内嵌式触控显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种显示器技术领域，特别是涉及一种内嵌式触控显示面板及其制备方法。

背景技术

触摸面板和液晶面板的一体化包括In-cell方法和On-cell方法。In-cell是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法。而On-cell是指将触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间的方法。相较于传统的On-cell方法，In-cell方法能使上下片玻璃贴合后的结构减薄，更有利于实现产品的薄型化和轻量化。

然而，随着科技的发展和消费者对产品美观度要求的提升，客户对于边框的要求越来越高。尤其是In-cell触控显示面板(下称为内嵌式触控显示面板)，相比于外挂式触控显示面板和On-cell触控显示面板，多出来一组下接触电极。如图1所示，行业内现有内嵌式触控显示面板20，常规的做法是将下接触电极143设置于玻璃基板的左右两边的封装胶130与金属阴极165之间，这种结构需要在原有的边框基础上额外增加放置下接触电极的空间，导致边框加大，使得内嵌式触控显示面板无法做到窄边框，无法实现高屏占比。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种内嵌式触控显示面板及其制备方法，能够实现内嵌式触控显示面板窄边框的需求。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种内嵌式触控显示面板，包括上玻璃基板、下玻璃基板、封装胶、触控电极模组及OLED器件，所述上玻璃基板与所述下玻璃基板通过所述封装胶贴合，所述触控电极模组包括触控图案层、上接触电极及下接触电极，所述触控图案层及所述上接触电极均设置于所述上玻璃基板上，所述下接触电极设置于所述下玻璃基板上，所述下接触电极用于与所述上接触电极连接，所述OLED器件包括金属阴极，所述金属阴极包括阴极走线层及阴极搭接层，所述阴极搭接层设置于所述封装胶的内侧，所述阴极搭接层开设有缺口，所述下接触电极位于所述缺口内，所述阴极走线层至少有一部分设置于所述封装胶与所述阴极搭接层之间，且所述阴极走线层至少有一部分设置于所述阴极搭接层的内侧。

在其中一种实施方式，所述下接触电极包括电极主体、金属凸起部、阳极膜层及阴极膜层，所述电极主体设置于所述下玻璃基板靠近所述上玻璃基板的一侧面上，所述金属凸起部设置于所述电极主体远离所述下玻璃基板的一侧面上，所述阳极膜层覆盖于所述金属凸起部远离所述电极主体的一侧面上，所述阴极膜层覆盖于所述阳极膜层远离所述金属凸起部的一侧面上。

在其中一种实施方式，当所述电极主体有一部分露置于所述金属凸起部外，则所述阳极膜层覆盖于所述电极主体的露置部分上，所述阴极膜层覆盖于所述阳极膜层远离所述电极主体的露置部分的一侧面上。

在其中一种实施方式，所述触控电极模组还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖在所述触控图案层远离所述上玻璃基板的一侧面上，且所述绝缘保护层覆盖一部分所述上接触电极。

在其中一种实施方式，所述触控图案层设置于所述上玻璃基板的中部位置处，所述上接触电极设置于所述上玻璃基板的周边位置处，所述下接触电极设置于所述上接触电极的下方，所述OLED器件设置于所述触控图案层的下方。

在其中一种实施方式，所述内嵌式触控显示面板还包括LTPS走线层，所述LTPS走线层设置于所述下玻璃基板靠近所述上玻璃基板的一侧面上，所述OLED器件设置于所述LTPS走线层远离所述下玻璃基板的一侧面上。

在其中一种实施方式，所述OLED器件还包括金属阳极、空穴传输层、发光层及电子传输层，所述金属阳极设置于所述LTPS走线层远离所述下玻璃基板的一侧面上，所述空穴传输层设置于所述金属阳极远离所述LTPS走线层的一侧面上，所述发光层设置于所述空穴传输层远离所述金属阳极的一侧面上，所述电子传输层设置于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧面上，所述金属阴极设置于所述电子传输层远离所述发光层的一侧面上。

在其中一种实施方式，所述OLED器件还包括阴极保护层，所述阴极保护层覆盖于所述金属阴极远离所述电子传输层的一侧面上。

在其中一种实施方式，所述OLED器件还包括PI支撑柱，所述PI支撑柱设置于所述LTPS走线层与所述金属阴极之间。

一种内嵌式触控显示面板的制备方法，包括以下步骤：

在上玻璃基板上制作触控图案层和上接触电极；

在下玻璃基板上制作阴极走线层及阴极搭接层，使所述阴极走线层的走线方向由所述阴极搭接层的外侧延伸至所述阴极搭接层的内侧，在所述阴极搭接层挖开缺口，将下接触电极制作于所述缺口内；

