显示面板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制作方法以及包括有所述显示面板的显示装置。

背景技术

随着全面屏的普及和消费者对机身一体化的追求，CUP(camera under panel)技术已经成为中小尺寸显示领域开发重点。LCD因属于整面背光的被动发光，光学式传感器与光学显示无法在空间上重合，较OLED和Micro LED像素级主动式发光显示存在先天劣势。

Micro LED因超高亮度，高对比度，响应时间快，性耐性好，透明度高，可绕性等物理特点被认为是下一代显示技术。Micro LED显示不存在高电流驱动下的寿命问题以及长时间显示的残影问题，且能够以更小的像素尺寸达到高亮显示，故更适合用来作为透明显示。但目前Micro LED主要依赖于大量转移的“加法制造”方式，在技术成熟度上较主流LCD和OLED技术低，面临晶粒制造成本高、巨量转移良率低等诸多挑战，故现阶段用Micro LED来大面积做完整的Micro LED显示器难度还很大，并且在与柔性电路板绑定的过程中，也会产生较大的边界，导致屏占比降低。

因此，针对目前存在的缺陷，急需进行改进。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，通过在传感器模组所对应的显示区采用Micro LED，从而将小部分区域变为透明显示，以实现真正的全面屏显示，并在显示基板的侧面制作金属走线用于绑定柔性电路板，解决了全面屏制造时屏幕边界较大的问题，实现了极致窄边框。

本申请提供一种显示面板，包括一显示基板，所述显示基板具有第一显示区以及邻接所述第一显示区的第二显示区，所述第一显示区内设置有第一像素发光单元，所述第一像素发光单元包括多个阵列设置于所述显示基板上Micro LED晶粒；所述第二显示区内设置有第二像素发光单元，所述第二像素发光单元不同于所述第一像素发光单元；其中，所述显示基板靠近所述第一显示区的侧面上设置有金属走线，所述金属走线用于将所述多个Micro LED晶粒与柔性电路板绑定。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：第一驱动电路，所述第一驱动电路设置于所述显示基板上且位于所述第一显示区或所述第二显示区内，用于驱动所述第一像素发光单元；第二驱动电路，所述第二驱动电路设置于所述显示基板上且位于所述第二显示区内，用于驱动所述第二像素发光单元。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括封装层，所述封装层设置于所述第一像素发光单元的远离所述显示基板的一侧，并且覆盖所述第一像素发光单元；所述封装层的透明度大于或等于90％；所述封装层的厚度在10um至30um之间；所述封装层的平坦度小于或等于2um。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二像素发光单元为LCD显示单元；所述显示基板为一彩膜基板；所述显示面板还包括一阵列基板，所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置；所述多个Micro LED晶粒设置于所述彩膜基板上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二像素发光单元为OLED显示单元；所述显示基板为一玻璃基板；所述显示面板还包括一玻璃盖板，所述玻璃盖板贴附于所述第一像素发光单元以及所述第二像素发光单元远离所述显示基板的一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述多个Micro LED晶粒在所述显示基板上的正投影的面积之和小于或等于所述第一显示区的面积的30％。

相应的，本申请还提供一种显示面板的制作方法，用来制作所述显示面板，所述显示面板的制作方法包括如下步骤：步骤S1：提供一显示基板，具有第一显示区以及邻接所述第一显示区的第二显示区，并在所述显示基板靠近所述第一显示区的侧面上制备金属走线；步骤S2：在所述第一显示区制备第一像素发光单元于所述显示基板的一侧且形成一封装层以覆盖所述第一像素发光单元；其中，所述第一像素发光单元包括多个阵列设置于所述显示基板上Micro LED晶粒；步骤S3：在所述第二显示区制备第二像素发光单元于所述显示基板的一侧；其中，所述第二像素发光单元与所述第一像素发光单元位于所述显示基板的同一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S1中，所述显示基板为一彩膜基板；在所述步骤S2中，所述显示基板上还制备有第一驱动电路，所述第一驱动电路用于驱动所述第一像素发光单元；在所述步骤S3中，所述第二像素发光单元为LCD显示单元；所述显示面板的制作方法还包括：步骤S4：将一侧设置有第二驱动电路的阵列基板与所述显示基板对位贴合，并在所述阵列基板与所述显示基板之间注入液晶，形成液晶层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S1中，所述显示基板为一玻璃基板；在所述步骤S2中，所述显示基板上还制备有第一驱动电路，所述第一驱动电路用于驱动所述第一像素发光单元；在所述步骤S3中，所述显示基板上还制备有第二驱动电路，所述第二驱动电路用于驱动所述第二像素发光单元；所述第二像素发光单元为LCD显示单元或OLED显示单元；所述显示面板的制作方法还包括：步骤S4：提供一玻璃盖板，并将所述玻璃盖板贴附于所述第一像素发光单元以及所述第二像素发光单元远离所述显示基板的一侧。

