双面反射显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种双面反射显示面板。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)以其优异的性能与成熟的技术成为市场上的主流产品。液晶显示装置根据光源类型加以分类，可以分为透射式、反射式和透反式(也称为半透射半反射式)。液晶显示装置主要包括相对设置的彩膜基板和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板，二者之间填充液晶。现有的反射式液晶显示装置和透反式液晶显示装置均可以应用于户外，以便充分利用环境光，即将外界光进行反射，以获得显示图像所需的全部(反射式)或部分光源(透反式)。

目前，市场上的显示面板大多以单面显示为主。但在许多场合中，例如在数字标牌、电子通讯器材、收银设施、窗口问询设施、展览馆等公共场所的广告播放设备中，往往需要实现显示面板的双面显示，即使位于显示面板的正反两面的人能够同时观看显示的画面。

现有技术中的双面显示器实际是两个独立的显示面板以及其二者对应的背光源的组合体，其内部结构以及驱动两个独立的显示面板发光的驱动系统均较为复杂，不仅使得双面显示器的制作成本大大提高，也使得产品的厚度增加，不符合显示面板轻薄化的趋势。因此，如何使得双面显示器呈现整体轻薄化、驱动集成化，成为了双面显示器发展的一个关键问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出一种双面反射显示面板，以三层基板的架构实现双面显示，代替现有技术中的两个独立的显示器，不仅降低了生产成本，而且相较于两个显示器更加轻薄。

本发明提供一种双面反射显示面板，包括相对设置的第一基板、第二基板和第三基板，所述第一基板和所述第三基板分别位于所述第二基板的相对两侧，所述第一基板与所述第二基板之间设有第一液晶层，所述第三基板与所述第二基板之间设有第二液晶层，所述第二基板设有反射层，所述第一液晶层和所述第二液晶层均具有吸光态和透光态；

所述第一液晶层为吸光态时，外界光线从所述第一基板的外部进入所述第一基板，穿过所述第一基板到达所述第一液晶层并被所述第一液晶层吸收，使所述双面反射显示面板于靠近所述第一基板的一侧呈现暗态；所述第一液晶层为透光态时，外界光线从所述第一基板的外部进入所述第一基板，依次穿过所述第一基板和所述第一液晶层之后到达所述反射层并被所述反射层反射，反射后的光线依次穿过所述第一液晶层和所述第一基板到达所述第一基板的外部，使所述双面反射显示面板于靠近所述第一基板的一侧呈现亮态；

所述第二液晶层为吸光态时，外界光线从所述第三基板的外部进入所述第三基板，穿过所述第三基板到达所述第二液晶层并被所述第二液晶层吸收，使所述双面反射显示面板于靠近所述第三基板的一侧呈现暗态；所述第二液晶层为透光态时，外界光线从所述第三基板的外部进入所述第三基板，依次穿过所述第三基板和所述第二液晶层之后到达所述反射层并被所述反射层反射，反射后的光线依次穿过所述第二液晶层和所述第三基板到达所述第三基板的外部，使所述双面反射显示面板于靠近所述第三基板的一侧呈现亮态。

进一步地，所述第一基板为对盒基板，所述第一基板包括第一衬底基板和第一公共电极，所述第一公共电极设置于所述第一衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第二基板为TFT阵列基板，所述第二基板包括第二衬底基板、第二公共电极、第一TFT和第一像素电极，所述第一像素电极与所述第一TFT连接，所述第一TFT和所述第一像素电极均设置于所述第二衬底基板靠近所述第一基板的一侧，所述第二公共电极设置于所述第二衬底基板靠近所述第三基板的一侧；

所述第三基板为TFT阵列基板，所述第三基板包括第三衬底基板、第二TFT和第二像素电极，所述第二像素电极与所述第二TFT连接，所述第二TFT和所述第二像素电极均设置于所述第三衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第一像素电极和所述第一公共电极用于驱动控制所述第一液晶层在吸光态和透光态之间转换，所述第二像素电极和所述第二公共电极用于驱动控制所述第二液晶层在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，所述第二基板包括第一电连接区，所述第三基板包括第二电连接区，所述第一电连接区和所述第二电连接区分别位于所述双面反射显示面板的不同侧。