在所述上玻璃基板与所述下玻璃基板之间丝印封装胶进行贴合，使所述上接触电极与所述下接触电极压紧接触进行电流导通。

与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

本发明将下接触电极设置在金属阴极之间，同时优化下接触电极及金属阴极的结构；通过金属凸起部、阳极膜层及阴极膜层能够依次垫高下接触电极的高度，从而加强下接触电极与上接触电极搭接的可靠性。同时，使阴极走线层的走线方向由阴极搭接层的外侧延伸至阴极搭接层的内侧，合理避开下接触电极区域，能够避免下接触电极短路，能够有效避免下玻璃基板在蒸镀金属阴极时对下接触电极的影响；更重要的是，如此能够节约边框容置下接触电极的空间，大大缩小了边框的宽度，能够满足窄边框的需求，很好地实现高屏占比。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为现有内嵌式触控显示面板的结构示意图。

图2为本发明一实施方式的内嵌式触控显示面板的结构示意图。

图3为本发明一实施方式的内嵌式触控显示面板的结构示意图。

图4为本发明一实施方式的内嵌式触控显示面板的OLED器件的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

一实施方式，请参阅图2及图3，一种内嵌式触控显示面板10，包括上玻璃基板110、下玻璃基板120、封装胶130、触控电极模组140及OLED器件160，所述上玻璃基板110与所述下玻璃基板120通过所述封装胶130贴合，所述触控电极模组140包括触控图案层141、上接触电极142及下接触电极143，所述触控图案层141及所述上接触电极142均设置于所述上玻璃基板110上，所述上接触电极142与所述触控图案层141电连接，所述下接触电极143设置于所述下玻璃基板120上，所述下接触电极143用于与所述上接触电极142连接，所述OLED器件160包括金属阴极165，所述金属阴极165包括阴极走线层1651及阴极搭接层1652，所述阴极搭接层1652设置于所述封装胶130的内侧，所述阴极搭接层1652开设有缺口1652a，所述下接触电极143位于所述缺口1652a内，所述下接触电极143可以为一个或多个，所述阴极走线层1651至少有一部分设置于所述封装胶130与所述阴极搭接层1652之间，且所述阴极走线层1651至少有一部分设置于所述阴极搭接层1652的内侧，如此可以避免下接触电极143短路。需要说明的是，本发明将下接触电极143设置在金属阴极165之间，能够节约边框容置下接触电极143的空间，大大缩小了边框的宽度，能够满足窄边框的需求，很好地实现高屏占比。同时优化金属阴极165的结构，合理避开下接触电极143区域，能够有效避免下玻璃基板120在蒸镀金属阴极165时对下接触电极143的影响。

一般来说，在所述上玻璃基板110与所述下玻璃基板120之间丝印封装胶130进行贴合后，上接触电极142与下接触电极143之间存在空隙，即使通过上下施加压力，也很难保证空隙完全消除，导致下接触电极143与上接触电极142的搭接不可靠，使得内嵌式触控显示面板10的触控功能不够灵敏甚至失灵。

为了解决上述问题，一实施方式，请参阅图3，所述下接触电极143包括电极主体1431、金属凸起部1432、阳极膜层1433及阴极膜层1434，所述电极主体1431设置于所述下玻璃基板120靠近所述上玻璃基板110的一侧面上，所述金属凸起部1432设置于所述电极主体1431远离所述下玻璃基板120的一侧面上，所述阳极膜层1433覆盖于所述金属凸起部1432远离所述电极主体1431的一侧面上，所述阴极膜层1434覆盖于所述阳极膜层1433远离所述金属凸起部1432的一侧面上。例如，所述电极主体1431及所述金属凸起部1432的材质均为金属。例如，所述阳极膜层1433的材质为MO、Ti/AL/Ti、PI等其中至少一种。例如，所述阴极膜层1434的材质为Mg、Ag、Cu等其中至少一种。如此通过金属凸起部1432、阳极膜层1433及阴极膜层1434能够依次垫高下接触电极143的高度，从而加强下接触电极143与上接触电极142搭接的可靠性。

进一步地，请参阅图3，当所述电极主体1431有一部分露置于所述金属凸起部1432外，则所述阳极膜层1433覆盖于所述电极主体1431的露置部分上，所述阴极膜层1434覆盖于所述阳极膜层1433远离所述电极主体1431的露置部分的一侧面上。如此能够保证阳极膜层1433及阴极膜层1434完全覆盖电极主体1431，并能够提高金属凸起部1432与电极主体1431连接的牢固性。

