用于芯片的参数修调装置和方法

技术领域

本发明涉及电路领域，更具体地涉及一种用于芯片的参数修调装置和方法。

背景技术

在芯片测试中需要对芯片内部的一些参数进行修调。这些参数可以是参考电压、偏置电流、振荡器频率、或功能选择等。用于芯片的参数修调方式有很多，通过熔丝熔断进行修调是广泛应用的方式。

图1示出了传统的熔丝熔断修调方式的原理示意图。在图1中，R_fuse是与熔丝的电阻有关的电阻，I_bias是固定的偏置电流；当不需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝未烧断，R_fuse较小，参数修调电路100向芯片控制电路200输出逻辑低电平的参数修调信号Trim_logic；当需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝烧断，R_fuse由于熔丝烧断而增大，参数修调电路100向芯片控制电路200输出逻辑高电平的参数修调信号Trim_logic。在芯片工作时，芯片控制电路200可以根据参数修调信号Trim_logic对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

图2示出了实现图1所示的修调方式的参数修调电路100的示意图。如图2所示，参数修调电路100包括电阻R1和整形电路buffer1；偏置电流I1流过串联的电阻R1和熔丝fuse1产生的电压经由整形电路bufer1进行电平整形产生数字信号；当不需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝fuse1未烧断，电阻R1和熔丝fuse1的总阻抗较小，偏置电流I1流过电阻R1和熔丝fuse1在A1节点产生的电压小于整形电路buffer1的翻转阈值，整形电路Buffer1输出逻辑低电平的参数修调信号B1；当需要对芯片内部的一个或多个参数进行修调时，熔丝fuse1烧断，电阻R1和熔丝fuse1的总阻抗较大，偏置电流I1流过电阻R1和熔丝fuse1在A1节点产生的电压大于整形电路buffer1的翻转阈值，整形电路Buffer1输出逻辑高电平的参数修调信号B1。

为了保证芯片控制电路200接收到持续的参数修调信号B1，需要向参数修调电路100提供持续的偏置电流I1。当需要对芯片内部的多个修调位进行修调时，需要多路偏置电流，这会导致芯片的工作电流增大。

发明内容

鉴于以上所述的问题，提出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法。

根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置，包括开关、参数修调电路、以及锁存器，其中：开关控制针对参数修调电路的偏置电流的提供与否；参数修调电路在被提供以偏置电流时，利用偏置电流生成参数修调信号并将参数修调信号提供给锁存器；锁存器通过对参数修调信号进行锁存生成锁存修调信号并将锁存修调信号提供给芯片的芯片控制电路，以使芯片控制电路基于锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

根据本发明实施例的用于芯片的参数修调方法，包括：在芯片上电后的预定时段中，基于偏置电流生成参数修调信号；在预定时段中的预定时刻对参数修调信号进行锁存，以生成锁存修调信号；以及利用锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

在根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法中，通过对参数修调信号进行锁存生成锁存修调信号并基于锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调，可以在无需持续的偏置电流的条件下实现对芯片内部的一个或多个参数的持续修调。因此，可以减小芯片的工作电流，从而降低芯片的功耗。

附图说明

从下面结合附图对本发明的具体实施方式的描述中可以更好地理解本发明，其中：

图1示出了传统的熔丝熔断修调方式的原理示意图。

图2示出了用于实现图1所示的修调方式的参数修调电路的示意图。

图3示出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置的示意图。

图4示出了与图3所示的参数修调装置有关的多个信号的时序图。

图5示出了图3所示的锁存器的示例电路实现。

图6示出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调方法的流程图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。本发明决不限于下面所提出的任何具体配置和算法，而是在不脱离本发明的精神的前提下覆盖了元素、部件和算法的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中，没有示出公知的结构和技术，以便避免对本发明造成不必要的模糊。

鉴于传统的熔丝熔断修调方式存在的上述问题，提出了一种用于芯片的参数修调装置和方法，其中，通过在芯片上电之初对参数修调电路输出的参数修调信号进行锁定，之后再关闭参数修调电路，将参数修调电路在芯片工作时的电流降低为接近0安的极低值，降低芯片的工作电流从而降低芯片的功耗。

图3示出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置300的示意图。如图3所示，参数修调装置300包括开关S1、参数修调电路302、以及锁存器304，其中：开关S1控制针对参数修调电路302的偏置电流I1的提供与否；参数修调电路302在被提供以偏置电流I1时，利用偏置电流I1生成参数修调信号B1并将参数修调信号B1提供给锁存器304；锁存器304通过对参数修调信号B1进行锁存生成锁存修调信号B1_latch并将锁存修调信号B1_latch提供给芯片的芯片控制电路200，以使芯片控制电路200基于锁存修调信号B1_latch对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

