集成电路和电容式换能器偏置电路

技术领域

本公开总体上涉及麦克风组件，诸如但不限于具有微机电系统(MEMS)换能器及其电路的麦克风组件。

背景技术

具有将声音转换成由集成电路调节或处理的电信号的换能器的麦克风通常与蜂窝电话、个人计算机和物联网(IoT)设备以及其它主机设备集成。一些这种换能器需要施加直流(DC)偏置电压才能工作。需要增大的偏置电压，以使换能器技术不断发展。

发明内容

本发明的一方面涉及集成电路，所述集成电路用于与电容式微机电系统换能器通过接口连接并调节由所述电容式微机电系统换能器输出的信号，所述集成电路包括：信号调节电路，所述信号调节电路的输入端能够电连接至所述电容式微机电系统换能器的输出端，所述信号调节电路具有输出端；换能器偏置电路，所述换能器偏置电路包括：电荷泵电路，所述电荷泵电路包括介于所述电荷泵电路的输入端与输出端之间的多个级联电荷泵级，各个电荷泵级包括联接至第一半导体器件的电容器，所述第一半导体器件位于第一阱区中，所述第一阱区嵌入基板中并掺杂有P型或N型材料，围绕所述第一阱区设置使所述第一阱区的至少一部分与所述基板绝缘的第一深沟槽隔离阻挡件；高压静电放电保护电路，所述高压静电放电保护电路联接至所述电荷泵电路的输出端；以及滤波器，所述滤波器联接至所述电荷泵电路的输出端。

本发明的另一方面涉及电容式换能器偏置电路，所述电容式换能器偏置电路包括：电荷泵电路，所述电荷泵电路包括介于输入端与输出端之间的多个级联电荷泵级，所述多个级联电荷泵级包括多个半导体器件，各个半导体器件位于基板的P阱区或N阱区内，所述P阱区或所述N阱区通过深沟槽隔离阻挡件沿着所述P阱区或所述N阱区的周界与所述基板电绝缘；并且所述多个级联电荷泵级被配置成输出至少60伏的直流电压；高压静电放电保护电路，所述高压静电放电保护电路联接至所述电荷泵电路的所述输出端；以及滤波器，所述滤波器联接至所述电荷泵电路的所述输出端。

附图说明

结合附图，根据以下描述和所附权利要求，本公开的目的、特征和优点将变得更加完全显而易见。附图仅描绘了代表性的实施方式，因此不被认为限制本公开的范围，本公开的描述包括附加的特异性和细节。

图1是麦克风组件的截面图。

图2是音频电路的示意图。

图3是电荷泵级的示例的示意图。

图4是低通滤波器电路的示例的示意图。

图5是静电放电电路的示例的示意图。

图6是包括深沟槽隔离(DTI)的第一晶体管工艺的侧剖视图。

图7是来自图6的基板的俯视图。

图8是图6的包括来自图3的电荷泵级的多个晶体管的基板的俯视图。

图9是包括DTI和埋设绝缘层的晶体管工艺的侧剖视图。

图10是包括DTI和埋设阱的晶体管工艺的侧剖视图。

图11是包括共享DTI的晶体管工艺的侧剖视图。

图12是包括共享DTI的晶体管工艺的基板的俯视图。

图13是在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺的侧剖视图。

图14是在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺的基板的俯视图。

具体实施方式

本公开描述了麦克风组件和其它设备及其方法，该麦克风组件和其它设备包括具有深沟槽隔离(DTI)以及连接至麦克风或其它设备的换能器的输入端的输出端的DC偏置电路。越来越需要占地面积越来越小的麦克风组件。包括具有低机械顺应性的小型微机电(MEMS)模块(例如，换能器)的麦克风组件可以允许MEMS模块表现出期望的特性(诸如力平衡和/或极其小型化)。然而，低机械顺应性可能会限制麦克风组件的灵敏度和信噪比(SNR)。为了提高灵敏度和SNR，可以增大DC偏置电压，使得麦克风中的电场也增大。然而，增大DC偏置电压受到DC偏置电路内的晶体管的击穿电压和麦克风组件内的可用空间的限制。因此，本公开描述了一种DC偏置电路，该DC偏置电路可以输出超过50伏的电压，同时保持较小的占位面积。

