对称式正反接检测电路

技术领域

本发明涉及检测电路，更具体地说是一种对称式正反接检测电路。

背景技术

现有技术中，通过连接器正接检测电路检测连接器是否正确接线，连接器反接检测电路检测连接器是否接线错误，以这种方式进行电路检测，元器件分散，器件环路面值大，容易引入外部环境噪声，从而引起信号的干扰，容易导致错误的判断。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供对称式正反接检测电路。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

对称式正反接检测电路，包括第一连接器、第二连接器、第一控制单元、第二控制单元、第三控制单元、第四控制单元、第一检测信号输入单元、第二检测信号输入单元以及主控MCU；所述第一连接器与所述第一控制单元连接，所述第二连接器与所述第二控制单元连接，所述第一控制单元与第二控制单元、第三控制单元和第四控制单元连接，所述第二控制单元与所述第一控制单元、第三控制单元和第四控制单元连接，所述第三控制单元与所述第一检测信号输入单元连接，所述第一检测信号输入单元与所述主控MCU连接，所述第四控制单元与所述第二检测信号输入单元连接，所述第二检测信号输入单元与所述主控MCU连接。

其进一步技术方案为：所述第一控制单元和第二控制呈上下对称设置；所述第三控制单元和第四控制单元呈左右对称设置。

其进一步技术方案为：所述第一控制单元为二极管D1。

其进一步技术方案为：所述第二控制单元为二极管D2。

其进一步技术方案为：所述第三控制单元为三极管Q1。

其进一步技术方案为：所述第四控制单元为光耦合器U2。

其进一步技术方案为：所述第一检测信号输入单元为电阻R5，所述第二检测信号输入单元为电阻R6。

其进一步技术方案为：所述二极管D1的正极与所述第一连接器连接，所述二极管D1的负极与所述三极管Q1的基极、光耦合器U2的控制端以及二极管D2的负极连接，所述二极管D2的正极与所述第二连接器连接，所述二极管D2的负极与所述三极管Q1的集电极、光耦合器U2的控制端以及二极管D1的负极连接，所述三极管Q1的发射极与GND连接，所述三极管Q1的基极通过电阻R2与所述二极管D1的负极、二极管D2的负极以及光耦合器U2的控制端连接，所述三极管Q1的集电极与所述电阻R5的一端连接，所述光耦合器U2的控制端与检测设备的电源连接，所述光耦合器U2的控制端通过电阻R3与所述二极管D1的负极、二极管D2的负极以及三极管Q1的基极连接，所述光耦合器U2的受控端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述主控MCU连接，所述电阻R6的另一端与所述主控MCU连接。

其进一步技术方案为：所述主控MCU为芯片U1，所述芯片U1所采用的型号为HT66F004。

其进一步技术方案为：还包括硬件控制单元；所述硬件控制单元包括电阻R7以及MOS管Q2，所述电阻R7的一端与所述电阻R6的一端连接，所述电阻R7的另一端与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOS管Q2的源极与GND连接。

本发明与现有技术相比的有益效果是：本发明无论连接器是正接还是反接，是否接在电瓶上，还是空置状态，或许是短路状态，此电路都可以精准的检测当前的状态，而且大大减少了PCB环路面积，减少了环境的噪声干扰，提高了检测的准确性。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明技术手段，可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，详细说明如下。

附图说明

图1为本发明对称式正反接检测电路具体实施例的电路原理方框图；

图2为本发明对称式正反接检测电路具体实施例的电路原理图。

具体实施方式

为了更充分理解本发明的技术内容，下面结合具体实施例对本发明的技术方案进一步介绍和说明，但不局限于此。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、“或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不应理解为必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行结合和组合。

本发明可应用于汽车启动电源、便携式移动储能电源、智能排插、智能插座，能有效的降低环境的干扰，提高检测的准确性。下面以应用于在汽车启动电源为具体实施例来介绍本发明。

请参考图1，对称式正反接检测电路，包括第一连接器1(即用来连接电瓶的电瓶夹)、第二连接器4(即用来连接电瓶的电瓶夹)、第一控制单元2、第二控制单元3、第三控制单元5、第四控制单元6、第一检测信号输入单元7、第二检测信号输入单元8以及主控MCU9；第一控制单元2和第二控制呈上下对称设置，第三控制单元5和第四控制单元6呈左右对称设置；第一连接器1与第一控制单元2连接，第二连接器4与第二控制单元3连接，第一控制单元2与第二控制单元3、第三控制单元5和第四控制单元6连接，第二控制单元3与第一控制单元2、第三控制单元5和第四控制单元6连接，第三控制单元5与第一检测信号输入单元7连接，第一检测信号输入单元7与主控MCU9连接，第四控制单元6与第二检测信号输入单元8连接，第二检测信号输入单元8与主控MCU9连接。

连接器(电瓶夹)正负极无论上正下负，还是上负下正，通过控制电路后都可以输出对应的信号给到主控MCU9，主控MCU9通过对应端口输送的芯片进行判断，连接器(电瓶夹)是正接还是反接，是否接在电瓶上，还是空置状态，或许是短路状态，此电路都可以精准的检测当前的状态，而且大大减少了PCB环路面积，减少了环境的噪声干扰。

在某些实施例中，比如本实施例中，请参考图2，第一控制单元2为二极管D1。第二控制单元3为二极管D2。第三控制单元5为三极管Q1。第四控制单元6为光耦合器U2。第一检测信号输入单元7为电阻R5，第二检测信号输入单元8为电阻R6。二极管D1的正极与第一连接器1连接，二极管D1的负极与三极管Q1的基极、光耦合器U2的控制端以及二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与第二连接器4连接，二极管D2的负极与三极管Q1的集电极、光耦合器U2的控制端以及二极管D1的负极连接，三极管Q1的发射极与GND连接，三极管Q1的基极通过电阻R2与二极管D1的负极、二极管D2的负极以及光耦合器U2的控制端连接，三极管Q1的集电极与电阻R5的一端连接，光耦合器U2的控制端与电瓶电源连接，光耦合器U2的控制端通过电阻R3与二极管D1的负极、二极管D2的负极以及三极管Q1的基极连接，光耦合器U2的受控段与电阻R6的一端连接，电阻R5的另一端与主控MCU9连接，电阻R6的另一端与主控MCU9连接。主控MCU9为芯片U1。优选地，芯片U1所采用的型号为HT66F004，二极管D1和二极管D2所采用的型号为IN4148WS，三极管Q1和光耦合器U2所采用的型号为3904。

在某些实施例中，比如本实施例中，电路还包括硬件控制单元；硬件控制单元包括电阻R7以及MOS管Q2，电阻R7的一端与电阻R6的一端连接，电阻R7的另一端与MOS管Q2的栅极连接，MOS管Q2的源极与GND连接。

综上：无论连接器是正接还是反接，是否接在电瓶上，还是空置状态，或许是短路状态，此电路都可以精准的检测当前的状态，而且大大减少了PCB环路面积，减少了环境的噪声干扰，提高了检测的准确性。

上述仅以实施例来进一步说明本发明的技术内容，以便于读者更容易理解，但不代表本发明的实施方式仅限于此，任何依本发明所做的技术延伸或再创造，均受本发明的保护。本发明的保护范围以权利要求书为准。