进一步地，所述第一基板为对盒基板，所述第一基板包括第一衬底基板和第一公共电极，所述第一公共电极设置于所述第一衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第二基板为TFT阵列基板，所述第二基板包括第二衬底基板、第一TFT、第一像素电极、第二TFT和第二像素电极，所述第一像素电极与所述第一TFT连接，所述第一TFT和所述第一像素电极均设置于所述第二衬底基板靠近所述第一基板的一侧，所述第二像素电极与所述第二TFT连接，所述第二TFT和所述第二像素电极均设置于所述第二衬底基板靠近所述第三基板的一侧；

所述第三基板为对盒基板，所述第三基板包括第三衬底基板和第二公共电极，所述第二公共电极设置于所述第三衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第一像素电极和所述第一公共电极用于驱动控制所述第一液晶层在吸光态和透光态之间转换，所述第二像素电极和所述第二公共电极用于驱动控制所述第二液晶层在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，所述第一基板为TFT阵列基板，所述第一基板包括第一衬底基板、第一TFT和第一像素电极，所述第一像素电极与所述第一TFT连接，所述第一TFT和所述第一像素电极均设置于所述第一衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第二基板为对盒基板，所述第二基板包括第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极设置于所述第二衬底基板靠近所述第一基板的一侧，所述第二公共电极设置于所述第二衬底基板靠近所述第三基板的一侧；

所述第三基板为TFT阵列基板，所述第三基板包括第三衬底基板、第二TFT和第二像素电极，所述第二像素电极与所述第二TFT连接，所述第二TFT和所述第二像素电极均设置于所述第三衬底基板靠近所述第二基板的一侧；

所述第一像素电极和所述第一公共电极用于驱动控制所述第一液晶层在吸光态和透光态之间转换，所述第二像素电极和所述第二公共电极用于驱动控制所述第二液晶层在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，所述第一液晶层内和所述第二液晶层内均设有染料液晶，所述染料液晶包括液晶分子和染料分子，所述液晶分子的排列方向和所述染料分子的排列方向均能够在平行于所述第二基板和垂直于所述第二基板之间转换，使所述第一液晶层和所述第二液晶层呈吸光态和透光态。

进一步地，所述反射层设置于所述第二基板靠近所述第一基板或所述第三基板的一侧，或者所述反射层同时设置于所述第二基板靠近所述第一基板和所述第三基板的相对两侧。

进一步地，所述反射层包括第一平坦化层和金属反射层，所述金属反射层与所述第一平坦化层相贴合，所述反射层设有微结构。

进一步地，所述第一平坦化层设有第一凸起部，所述金属反射层于对应所述第一凸起部的位置设有第二凸起部，所述第一凸起部与所述第二凸起部对应贴合。

进一步地，所述第一基板设有第一色阻层和第一黑矩阵，所述第一色阻层和所述第一黑矩阵均位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述第三基板设有第二色阻层和第二黑矩阵，所述第二色阻层和所述第二黑矩阵均位于所述第三基板靠近所述第二基板的一侧。

本发明提供的双面反射显示面板，以三层基板架构为基础，每两层相邻的基板之间设有一层液晶层，且液晶层具有吸光态和透光态两种不同的状态。当第一液晶层为吸光态时，透过第一基板的光线被第一液晶层吸收，使双面反射显示面板于靠近第一基板的一侧呈现暗态；当第一液晶层为透光态时，透过第一基板的光线穿过第一液晶层后被反射层反射，使双面反射显示面板于靠近第一基板的一侧呈现亮态。当第二液晶层为吸光态时，透过第三基板的光线被第二液晶层吸收，使双面反射显示面板于靠近第三基板的一侧呈现暗态；当第二液晶层为透光态时，透过第三基板的光线穿过第二液晶层后被反射层反射，使双面反射显示面板于靠近第三基板的一侧呈现亮态。即通过控制第一液晶层和第二液晶层的状态实现显示面板的双面显示，且两面的显示状态互不影响。

本发明提供的双面反射显示面板为一体结构，相较于现有技术中的两个独立的显示器，不仅降低了生产成本，而且更加轻薄。

附图说明

图1为本发明第一实施例中双面反射显示面板的截面示意图。

图2a为图1中第一液晶层和第二液晶层为吸光态时的结构示意图。

图2b为图1中第一液晶层和第二液晶层为透光态时的结构示意图。

图3为本发明第二实施例中双面反射显示面板的截面示意图。

图4为本发明第三实施例中双面反射显示面板的截面示意图。

图5为本发明第四实施例中双面反射显示面板的截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

本发明的说明书和权利要求书中所涉及的上、下、左、右、前、后、顶、底等(如果存在)方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。