DC偏置电路可以包括多个晶体管。晶体管中的各个晶体管在基板(例如，P型基板)内的N阱或P阱内形成、设置或产生。晶体管的击穿电压(例如，N阱和P阱在基板之间的击穿电压)对电荷泵可以被设计成生成多高的电压施加了限制。施加该限制是因为高于击穿电压的电压将导致向基板的过多泄漏，这将降低电荷泵的输出电压和/或损坏集成电路上的电路。深沟槽隔离实现了N阱与P阱之间更好的水平和垂直绝缘，并增大了击穿电压。本文公开的设备和方法可以用于将DC偏置电路的DC偏置电压增大到高于50伏的电压，以便提高具有机械顺应性较低的换能器的麦克风组件的灵敏度和信噪比(SNR)。

图1是麦克风组件100的截面图，其中实现了具有DTI的DC偏置电路。麦克风组件100通常包括电声换能器102，该电声换能器102联接至设置在壳体110内的电路103。换能器被配置成响应于感测到声活动而生成电信号。换能器可以是使用微机电系统(MEMS)制造或其它已知的或未来的技术实现的电容器件、压电器件或其它换能器件。电路可以由一个或更多个集成电路(例如，具有模拟和数字电路的专用集成电路(ASIC)和执行音频处理(例如，关键字/命令检测、噪声抑制、认证…)的分立离散数字信号处理器(DSP))实现。

壳体110包括基板116和联接至基板116的上表面120的盖118。盖118沿着盖18的周界固定至基板116。盖118和基板116一起规定了内部部分122(例如，空腔等)。盖118可以包括大气均衡通风口126(例如，开口、洞等)，该大气均衡通风口提供壳体110周围的环境与内部部分122之间的流体连通。大气均衡通风口126防止对壳体110和/或麦克风组件110的其它部件的损坏，该损坏原本可能由于麦克风组件110周围环境中的极端温度和/或压力波动而发生。

基板116包括声端口128，该声端口128与MEMS换能器100对准，以使得MEMS换能器100通过声端口128暴露于压力变化。在各种例示性实施方式中，MEMS换能器100与声端口128之间的相对位置可以不同。例如，声端口128可以形成在盖118中而不是基板116中，并且换能器102可以与声端口128相邻。在这些情况下，换能器102可以与图1中所示的情况相反。

换能器102基于通过声端口128(例如，通过振膜108的移动或位移)传送至换能器102的压力变化来生成电信号。压力变化可以是周围大气压(例如，麦克风组件110周围环境的压力)变化和/或由诸如声音的声刺激引起的压力变化。电路103经由引线和迹线130联接至换能器102，以在它们之间形成电连接。电路103被配置成接收和处理由换能器102产生的信号。来自换能器102的信号可以被电路103处理成表示所感测的声活动的输出信号。电路103可以包括下面介绍示例的信号调节电路、时钟电路、直流(DC)偏置电路、一个或更多个低通滤波器以及控制器。在一些实施方式中，DC偏置经由引线和迹线130从电路103施加至换能器的第一端子。在一些实施方式中，信号调节电路被配置成当电路103联接至换能器102时调节从换能器102获得的电信号。

外壳110可以包括声端口128和具有与电路103联接的触点(例如，用于电源、数据、接地、控制、外部信号等)的外部设备接口113。外部设备接口113被配置用于表面或以其它方式(例如，通过回流焊接)安装至主机设备。在一些实施方式中，主机设备可以是放大设备，该放大设备被配置成使用由换能器102生成的电信号来放大音频信号以及将音频信号扩及远处。在一些实施方式中，主机设备可以包括个人计算机、蜂窝电话、移动设备、耳机、耳机设备和/或助听器设备。在一些实现方式中，电路103包括声信号和大气信号处理电路和/或软件，以解释来自MEMS换能器102的电信号。

图2是示出了音频电路200的示意图。音频电路200通常包括DC偏置电路201、换能器102和放大电路203。在一些实施方式中，DC偏置电路201和放大电路203集成到电路103中。在一些实施方式中，放大电路203可以是主机设备的一部分。在一些实施方式中，放大电路203可以是信号调节电路，该信号调节电路包括缓冲器、高通滤波器和/或模数转换器(例如，在数字麦克风中)。

