一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法

技术领域

本发明涉及单反数码相机技术领域，具体是指一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法。

背景技术

无反相机是指微单、单电、专微等各种无反光板可换镜头相机的总称。现有的相机存在以下问题：1.取景时滞：拍摄者在EVF看到的影像与实际要拍摄物体的运动存在时间差，导致物体运动过快的情况下从EVF看到的与实际拍到的图像不相符；2.无反相机不论取景还是成像时CMOS都一直在工作，因此无反相机相比单反相机耗电量要大的多；

相比无反相机，单反相机取景通过光学取景，没有取景时滞，但是副反光板+AF检测模块结构复杂，同时存在以下问题：1.副反光板安装在主反光板之后，导致反光板总成质量大、惯性大；反光板总成很难快速动作，因此影响相机的连拍速度；2.由于独立AF检测对焦机构的光路与实际成像并不是同一光路，这就在理论上存在跑焦的风险：AF检测根据对焦光路将信号传输给镜头控制单元驱动镜头对焦，但实际成像的光路并不是同一光路，这两个光路的焦距误差就会导致跑焦；3.连续拍摄过程中反光板频繁升起落下，此过程取景光路变化会引起光学取景器失效从而出现黑屏现象，不能连续观察被摄物体。

所以，一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法成为人们亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法：

一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法，包括单反数码相机，所述单反数码相机中设有半透膜反光板、五棱镜、EVF、对焦屏以及CMOS，所述EVF设置于对焦屏的上方，所述五棱镜设置于EVF的上方，所述半透膜反光板倾斜设置于对焦屏的下方，所述CMOS竖直设置于半透膜反光板右下方，所述半透膜反光板包括可变通光量半透膜反光板和固定通光量半透膜反光板；

所述半透膜反光板为可变通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF取景；

1)纯光学取景：采用五棱镜配合可变通光量半透膜反光板进行取景，取景光线路径同普通单反；当需要优先保证取景时调整为低透光率从而更多光线可反射到光学取景器；当需要优先保证对焦能力时调整为高透光率从而使得更多光线透过可变通光量半透膜反光板到达CMOS以保证对焦的效果；

2)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF取景，在弱光线情况下使用，通过光学取景器看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

3)EVF取景：在此取景方式下可变通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS上，通过EVF进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS片上的对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄反光板升起，光线照射到CMOS上成像；单次拍摄反光板不升起时，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS上成像；连续拍摄反光板升起，光线照射到CMOS上成像；连续拍摄反光板不升起，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS上成像；单纯EVF模

式下单次和连续拍摄，同目前无反相机；

所述半透膜反光板为固定通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF取景；

1)纯光学取景：采用五棱镜配合固定通光量半透膜反光镜取景，取景光线路径同普通单反；

2)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF取景，通过光学取景看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

3)EVF取景：在此取景方式下固定通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS上，通过EVF、LCD进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS片上对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS上成像；单次拍摄固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过半透膜固定通光量半透膜反光板照射到CMOS上成像；连续拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS上成像；连续拍照固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过固定通光量半透膜反光板照射到CMOS上成像；单纯EVF模式下单次和连续拍摄，同目前无反相机。

进一步地，所述可变通光量半透膜反光板自动调整透光率为50％-100％。

进一步地，所述固定通光量半透膜反光板的光线透过损失在30％左右。

进一步地，所述EVF为电子取景器，所述CMOS为图像传感器。

本发明与现有技术相比的优点在于：本发明使得经典的单反五棱镜光学取景系统得以保留，相比于无反相机无取景时滞；在传统的光学取景光路中集成了EVF，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响；取消副反光镜机构，使得反光板总成更简化、重量更轻，相比传统单反可达到更快的连拍速度；舍弃传统对焦模块，机身结构更紧凑，减少故障点，彻底消除了机身跑焦风险；相比于无反相机更加省电；机身法兰距无变化，因此镜头卡扣无需变动，可以通用所有老镜头；本发明设置合理值得大力推广。

附图说明

图1是一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法的结构示意图；

如图所示：1、单反数码相机，2、半透膜反光板，3、五棱镜，4、EVF，5、对焦屏，6、CMOS。

具体实施方式

下面结合附图对本发明一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法做进一步的详细说明。

结合附图，一种含有半透膜反光板的单反数码相机及其使用方法，包括单反数码相机1，其特征在于：所述单反数码相机1中设有半透膜反光板2、五棱镜3、EVF4、对焦屏5以及CMOS6，所述EVF4设置于对焦屏5的上方，所述五棱镜3设置于EVF4的上方，所述半透膜反光板2倾斜设置于对焦屏5的下方，所述CMOS6竖直设置于半透膜反光板2右下方，所述半透膜反光板2包括可变通光量半透膜反光板和固定通光量半透膜反光板；

所述半透膜反光板2为可变通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF4取景；

4)纯光学取景：采用五棱镜3配合可变通光量半透膜反光板进行取景，取景光线路径同普通单反；

当需要优先保证取景时调整为低透光率从而更多光线可反射到光学取景器；当需要优先保证对焦能力时调整为高透光率从而使得更多光线透过可变通光量半透膜反光板到达CMOS6以保证对焦的效果；

5)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF4取景，在弱光线情况下使用，通过光学取景器看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF4看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

6)EVF4取景：在此取景方式下可变通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS6上，通过EVF4进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS6片上的对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄反光板升起，光线照射到CMOS6上成像；单次拍摄反光板不升起时，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像；连续拍摄反光板升起，光线照射到CMOS6上成像；连续拍摄反光板不升起，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像；单纯EVF模式下单次和连续拍摄，同目前无反相机；