进一步地，请参阅图3，所述触控电极模组140还包括绝缘保护层144，所述绝缘保护层144覆盖在所述触控图案层141远离所述上玻璃基板110的一侧面上，且所述绝缘保护层144覆盖一部分所述上接触电极142。绝缘保护层144采用绝缘材料制成。如此通过绝缘保护层144避免OLED器件160的金属阴极165与触控图案层141接触，能够起到很好的绝缘作用。

进一步地，请参阅图3，所述内嵌式触控显示面板10还包括LTPS走线层150，所述LTPS走线层150设置于所述下玻璃基板120靠近所述上玻璃基板110的一侧面上，所述OLED器件160设置于所述LTPS走线层150远离所述下玻璃基板120的一侧面上。需要说明的是，所述LTPS走线层150包括低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属线层、存储电容绝缘层，存储电容金属层、绝缘层、源漏金属层及平坦化层。LTPS技术应用于显示面板上具有响应速度快、分辨率高、功耗低等优点，OLED技术应用于显示面板上具有自发光性、广视角、高对比度、低耗电、高反应速率、全彩化及制程简单等优点，由LTPS走线层150驱动OLED器件160，能够使得内嵌式触控显示面板10具有响应速度快、分辨率高、自发光性、广视角、高对比度、全彩化、功耗低等优点。

进一步地，请参阅图3，所述触控图案层141设置于所述上玻璃基板110的中部位置处，所述上接触电极142设置于所述上玻璃基板110的周边位置处，所述下接触电极143设置于所述上接触电极142的下方，所述OLED器件160及所述LTPS走线层150均设置于所述触控图案层141的下方。如此使得内嵌式触控显示面板10的结构更加紧凑，通过上下施加压力，能够使上接触电极142与下接触电极143压紧接触，实现上下结构的电流导通。

例如，请参阅图3及图4，所述OLED器件160还包括金属阳极161、空穴传输层162、发光层163及电子传输层164，所述金属阳极161设置于所述LTPS走线层150远离所述下玻璃基板120的一侧面上，所述空穴传输层162设置于所述金属阳极161远离所述LTPS走线层150的一侧面上，所述发光层163设置于所述空穴传输层162远离所述金属阳极161的一侧面上，所述电子传输层164设置于所述发光层163远离所述空穴传输层162的一侧面上，所述金属阴极165设置于所述电子传输层164远离所述发光层163的一侧面上。需要说明的是，所述发光层163的材质为R、G、B等有机发光材料其中至少一种。当电力供应至适当电压时，空穴传输层162与金属阴极165电荷就会在发光层163中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝三基色，构成基本色彩。OLED的特性是自己发光，不像TFT LCD需要背光板，因此更有利于内嵌式触控显示面板10的薄型化和轻量化发展，而且可视度和亮度均高，电压需求低且省电效率高，还具有反应快、构造简单，成本低等优点。

进一步地，请参阅图3及图4，所述OLED器件160还包括阴极保护层166，所述阴极保护层166覆盖于所述金属阴极165远离所述电子传输层164的一侧面上。例如，所述阴极保护层166为氮化硅膜层、氧化硅膜层、聚酰亚胺膜层、亚克力膜层或它们的任意组合层。例如，所述阴极保护层166包括依次层叠设置的氮化硅膜层、氧化硅膜层、聚酰亚胺膜层及亚克力膜层。如此通过阴极保护层166起隔绝水分和氧气作用，能够有效保护发光层163。

进一步地，请参阅图3，所述OLED器件160还包括PI支撑柱167，所述PI支撑柱167设置于所述LTPS走线层150与所述金属阴极165之间。需要说明的是，PI支撑柱167是通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等过程，在LTPS走线层150与金属阴极165之间形成的聚酰亚胺镀层，用于垫高金属阴极165，对上玻璃基板110的部件起到很好的支撑作用，从而提高内嵌式触控显示面板10的稳定性。

一实施方式，请参阅图2及图3，一种内嵌式触控显示面板10的制备方法，包括以下步骤：S110，在上玻璃基板110上制作触控图案层141和上接触电极142。S120，在下玻璃基板120上制作阴极走线层1651及阴极搭接层1652，使所述阴极走线层1651的走线方向由所述阴极搭接层1652的外侧延伸至所述阴极搭接层1652的内侧，在所述阴极搭接层1652挖开缺口1652a，将下接触电极143制作于所述缺口1652a内。S130，在所述上玻璃基板110与所述下玻璃基板120之间丝印封装胶130进行贴合，使所述上接触电极142与所述下接触电极143压紧接触进行电流导通。需要说明的是，本制备方法将下接触电极143设置在金属阴极165之间，能够节约边框容置下接触电极143的空间，大大缩小了边框的宽度，能够满足窄边框的需求，很好地实现高屏占比。同时优化金属阴极165的结构，合理避开下接触电极143区域，能够有效避免下玻璃基板120在蒸镀金属阴极165时对下接触电极143的影响。