DC偏置电路201被布置成向转换器102提供DC偏置信号。在一些实施方式中，DC偏置电路201包括多级电荷泵电路210和低通滤波器(LPF)电路211。在一些实施方式中，DC偏置电路201还包括静电放电(ESD)电路212，该ESD电路联接至DC偏置电路201的输出端和地(例如，第二电压)并被配置成释放静电荷。

在一些实施方式中，除了多级电荷泵电路210之外或替代多级电荷泵电路210，DC偏置电路201可以包括其它类型的DC放大电路。多级电荷泵210被配置成将DC电压转换成幅度更高的输出DC电压。例如，多级电荷泵电路210可以具有来自电池或其它电源的大约5伏的输入，并且多级电荷泵电路210的输出可以具有50伏或更高的输出。在一些实施方式中，从多级电荷泵电路210的输入端到输出端的DC电压的增大基于电荷泵级CP

换能器102被布置成从DC偏置电路201接收DC偏置信号，并生成指示所感测的声能的电信号。以DC偏置信号作为参考电压来生成电信号。例如，DC偏置信号可以是55伏(V)，并且由换能器102生成的电信号可以是在几毫伏(mV)至几百毫伏(例如，0.001mV-100mV)的范围内的信号。然后将电信号提供给放大电路203(或电路103)。作为一个示例，电信号可以由放大电路203放大并被传递，由模数转换器进一步处理，诸如以创建电信号的数字表示以及电信号表示的声活动。

图3是电荷泵级300的一个示例的示意图。在一些实施方式中，电荷泵级300可以被实现为可以是图2的DC偏置电路201的多个电荷泵级CP

电荷泵级300包括输入端v

图4是LPF电路400的一个示例的示意图。在一些实施方式中，LPF电路400可以被实现为图2的LPF电路211。将理解，在其它实施方式中，除了LPF电路400之外或替代LPF电路400，可以实现其它类型或形式的低通滤波器或其子电路。

LPF电路400包括被配置成联接至多级电荷泵电路的输出端的输入端401以及被配置成联接至换能器102的第一端子的输出端402。LPF电路400被配置成向换能器102提供DC偏置电压v

第一LPF级410包括与一对反极性连接的二极管481并联连接的晶体管480。反极性连接的二极管481包括第一二极管，该第一二极管的阳极端子连接至第二二极管的阴极端子，并且该第一二极管的阴极端子连接至第二二极管的阳极端子。晶体管480具有连接至第一LPF级410的第二端子483和晶体管480的第一端子的控制端子(例如，栅极端子)。第二LPF级411包括与一对反极性连接的二极管491并联连接的晶体管490。反极性连接的二极管491包括第一二极管，该第一二极管的阳极端子连接至第二二极管的阴极端子，并且第一二极管的阴极端子连接至第二二极管的阳极端子。晶体管490具有连接至LPF电路400的输出端402和晶体管490的第一端子的控制端子(例如，栅极端子)。

图5是静电放电(ESD)电路500的一个示例的示意图。在一些实施方式中，ESD电路500可以被实现为图2的ESD电路212。将理解，在其它实施方式中，除了ESD电路500之外或替代ESD电路500，可以实现其它类型或形式的ESD电路或其子电路。

ESD电路500包括被配置成连接至多级电荷泵电路的输出端的第一端子501以及被配置成连接至地(例如，第二电压)的第二端子502。ESD电路500可以包括堆叠在第一端子502与地之间的多个晶体管510a-510d。可以通过在第一端子501与第二端子502之间串联连接多个晶体管510a-510d中的各个晶体管来堆叠多个晶体管510a-510d。在一些实施方式中，多个晶体管中的各个晶体管具有连接至相应的第一端子的控制端子(例如，栅极端子)。在一些实施方式中，多个晶体管510a-510d中的各个晶体管是PMOS晶体管。在一些实施方式中，多个晶体管510a-510d中的各个晶体管在相应的控制端子上包括信号反相(例如，非门)。以这种方式，当第一端子上的电压下降了预定电压或低于预定电压时，ESD电路500的多个晶体管510a-510d中的各个晶体管开始导通，从而使第一端子501放电。在一些实施方式中，多个晶体管510a-510d中的各个晶体管是NMOS晶体管。所使用的或堆叠在一起的多个晶体管510a-510d的数量将取决于DC偏置电路的特定实现方式和设计。如本文所述，多个晶体管510a-510d中的各个晶体管可以制造在各种P阱或N阱中。在一些实施方式中，多个晶体管510a-510d被制造成在各个晶体管周围(例如，或者在各个N阱或P阱周围)具有DTI，使得晶体管具有足以确保在麦克风组件工作时ESD电路500不会击穿或者不会产生漏电流的击穿电压。