第一实施例

如图1所示，本发明第一实施例提供一种双面反射显示面板，包括相对设置的第一基板1、第二基板2和第三基板3，第一基板1和第三基板3分别位于第二基板2的相对两侧。第一基板1与第二基板2之间设有第一液晶层41，第三基板3与第二基板2之间设有第二液晶层42，第一基板1、第二基板2和第一液晶层41共同构成第一液晶盒，第二基板2、第三基板3和第二液晶层42共同构成第二液晶盒。

进一步地，第二基板2设有反射层23，第一液晶层41和第二液晶层42均具有吸光态和透光态两种不同的状态。透过第一基板1的光线能够被第一液晶层41吸收或穿过第一液晶层41后被反射层23反射，使双面反射显示面板于靠近第一基板1的一侧呈现暗态或亮态；透过第三基板3的光线能够被第二液晶层42吸收或穿过第二液晶层42后被反射层23反射，使双面反射显示面板于靠近第三基板3的一侧呈现暗态或亮态。

具体地，第一液晶层41为吸光态时，外界光线从第一基板1的外部进入第一基板1，穿过第一基板1到达第一液晶层41并被第一液晶层41吸收，使双面反射显示面板于靠近第一基板1的一侧呈现暗态；第一液晶层41为透光态时，外界光线从第一基板1的外部进入第一基板1，依次穿过第一基板1和第一液晶层41之后到达反射层23并被反射层23反射，反射后的光线依次穿过第一液晶层41和第一基板1到达第一基板1的外部，使双面反射显示面板于靠近第一基板1的一侧呈现亮态。

进一步地，第二液晶层42为吸光态时，外界光线从第三基板3的外部进入第三基板3，穿过第三基板3到达第二液晶层42并被第二液晶层42吸收，使双面反射显示面板于靠近第三基板3的一侧呈现暗态；第二液晶层42为透光态时，外界光线从第三基板3的外部进入第三基板3，依次穿过第三基板3和第二液晶层42之后到达反射层23并被反射层23反射，反射后的光线依次穿过第二液晶层42和第三基板3到达第三基板3的外部，使双面反射显示面板于靠近第三基板3的一侧呈现亮态。

进一步地，第一基板1为对盒基板(即不设有TFT)，第二基板2和第三基板3均为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板；或者，第一基板1和第三基板3均为对盒基板，第二基板2为TFT阵列基板；或者，第一基板1和第三基板3均为TFT阵列基板，第二基板2为对盒基板。

具体地，在本实施例中，第一基板1为对盒基板，第二基板2和第三基板3均为TFT阵列基板，即第二基板2和第三基板3均由多条数据线(图未示)与多条扫描线(图未示)绝缘交叉限定形成多个像素单元，每个像素单元内设有像素电极和TFT，每个像素单元内的像素电极通过TFT与对应的扫描线和数据线连接。以下以第二基板2和第三基板3上的其中一个像素单元进行说明。

具体地，第一基板1包括第一衬底基板11和第一公共电极51，第一公共电极51设置于第一衬底基板11靠近第二基板2的一侧。第二基板2包括第二衬底基板21、第二公共电极61、第一TFT53和第一像素电极52，第一像素电极52与第一TFT53连接，第一TFT53和第一像素电极52均设置于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧，第二公共电极61设置于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧。第三基板3包括第三衬底基板31、第二TFT63和第二像素电极62，第二像素电极62与第二TFT63连接，第二TFT63和第二像素电极62均设置于第三衬底基板31靠近第二基板2的一侧。第一像素电极52和第一公共电极51用于驱动控制第一液晶层41在吸光态和透光态之间转换，第二像素电极62和第二公共电极61用于驱动控制第二液晶层42在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，如图1至图2b所示，第一液晶层41内和第二液晶层42内均设有染料液晶40，染料液晶40包括液晶分子401和染料分子402，液晶分子401的排列方向和染料分子402的排列方向均能够在平行于第二基板2和垂直于第二基板2之间转换，使第一液晶层41和第二液晶层42呈吸光态和透光态。