例如，请参阅图2及图3，一种内嵌式触控显示面板10的制备方法，包括以下步骤：

1、在上玻璃基板110的中部位置处制作触控图案层141，在上玻璃基板110的周边位置处制作上接触电极142。

2、在所述触控图案层141远离所述上玻璃基板110的一侧面上覆盖绝缘保护层144，且在上接触电极142的一部分上覆盖绝缘保护层144，通过绝缘保护层144避免OLED器件160的金属阴极165与触控图案层141接触，使上接触电极142的另一部分裸露用于与下接触电极143接触。

3、在下玻璃基板120的中部位置处制作LTPS走线层150，所述LTPS走线层150包括低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属线层、存储电容绝缘层，存储电容金属层、绝缘层、源漏金属层及平坦化层。

4、在LTPS走线层150远离所述下玻璃基板120的一侧面上制作OLED器件160，所述OLED器件160包括金属阳极161、空穴传输层162、发光层163、电子传输层164、金属阴极165、阴极保护层166及PI支撑柱167，金属阳极161、空穴传输层162、发光层163、电子传输层164、金属阴极165及阴极保护层166从下至上依次层叠制作在LTPS走线层150上。例如，所述阴极保护层166为氮化硅膜层、氧化硅膜层、聚酰亚胺膜层、亚克力膜层或它们的任意组合层。如此通过阴极保护层166起隔绝水分和氧气作用，能够有效保护发光层163。PI支撑柱167制作于所述LTPS走线层150与所述金属阴极165之间，PI支撑柱167是通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等过程，在LTPS走线层150与金属阴极165之间形成的聚酰亚胺镀层，用于垫高金属阴极165，对上玻璃基板110的部件起到很好的支撑作用，从而提高内嵌式触控显示面板10的稳定性。金属阴极165包括阴极走线层1651及阴极搭接层1652，使所述阴极走线层1651的走线方向由所述阴极搭接层1652的外侧延伸至所述阴极搭接层1652的内侧，在所述阴极搭接层1652挖开缺口1652a。

5、将下接触电极143制作于所述缺口1652a内，所述下接触电极143包括从下至上依次层叠制作的电极主体1431、金属凸起部1432、金属阳极161膜层及阴极膜层1434。例如，所述电极主体1431及所述金属凸起部1432的材质均为金属。例如，所述金属阳极161膜层的材质为MO、Ti/AL/Ti、PI等其中至少一种。例如，所述阴极膜层1434的材质为Mg、Ag、Cu等其中至少一种。金属凸起部1432、金属阳极161膜层及阴极膜层1434都是通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等过程形成的。如此通过金属凸起部1432、金属阳极161膜层及阴极膜层1434能够依次垫高下接触电极143的高度，从而加强下接触电极143与上接触电极142搭接的可靠性。

6、在所述上玻璃基板110与所述下玻璃基板120之间丝印封装胶130进行贴合，以隔绝水汽等物质。

7、通过上下施加压力，使所述下接触电极143与所述上接触电极142的裸露部分压紧接触进行电流导通。

8、对封装胶130进行高温激光烧结，可隔绝水氧，保护上下玻璃基板120之间的内部部件，尤其是OLED器件160；再对上玻璃基板110及所述下玻璃基板120进行减薄、切割裂片、IC&FPC绑定等工艺流程，即可得到内嵌式触控显示面板10。

上述内嵌式触控显示面板10的形状可以是方形的，也可以是圆形的，也可以是其他不规则形状，下接触电极143可以设置于该面板的左右两边，也可以放在上下两边。

与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

本发明将下接触电极143设置在金属阴极165之间，同时优化下接触电极143及金属阴极165的结构；通过金属凸起部1432、金属阳极161膜层及阴极膜层1434能够依次垫高下接触电极143的高度，从而加强下接触电极143与上接触电极142搭接的可靠性。同时，使阴极走线层1651的走线方向由阴极搭接层1652的外侧延伸至阴极搭接层1652的内侧，合理避开下接触电极143区域，能够避免下接触电极143短路，能够有效避免下玻璃基板120在蒸镀金属阴极165时对下接触电极143的影响；更重要的是，如此能够节约边框容置下接触电极143的空间，大大缩小了边框的宽度，能够满足窄边框的需求，很好地实现高屏占比。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。