单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备。

背景技术

在5G毫米波通信领域中，前端模块(FEM，具体为Front-endModules)是5G毫米波通信成功的关键模块之一，其中可采用功率放大器与单刀双掷开关(SPDT开关，其中的SPDT具体为：SinglePoleDoubleThrow)。根据第三代合作伙伴计划(3GPP)于2018年确定的Release15标准，对于手持设备，4-8个单元是可能的选择。对于4单元相控阵，如果假设天线增益为5dB，并且功率放大器连接后的损耗大于2dB，那么假设标称的等效全向辐射功率(EIRP，具体为EquivalentIsotropicallyRadiatedPower)为30dBm，则前端模块中单个功率放大器的饱和功率(Psat)应为23dBm。故而，低损耗单刀双掷开关是非常重要的，因为任何额外的单刀双掷开关都会增加到功率放大器的输出功率要求，也会导致功率因数下降。

对于5G毫米波单刀双掷开关，浮体器件表现出很低的导通状态电阻(Ron)和断开状态电容(Coff)，采用浮体场效应管器件的单刀双掷开关在毫米波频段虽然表现出最好的低插入损耗、隔离度、谐波，但显示出早期交调失真(IMD)功率水平，三阶交调失真点不高。

发明内容

本发明提供一种单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备，以解决单刀双掷开关三阶交调失真点不高的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种单刀双掷开关，包括四个场效应管单元，分别为第一场效应管单元、第二场效应管单元、第三场效应管单元和第四场效应管单元，每个场效应管单元均包括三个场效应管(FET)，每个场效应管单元的三个场效应管串联；所述第一场效应管单元的一端连接第一开关节点，所述第一场效应管单元的另一端连接第二开关节点；所述第二场效应管单元的一端连接所述第一开关节点，所述第二场效应管单元的另一端连接第三开关节点；所述第三场效应管单元的一端连接所述第二开关节点，所述第三场效应管单元的另一端接地；所述第四场效应管单元的一端连接所述第三开关节点，所述第四场效应管单元的另一端接地；

在其中的N个场效应管单元中，同一场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元，其中，1≤N≤4。

可选的，所述衬底电阻单元包括第一衬底电阻、第二衬底电阻和第三衬底电阻，所述第一衬底电阻、所述第二衬底电阻和所述第三衬底电阻的一端分别连接对应的场效应管单元中三个场效应管的衬底，所述第一衬底电阻、所述第二衬底电阻和所述第三衬底电阻的另一端共接于同一电路位置。

可选的，在其中的M个场效应管单元中，同一场效应管单元中三个场效应管的栅极连接于对应的一个栅极电阻单元，其中，1≤M≤4。

可选的，所述栅极电阻单元包括包括第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻，所述第一栅极电阻、所述第二栅极电阻和所述第三栅极电阻的一端分别连接对应的场效应管单元中三个场效应管的栅极，所述第一栅极电阻、所述第二栅极电阻和所述第三栅极电阻的另一端共接于同一电路位置。

可选的，所述第一场效应管单元、所述第二场效应管单元、所述第三场效应管单元和所述第四场效应管单元中的至少部分场效应管为体接触式场效应管。

可选的，所述体接触式场效应管的栅极的偏压为1.5伏或1.8伏。

根据本发明的第二方面，提供了一种信号处理电路，包括天线、接收处理电路、发送处理电路以及本发明第一方面所述的单刀双掷开关，所述单刀双掷开关的第一开关节点连接所述天线，所述单刀双掷开关的第二开关节点连接所述接收处理电路，所述单刀双掷开关的第三开关节点连接所述发送处理电路。

可选的，所述接收处理电路包括低噪声放大器，所述低噪声放大器的一端连接所述单刀双掷开关的第二开关节点。

可选的，所述发送处理电路包括功率放大器，所述功率放大器的一端连接所述单刀双掷开关的第三开关节点。

根据本发明的第三方面，提供了一种电子设备，包括本发明第二方面所述的信号处理电路。

本发明提供的单刀双掷开关、信号处理电路以及电子设备，在单刀双掷开关的至少部分场效应管的衬底处增加了衬底电阻单元(例如在其中场效应管的衬底处连接电阻)，即通过增加高阻的方式使单刀双掷开关具有较高的三阶交调失真点。

