电动螺丝刀及其充电电路

技术领域

本申请涉及电动螺丝刀的技术领域，尤其涉及电动螺丝刀及其充电电路。

背景技术

螺丝刀是一种用来拧转螺丝钉以迫使其就位的工具，通常有一个薄楔形头，可插入螺丝钉头的槽缝或凹口内，再通过旋转将螺丝固定于指定位置，现有螺丝刀主要有一字(负号)和十字(正号)两种，常见的还有六角螺丝刀等等，随着螺丝的设计和工具使用方式的不断改进，五金厂商和设计者还在针对现有的螺丝刀不断进行着改进与创新。

现有的电动螺丝刀在充电时，安全性较低，当内部充电电路的电压异常时，没有过压保护功能，可能会导致电子元器件发生损坏。

发明内容

本申请的目的在于提供电动螺丝刀及其充电电路，可以利用过压保护子电路实现过压保护，避免充电电路的电子元器件发生损坏。

本申请的目的采用以下技术方案实现：

第一方面，本申请提供了一种电动螺丝刀的充电电路，所述充电电路包括过压保护子电路；所述过压保护子电路包括第一MOSFET、三极管、稳压二极管、第三电容、第一电阻、第五电阻、第六电阻和第九电阻；所述第一MOSFET的栅极通过所述第六电阻连接至所述公共接地端，所述第一MOSFET的源极连接至所述第五电阻的第一端，所述第一MOSFET的漏极接入供电电压；所述三极管的基极连接至所述第九电阻的第一端，所述三极管的集电极连接于所述第一MOSFET的栅极和所述第六电阻之间，所述三极管的发射极连接于所述第一MOSFET的源极和所述第五电阻之间；所述稳压二极管的正极连接至所述公共接地端，所述稳压二极管的负极连接于所述第五电阻的第二端和所述第九电阻的第二端之间；所述第三电容的第一端连接至所述第一MOSFET的源极，所述第三电容的第二端连接至所述第一MOSFET的栅极；所述第一电阻的第一端连接至所述第一MOSFET的源极，所述第一电阻的第二端连接至所述第一MOSFET的栅极。该技术方案的有益效果在于，通过设置第三电容和第一电阻，第三电容和第一电阻的两端可以分别连接至第一MOSFET的源极和栅极，第三电容可以吸收第一MOSFET开关瞬间产生的尖峰电压，使得MOSFET承受的过电压降低，避免损坏MOSFET，第一电阻具有消耗一定过压能量的作用；通过设置三极管、第五电阻、第六电阻和第九电阻，三极管的基极可以与第九电阻串联，从而减小三极管的基极处的电流，避免三极管烧坏，三极管的集电极可以与第六电阻串联，三极管的集电极具有电流放大作用，通过设置第六电阻，可以将放大电流转换成电压输出，三极管的发射极可以与第五电阻串联，通过设置第五电阻，可以降低温度因素对静态偏置电压的影响从而稳定电流放大倍数；通过设置稳压二极管，可以起到稳压的作用，可以保护过压保护子电路中的高精度电子元器件；综上，可以利用过压保护子电路实现过压保护，避免充电电路的电子元器件发生损坏。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括充电保护子电路，所述充电保护子电路包括第四MOSFET、第十电阻和第十三电阻；所述第四MOSFET的栅极通过所述第十电阻连接至所述电动螺丝刀的MCU的充电保护信号输出端，所述第四MOSFET的源极连接至所述公共接地端，所述第四MOSFET的漏极连接于所述第五电阻和所述稳压二极管之间；所述第十三电阻的第一端连接于所述第十电阻和所述第四MOSFET的栅极之间，所述第十三电阻的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第十电阻和第十三电阻，第十电阻可以避免高压状态下由于第四MOSFET开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十三电阻可以作为泄放电阻泄放掉第四MOSFET的少量静电，防止第四MOSFET误动作，起到保护第四MOSFET的作用。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括充电反馈子电路，所述充电反馈子电路包括充电器和第二电阻；所述充电器的充电状态指示端连接至所述电动螺丝刀的MCU的充电状态信号接收端，所述充电器的充电状态指示端输出充电状态信号，所述充电器的接地端连接至公共接地端，所述充电器的充电电流输出端连接至电池正极，所述充电器的电源电压端接入供电电压，所述充电器的漏极开路状态指示端通过所述第二电阻连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，一方面，充电器的充电状态指示端可以连接至电动螺丝刀的MCU的充电状态信号接收端，利用充电器的充电状态指示端输出充电状态信号；另一方面，充电器的漏极开路状态指示端可以通过第二电阻连接至公共接地端，通过设置第二电阻，可以基于第二电阻设定充电电流，实现充电电流监控的作用，充电器的漏极开路状态指示端还可以充当停机引脚来关断充电器，可以将第二电阻与公共接地端断接，内部电流将充电器的漏极开路状态指示端拉至高电平，当充电器的漏极开路状态指示端的电压达到停机门限电压时，充电器进入停机模式，充电停止且输入电源电流降低，重新将充电器的漏极开路状态指示端与公共接地端相连将使充电器恢复正常操作状态。