具体地，请结合图1及图2a，当第一TFT53断开，第一像素电极52和第一公共电极51之间不加电压(即为断开状态)时，第一液晶层41内的染料分子402随液晶分子401螺旋排列在第一液晶盒内，即第一液晶层41内的液晶分子401的长轴和染料分子402的长轴均平行于第二基板2(液晶分子401和染料分子402均为椭圆形结构)，此时第一液晶层41内的染料液晶40呈吸光态，透过第一基板1的入射光线被第一液晶层41内的染料分子402吸收，使双面反射显示面板于靠近第一基板1的一侧呈现暗态。当第二TFT63断开，第二像素电极62和第二公共电极61之间不加电压(即为断开状态)时，第二液晶层42内的染料分子402随液晶分子401螺旋排列在第二液晶盒内，即第二液晶层42内的液晶分子401的长轴和染料分子402的长轴均平行于第二基板2，此时第二液晶层42内的染料液晶40呈吸光态，透过第三基板3的入射光线被第二液晶层42内的染料分子402吸收，使双面反射显示面板于靠近第三基板3的一侧呈现暗态。

请结合图1及图2b，当第一TFT53打开，第一像素电极52和第一公共电极51之间施加有电压(即为连通状态)时，第一液晶层41内的染料分子402随液晶分子401垂直排列在第一液晶盒内，即第一液晶层41内的液晶分子401的长轴和染料分子402的长轴均垂直于第二基板2，此时第一液晶层41内的染料分子402不吸收光，即第一液晶层41内的染料液晶40呈透光态，透过第一基板1的入射光线穿过第一液晶层41后被反射层23反射出来，使双面反射显示面板于靠近第一基板1的一侧呈现亮态。当第二TFT63打开，第二像素电极62和第二公共电极61之间施加有电压(即为连通状态)时，第二液晶层42内的染料分子402随液晶分子401垂直排列在第二液晶盒内，即第二液晶层42内的液晶分子401的长轴和染料分子402的长轴均垂直于第二基板2，此时第二液晶层42内的染料分子402不吸收光，即第二液晶层42内的染料液晶40呈透光态，透过第三基板3的入射光线穿过第二液晶层42后被反射层23反射出来，使双面反射显示面板于靠近第三基板3的一侧呈现亮态。

当然，也可以是第一TFT53和第二TFT63中的其中一者打开，另外一者关闭，即双面反射显示面板的其中一侧呈现亮态，另外一侧呈现暗态，双面反射显示面板的两面的显示状态互不影响。

进一步地，反射层23可以设置于第二基板2靠近第一基板1或第三基板3的一侧，或者反射层23同时设置于第二基板2靠近第一基板1和第三基板3的相对两侧。如图1所示，在本实施例中，反射层23设置于第二基板2靠近第一基板1的一侧。如图5所示，在另一实施例中，反射层23设置于第二基板2靠近第三基板3的一侧。

进一步地，反射层23包括第一平坦化层231和金属反射层232，金属反射层232与第一平坦化层231相贴合，反射层23设有微结构。

在本实施例中，反射层23的微结构具体为：第一平坦化层231设有第一凸起部2311，金属反射层232于对应第一凸起部2311的位置设有第二凸起部2321，第一凸起部2311与第二凸起部2321对应贴合。当然，在其它实施例中，反射层23的微结构也可以是在第一平坦化层231和金属反射层232上均设置凹陷部，或者是在第一平坦化层231和金属反射层232上设置凹凸不平的结构。反射层23的微结构可以将光线打散，即增强反射层23对光的散射，使显示亮度更加均匀。

具体地，金属反射层232对光线起主要的反射作用，第一平坦化层231一方面起绝缘作用，另一方面方便反射层23的微结构的制作，即在铺设第一平坦化层231后，可通过蚀刻在第一平坦化层231上形成凸起或凹陷，然后在第一平坦化层231上仿形铺设金属反射层232，使金属反射层232具有与第一平坦化层231相同的凸起或凹陷结构。

进一步地，在本实施例中，第一基板1设有第一色阻层13和第一黑矩阵12，第一色阻层13和第一黑矩阵12均位于第一基板1靠近第二基板2的一侧。第三基板3设有第二色阻层33和第二黑矩阵34，第二色阻层33和第二黑矩阵34均位于第三基板3靠近第二基板2的一侧。

具体地，在本实施例中，第一色阻层13和第二色阻层33为RGB色阻层，即红、绿、蓝三色色阻层。

进一步地，第二基板2包括第一电连接区(或称为外围区或非显示区或绑定区，即TFT与外部电路进行电连接的区域)201，第三基板3包括第二电连接区301，第一电连接区201和第二电连接区301分别位于双面反射显示面板的不同侧。第一电连接区201用于第一TFT53与外部电路的电连接，第二电连接区301用于第二TFT63与外部电路的电连接。