本发明的可选方案中，单刀双掷开关中的场效应管采用体接触式场效应管，相比于采用浮体场效应管，很好地抑制了浮体器件的浮体效应，同时具有合理的绝缘性和隔离性，单刀双掷开关的三阶交调失真点提高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例中的单刀双掷开关的框架示意图；

图2是本发明一实施例中的单刀双掷开关的构造示意图一；

图3是本发明一实施例中的单刀双掷开关的构造示意图二；

图4是本发明一实施例中的单刀双掷开关的构造示意图三；

图5是一种采用浮体场效应管的单刀双掷开关的电路原理图；

图6是本发明一实施例中的信号处理电路的构造示意图一；

图7是本发明一实施例中的信号处理电路的构造示意图二；

图8是本发明一实施例中的信号处理电路的构造示意图三；

附图标记说明：

1-单刀双掷开关；

2-天线；

3-接收处理电路；

4-发送处理电路；

11-第一场效应管单元；

12-第二场效应管单元；

13-第三场效应管单元；

14-第四场效应管单元；

15-衬底电阻单元；

16-栅极电阻单元；

31-低噪声放大器；

32-接收滤波器；

33-接受处理器；

41-功率放大器；

42-阻抗匹配网络；

43-发送滤波器；

44-发送处理器；

M1-M12：场效应管；

Q1-Q12：场效应管；

R151、R154、R157、R1510-第一衬底电阻；

R152、R155、R158、R1511-第二衬底电阻；

R153、R156、R159、R1512-第三衬底电阻；

R161、R164、R167、R1610-第一栅极电阻；

R162、R165、R168、R1611-第二栅极电阻；

R163、R166、R169、R1612-第三栅极电阻；

R1-R12：栅极电阻；

Tin-第一开关节点；

Tout+-第二开关节点；

Tout--第三开关节点；

Sin-第一浮体开关节点；

Sout+-第二浮体开关节点；

Sout--第三浮体开关节点。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

本发明实施例所涉及的单刀双掷开关主要应用于在5G毫米波通信领域中的前端模块，同时，也不排除将其应用于其他场景的可能性，此外，单刀双掷开关可以形成独立的芯片、装置，也可以是整个芯片、装置的一部分电路。

请参考图1，本发明实施例提供了一种单刀双掷开关1，包括四个场效应管单元，分别为第一场效应管单元11、第二场效应管单元12、第三场效应管单元13和第四场效应管单元14。

每个场效应管单元均包括三个场效应管，每个场效应管单元的三个场效应管串联，例如，请参考图1，在第一场效应管单元11中，串联了场效应管M1、场效应管M2与场效应管M3；在第二场效应管单元12中，串联了场效应管M4、场效应管M5与场效应管M6；在第三场效应管单元13中，串联了场效应管M7、场效应管M8与场效应管M9；在四场效应管单元14中，串联了场效应管M10、场效应管M11与场效应管M12。

其中的场效应管可以为NFET，对应的，单个场效应管单元也可表征为NFETs；在其他举例中，其中的场效应管也可以为PFET，对应的，单个场效应管单元也可表征为PFETs。其中的NFET，可理解为由成对的互补N沟道MOSFET，其中的PFET，可理解为由成对的互补P沟道MOSFET。

三个场效应管串联的第一端可理解为对应场效应管单元的第一端，三个场效应管串联的第二端可理解为对应场效应管单元的第二端。

以NFETs结构的场效应管单元为例：

第一场效应管单元11的第一端为其中串联的三个场效应管的源极一端，即图1所示场效应管M1的源极，对应的，第一场效应管单元11的第二端为其中串联的三个场效应管的漏极一端，即图1所示场效应管M3的漏极；