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括第四电容和第五电容；所述第四电容的第一端连接至所述电池正极，所述第四电容的第二端连接至所述公共接地端；所述第五电容的第一端连接至所述电池正极，所述第五电容的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第四电容和第五电容，可以防止尖峰电压和毛刺电压引起充电器损坏。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括第一LED控制子电路，所述第一LED控制子电路包括第二MOSFET、第一双向稳压二极管、第三电阻、第七电阻和第十一电阻；所述第二MOSFET的栅极通过所述第七电阻连接至所述电动螺丝刀的MCU的第一LED控制信号输出端，所述第二MOSFET的源极连接至所述公共接地端，所述第二MOSFET的漏极通过所述第三电阻连接至所述电动螺丝刀的第一LED的负极；所述第一双向稳压二极管的第一端连接于所述第二MOSFET的栅极和所述第七电阻之间，所述第一双向稳压二极管的第二端连接至所述公共接地端；所述第十一电阻的第一端连接于所述第二MOSFET的栅极和所述第七电阻之间，所述第十一电阻的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第一双向稳压二极管，可以将第一双向稳压二极管并联在第二MOSFET的栅极和源极之间，第一双向稳压二极管的正反两个方向均可以起到稳压作用，防止高压击穿第二MOSFET；通过设置第七电阻和第十一电阻，第七电阻可以避免高压状态下由于第二MOSFET开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十一电阻可以作为泄放电阻泄放掉第二MOSFET的少量静电，防止第二MOSFET误动作，起到保护第二MOSFET的作用；通过设置第三电阻，可以保证第二MOSFET的漏极处于高电平状态，避免引起误动作。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括第二LED控制子电路，所述第二LED控制子电路包括第三MOSFET、第二双向稳压二极管、第四电阻、第八电阻和第十二电阻；所述第三MOSFET的栅极通过所述第八电阻连接至所述电动螺丝刀的MCU的第二LED控制信号输出端，所述第三MOSFET的源极连接至所述公共接地端，所述第三MOSFET的漏极通过所述第四电阻连接至所述电动螺丝刀的第二LED的负极；所述第二双向稳压二极管的第一端连接于所述第三MOSFET的栅极和所述第八电阻之间，所述第二双向稳压二极管的第二端连接至所述公共接地端；所述第十二电阻的第一端连接于所述第三MOSFET的栅极和所述第八电阻之间，所述第十二电阻的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第二双向稳压二极管，可以将第二双向稳压二极管并联在第三MOSFET的栅极和源极之间，第二双向稳压二极管的正反两个方向均可以起到稳压作用，防止高压击穿第三MOSFET；通过设置第八电阻和第十二电阻，第八电阻可以避免高压状态下由于第三MOSFET开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十二电阻可以作为泄放电阻泄放掉第三MOSFET的少量静电，防止第三MOSFET误动作，起到保护第三MOSFET的作用；通过设置第四电阻，可以保证第三MOSFET的漏极处于高电平状态，避免引起误动作。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括LED供电子电路，所述LED供电子电路包括第二磁珠、第三磁珠和第三双向稳压二极管；所述第二磁珠的第一端接入内部工作电压，所述第二磁珠的第二端连接至所述电动螺丝刀的LED的正极；所述第三磁珠的第一端连接至所述电动螺丝刀的Type-C连接器的接地端，所述第三磁珠的第二端连接至所述公共接地端；所述第三双向稳压二极管的第一端连接至所述第二磁珠的第二端，所述第三双向稳压二极管的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第二磁珠，第二磁珠具有较好的高频滤波特性，可以避免电动螺丝刀的LED的正极与内部工作电压之间互相干扰；通过设置第三磁珠，可以抑制高频噪声和尖峰干扰；通过设置第三双向稳压二极管，第三双向稳压二极管的正反两个方向均可以起到稳压作用。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括静电防护子电路，所述静电防护子电路包括第一磁珠；所述第一磁珠的第一端连接至所述第一MOSFET的源极，所述第一磁珠的第二端连接于所述电动螺丝刀的Type-C连接器的第一电压端和第二电压端之间。该技术方案的有益效果在于，通过设置第一磁珠，第一磁珠的第二端处于高电平时，第一MOSFET截止，外部电源停止对Type-C连接器供电，可以利用第一磁珠存储的能量对Type-C连接器供电，随着第一磁珠的能量不断被消耗，第一磁珠的第二端逐渐变为低电平，第一MOSFET导通，外部电源开始对Type-C连接器供电，综上，通过设置第一磁珠和第一MOSFET，可以使第一磁珠的第二端处的电平处于稳定状态，起到稳压作用；另外，通过串联第一磁珠来限制静电放电电流，能够达到防静电的目的。