现在总体上参考图6至图14，描绘了多个晶体管工艺的多个不同视图。图6、图9、图11和图13描绘了相应晶体管工艺的侧剖视图。图7至图8、图10、图12和图14描绘了相应晶体管工艺的俯视图。参考图3讨论的电荷泵级300的示例与图6至图14的描述一起被引用，并且在图6、图9和图11中被复制以供参考。在一些实施方式中，P阱区可以指嵌入在基板内的掺杂有P型材料的区域，而N阱区可以指嵌入在基板内的掺杂有N型材料的区域。

现在参考图6，描绘了具有深沟槽隔离(DTI)的晶体管工艺600。具有DTI的晶体管工艺600包括具有P阱602和N阱603的P型基板601。在P阱602中形成具有第一N+焊盘620和第二N+焊盘621的第一晶体管M

在图6中，具有深沟槽隔离(DTI)的晶体管工艺600还包括第一深N阱640、第二深N阱641、第一DTI 643和第二DTI 644。第一深N阱640与P阱602相邻、位于P阱602的一侧与P型基板601之间。第一DTI 643设置在P阱602的周界周围、位于P阱602与P型基板601之间。在一些实施方式中，第一DTI 643也设置在第一深N阱640的周界周围，使得第一深N阱640的周界通过第一DTI 643与P型基板601分离。第二深N阱641与N阱603相邻、位于N阱603的一侧与P型基板601之间。第二DTI 644设置在N阱603的周界周围、位于N阱603与P型基板601之间。在一些实施方式中，第二DTI 644也设置在第二深N阱641的周界周围，使得第一深N阱640的周界通过第二DTI 644与P型基板601分离。

换句话说，第一DTI 643设置在第一晶体管M

类似于电荷泵级300中描绘的晶体管，第一晶体管M

第一电容器C

现在参考图7，示出了类似于参考图6描绘的工艺的晶体管工艺700的俯视图。例如，具有DTI的晶体管工艺700的俯视图包括具有P阱602和N阱603的P型基板601。第一晶体管M

图8描绘了类似于参考图6描绘的工艺的晶体管工艺800的俯视图，并且包括来自电荷泵级300的多个晶体管。晶体管工艺800包括P型基板601、P阱602以及N阱603。晶体管M

现在参考图9，描绘了具有深沟槽隔离(DTI)的第二晶体管工艺900。第二晶体管工艺900类似于参考图6描述的晶体管工艺600。然而，第二晶体管工艺900在P型基板601内包括埋设绝缘层901。埋设绝缘层901可以设置在P型基板601内，并作为一种连续材料在第一晶体管M

现在参考图10，描绘了具有深沟槽隔离(DTI)的第三晶体管工艺1000。第三晶体管工艺1000类似于参考图6描述的晶体管工艺600。第三晶体管工艺1000包括埋设阱，以增加P阱602与基板之间的以及N阱603与基板之间的电绝缘。埋设阱包括设置或形成在第一深N阱640的与第一深N阱640的抵接P阱602的一侧相反的一侧上的埋设P阱1001。埋设阱还包括设置或形成在埋设P阱1001的与埋设P阱1001的抵接深N阱640的一侧相反的一侧上的埋设N阱1002。第一DTI 643被配置成延伸足够深进入P型基板601，使得当第一DTI 643绕P阱602(例如，以及第一晶体管M

埋设阱还包括设置或形成在第二深N阱641的与第二深N阱641的抵接N阱603的一侧相反的一侧上的埋设P阱1011。埋设阱还包括设置或形成在埋设P阱1011的与埋设P阱1011的抵接第二深N阱641的一侧相反的一侧上的埋设N阱1012。第二DTI 644被配置成延伸足够深进入P型基板601，使得随着第二DTI 644绕N阱603(例如，以及第二晶体管M

现在参考图11，描绘了具有深沟槽隔离(DTI)的第四晶体管工艺1100。第四晶体管工艺1100类似于参考图6描述的晶体管工艺600。第四晶体管工艺1100包括共享DTI 1101的一部分的P阱602和N阱603。DTI 1101的被共享的所述部分可以包括P阱602和N阱603的彼此相邻的部分。在一些实施方式中，DTI 1101的共享部分的厚度与DTI 643和DTI 644的未共享部分的厚度相同。在一些实施方式中，DTI 1101的被共享的部分的厚度大于DTI 643和DTI 644的未被共享的部分的厚度。