相应的，本申请还提供一种显示装置，包括上述实施例中任一项所述的显示面板，所述显示装置还包括：传感器模组，设置于所述显示基板的背离所述Micro LED晶粒的一侧，所述传感器模组对应所述第一显示区设置；背光模组，设置于所述显示基板设置有所述传感器模组的一侧且对应所述第二显示区设置；至少一偏光片，设置于所述显示面板的一侧或两侧，且所述偏光片对应所述第二显示区设置。

相较于现有技术，本申请提供一种显示面板，将LCD或OLED与Micro LED进行组合制成一种全新的全面屏，可以降低成本，提升全面屏良率。具体地，通过在传感器模组所对应的第一显示区采用Micro LED显示，从而将传感器模组所对应的一小部分区域变为透明显示，从而实现真正的全面屏显示，同时小面积使用Micro LED显示可以在并不影响产品良率的情况下，实现大批量生产。并且在所述显示基板的侧面制作金属走线用于绑定柔性电路板，解决了全面屏制造时屏幕边界较大的问题，实现了极致窄边框。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请其中一实施例的显示面板的立体示意图；

图2是本申请其中一实施例的显示面板的局部结构示意图；

图3A至图3E是本申请第一显示区的多个实施例的平面示意图；

图4是本申请其中一实施例的Micro LED晶粒的结构示意图；

图5是图2中所述显示面板的制备流程示意图；

图6是本申请其中一实施例的显示面板的层结构示意图；

图7是图6中所述显示面板的制备流程示意图；

图8是本申请另一种实施例的显示面板的结构示意图；

图9是图8中所述显示面板的制备流程示意图；

图10是本申请其中一实施例的显示装置的结构示意图。

主要附图标记说明：

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”、“下”、“左”和“右”可以是装置实际使用或工作状态的方向，也可以是参考附图中的图面方向，还可以是指相对的两个方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

具体地，请参阅图1至图2，本申请提供一种显示面板10，所述显示面板10包括一显示基板100，所述显示基板100具有第一显示区110以及邻接所述第一显示区110的第二显示区120；所述第一显示区110内设置有第一像素发光单元200，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置于所述显示基板100上的Micro LED晶粒210；所述第二显示区120内设置有不同于所述第一像素发光单元200的第二像素发光单元300；其中，所述显示基板100靠近所述第一显示区110的侧面上设置有金属走线400，所述金属走线400用于将所述多个MicroLED晶粒210与柔性电路板20绑定。通过在所述第一显示区110采用透明度较高的MicroLED，实现全面屏显示，并且采用在所述显示基板100的侧面进行金属走线设计，可以减少在所述显示基板100侧面进行柔性电路板20绑定时所述显示面板10的边界宽度，提高屏幕占比，从而提升显示效果。

优选地，所述第二像素发光单元300为LCD显示单元或OLED显示单元中的一种。

如图3A至图3E所示，所述显示基板100的所述第一显示区110的形状包括孔状、水滴状、V型槽状、刘海状以及药丸状，但不限于此。由于所述第一显示区110内的所述第一像素发光单元200的像素数目较少，这样设置可以保证所述第一像素发光单元200的转印良率，同时不影响所述第二显示区120内的显示效果，使所述显示面板10的显示画面更加均匀。