第二场效应管单元12的第一端为其中串联的三个场效应管的源极一端，即图1所示场效应管M4的源极；对应的，第二场效应管单元11的第二端为其中串联的三个场效应管的漏极一端，即图1所示场效应管M6的漏极；

第三场效应管单元13的第一端为其中串联的三个场效应管的源极一端，即图1所示场效应管M7的源极；对应的，第三场效应管单元11的第二端为其中串联的三个场效应管的漏极一端，即图1所示场效应管M9的漏极；

第四场效应管单元14的第一端为其中串联的三个场效应管的源极一端，即图1所示场效应管M10的源极；对应的，第四场效应管单元11的第二端为其中串联的三个场效应管的漏极一端，即图1所示场效应管M12的漏极。

进而，第一场效应管单元11的一端连接第一开关节点Tin，第一场效应管单元11的另一端连接第二开关节点Tout+；第二场效应管单元12的一端连接第一开关节点Tin，第二场效应管单元12的另一端连接第三开关节点Tout-；第三场效应管单元13的一端连接第二开关节点Tout+，第三场效应管单元13的另一端接地；第四场效应管单元14的一端连接第三开关节点Tout-，第四场效应管单元14的另一端接地。

在其中的N个场效应管单元(即部分或全部场效应管单元)中，同一场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元15，其中，1≤N≤4。

一种实施例中，仅一个场效应管单元中三个场效应管的衬底均连接于对应的一个衬底电阻单元，另一种实施例中，仅两个场效应管单元中六个场效应管的衬底均分别连接于对应的衬底电阻单元；再一种实施例中，仅三个场效应管单元中九个场效应管的衬底均分别连接于对应的衬底电阻单元；又一种实施例中，如图1所示，四个场效应管单元中十二个场效应管的衬底均分别连接于对应的衬底电阻单元。

其中的衬底电阻单元，可用于稳定场效应管的源极和漏极点的高阻，通过所形成的高阻，单刀双掷开关可以达到较高的三阶交调失真点(IMD3)。进而，只要能形成高阻的电路结构，不论其具体电路如何，均不脱离本发明的范围，并不限于图2的举例。

请参考图2，一种实施方式中，衬底电阻单元15包括：

第一衬底电阻(例如图2所示的第一衬底电阻R151、第一衬底电阻154、第一衬底电阻R157、第一衬底电阻R1510)；

第二衬底电阻(例如图2所示的第二衬底电阻R152、第二衬底电阻155、第二衬底电阻R158、第二衬底电阻R1511)，以及：

第三衬底电阻R153(例如图2所示的第三衬底电阻R153、第三衬底电阻156、第三衬底电阻R159、第三衬底电阻R1512)。

其中，第一衬底电阻、第二衬底电阻和第三衬底电阻的一端分别连接对应的场效应管单元中三个场效应管的衬底，第一衬底电阻、第二衬底电阻和第三衬底电阻的另一端共接于同一电路位置。

第一衬底电阻、第二衬底电阻和第三衬底电阻的另一端共接于同一电路位置可以理解为第一衬底电阻、第二衬底电阻和第三衬底电阻的另一端直接或间接地连接到同一电路位置，例如可以互相连接在一起。

请参考图3，一种实施方式中，在其中的M个场效应管单元(即部分或全部场效应管单元)中，同一场效应管单元中三个场效应管的栅极连接于对应的一个栅极电阻单元16，其中，1≤M≤4。

一种实施例中，仅一个场效应管单元中三个场效应管的栅极均连接于对应的一个栅极电阻单元，另一种实施例中，仅两个场效应管单元中六个场效应管的栅极均分别连接于对应的栅极电阻单元；再一种实施例中，仅三个场效应管单元中九个场效应管的栅极均分别连接于对应的栅极电阻单元；又一种实施例中，如图3所示，四个场效应管单元中十二个场效应管的栅极均分别连接于对应的栅极电阻单元。