具体地，在本实施例中，第一电连接区201和第二电连接区301分别位于双面反射显示面板的相对两侧。通过将第一电连接区201和第二电连接区301分别设置在双面反射显示面板的不同侧，可更加方便地实现第一TFT53和第二TFT63与外部电路的电连接(若第一电连接区201和第二电连接区301位于双面反射显示面板的同一侧，由于空间太小，可能会影响第二TFT63与外部电路的电连接)。

在本实施例中，该双面反射显示面板的制作过程包括：A、第一基板1、第二基板2和第三基板3的制作；B、制盒。

具体地，第一基板1的制作方法包括以下步骤：

提供第一衬底基板11；

在第一衬底基板11上形成第一黑矩阵12；

在第一衬底基板11上形成覆盖第一黑矩阵12的第一色阻层13；

在第一色阻层13上形成第二平坦化层14；

在第二平坦化层14上形成第一公共电极51；

在第一公共电极51上设置第一衬垫料71；

其中第一黑矩阵12、第一色阻层13、第二平坦化层14、第一公共电极51和第一衬垫料71均位于第一衬底基板11靠近第二基板2的一侧。

进一步地，第二基板2的制作方法包括以下步骤：

提供第二衬底基板21；

在第二衬底基板21上形成第二公共电极61，第二公共电极61位于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧；

在第二衬底基板21形成的第一金属层，其中第一金属层包括第一栅极531和第一扫描线(图未示)；

在第二衬底基板21上形成覆盖第一栅极531和第一扫描线的第一绝缘层535；

在第一绝缘层535上形成第一有源层534；

在第一绝缘层535上形成第二金属层，其中第二金属层包括第一源极532、第一漏极533和第一数据线(图未示)，第一源极532和第一漏极533分别与第一有源层534连接，且第一源极532与第一数据线连接；

在第一绝缘层535上形成第二绝缘层536，其中第二绝缘层536覆盖第一源极532、第一漏极533、第一数据线和第一有源层534；

对第二绝缘层536进行蚀刻形成贯穿第二绝缘层536的第一通孔(图未标号)，在第二绝缘层536上形成第一像素电极52，第一像素电极52填入第一通孔内并与第一漏极533连接；

在第二绝缘层536上形成覆盖第一像素电极52的第一平坦化层231，对第一平坦化层231分别进行曝光、显影和蚀刻制作第一凸起部2311；

在第一平坦化层231上形成金属反射层232，金属反射层232上于对应第一凸起部2311的位置形成第二凸起部2321；

其中第一栅极531、第一扫描线、第一绝缘层535、第一有源层534、第一源极532、第一漏极533、第一数据线、第二绝缘层536、第一像素电极52、第一平坦化层231和金属反射层232均位于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧。

进一步地，第三基板3的制作方法包括以下步骤：

提供第三衬底基板31；

在第三衬底基板31上形成第三金属层，其中第三金属层包括第二栅极631和第二扫描线(图未示)；

在第三衬底基板31上形成覆盖第二栅极631和第二扫描线的第三绝缘层635；

在第三绝缘层635上形成第二有源层634；

在第三绝缘层635上形成第四金属层，其中第四金属层包括第二源极632、第二漏极633和第二数据线(图未示)，第二源极632和第二漏极633分别与第二有源层634连接，且第二源极632与第二数据线连接；

在第三绝缘层635上形成第四绝缘层636，其中第四绝缘层636覆盖第二源极632、第二漏极633、第二数据线和第二有源层634；

在第四绝缘层636上形成第二色阻层33；

对第四绝缘层636和第二色阻层33进行蚀刻形成贯穿第四绝缘层636和第二色阻层33的第二通孔(图未标号)，在第二色阻层33上形成第二像素电极62，第二像素电极62填入第二通孔内并与第二漏极633连接；

在第二色阻层33和第二像素电极62上形成第二黑矩阵34；

在第三基板3上设置第二衬垫料72；

其中第二栅极631、第二扫描线、第三绝缘层635、第二有源层634、第二源极632、第二漏极633、第二数据线、第四绝缘层636、第二色阻层33、第二像素电极62、第二黑矩阵34和第二衬垫料72均位于第三衬底基板31靠近第二基板2的一侧。