在本申请的一些实施例中，如图5、图7所示，所述显示面板10还包括：第一驱动电路500与第二驱动电路600；所述第一驱动电路500设置于所述显示基板100上且设置于所述第一显示区110，当然还可以设置于所述第二显示区120内，用于驱动所述第一像素发光单元200；所述第二驱动电路600设置于所述显示基板100上且位于所述第二显示区120内，用于驱动所述第二像素发光单元300。优选地，所述第一驱动电路500设置于所述显示基板100上且位于所述第二显示区110内，可以提高所述第一显示区110的透明度。本领域技术人员可以注意的是，当所述第一驱动电路500位于所述第二显示区110内时，所述第一显示区内任保留有用于连接所述多个Micro LED晶粒210的必要线路。

在本申请的一些实施例中，如图5、图7所示，所述显示面板10还包括一封装层700，所述封装层700设置于所述第一像素发光单元200远离所述显示基板100的一侧，并且覆盖所述第一像素发光单元200。所述封装层700为透明材料，所述封装层的透明度大于或等于90％。优选地，所述封装层700所采用的透明材料的消光系数趋近于零，也就说所述封装层700的透光率趋近于100％，可以保证透过所述封装层700的光的亮度，减少不必要的光亮损失，进一步提高背光的利用率。所述封装层700的厚度在10um至30um之间，例如：15um、20um、25um等，但不限于此。这样设置一方面可以保证所述封装层700的平坦度，由于所述第一像素发光单元200的表面并不平整，在所述封装层700在制备过程中，必然存在一定的误差，当所述封装层700达到一定厚度时，所述封装层700则会越来越平整，优选地，所述封装层700的平坦度小于或等于2um，例如：所述封装层700的厚度为20um±2um；另一方面可以有效地防止所述第一像素发光单元200受到外界环境的干涉造成不必要的损失，有效地保护所述第一像素发光单元200，提高所述第一像素发光单元200的稳定性。所述封装层700的材料包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种，但不限于此，还可以是其他材料。

在本申请的一些实施例中，所述多个Micro LED晶粒210在所述显示基板100上的正投影面积之和小于或等于所述第一显示区110的面积的30％。换句话说，所述多个MicroLED晶粒210的尺寸最大占所述第一显示区110的尺寸的30％，也就是说所述第一显示区110的透明度至少大于或等于70％。单个所述Micro LED晶粒210的尺寸为1un至100um之间，所述第一像素发光单元200中的单个第一子像素发光单元的尺寸为10un至500um之间，具体地，单个所述Micro LED晶粒210与单个所述第一子像素发光单元的尺寸比越小，所述第一显示区110的透明度越高，而所述第一像素发光单元200的面积一定时，单个所述第一子像素发光单元的尺寸越小，所述所述第一像素发光单元200的像素密度越高，显示分辨率越高。因此，可以根据实际情况合理地进行选择单个所述Micro LED晶粒210的尺寸以及单个所述第一子像素发光单元的尺寸。

具体的，请参阅图4，在本申请的一些实施例中，所述Micro LED晶粒210的发光方式包括：电极面发光与基底面发光。如图4所示，所述Micro LED晶粒210包括一基底211，以及依次沉积于所述基底211上的一缓冲层212、一N型半导体层213、一发光功能层214和一P型半导体层215，其中，所述Micro LED晶粒210还包括一N型电极216以及一P型电极217，所述N型电极216与所述N型半导体层213接触，所述P型电极217与所述P型半导体层215接触。当所述Micro LED晶粒210为电极面发光时，所述发光功能层214发出的光从所述N型电极216以及所述P型电极217的一侧发出；当所述Micro LED晶粒210为基底面发光时，所述发光功能层214发出的光从所述基底211的一侧发出。因此，针对不同结构的所述显示面板，可以采用不同的发光方式的所述Micro LED晶粒210。并且本申请实施例中的所述Micro LED晶粒210并不以图4所示为限，还可以是其他结构，本申请不再赘述。

具体的，请参阅图2至图5，本申请还提供一种如图2所述的显示面板10的制作方法，所述显示面板10的制作方法包括如下步骤：

步骤S1：提供一显示基板100，具有第一显示区110以及邻接所述第一显示区110的第二显示区120，并在所述显示基板100靠近所述第一显示区110的侧面上制备金属走线400；