请参考图4，一种实施方式中，栅极电阻单元16包括：

第一栅极电阻(例如第一栅极电阻R161、第一栅极电阻R164、第一栅极电阻R167、第一栅极电阻R1610)；

第二栅极电阻R162(例如第二栅极电阻R162、第二栅极电阻R165、第二栅极电阻R168、第二栅极电阻R1611)；以及：

第三栅极电阻R163(例如第三栅极电阻R163、第三栅极电阻R166、第三栅极电阻R169、第三栅极电阻R1612)；

其中，第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻的一端分别连接对应的场效应管单元中三个场效应管的栅极，第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻的另一端共接于同一电路位置。

第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻的另一端共接于同一电路位置可以理解为第一栅极电阻、第二栅极电阻和第三栅极电阻的另一端直接或间接地连接到同一电路位置，例如可以互相连接在一起。

一种实施方式中，第一场效应管单元11、第二场效应管单元12、第三场效应管单元13和第四场效应管单元14中的至少部分场效应管为体接触式场效应管。在具体一种举例中，图1所示的所有场效应管均为体接触式场效应管。

其中的体接触式场效应管，可以理解为，场效应管的绝缘埋层上方和顶层硅底部处于电学浮空状态的中性区域和外部相接触，使得大部分情况下，空穴或者电子不能在该区域积累，可以较好地抑制浮体效应。

其中的体接触式场效应管可以采用绝缘体上硅(Silicon-on-insulator，简称SOI)工艺进行制作。与传统制作工艺相比，采用SOI工艺制作的器件具有掩埋氧化层，可以将基体与衬底进行隔离。SOI场效应管的制造工艺与起始硅晶片之外的体接触式场效应管的工艺相似。SOI晶体管有三层：其一为硅的薄表面层(形成晶体管)，在其上形成蚀刻电路；其二为绝缘材料的中间层；其三为硅晶片，其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。掩埋氧化层的基本思想是减少寄生结电容，寄生电容越小，晶体管的工作速度越快。

一种实施方式中，体接触式场效应管的栅极的偏压为1.5伏(V)或1.8伏(V)。

以体接触式场效应管的栅极的偏压为1.5伏为例，以上可以理解为，当体接触式场效应管处于打开状态时，体接触式场效应管的栅极偏压为1.5V，体接触式场效应管的主体偏压为0，当体接触式场效应管处于打开状态时，体接触式场效应管的栅极和主体的偏压均为-1.5V。体接触式场效应管的栅极的偏压为1.8伏时同理。

一种实施例中，体接触式场效应管采用了45nm的SOI工艺制作，体接触式场效应管为1.5V或1.8V厚栅氧化体接触式场效应管。基于导通状态电阻Ron和断开状态电容Coff分析，使用1.5V或1.8V厚栅氧化体接触器件相比于使用开关器件metricRonCoff/BV的1V薄栅晶体管更好，其中，BV是击穿电压。

一种实施例中，体接触式场效应管为体接触式N型场效应管(即NFET)，另一种举例中，体接触式场效应管为体接触式P型场效应管(即PFET)。

请参考图4，以下以第一场效应管单元11，及其对应的衬底电阻单元、栅极电阻单元为例，对场效应管单元中器件、衬底电阻单元中器件，以及栅极电阻单元中器件的具体连接关系进行阐述，第二场效应管单元12、第三场效应管单元13、第四场效应管单元14的具体连接关系均可参照于此理解。进行详细阐述：

第一场效应管M1、第二场效应管M2和第三场效应管M3串联形成一个场效应管单元，第一场效应管M1的源极连接第一开关节点Tin，第三场效应管M3的漏极连接第二开关节点Tout+，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3的衬底分别连接第一衬底电阻R151、第二衬底电阻R152、第三衬底电阻R153的一端，第一衬底电阻R151、第二衬底电阻R152、第三衬底电阻R153的另一端连接在一起，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3的栅极分别连接第一栅极电阻R161、第二栅极电阻R162、第三栅极电阻R163的一端，第一栅极电阻R161、第二栅极电阻R162、第三栅极电阻R163的另一端连接在一起。