在一些可选的实施例中，所述充电电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端接入供电电压，所述第一电容的第二端连接至所述公共接地端；所述第二电容的第一端接入供电电压，所述第二电容的第二端连接至所述公共接地端。该技术方案的有益效果在于，通过设置第一电容和第二电容，可以滤除高频杂波，提高充电电路的稳定性能。

第二方面，本申请提供了一种电动螺丝刀，所述电动螺丝刀包括上述任一项电动螺丝刀的充电电路。该技术方案的有益效果在于，可以将电动螺丝刀的充电电路应用于电动螺丝刀，提高电动螺丝刀的智能化水平。

附图说明

下面结合附图和实施例对本申请进一步说明。

图1是本申请实施例提供的一种电动螺丝刀的充电电路的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种电动螺丝刀的结构示意图。

图中：10、充电器；11、充电器的充电状态指示端；12、充电器的接地端；13、充电器的充电电流输出端；14、充电器的电源电压端；15、充电器的漏极开路状态指示端；M1、第一MOSFET；Q2、第二MOSFET；Q3、第三MOSFET；Q4、第四MOSFET；Z1、稳压二极管；Q1、三极管；D1、第一双向稳压二极管；D2、第二双向稳压二极管；D3、第三双向稳压二极管；FB1、第一磁珠；FB2、第二磁珠；FB3、第三磁珠；R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R6、第六电阻；R7、第七电阻；R8、第八电阻；R9、第九电阻；R10、第十电阻；R11、第十一电阻；R12、第十二电阻；R13、第十三电阻；C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；C4、第四电容；C5、第五电容。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本申请做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

参见图1，本申请实施例提供了一种电动螺丝刀的充电电路，所述充电电路包括过压保护子电路；所述过压保护子电路包括第一MOSFET M1、三极管Q1、稳压二极管Z1、第三电容C3、第一电阻R1、第五电阻R5、第六电阻R6和第九电阻R9；所述第一MOSFET M1的栅极通过所述第六电阻R6连接至所述公共接地端，所述第一MOSFET M1的源极连接至所述第五电阻R5的第一端，所述第一MOSFET M1的漏极接入供电电压；所述三极管Q1的基极连接至所述第九电阻R9的第一端，所述三极管Q1的集电极连接于所述第一MOSFET M1的栅极和所述第六电阻R6之间，所述三极管Q1的发射极连接于所述第一MOSFET M1的源极和所述第五电阻R5之间；所述稳压二极管Z1的正极连接至所述公共接地端，所述稳压二极管Z1的负极连接于所述第五电阻R5的第二端和所述第九电阻R9的第二端之间；所述第三电容C3的第一端连接至所述第一MOSFET M1的源极，所述第三电容C3的第二端连接至所述第一MOSFET M1的栅极；所述第一电阻R1的第一端连接至所述第一MOSFET M1的源极，所述第一电阻R1的第二端连接至所述第一MOSFET M1的栅极。