步骤S2：在所述第一显示区110制备第一像素发光单元200于所述显示基板110的一侧且形成一封装层700以覆盖所述第一像素发光单元200；其中，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置于所述显示基板100上Micro LED晶粒210；

步骤S3：在所述第二显示区120制备第二像素发光单元300于所述显示基板100的一侧；其中，所述第二像素发光单元300与所述第一像素发光单元200位于所述显示基板100的同一侧。

具体的，请参阅图6至图7，在本申请的一些实施例中，所述显示基板100为一彩膜基板101。所述显示面板10包括相对设置的彩膜基板101和阵列基板102、以及设置于所述彩膜基板101和所述阵列基板102之间的液晶层103。所述第一像素发光单元200设置于所述彩膜基板101的朝向所述阵列基板102的一侧，且所述第一像素发光单元200位于所述第一显示区110内，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置的Micro LED晶粒210。所述第一驱动电路500设置于所述彩膜基板101与所述第一像素发光单元200之间且位于所述第一显示区110内，用于驱动所述第一像素发光单元200；所述封装层700设置于所述第一像素发光单元200远离所述彩膜基板101的一侧，并且覆盖所述第一像素发光单元200；所述第二像素发光单元300设置于所述彩膜基板101的朝向所述阵列基板102的一侧并位于所述第二显示区120内。也就是说，所述第二像素发光单元300与所述第一像素发光单元200设置于所述彩膜基板101的同一侧。所述第二驱动电路600设置于所述阵列基板102上且位于所述第二显示区120内，用于驱动所述第二像素发光单元300；所述液晶层103设置于所述彩膜基板101和所述阵列基板102之间，并且至少位于所述第二显示区内；其中，所述彩膜基板101靠近所述第一显示区110的侧面上设置有金属走线400，所述金属走线400用于将所述多个MicroLED晶粒210与柔性电路板20绑定。

在本实施例中，请同时结合图6和图7所示，所述显示面板10的制备方法包括如下步骤：

步骤S1：提供一显示基板100，具有第一显示区110以及邻接所述第一显示区110的第二显示区120，并在所述显示基板100靠近所述第一显示区110的侧面上制备金属走线400；其中，所述显示基板100为一彩膜基板101；

步骤S2：在所述第一显示区110制备第一像素发光单元200于所述显示基板110的一侧且形成一封装层700以覆盖所述第一像素发光单元200；其中，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置于所述显示基板100上Micro LED晶粒210；其中，所述显示基板100上还制备有第一驱动电路500，所述第一驱动电路500用于驱动所述第一像素发光单元200；

步骤S3：在所述第二显示区120制备第二像素发光单元300于所述显示基板100的一侧；其中，所述第二像素发光单元300与所述第一像素发光单元200位于所述显示基板100的同一侧；其中，所述第二像素发光单元300为LCD显示单元；

步骤S4：提供一阵列基板102，所述阵列基板102的一侧设置有第二驱动电路600，并将所述阵列基板102与所述显示基板100对位贴合；其中，当所述阵列基板102与所述显示基板100对位贴合后，所述第二驱动电路600位于所述阵列基板102与所述显示基板100之间；

步骤S5：在所述阵列基板102与所述显示基板100之间注入液晶，形成液晶层103。可以理解的是，在所述显示面板10的制备过程中，所述彩膜基板101制备时应采用弱碱性显影液，高温烘干时的温度在210℃至230℃之间。所述阵列基板102、所述液晶层103均为本领域常规结构，所述液晶层103通过封框胶密封于所述彩膜基板101与所述阵列基板102之间，本申请不再赘述。

请参阅图8至图9，在本申请的另一些实施例中，所述显示面板10包括一显示基板100，所述显示基板100具有第一显示区110以及邻接所述第一显示区110的第二显示区120，所述第一显示区110内设置有第一像素发光单元200，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置于所述显示基板上的Micro LED晶粒210；所述第二显示区120内设置有不同于所述第一像素发光单元200的第二像素发光单元300；其中，所述显示基板100靠近所述第一显示区110的侧面上设置有金属走线400，所述金属走线400用于将所述多个Micro LED晶粒210与柔性电路板20绑定。所述显示面板10还包括：第一驱动电路500与第二驱动电路600；所述第一驱动电路500设置于所述显示基板100上且位于所述第一显示区110，用于驱动所述第一像素发光单元200；所述第二驱动电路600设置于所述显示基板100上且位于所述第二显示区120内，用于驱动所述第二像素发光单元300。