请参考图5，下面将对采用浮体FET，且衬底未设置高阻的一种单刀双掷开关进行阐述，从而更好地说明本发明及其部分可选方案的积极效果：

采用浮体FET的单刀双掷开关中，场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3串联形成一个场效应管单元，栅极电阻R1、栅极电阻R2、栅极电阻R3的一端分别连接场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3的栅极，栅极电阻R1、栅极电阻R2、栅极电阻R3的另一端连接在一起，场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3均为衬底无高阻的浮体场效应管，场效应管Q1的源极连接第一浮体开关节点Sin，场效应管Q3的漏极连接第二浮体开关节点Sout+；

场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5串联形成一个场效应管单元，栅极电阻R3、栅极电阻R4、栅极电阻R5的一端分别连接场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5的栅极，栅极电阻R3、栅极电阻R4、栅极电阻R5的另一端连接在一起，场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6均为衬底无高阻的浮体场效应管，场效应管Q4的源极连接第一浮体开关节点Sin，场效应管Q6的漏极连接第三浮体开关节点Sout-；

场效应管Q7、场效应管Q8、场效应管Q9串联形成一个场效应管单元，栅极电阻R7、栅极电阻R8、栅极电阻R9的一端分别连接场效应管Q7、场效应管Q8、场效应管Q9的栅极，栅极电阻R7、栅极电阻R8、栅极电阻R9的另一端连接在一起，场效应管Q7、场效应管Q8、场效应管Q9均为衬底无高阻的浮体场效应管，场效应管Q7的源极连接第二浮体开关节点Sout+，场效应管Q9的漏极连接地；

场效应管Q10、场效应管Q11、场效应管Q12串联形成一个场效应管单元，栅极电阻R10、栅极电阻R11、栅极电阻R12的一端分别连接场效应管Q10、场效应管Q11、场效应管Q12的栅极，栅极电阻R10、栅极电阻R11、栅极电阻R12的另一端连接在一起，场效应管Q10、场效应管Q11、场效应管Q12均为衬底无高阻的浮体场效应管，场效应管Q10的源极连接第三浮体开关节点Sout-，场效应管Q12的漏极连接地；其中场效应管为1V浮体NFET或1V浮体PFET。

由于5G标准，单刀双掷开关时间从6GHz以下的微秒级减少到5G毫米波应用的纳秒级。因此，射频扼流圈电阻从80KΩ电平变为小于20KΩ电平。

对于图5中为例的结构，其为采用浮体NFET或浮体PFET设计的单刀双掷开关，0.1dB压缩点大于24dBm。基于6GHz以下的开关最大输入功率Pmax的定义，第二次和第三次谐波突然上升的输入定义了Pmax，测得的Pmax大于24dBm。但是，经实验确定，当输入功率大于20dBm时，基于频率为100MHz的双音信号间隔的IMD3会迅速增加，系统误差向量幅度(Error VectorMagnitude，简称EVM)降低。

对于IMD3，主要贡献是立方项，但这不能解释当输入功率大于20dbm时，IMD3的突然增加。因此，失真应该是由高次谐波引起的。由于UE(User Equipment，可理解为用户设备)-PA(PowerAmplifier，可理解为功率放大器)可具有高达23dBm的输出功率，因此需要功率处理能力大于23dBm的单刀双掷开关。

高阶交调失真(IMDn)通常是由场效应管的晶体管或衬底中寄生结二极管的非线性引起的。对于浮体场效应管，由于对主体终端的寄生电容较小，Coff比基于6GHz的体接触式场效应管更小，但是与使用体接触式场效应管的设计相比，采用浮体场效应管的开关通常会产生更差的谐波或更低的0.1dB压缩点，而体接触式场效应管具有更好的机体控制。