所述半透膜反光板为固定通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF4取景；

4)纯光学取景：采用五棱镜3配合固定通光量半透膜反光镜取景，取景光线路径同普通单反；

5)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF4取景，通过光学取景看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

6)EVF4取景：在此取景方式下固定通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS6上，通过EVF4、LCD进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS6片上对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS6上成像；单次拍摄固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过半透膜固定通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像；连续拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS6上成像；连续拍照固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过固定通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像；单纯EVF模式下单次和连续拍摄，同目前无反相机。

所述可变通光量半透膜反光板自动调整透光率为50％-100％。

所述固定通光量半透膜反光板的光线透过损失在30％左右。

所述EVF4为电子取景器，所述CMOS6为图像传感器。

本发明的具体实施如下所示：首先在原有单反数码相机的基础上进行改进，在单反数码相机中将EVF4设置于对焦屏5的上方，五棱镜3设置于EVF4的上方，半透膜反光板2倾斜设置于对焦屏5的下方，CMOS6竖直设置于半透膜反光板2右下方；

实施例1：

半透膜反光板2为可变通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF4取景；

7)纯光学取景：采用五棱镜3配合可变通光量半透膜反光板进行取景，取景光线路径同普通单反；

当需要优先保证取景时调整为低透光率从而更多光线可反射到光学取景器；当需要优先保证对焦能力时调整为高透光率从而使得更多光线透过可变通光量半透膜反光板到达CMOS6以保证对焦的效果；

8)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF4取景，在弱光线情况下使用，通过光学取景器看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF4看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

9)EVF4取景：在此取景方式下可变通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS6上，通过EVF4进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS6片上的对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄反光板升起，光线照射到CMOS6上成像，避免了光线通过半透膜反光板时的光线损失，可以取得最好成像效果。可同时启动EVF，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响。此模式反光板振动可能会影响拍摄画面的稳定性；

单次拍摄反光板不升起时，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像，此时需要相机处理器调整半透膜透光率到100％以保证最小的光线损失。可同时启动EVF，以保证取景效果。此模式可以尽量避免反光板振动对拍摄画面的稳定性影响。但光线通过半透膜反光板可能会有所损失，光线较强时使用此模式；

连续拍摄反光板升起，光线照射到CMOS6上成像，避免了光线通过半透膜反光板时的光线损失，可以取得最好成像效果。可同时启动EVF，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响。此模式反光板振动可能会影响拍摄画面的稳定性，且反光板运动会影响连拍速度但取消了副反光板机构，连拍速度还是高于传统单反相机；

连续拍摄反光板不升起，光线透过可变通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像，此时需要相机处理器调整半透膜透光率到100％以保证最小的光线损失，同时启动EVF，以保证取景效果。此模式可以尽量避免反光板振动对拍摄画面的稳定性影响。但光线通过半透膜反光板可能会有所损失，光线较强时使用此模式。此模式反光板不运动，可以实现无反相机的较快连拍速度；

单纯EVF模式下单次和连续拍摄，同目前无反相机；

实施例2：半透膜反光板为固定通光量半透膜反光板时，单反数码相机的使用方法如下所示：

步骤1：取景：取景模式包括纯光学取景、混合取景以及EVF4取景；

7)纯光学取景：采用五棱镜3配合固定通光量半透膜反光镜取景，取景光线路径同普通单反；

8)混合取景：在纯光学取景的基础上叠加对焦屏上方的EVF4取景，通过光学取景看到要拍摄物体没有时滞的运动状态，通过叠加的EVF看到物体实时拍摄显示的效果以便于调整各项拍摄参数；

9)EVF4取景：在此取景方式下固定通光量半透膜反光板需要升起，同无反相机取景模式，光线直接投射到CMOS6上，通过EVF4、LCD进行取景；

步骤2：对焦：无论何种取景模式，都使用CMOS6片上对焦模块进行对焦；

步骤3：成像：当单次拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS6上成像，避免了光线通过半透膜反光板时的光线损失，可以取得最好成像效果。可同时启动EVF，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响。此模式反光板振动可能会影响拍摄画面的稳定性；

单次拍摄固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过半透膜固定通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像，可同时启动EVF，以保证取景效果。此模式可以尽量避免反光板振动对拍摄画面的稳定性影响。但光线通过半透膜反光板会有30％损失，光线较强时使用此模式；

连续拍摄固定通光量半透膜反光板升起，光线照射到CMOS6上成像，避免了光线通过半透膜反光板时的光线损失，可以取得最好成像效果。可同时启动EVF，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响。此模式反光板振动可能会影响拍摄画面的稳定性，且反光板运动会影响连拍速度，但取消了副反光板机构，连拍速度还是高于传统单反相机；

连续拍照固定通光量半透膜反光板不升起，光线透过固定通光量半透膜反光板照射到CMOS6上成像，同时启动EVF，以保证取景效果。此模式可以尽量避免反光板振动对拍摄画面的稳定性影响。但光线通过半透膜反光板会有30％损失，光线较强时使用此模式。此模式反光板不运动，可以实现无反相机的较快连拍速度；

单纯EVF模式下单次和连续拍摄，同目前无反相机。

本发明使得经典的单反五棱镜光学取景系统得以保留，相比于无反相机无取景时滞；在传统的光学取景光路中集成了EVF4，弥补了成像过程中反光板升起时光学取景器失效导致的黑屏问题对取景连续性的影响；取消副反光镜机构，使得反光板总成更简化、重量更轻，相比传统单反可达到更快的连拍速度；舍弃传统对焦模块，机身结构更紧凑，减少故障点，彻底消除了机身跑焦风险；相比于无反相机更加省电；机身法兰距无变化，因此镜头卡扣无需变动，可以通用所有老镜头；本发明设置合理值得大力推广。

以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。