MOSFET，即Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

供电电压的网络标号例如是VCC，公共接地端的网络标号例如是GND。

网络标号(net label)是一个电气连接点，一般由字母、符号、数字等组成，具有相同网络标号的电气连接线、引脚及网络是连接在一起的，网络标号不同的是不连接的。

本申请实施例对第一MOSFET M1、三极管Q1和稳压二极管Z1的选用不作限定，第一MOSFET M1的型号例如是LT1525SI，三极管Q1的型号例如是MMBT5401，稳压二极管Z1的型号例如是BZT52C6V2。

本申请实施例对第三电容C3的容量不作限定，第三电容C3的容量例如是0.08μF、0.1μF或0.12μF。

本申请实施例对第一电阻R1、第五电阻R5、第六电阻R6和第九电阻R9的阻值不作限定，第一电阻R1的阻值例如是0.8MΩ、1MΩ或1.2MΩ；第五电阻R5的阻值例如是8KΩ、10KΩ或12KΩ；第六电阻R6的阻值例如是350KΩ、390KΩ或420KΩ；第九电阻R9的阻值例如是8KΩ、10KΩ或12KΩ。

由此，通过设置第三电容C3和第一电阻R1，第三电容C3和第一电阻R1的两端可以分别连接至第一MOSFET M1的源极和栅极，第三电容C3可以吸收第一MOSFET M1开关瞬间产生的尖峰电压，使得MOSFET承受的过电压降低，避免损坏MOSFET，第一电阻R1具有消耗一定过压能量的作用；通过设置三极管Q1、第五电阻R5、第六电阻R6和第九电阻R9，三极管Q1的基极可以与第九电阻R9串联，从而减小三极管Q1的基极处的电流，避免三极管Q1烧坏，三极管Q1的集电极可以与第六电阻R6串联，三极管Q1的集电极具有电流放大作用，通过设置第六电阻R6，可以将放大电流转换成电压输出，三极管Q1的发射极可以与第五电阻R5串联，通过设置第五电阻R5，可以降低温度因素对静态偏置电压的影响从而稳定电流放大倍数；通过设置稳压二极管Z1，可以起到稳压的作用，可以保护过压保护子电路中的高精度电子元器件；综上，可以利用过压保护子电路实现过压保护，避免充电电路的电子元器件发生损坏。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括充电保护子电路，所述充电保护子电路可以包括第四MOSFET Q4、第十电阻R10和第十三电阻R13；所述第四MOSFET Q4的栅极可以通过所述第十电阻R10连接至所述电动螺丝刀的MCU的充电保护信号输出端，所述第四MOSFET Q4的源极可以连接至所述公共接地端，所述第四MOSFET Q4的漏极可以连接于所述第五电阻R5和所述稳压二极管Z1之间；所述第十三电阻R13的第一端可以连接于所述第十电阻R10和所述第四MOSFET Q4的栅极之间，所述第十三电阻R13的第二端可以连接至所述公共接地端。其中，MCU的充电保护信号输出端的网络标号例如是OV CHG。

本申请实施例对MCU和第四MOSFET Q4的选用不作限定，MCU的型号例如是CMS8S6990，第四MOSFET Q4的型号例如是2N7002。

本申请实施例对第十电阻R10和第十三电阻R13的阻值不作限定，第十电阻R10的阻值例如是8KΩ、10KΩ或12KΩ，第十三电阻R13的阻值例如是0.8MΩ、1MΩ或1.2MΩ。