与使用浮体NFETs或浮体PFETs的单刀双掷开关相比，带有体接触式NFETs的单刀双掷开关的隔离度比使用浮体PFETs的单刀双掷开关的隔离度差，但略好于使用浮体NFETs的SPDT开关的隔离度。对于隔离度，带有体接触式FET的单刀双掷开关由于其Coff最低而显示出最佳的隔离。带有体接触式NFETs的单刀双掷开关的0.1dB压缩点大于25dBm，双音信号的IMD3与浮体FET场效应管相比大约有3dB的改善，基于IMD3的最大持续功率大于23dBm。

因此，采用体控性较好的体接触式FET的单刀双掷开关很好地抑制了浮体器件的浮体效应，具有合理的绝缘性和隔离性，同时，在场效应管的衬底和栅极增加电阻，将IMDn定义的Pmax提高了约3dB，即单刀双掷开关的三阶交调失真点提高。

单刀双掷开关可以将多路信号中的任一路通过控制逻辑连通，以实现不同信号路径的切换(例如信号接收路径与信号发送路径的切换，再例如不同频段的信号路径间的切换)，以达到共用天线、节省终端产品成本的目的。

请参考图6，本发明实施例还提供了一种信号处理电路，包括天线2、接收处理电路3、发送处理电路4以及前文所述的单刀双掷开关1，单刀双掷开关1的第一开关节点Tin连接天线2，单刀双掷开关1的第二开关节点Tout+连接接收处理电路3，单刀双掷开关1的第三开关节点Tout-连接发送处理电路4。

当单刀双掷开关连接接收处理电路3，信号由天线2接收，经过单刀双掷开关1，传送至接收处理电路3；当单刀双掷开关1连接发送处理电路4，信号从发送处理电路5传出，经过单刀双掷开关1，传送至天线2发送出去。

请参考图7，一种实施方式中，接收处理电路3包括低噪声放大器31，低噪声放大器31的一端连接单刀双掷开关1的第二开关节点Tout+。

低噪声放大器31用于将信号放大，使后端的其他电路能够对其进行处理，本领域任意已有或改进的低噪声放大器均可应用于此而落在本发明的范围内。

天线2接收到的信号通过单刀双掷开关1传送到低噪声放大器31，低噪声放大器31在尽可能不增添失真和噪声的前提下，提高所需信号的幅值。

请参考图7，一种实施方式中，发送处理电路4包括功率放大器41，功率放大器41的一端连接单刀双掷开关1的第三开关节点Tout-，其中功率放大器41主要负责发射通道的信号的放大。

请参考图8，一种实施例中，发送处理电路4还包括阻抗匹配网络42、发送滤波器43和发送处理器44，接收处理电路3还包括接收滤波器32和接收处理器34。

本发明的信号处理电路的一具体实施例包括发射通路和接收通路，其工作过程可例如：

当单刀双掷开关1切换到接收处理电路3即接收通路工作时，天线2接收到信号，信号经过单刀双掷开关1的第一开关节点Tin和第二开关节点Tout+传送至低噪声放大器31进行放大(同时也可进行滤波、转差分等处理)，放大后的信号传送至接收滤波器32进行滤波，然后，滤波后的信号可传送至接收处理器33；

当单刀双掷开关1切换至发送处理电路4即发射通路工作时，发送处理器44将信号传出，经过发送滤波器43滤波，传送至功率放大器41进行信号的放大(同时也可进行滤波、转单端等处理)，使信号满足无线通讯协议的要求，放大后的信号经过阻抗匹配网络42、单刀双掷开关1的第三开关节点Tout-和第一开关节点Tin传送至天线2，由天线2将最终的信号发射出去。

本发明实施例还提供了一种电子设备，包括了前文所述的信号处理电路。

以上电子设备可以是具有通信功能的任意电子设备，例如可以为手机、平板电脑、计算机、智能穿戴设备、网络设备、车载设备，以及其他专用于通讯或非专用于通讯的设备等等。

在本说明书的描述中，参考术语“一种实施方式”、“一种实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。