进一步地，在第一基板1、第二基板2和第三基板3分别制作完成后，再进行制盒，其中制盒过程包括第一液晶盒空盒的制作和第二液晶盒空盒的制作。

具体地，第一液晶盒的成盒过程包括：

在第一基板1于靠近第二基板2的一侧形成第一配向膜，在第二基板2于靠近第一基板1的一侧形成第二配向膜；

对第一配向膜和第二配向膜进行取向配向，其中第一配向膜的取向方向与第二配向膜的取向方向上下呈90°；

将第一基板1和第二基板2对叠后封装固化，即完成第一液晶盒空盒的制作。

进一步地，第二液晶盒的成盒过程包括：

在第二基板2于远离第一基板1的一侧形成第三配向膜，在第三基板3于靠近第二基板2的一侧形成第四配向膜；

对第三配向膜和第四配向膜进行取向配向，其中第三配向膜的取向方向与第四配向膜的取向方向上下呈90°；

将第三基板3和第一液晶盒的空盒对叠后封装固化，即完成第二液晶盒空盒的制作。

进一步地，第一液晶盒的空盒和第二液晶盒的空盒制作完成后，再对第一基板1、第二基板2和第三基板3进行切割，以露出第二基板2和第三基板3上的电连接区。在本实施例中，第一基板1的两侧均被完全切割(即第一基板1两侧的第一衬底基板11一起被切割掉)，以方便露出第一电连接区201和第二电连接区301；第二基板2的一侧(即第一电连接区201)被部分切割(即保留该区域的第二衬底基板21)以露出第一外围金属线(图未示)，用于第一TFT53与外部电路的电连接，同时第二基板2的另一侧被完全切割，以方便露出第二电连接区301；第三基板3于远离第一电连接区201的一侧(即第二电连接区301)被部分切割以露出第二外围金属线(图未示)，用于第二TFT63与外部电路的电连接，同时第三基板3于靠近第一电连接区201的一侧不进行切割，该区域可作为第一电连接区201的依靠(即第一电连接区201的第二衬底基板21与其上方的第三基板3相抵靠，可防止第一电连接区201的第二衬底基板21悬空)，以防止第一电连接区201在进行电连接时因基底不平导致第二衬底基板21破损。

需要说明的是，由于本实施例中的显示面板为反射式的结构，即一般以外界的环境光作为光源，故无需在显示面板的两个入光侧设置偏光片。

进一步地，在本实施例中，第一栅极531、第一源极532、第一漏极533、金属反射层232、第二栅极631、第二源极632和第二漏极633的材质可以为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，也可以为多层金属薄膜构成的复合薄膜。第一有源层534和第二有源层634的材质可以为非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、金属氧化物半导体(如IGZO、ITZO)等。第一公共电极51、第二公共电极61、第一像素电极52和第二像素电极62的材质可以为透明导电材质例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等。第一平坦化层231和第二平坦化层14可采用类似树脂的有机材质。第一绝缘层535和第三绝缘层635的材质可以为氮化硅，第二绝缘层536和第四绝缘层636的材质可以为氮氧化硅、氧化硅或氮化硅。

本发明实施例提供了一种新型的实现显示器双面反射的解决方案，以三层基板架构为基础，每两层相邻的基板之间设有一层液晶层，且液晶层具有吸光态和透光态两种不同的状态，通过控制每层液晶层的状态使显示面板的两侧分别显示暗态或亮态，从而实现显示面板的双面显示，且两面的显示状态互不影响。同时，本发明实施例的双面反射显示面板为一体结构，相较于现有技术中的两个独立的显示器，不仅降低了生产成本，而且更加轻薄。

第二实施例

如图3所示，本发明第二实施例提供的双面反射显示面板的结构与第一实施例大致相同，均为三层基板架构，不同点在于：在本实施例中，第一基板1和第三基板3均为对盒基板，第二基板2为TFT阵列基板，即第一TFT53和第二TFT63均设置在第二基板2上。