由此，通过设置第十电阻R10和第十三电阻R13，第十电阻R10可以避免高压状态下由于第四MOSFET Q4开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十三电阻R13可以作为泄放电阻泄放掉第四MOSFET Q4的少量静电，防止第四MOSFET Q4误动作，起到保护第四MOSFETQ4的作用。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括充电反馈子电路，所述充电反馈子电路可以包括充电器10和第二电阻R2；所述充电器的充电状态指示端11可以连接至所述电动螺丝刀的MCU的充电状态信号接收端，所述充电器的充电状态指示端11可以输出充电状态信号，所述充电器的接地端12可以连接至公共接地端，所述充电器的充电电流输出端13可以连接至电池正极，所述充电器的电源电压端14可以接入供电电压，所述充电器的漏极开路状态指示端15可以通过所述第二电阻R2连接至所述公共接地端。其中，电池正极的网络标号例如是B+。

本申请实施例对充电器10的选用不作限定，充电器10的型号例如是TP4065，充电器10可以包含5个引脚。

充电器10的第1引脚即充电器的充电状态指示端11，充电器的充电状态指示端11的网络标号例如是CHG；充电器10的第2引脚即充电器的接地端12，充电器的接地端12的网络标号例如是GND；充电器10的第3引脚即充电器的充电电流输出端13；充电器10的第4引脚即充电器的电源电压端14，充电器的电源电压端14的网络标号例如是VCC；充电器10的第5引脚即充电器的漏极开路状态指示端15。

本申请实施例对第二电阻R2的阻值不作限定，第二电阻R2的阻值例如是4.8KΩ、5.1KΩ或5.4KΩ。

由此，一方面，充电器的充电状态指示端11可以连接至电动螺丝刀的MC U的充电状态信号接收端，利用充电器的充电状态指示端11输出充电状态信号；另一方面，充电器的漏极开路状态指示端15可以通过第二电阻R2连接至公共接地端，通过设置第二电阻R2，可以基于第二电阻R2设定充电电流，实现充电电流监控的作用，充电器的漏极开路状态指示端15还可以充当停机引脚来关断充电器10，可以将第二电阻R2与公共接地端断接，内部电流将充电器的漏极开路状态指示端15拉至高电平，当充电器的漏极开路状态指示端15的电压达到停机门限电压时，充电器10进入停机模式，充电停止且输入电源电流降低，重新将充电器的漏极开路状态指示端15与公共接地端相连将使充电器10恢复正常操作状态。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括第四电容C4和第五电容C5；所述第四电容C4的第一端可以连接至所述电池正极，所述第四电容C4的第二端可以连接至所述公共接地端；所述第五电容C5的第一端可以连接至所述电池正极，所述第五电容C5的第二端可以连接至所述公共接地端。

本申请实施例对第四电容C4和第五电容C5的容量不作限定，第四电容C4的容量例如是8μF、10μF或12μF，第五电容C5的容量例如是0.08μF、0.1μF或0.12μF。

由此，通过设置第四电容C4和第五电容C5，可以防止尖峰电压和毛刺电压引起充电器10损坏。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括第一LED控制子电路，所述第一LED控制子电路可以包括第二MOSFET Q2、第一双向稳压二极管D1、第三电阻R3、第七电阻R7和第十一电阻R11；所述第二MOSFET Q2的栅极可以通过所述第七电阻R7连接至所述电动螺丝刀的MCU的第一LED控制信号输出端，所述第二MOSFET Q2的源极可以连接至所述公共接地端，所述第二MOSFET Q2的漏极可以通过所述第三电阻R3连接至所述电动螺丝刀的第一LED的负极；所述第一双向稳压二极管D1的第一端可以连接于所述第二MOSFET Q2的栅极和所述第七电阻R7之间，所述第一双向稳压二极管D1的第二端可以连接至所述公共接地端；所述第十一电阻R11的第一端可以连接于所述第二MOSFET Q2的栅极和所述第七电阻R7之间，所述第十一电阻R11的第二端可以连接至所述公共接地端。其中，MCU的第一LED控制信号输出端的网络标号例如是RED_EN，第一LED的负极的网络标号例如是RED。