图12描绘了相似的第四晶体管工艺1100的俯视图，并且包括来自电荷泵级300的多个晶体管。第四晶体管工艺1100的俯视图描绘了具有N阱602和P阱603的P型基板601。P阱602被第一DTI 643和DTI 1101的被共享的部分的组合包围。N阱603被第二DTI和DTI 1101的被共享的部分的组合包围。即，在P阱602和N阱603的相邻的一侧(例如，部分)上，P阱602和N阱603共享DTI 1101。在一些实施方式中，可以围绕第一DTI环643和第二DTI环644二者的外部设置或形成第三DTI 1201。第三DTI 1201也可以用于增大晶体管的击穿电压。

现在参考图13，示出了在DTI环内包括多个阱的第五晶体管工艺1300的侧剖视图。第五晶体管工艺1300类似于参考图6描述的晶体管工艺600。第五晶体管工艺1300包括P阱602和N阱603，其中DTI环1301设置在P阱602和N阱603周围(例如，设置在包括一个或更多个P阱区和/或N阱区的第一阱区周围)。即，在一些实施方式中，DTI 1301可以设置在包括一个或更多个P阱602和一个或更多个N阱603的环中(例如，第一阱区周围)。在一些实施方式中，一个或更多个P阱602以及一个或更多个N阱603可以具有设置在相应N阱603与P阱602之间的浅沟槽隔离(STI)阻挡件(barrier)。在一些实施方式中，一个或更多个P阱602以及一个或更多个N阱603在相邻的N阱603和/或P阱602之间不具有STI或DTI阻挡件。在一些实施方式中，位于DTI环1301内的一个或更多个P阱602以及一个或更多个N阱603中的每一个的尺寸、位置和定位的配置可以根据特定应用或在麦克风组件内实现的电路的配置或类型而变化。

第五晶体管工艺1300还包括深N阱区1340，该深N阱区1340沿着N阱区603和P阱区602的第一侧延伸。深N阱区1340设置在基板601与N阱区602和P阱区603之间。在一些实施方式中，还可以使用或堆叠附加的深阱区或氧化物层，以便减小漏电流和/或增大相应晶体管的击穿电压(例如，通过使晶体管和相应阱与基板601电绝缘)。

现在参考图14，示出了在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺1400的基板的俯视图。在DTI环内包括多个阱的晶体管工艺1400的俯视图描绘了具有彼此相邻定位的P阱区602和N阱区603的P型基板601。P型基板还包括设置在P阱区602和N阱区603周围或附近的DTI阻挡件1301。即，DTI阻挡件1301绕P阱区602的周界的一部分以及N阱区603的周界的一部分延伸。DTI阻挡件1301被配置成(例如，与诸如深N阱层1340的埋设层组合地)使P阱区602和N阱区603与P型基板601电绝缘。N阱区603可以具有位于N阱区603内的一个或更多个晶体管1401(例如，或者二极管)，并且P阱区604可以具有位于P阱区602内的一个或更多个晶体管1402。DTI阻挡件1301增大了晶体管1401和1402的击穿电压，并允许在晶体管上有效地达到或使用更高的电压(例如，高于55伏)。

在一些实施方式中，DTI阻挡件1301可以在包括多个分立的P阱区602和/或多个分立的N阱区603的区域周围或附近延伸。多个P阱区602和多个N阱区603可以以任何特定的几何形状定位、设置或布置。在一些实施方式中，多个P阱区602和多个N阱区603中的每一个可以具有位于相应区域中的一个或更多个晶体管(例如，或者二极管)。在一些实施方式中，多个P阱区602和多个N阱区603中的一个或更多个还可以具有设置在相应区域周围的另一或相应的DTI阻挡件或DTI环。在一些实施方式中，P阱区602和N阱区603可以在它们之间不具有阻挡件或浅沟槽隔离阻挡件。

