第二绝缘基体21的材料在600MHz～6GHz范围内的介电损耗角正切小于0.01。这样，第一绝缘基体11和第二绝缘基体21的材料在施加电场后介电损耗较小，发热量较小，天线的性能较优。

可选的，第一绝缘基体11和第二绝缘基体21的材料包括但不限于聚苯硫醚(polyphenylene sulphide，PPS)及其改性材料、聚苯醚(polyphenylene oxide，PPO)及其改性材料、液晶高分子(liquid crystal polymer，LCP)及其改性材料、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)及其改性材料、间规聚苯乙烯(syndiotactic polystyrene，SPS)及其改性材料、环状聚烯烃及其改性材料、氟塑料及其改性材料。

第二方面，本申请实施例提供一种天线的加工方法，天线包括馈电底板和设置于馈电底板上的多个辐射装置，辐射装置由第一绝缘基体和附着于第一绝缘基体上的第一导电金属层构成，馈电底板由板状的第二绝缘基体和附着于第二绝缘基体上的第二导电金属层构成，如图26所示，加工方法包括：

S100、将多个辐射装置的第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，形成一体式结构；

S200、在一体式结构上附着导电金属层，导电金属层包括多个辐射装置的第一导电金属层和第二导电金属层。

本申请实施例提供的天线的加工方法，由于该加工方法包括：将多个辐射装置的第一绝缘基体和第二绝缘基体一体成型，形成一体式结构；在一体式结构上附着导电金属层，导电金属层包括多个辐射装置的第一导电金属层和第二导电金属层，因此，辐射装置与馈电底板之间以及辐射装置内部无需通过焊接、结构连接等方式进行装配，因此天线包括的零部件较少，结构复杂度较低，无需焊接和组装操作，因此装配难度较小，且内部无焊点和连接点，因此能够保证天线的性能。

在一些实施例中，如图27所示，步骤S200包括：S201、在一体式结构的表面附着金属打底层；S202、绝缘隔离第一区域的金属打底层和第二区域的金属打底层，第一区域为一体式结构的表面上待设置导电金属层的区域，第二区域为一体式结构的表面上除待设置导电金属层的区域外的区域；S203、采用电镀工艺在第一区域的金属打底层上附着导电金属层；S204、去除第二区域的金属打底层。此方法简单，电镀工艺成熟，容易实现。

在上述实施例中，金属打底层的材料可以为镍、铜或者其他金属或合金。导电金属层的材料包括但不限于铜、金、银以及铜、金、银的合金。

在一些实施例中，步骤S201包括：采用化学镀工艺在一体式结构的表面附着金属打底层。采用化学镀工艺形成的镀层均匀，且镀层与基体的结合强度大，能够提高金属打底层的耐刮擦性能。

在一些实施例中，步骤S202包括：采用激光镭雕工艺去除第一区域的边缘路径上的金属打底层，以绝缘隔离第一区域的金属打底层和第二区域的金属打底层。

在一些实施例中，步骤S203包括：采用电镀工艺在第一区域的金属打底层上附着导电金属层，并使所述导电金属层的厚度大于所述金属打底层的厚度；步骤S204包括：同时刻蚀第二区域的金属打底层和第一区域的导电金属层，以去除第二区域上的全部金属打底层和第一区域的部分导电金属层。此方法简单，操作方便。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。