本申请实施例对第二MOSFET Q2的选用不作限定，第二MOSFET Q2的型号例如是2N7002K。

本申请实施例对第三电阻R3、第七电阻R7和第十一电阻R11的阻值不作限定，第三电阻R3的阻值例如是1.5KΩ、2KΩ或2.5KΩ；第七电阻R7的阻值例如是8KΩ、10KΩ或12KΩ；第十一电阻R11的阻值例如是0.8MΩ、1MΩ或1.2MΩ。

由此，通过设置第一双向稳压二极管D1，可以将第一双向稳压二极管D1并联在第二MOSFET Q2的栅极和源极之间，第一双向稳压二极管D1的正反两个方向均可以起到稳压作用，防止高压击穿第二MOSFET Q2；通过设置第七电阻R7和第十一电阻R11，第七电阻R7可以避免高压状态下由于第二MOSFET Q2开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十一电阻R11可以作为泄放电阻泄放掉第二MOSFET Q2的少量静电，防止第二MOSFET Q2误动作，起到保护第二MOSFET Q2的作用；通过设置第三电阻R3，可以保证第二MOSFET Q2的漏极处于高电平状态，避免引起误动作。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括第二LED控制子电路，所述第二LED控制子电路可以包括第三MOSFET Q3、第二双向稳压二极管D2、第四电阻R4、第八电阻R8和第十二电阻R12；所述第三MOSFET Q3的栅极可以通过所述第八电阻R8连接至所述电动螺丝刀的MCU的第二LED控制信号输出端，所述第三MOSFET Q3的源极可以连接至所述公共接地端，所述第三MOSFET Q3的漏极可以通过所述第四电阻R4连接至所述电动螺丝刀的第二LED的负极；所述第二双向稳压二极管D2的第一端可以连接于所述第三MOSFET Q3的栅极和所述第八电阻R8之间，所述第二双向稳压二极管D2的第二端可以连接至所述公共接地端；所述第十二电阻R12的第一端可以连接于所述第三MOSFET Q3的栅极和所述第八电阻R8之间，所述第十二电阻R12的第二端可以连接至所述公共接地端。其中，MCU的第二LED控制信号输出端的网络标号例如是WH_EN，第二LED的负极的网络标号例如是WH。

本申请实施例对第三MOSFET Q3的选用不作限定，第三MOSFET Q3的型号例如是2N7002K。

本申请实施例对第四电阻R4、第八电阻R8和第十二电阻R12的阻值不作限定，第四电阻R4的阻值例如是1.5KΩ、2KΩ或2.5KΩ；第八电阻R8的阻值例如是8KΩ、10KΩ或12KΩ；第十二电阻R12的阻值例如是0.8MΩ、1MΩ或1.2MΩ。

由此，通过设置第二双向稳压二极管D2，可以将第二双向稳压二极管D2并联在第三MOSFET Q3的栅极和源极之间，第二双向稳压二极管D2的正反两个方向均可以起到稳压作用，防止高压击穿第三MOSFET Q3；通过设置第八电阻R8和第十二电阻R12，第八电阻R8可以避免高压状态下由于第三MOSFET Q3开关速度过快而导致周围元器件被击穿；第十二电阻R12可以作为泄放电阻泄放掉第三MOSFET Q3的少量静电，防止第三MOSFET Q3误动作，起到保护第三MOSFET Q3的作用；通过设置第四电阻R4，可以保证第三MOSFET Q3的漏极处于高电平状态，避免引起误动作。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括LED供电子电路，所述LED供电子电路可以包括第二磁珠FB2、第三磁珠FB3和第三双向稳压二极管D3；所述第二磁珠FB2的第一端可以接入内部工作电压，所述第二磁珠FB2的第二端可以连接至所述电动螺丝刀的LED的正极；所述第三磁珠FB3的第一端可以连接至所述电动螺丝刀的Type-C连接器的接地端，所述第三磁珠FB3的第二端可以连接至所述公共接地端；所述第三双向稳压二极管D3的第一端可以连接至所述第二磁珠FB2的第二端，所述第三双向稳压二极管D3的第二端可以连接至所述公共接地端。其中，内部工作电压的网络标号例如是VDD，Type-C连接器的接地端的网络标号例如是GND1，电动螺丝刀的LED的正极的网络标号例如是VDD1。