如图3所示，在一些实施例中，开关S1基于修调下电信号Trimpower down控制针对参数修调电路302的偏置电流I1的提供与否。例如，在一些实施例中，当修调下电信号Trimpower down为逻辑低电平时，开关S1处于闭合状态，参数修调电路302被提供以偏置电流I1(即，参数修调电路302被开启)；当修调下电信号Trim power down为逻辑高电平时，开关S1处于关断状态，参数修调电路302不被提供以偏置电流I1(即，参数修调电路302被关闭)。

如图3所示，在一些实施例中，锁存器304基于修调锁存信号Trimlatch对参数修调信号B1进行锁存。例如，在一些实施例中，当修调锁存信号Trim latch为逻辑高电平时，锁存器304对参数修调信号B1进行锁存；当修调锁存信号为逻辑低电平时，锁存器304输出逻辑低电平。

图4示出了与图3所示的参数修调装置300有关的多个信号的时序图。结合图3和图4可以看出，芯片上电后，计时使能信号en由逻辑低电平变为逻辑高电平，芯片的计时器开始计时；修调下电信号Trim powerdown为逻辑低电平，开关S1处于闭合状态，参数修调电路302基于偏置电流I1生成逻辑高电平的参数修调信号B1；当计时器计时至第一预定时刻T1时，修调锁存信号Trim latch从逻辑低电平变为逻辑高电平，锁存器304对逻辑高电平的参数修调信号B1进行锁存，生成逻辑高电平的锁存修调信号B1_latch；当计时器计时至第二预定时刻T2时，修调下电信号Trim power down从逻辑低电平变为逻辑高电平，开关S1断开，参数修调电路302被关闭(即，偏置电流I1不被提供给参数修调信号302)，参数修调电路302中的电流Trim cell current为0，此时参数修调信号B1从逻辑高电平变为逻辑低电平。

由于参数修调信号B1在第一预定时刻T1已经被锁存器304锁存，所以参数修调电路302被关闭并不会影响芯片控制电路304对芯片内部的一个或多个参数进行修调。在芯片后续的工作时段中，参数修调电路302的功耗接近于零，所以可以降低芯片的功耗。

换句话说，结合图3和图4可以看出，在计时器计时至第一预定时刻T1时，锁存器304对参数修调信号B1的逻辑电平进行锁定，生成锁定修调信号B1_latch，供芯片控制电路200用来对芯片内部的一个或多个参数进行修调；在计时器计时至第二预定时刻T2时，S1关断，切断流向参数修调电路302的偏置电流I1，参数修调电路302关闭，参数修调电路302中的电流Trim cell current降低至接近0安，参数修调信号B1从逻辑高电平变为逻辑低电平。

结合图4可以看出，在一些实施例中，锁存器304通过在芯片的上电时刻之后的第一预定时刻(例如，T1)对参数修调信号B1进行锁存来生成锁存修调信号B1_latch。另外，在一些实施例中，开关S1在从芯片的上电时刻到第二预定时刻(例如，T2)之间的时段内处于闭合状态，并且在第二预定时刻之后处于关断状态。将明白的是，第二预定时刻在第一预定时刻之后(即，第二预定时刻晚于第一预定时刻)。

图5示出了图3所示的锁存器的示例电路实现。在图5所示的电路实现中，在修调锁存信号Trim latch为逻辑低电平时，锁存器304生成的锁存修调信号B1_latch为逻辑低电平；在修调锁存信号Trim latch为逻辑高电平时，锁存器304将参数修调信号B1锁存到锁存器304的输出端。具体地，当参数修调信号B1为逻辑低电平时，锁存修调信号B1_latch为逻辑低低电平；当参数修调信号B1为逻辑高电平时，锁存修调信号B1_latch为逻辑高电平。当修调下电信号Trim power down关闭参数修调电路302后，参数修调信号B1从逻辑高电平变为逻辑低电平并不会对锁存修调信号B1_latch产生影响。

图6示出了根据本发明实施例的用于芯片的参数修调方法400的流程图。如图6所示，参数修调方法400包括：S402，在芯片上电后的预定时段中，基于偏置电流生成参数修调信号；S404，在预定时段中的预定时刻对参数修调信号进行锁存，以生成锁存修调信号；以及S406，利用锁存修调信号对芯片内部的一个或多个参数进行修调。

综上所述，根据本发明实施例的用于芯片的参数修调装置和方法，通过在芯片启动之初对参数修调电路输出的参数修调信号进行锁存，之后再关闭参数修调电路，将参数修调电路在芯片工作时的电流降低为接近0安的极低值，从而降低芯片的工作电流和功耗。

本发明可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。例如，特定实施例中所描述的算法可以被修改，而系统体系结构并不脱离本发明的基本精神。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。