具体地，在本实施例中，第一基板1包括第一衬底基板11和第一公共电极51，第一公共电极51设置于第一衬底基板11靠近第二基板2的一侧。第二基板2包括第二衬底基板21、第一TFT53、第一像素电极52、第二TFT63和第二像素电极62，第一像素电极52与第一TFT53连接，第一TFT53和第一像素电极52均设置于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧，第二像素电极62与第二TFT63连接，第二TFT63和第二像素电极62均设置于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧。第三基板3包括第三衬底基板31和第二公共电极61，第二公共电极61设置于第三衬底基板31靠近第二基板2的一侧。第一像素电极52和第一公共电极51用于驱动控制第一液晶层41在吸光态和透光态之间转换，第二像素电极62和第二公共电极61用于驱动控制第二液晶层42在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，本实施例中第一基板1的结构与第一实施例中第一基板1的结构相同，在此不赘述。本实施例中第二基板2和第三基板3的结构与第一实施例中第二基板2和第三基板3的结构不同，以下简要叙述本实施例中第二基板2和第三基板3的结构。

具体地，在本实施例中，第二基板2包括：

第二衬底基板21；

形成在第二衬底基板21上的第一金属层，其中第一金属层包括第一栅极531和第一扫描线(图未示)；

形成在第二衬底基板21上且覆盖第一栅极531和第一扫描线的第一绝缘层535；

形成在第一绝缘层535上的第一有源层534；

形成在第一绝缘层535上的第二金属层，其中第二金属层包括第一源极532、第一漏极533和第一数据线(图未示)，第一源极532和第一漏极533分别与第一有源层534连接，且第一源极532与第一数据线连接；

形成在第一绝缘层535上的第二绝缘层536，其中第二绝缘层536覆盖第一源极532、第一漏极533、第一数据线和第一有源层534；

形成在第二绝缘层536上的第一像素电极52，第二绝缘层536上设有贯穿第二绝缘层536的第三通孔(图未标号)，第一像素电极52填入第三通孔内并与第一漏极533连接；

形成在第二绝缘层536上且覆盖第一像素电极52的第一平坦化层231，第一平坦化层231设有第一凸起部2311；

形成在第一平坦化层231上的金属反射层232，金属反射层232上于对应第一凸起部2311的位置设有第二凸起部2321；

其中第一栅极531、第一扫描线、第一绝缘层535、第一有源层534、第一源极532、第一漏极533、第一数据线、第二绝缘层536、第一像素电极52、第一平坦化层231和金属反射层232均位于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧。

进一步地，第二基板2还包括：

形成在第二衬底基板21上的第三金属层，其中第三金属层包括第二栅极631和第二扫描线(图未示)；

形成在第二衬底基板21上且覆盖第二栅极631和第二扫描线的第三绝缘层635；

形成在第三绝缘层635上的第二有源层634；

形成在第三绝缘层635上的第四金属层，其中第四金属层包括第二源极632、第二漏极633和第二数据线(图未示)，第二源极632和第二漏极633分别与第二有源层634连接，且第二源极632与第二数据线连接；

形成在第三绝缘层635上的第四绝缘层636，其中第四绝缘层636覆盖第二源极632、第二漏极633、第二数据线和第二有源层634；

形成在第四绝缘层636上的第二像素电极62，第四绝缘层636上设有贯穿第四绝缘层636的第四通孔(图未标号)，第二像素电极62填入第四通孔内并与第二漏极633连接；

其中第二栅极631、第二扫描线、第三绝缘层635、第二有源层634、第二源极632、第二漏极633、第二数据线、第四绝缘层636和第二像素电极62均位于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧。

进一步地，第三基板3包括：

第三衬底基板31；

形成在第三衬底基板31上第二黑矩阵34；

形成在第三衬底基板31上且覆盖第二黑矩阵34的第二色阻层33；

形成在第二色阻层33上第三平坦化层321；

形成在第三平坦化层321上的第二公共电极61；

设置在第二公共电极61上第二衬垫料71；

其中第二黑矩阵34、第二色阻层33、第三平坦化层321、第二公共电极61和第二衬垫料71均位于第三衬底基板31靠近第二基板2的一侧。

进一步地，第二基板2的上下两侧分别设有第一电连接区201和第三电连接区202，第一电连接区201用于第一TFT53与外部电路的电连接，第三电连接区202用于第二TFT63与外部电路的电连接。其中，本实施例中的第一电连接区201与第一实施例中的第一电连接区201的位置及结构相同，在此不赘述。第三电连接区202可以与第一电连接区201设置在显示面板的同一侧，也可以是设置在不同侧。