在本实施例中，请同时结合图8和图9所示，所述显示面板10的制备方法包括如下步骤：

步骤S1：提供一显示基板100，具有第一显示区110以及邻接所述第一显示区110的第二显示区120，并在所述显示基板100靠近所述第一显示区110的侧面上制备金属走线400；其中，所述显示基板100为一玻璃基板；

步骤S2：在所述第一显示区110制备第一像素发光单元200于所述显示基板110的一侧且形成一封装层700以覆盖所述第一像素发光单元200；其中，所述第一像素发光单元200包括多个阵列设置于所述显示基板100上Micro LED晶粒210；其中，所述显示基板100上还制备有第一驱动电路500，所述第一驱动电路500用于驱动所述第一像素发光单元200；

步骤S3：在所述第二显示区120制备第二像素发光单元300于所述显示基板100的一侧；其中，所述第二像素发光单元300与所述第一像素发光单元200位于所述显示基板100的同一侧；其中，所述显示基板100上还制备有第二驱动电路600，所述第二驱动电路600用于驱动所述第二像素发光单元300；所述第二像素发光单元300为LCD显示单元或OLED显示单元；

步骤S4：提供一玻璃盖板800，并将所述玻璃盖板800贴附于所述第一像素发光单元200以及所述第二像素发光单元300远离所述显示基板100的一侧。本实施例中，所述第二像素发光单元300可以是LCD显示单元或OLED显示单元，但不限于此。具体地，所述LCD显示单元与OLED显示单元的制备方法为本领域常规方法即可，本申请不再赘述。在所述制备方法中，所述第一像素发光单元200以及所述第二像素发光单元300的制备过程包括光刻胶涂覆、掩膜版掩膜、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，具体地，本申请不再赘述。所述显示基板100侧面的所述金属走线400可采用金属蒸镀或溅镀或CVD等方法在侧面棱边整面大规模沉积金属膜层，然后通过激光烧蚀的方法烧出一条条走线，或者在所述显示基板100侧面采用光刻的工艺制程刻蚀出每条金属走线；再或者可以采用压印的方法将所述金属走线400制作在所述显示基板100的侧面棱边上，具体的所述显示基板100的侧边的所述金属走线400的制作方法本申请不做限制，所述金属走线400的制作金属亦不做限制，例如：铜。

具体的，请参阅图10，本申请还提供一种显示装置1，包括上述实施例中的所述显示面板10，所述显示装置1还包括：传感器模组30与背光模组40，所述传感器模组30设置于所述显示基板100的一侧且对应所述第一显示区110设置。所述背光模组40设置于所述显示基板100上且与所述传感器模组30同侧设置，所述背光模组40对应所述第二显示区120。可以理解的是，当所述第二显示区为OLED显示时，由于所述OLED为自发光显示，则不需要所述背光模组40。

在本申请的一些实施例中，所述显示面板10的至少一侧设置偏光片50，所述偏光片50对应所述第二显示区120设置。所述偏光片50可以只设置在所述显示面板10的一侧，也可以两侧同时设置，本申请并不做限定。

相较于现有技术，本申请提供一种显示面板10，将LCD或OLED与Micro LED进行组合制成一种全新的全面屏，可以降低成本，提升全面屏良率。具体地，通过在传感器模组30所对应的第一显示区110采用Micro LED显示，从而将传感器模组30所对应的一小部分区域变为透明显示，从而实现真正的全面屏显示，同时小面积使用Micro LED显示可以在并不影响产品良率的情况下，实现大批量生产。并且在所述显示基板100的侧面制作金属走线400用于绑定柔性电路板20，解决了全面屏制造时屏幕边界较大的问题，实现了极致窄边框。

本申请提供的显示装置1的有益效果与上述实施例提供的所述显示面板10的有益效果相同，在此不做赘述。所述显示装置1可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，优选为透明显示的产品。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种彩膜基板100及其制备方法、显示装置10进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。