在一具体应用中，第一LED可以和第二LED封装为一体，即为电动螺丝刀的LED，第一LED的负极的网络标号例如是RED，第二LED的负极的网络标号例如是WH，电动螺丝刀的LED的正极的网络标号例如是VDD1。

磁珠有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。

本申请实施例对第二磁珠FB2和第三磁珠FB3的电感值不作限定，第二磁珠FB2的电感值例如是1K/100M，即在100MHz下电感值为1000H；第三磁珠FB3的电感值例如是1K/100M，即在100MHz下电感值为1000H。

由此，通过设置第二磁珠FB2，第二磁珠FB2具有较好的高频滤波特性，可以避免电动螺丝刀的LED的正极与内部工作电压之间互相干扰；通过设置第三磁珠FB3，可以抑制高频噪声和尖峰干扰；通过设置第三双向稳压二极管D3，第三双向稳压二极管D3的正反两个方向均可以起到稳压作用。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括静电防护子电路，所述静电防护子电路可以包括第一磁珠FB1；所述第一磁珠FB1的第一端可以连接至所述第一MOSFET M1的源极，所述第一磁珠FB1的第二端可以连接于所述电动螺丝刀的Type-C连接器的第一电压端和第二电压端之间。其中，电动螺丝刀的Type-C连接器的第一电压端和第二电压端之间的网络标号例如是V1N1。

本申请实施例对第一MOSFET M1的选用不作限定，第一MOSFET M1的型号例如是LT1525SI。

本申请实施例对第一磁珠FB1的电感值不作限定，第一磁珠FB1的电感值例如是1K/100M，即在100MHz下电感值为1000H。

由此，通过设置第一磁珠FB1，第一磁珠FB1的第二端处于高电平时，第一MOSFETM1截止，外部电源停止对Type-C连接器供电，可以利用第一磁珠FB1存储的能量对Type-C连接器供电，随着第一磁珠FB1的能量不断被消耗，第一磁珠FB1的第二端逐渐变为低电平，第一MOSFET M1导通，外部电源开始对Type-C连接器供电，综上，通过设置第一磁珠FB1和第一MOSFET M1，可以使第一磁珠FB1的第二端处的电平处于稳定状态，起到稳压作用；另外，通过串联第一磁珠FB1来限制静电放电电流，能够达到防静电的目的。

在一些实施方式中，所述充电电路还可以包括第一电容C1和第二电容C2；所述第一电容C1的第一端可以接入供电电压，所述第一电容C1的第二端可以连接至所述公共接地端；所述第二电容C2的第一端可以接入供电电压，所述第二电容C2的第二端可以连接至所述公共接地端。

本申请实施例对第一电容C1和第二电容C2的容量不作限定，第一电容C1的容量例如是8μF、10μF或12μF，第二电容C2的容量例如是0.08μF、0.1μF或0.12μF。

由此，通过设置第一电容C1和第二电容C2，可以滤除高频杂波，提高充电电路的稳定性能。

参见图2，本申请实施例还提供了一种电动螺丝刀，所述电动螺丝刀包括上述任一项电动螺丝刀的充电电路。

由此，可以将电动螺丝刀的充电电路应用于电动螺丝刀，提高电动螺丝刀的智能化水平。

本申请从使用目的上，效能上，进步及新颖性等观点进行阐述，已符合专利法所强调的功能增进及使用要件，本申请以上的说明书及说明书附图，仅为本申请的较佳实施例而已，并非以此局限本申请，因此，凡一切与本申请构造，装置，特征等近似、雷同的，即凡依本申请专利申请范围所作的等同替换或修饰等，皆应属本申请的专利申请保护的范围之内。