本实施例提供的双面反射显示面板的工作原理与第一实施例相同，均能够实现显示面板的双面显示。本实施例相较于第一实施例的优点在于：本实施例中第三基板3的结构更加简单，制程难度更低，更加轻薄，且第三基板3与第一基板1的结构相同，故第三基板3可以与第一基板1一起批量生产，以减少制程。本实施例相较于第一实施例的缺点在于：第二基板2的结构复杂，制程难度更大，且更加厚重。

第三实施例

如图4所示，本发明第三实施例提供的双面反射显示面板的结构与第一实施例大致相同，均为三层基板架构，不同点在于：在本实施例中，第一基板1和第三基板3均为TFT阵列基板，第二基板2为对盒基板，即第一TFT53设置在第一基板1上，第二TFT63设置在第三基板3上。

具体地，在本实施例中，第一基板1包括第一衬底基板11、第一TFT53和第一像素电极52，第一像素电极52与第一TFT53连接，第一TFT53和第一像素电极52均设置于第一衬底基板11靠近第二基板2的一侧。第二基板2包括第一公共电极51和第二公共电极61，第一公共电极51设置于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧，第二公共电极61设置于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧。第三基板3包括第三衬底基板31、第二TFT63和第二像素电极62，第二像素电极62与第二TFT63连接，第二TFT63和第二像素电极62均设置于第三衬底基板31靠近第二基板2的一侧。第一像素电极52和第一公共电极51用于驱动控制第一液晶层41在吸光态和透光态之间转换，第二像素电极62和第二公共电极61用于驱动控制第二液晶层42在吸光态和透光态之间转换。

进一步地，本实施例中第三基板3的结构与第一实施例中第三基板3的结构相同，在此不赘述。本实施例中第一基板1和第二基板2的结构与第一实施例中第一基板1和第二基板2的结构不同，以下简要叙述本实施例中第一基板1和第二基板2的结构。

具体地，在本实施例中，第一基板1包括：

第一衬底基板11；

形成在第一衬底基板11上的第一金属层，其中第一金属层包括第一栅极531和第一扫描线(图未示)；

形成在第一衬底基板11上且覆盖第一栅极531和第一扫描线的第一绝缘层535；

形成在第一绝缘层535上的第一有源层534；

形成在第一绝缘层535上的第二金属层，其中第二金属层包括第一源极532、第一漏极533和第一数据线(图未示)，第一源极532和第一漏极533分别与第一有源层534连接，且第一源极532与第一数据线连接；

形成在第一绝缘层535上的第二绝缘层536，其中第二绝缘层536覆盖第一源极532、第一漏极533、第一数据线和第一有源层534；

形成在第二绝缘层536上的第一色阻层13；

形成在第一色阻层13上的第一像素电极52，第二绝缘层536和第一色阻层13内设有贯穿第二绝缘层536和第一色阻层13的第五通孔(图未标号)，第一像素电极52填入第五通孔内并与第一漏极533连接；

形成在第一色阻层13和第一像素电极52上的第一黑矩阵12；

设置在第一基板1上的第一衬垫料71；

其中第一栅极531、第一扫描线、第一绝缘层535、第一有源层534、第一源极532、第一漏极533、第一数据线、第二绝缘层536、第一色阻层13、第一像素电极52、第一黑矩阵12和第一衬垫料71均位于第一衬底基板11靠近第二基板2的一侧。

进一步地，第二基板2包括：

第二衬底基板21；

形成在第二衬底基板21上的第二公共电极61，第二公共电极61位于第二衬底基板21靠近第三基板3的一侧；

形成在第二衬底基板21上的第一公共电极51；

形成在第一公共电极51上的第一平坦化层231，第一平坦化层231设有第一凸起部2311；

形成在第一平坦化层231上的金属反射层232，金属反射层232上于对应第一凸起部2311的位置设有第二凸起部2321；

其中第一公共电极51、第一平坦化层231和金属反射层232均位于第二衬底基板21靠近第一基板1的一侧。

进一步地，第一基板1于远离第二电连接区301的一侧设有第四电连接区101，第四电连接区101用于第一TFT53与外部电路的电连接，第二电连接区301用于第二TFT63与外部电路的电连接。其中，本实施例中的第二电连接区301与第一实施例中的第二电连接区301的位置及结构相同，在此不赘述。

本实施例提供的双面反射显示面板的工作原理与第一实施例相同，均能够实现显示面板的双面显示。本实施例相较于第一实施例的优点在于：本实施例中第一基板1与第三基板3的结构相同，故第一基板1可以与第三基板3一起批量生产，以减少制程。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。