ECO改版改变冗余图形填充方法、终端设备和存储介质

技术领域

本发明涉及半导体生产制造领域，特别是涉及一种用于ECO(Engineering ChangeOrder,产品发生技术变更指令)改版冗余版图需要重新填充时的ECO改版冗余图形填充方法。本发明还涉及一种用于所述ECO改版冗余图形填充方法的终端设备，以及一种用于实现所述ECO改版冗余图形填充方法中的步骤的计算机存储介质。

背景技术

在半导体制造领域内，冗余图形填充是一道必不可少的工序流程，它可以有效改善化学机械研磨(CMP)所产生的热点(Hot spot)问题，提高CMP的稳定性。同时，冗余图形填充往往都是在流片(tapeout)最开始的时候进行操作处理的，传统的冗余图形填充方式如图1所示，客户在完成版图设计后便需要填充冗余图形，将合成后生成的新版图数据用于后续的量产流片中。

当一个产品发生ECO(Engineering Change Order,产品发生技术变更指令)时，由于原始版图数据发生变化，因此对应的冗余图形需要重新填充，同时又希望新加的冗余图形与前一版冗余图形在绝大部分区域内保持一致，仅允许新旧两版数据差异位置附近的冗余图形不一样。这一需求的实现过程是非常困难的，特别是随着技术节点的不断减小，冗余图形通常会被设计成类器件组合结构或交叉组合结构，并且填充过程对可填区的范围大小变得十分敏感，往往会因为版图的一点点差异而引起“动全身”的影响。因此，如遇此类需求时，DFM技术人员往往会花费大量的时间和精力去特殊处理冗余图形。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能避免ECO改版新旧冗余图形发生位移，缩短ECO改版冗余图形的填充周期，提高ECO改版冗余版图填充效率的ECO改版改变冗余图形填充方法。

相应的，本发明还提供了一种用于所述ECO改版冗余图形填充方法的终端设备，以及一种用于实现所述ECO改版冗余图形填充方法中的步骤的计算机存储介质。

为解决上述技术问题，本发明提供的ECO改版冗余图形填充方法，包括以下步骤：

步骤1，从ECO改版前版图数据中，将冗余填充图形和非冗余填充图形分别抽取出来；

步骤2，将提取的非冗余填充图形与ECO改版版图图形进行层与层的差异对比，并在有差异位置生成一个用于后续冗余图形优化填充的标定识别层；

步骤3，根据所述将标定识别层对冗余填充图形进行处理，保留标定识别层外的冗余填充图形，移除标定识别层内的冗余填充图形，形成第一中间版图图形；

步骤4，根据ECO改版版图图形数据，在第一中间图形数据标定识别层范围内重新插入并优化冗余图形，形成第二中间版图图形；

步骤5，将第一中间版图图形和第二中间版图图形合并得到最终ECO改版版图。

可选择的，进一步改进所述的ECO改版冗余图形填充方法，所述标定识别层的尺寸范围5Xpitch～10Xpitch。

可选择的，进一步改进所述的ECO改版冗余图形填充方法，其能应用于包括但不限于22nm、20nm以及小于等于16nm工艺平台。

可选择的，进一步改进所述的ECO改版冗余图形填充方法，其能应用于包括但不限于逻辑器件、存储器件、射频器件、高压器件、Flash和eFlash的ECO改版冗余图形填充。

为解决上述技术问题，本发明提供一种终端设备，其用于执行上述任意一项所述的ECO改版冗余图形填充方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现上述任意一项所述的ECO改版冗余图形填充方法中的步骤。

本发明提出了一种ECO改版冗余图形填充方法，本发明在ECO改版前原版数据的基础上，仅对改版位置周围的冗余图形进行填充优化处理，保留并沿用其余位置的冗余填充图形。本发明能够有效地避免ECO改版前和ECO改版造成的新旧冗余图形发生位移等问题，缩短了冗余图形的填充周期，同时极大程度的减小了冗余图形对工艺的影响，提高了工艺的稳定性。

附图说明

本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有ECO改版冗余图形填充方法流程示意图。

图2是本发明流程示意图。

图3为本发明第二实施例的示意图一。

图4为本发明第二实施例的示意图二。

具体实施方式

以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。

在全部附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。此外，还应当理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、参数、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、参数、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、参数、组件、区域、层或部分与另一个元件、参数、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离根据本发明的示例性实施例的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、参数、组件、区域、层或部分也可以被称作第二元件、参数、组件、区域、层或部分。

第一实施例；

如图2所示，本发明提供一种ECO改版冗余图形填充方法，包括以下步骤：

步骤1，从ECO改版前版图数据中，将冗余填充图形和非冗余填充图形分别抽取出来；

步骤2，将提取的非冗余填充图形与ECO改版版图图形进行层与层的差异对比，并在有差异位置生成一个用于后续冗余图形优化填充的标定识别层；

步骤3，根据所述将标定识别层对冗余填充图形进行处理，保留标定识别层外的冗余填充图形，移除标定识别层内的冗余填充图形，形成第一中间版图图形；

步骤4，根据ECO改版版图图形数据，在第一中间图形数据标定识别层范围内重新插入并优化冗余图形，形成第二中间版图图形；

步骤5，将第一中间版图图形和第二中间版图图形合并得到最终ECO改版版图。

可选择的，上述第一实施例中所述标定识别层的尺寸范围5Xpitch～10Xpitch。

可选择的，上述第一实施例其能应用于包括但不限于22nm、20nm以及小于等于16nm工艺平台。

可选择的，上述第一实施例其能应用于包括但不限于逻辑器件、存储器件、射频器件、高压器件、Flash和eFlash的ECO改版冗余图形填充。

第二实施例；

为了使本发明流程更加清晰易懂，下面结合具体ECO实施例对本发明流程进行进一步详细说明。

首先从原版流片版图数据中，将原冗余填充图形和非冗余填充图形分别提取出来。

然后将提取出的非冗余填充图形与ECO新版图图形进行层与层的差异对比，并在有差异的位置处生成一个用于后续冗余图形优化填充的标定识别层，如图3所示。标定识别层的大小由技术节点所决定，一般为5X～10XPitch。

将提取出的冗余填充图形与标定识别层进行处理，保留标定识别层外的冗余填充图形，移除标定识别层内的冗余填充图形。

基于上一步所得到的处理后的冗余填充图形数据与新版图图形数据，在标定识别层范围内重新插入并优化冗余图形。

最后将新版图图形与通过标定识别层所保留下的冗余图形和重新插入并优化后的冗余填充图形合并，得到最终版图数据，如图4所示。

经过实际验证，采用本发明的ECO改版冗余图形填充方法和现有ECO改版冗余图形填充方法分别对某ECO改版冗余图形进行填充。采用本发明的ECO改版冗余图形填充方法整个流程共耗时1.5小时，而现有ECO改版冗余图形填充方法仅重新填充冗余图形就需要2.5小时，如果继续进行后续优化调整时间则需要更长的时间。

第三实施例；

本发明提供一种终端设备，例如计算机其用于执行第一实施例所述的ECO改版冗余图形填充方法。

第四实施例；

本发明提供一种计算机可读存储介质，例如硬盘、光盘或U盘，其存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-4任意一项所述的ECO改版冗余图形填充方法中的步骤。

除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。

以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。