在本文描述的主题有时例示了包含在不同的其它部件内或与其相连接的不同部件。将理解，这样描绘的架构仅仅是示例性的，而事实上，可以实现获得相同功能的许多其它架构。在概念意义上，用于实现相同功能的部件的任何布置都有效地“关联”，以使实现期望功能。因而，在本文为获得特定功能而组合的任何两个部件都可以被视作彼此“相关联”，以使实现期望功能，而与架构或中间部件无关。同样地，这样关联的任何两个部件还可以被视作彼此“在工作上连接”，或“在工作上联接”，以实现期望功能，并且能够这样关联的任何两个部件也可以被视作能够彼此“在工作上联接”，以实现期望功能。在工作上联接的具体示例包括但不限于，物理上可配合和/或物理上相互作用的部件和/或可无线地交互和/或无线地交互的部件和/或逻辑上交互和/或逻辑上可交互的部件。

关于本文中复数和/或单数术语的使用，本领域技术人员可以根据上下文和/或申请在适当时候从复数翻译成单数和/或从单数翻译成复数。为清楚起见，可以在本文中明确地阐述各种单数/复数置换。

本领域技术人员将理解，通常，本文尤其是所附权利要求(例如，所附权利要求的主体)使用的术语通常旨在作为“开放”术语(例如，用语“包括”应被解释为“包括但不限于”，用语“具有”应被解释为“至少具有”，用语“包括”应解释为“包括但不限于”等)。

尽管附图和描述可以例示方法步骤的特定顺序，但是除非上文另外指定，否则这些步骤的顺序可以与所描绘和所描述的步骤不同。另外，除非上文另外指定，否则可以同时或部分同时执行两个或更多个步骤。这种变型可以例如取决于所选择的软件和硬件系统以及设计者的选择。所有这些变型都在本公开的范围内。同样，可以利用具有基于规则的逻辑和其它逻辑的标准编程技术来完成所描述的方法的软件实现，以完成各种连接步骤、处理步骤、比较步骤和决策步骤。

本领域技术人员将进一步理解，如果意图陈述特定数量的引用的权利要求，则将在权利要求中明确地陈述这样的意图，并且在没有这样的陈述的情况下，不存在这样的意图。例如，为了帮助理解，以下所附权利要求可以包含介绍性短语“至少一个”和“一个或更多个”的使用以引入权利要求陈述。然而，这些短语的使用不应被解释为暗示由不定冠词“一”或“一个”引述权利要求的引用将包含这种引用的权利要求陈述的任何特定权利要求限制于仅包含一个这样的陈述的发明，即使相同的权利要求包括介绍性短语“一个或更多个”或“至少一个”，并且诸如“一”或“一个”的不定冠词(例如，“一”和/或“一个”通常应被解释为意指“至少一个”或“一个或更多个”)；对于使用用于引用权利要求陈述的定冠词也是如此。另外，即使明确地陈述了特定数量的引用的权利要求陈述，本领域技术人员也将认识到，这种陈述通常应该被解释为至少意指所陈述的数目(例如，没有其它修饰语的“两个陈述”的详细陈述通常意指至少两个陈述，或两个或更多个陈述)。

此外，在使用类似于“A、B和C等中的至少一个”的惯例的那些情况下，一般而言，这样的构造意图在本领域技术人员将理解该惯例的意义上(例如，“具有A、B和C中的至少一个的系统”将包括但不限于以下系统：单独具有A，单独具有B，单独具有C，一起具有A和B，一起具有A和C，一起具有B和C，和/或一起具有A、B和C等)。在使用类似于“A、B或C等中的至少一个”的惯例的那些情况下，一般而言，这样的构造意图在本领域技术人员将理解该惯例的意义上(例如，“具有A、B或C中的至少一个的系统”将包括但不限于以下系统：单独具有A，单独具有B，单独具有C，一起具有A和B，一起具有A和C，一起具有B和C，和/或一起具有A、B和C等)。本领域技术人员将进一步理解，实际上呈现两个或更多个另选术语的任何析取词和/或短语，无论是在说明书、权利要求书还是在附图中，都应该被理解为考虑包括这些术语中的一者、术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，短语“A或B”将被理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。

此外，除非另有说明，否则使用词语“大约”、“约”、“近似”、“大致”等意指加或减百分之十。

已经出于例示和描述的目的呈现了例示性实施方式的前述描述。并非旨在穷举或限制于所公开的精确形式，并且根据上述教导可以进行修改和变型，或者可以从所公开实施方式的实践中获得修改和变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同物限定。