一种光调制器及发送模块

技术领域

本申请涉及到通信技术领域，尤其涉及到一种光调制器及发送模块。

背景技术

集成光电子芯片在通信领域的应用愈加广泛。不断增长的通信带宽需求对光电子芯片的调制器性能提出了越来越高的要求。近年来，业内报道了采用不同调制方式、结构、材料或平台的多种调制器，不断地提高着调制器的性能。改善调制器的主要目标包括：提高调制效率，降低驱动电压，降低调制损耗。此外，片上可集成性，稳定性和制造成本等也需要关注。

现有技术中的一种调制器基于SOI(Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅)平台，与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺兼容。在波导区域内通过掺杂形成PN结。在施加调制电压时，依赖硅的自由载流子色散效应，对硅波导的折射率进行调节。在施加反向偏置电压时，耗尽区的宽度增大，使得波导芯区的自由载流子数量降低。由于自由载流子色散效应，当硅材料内部自由载流子数量降低，硅的折射率变大，使得调制器的传输谱线发生偏移，从而实现了调制功能。但是自由载流子色散效应在改变折射率的同时也会引入吸收损耗，导致较大的调制损耗。另外，自由载流子色散效应较弱，调制效率较低，需要的驱动电压较大。

发明内容

本申请提供了一种光调制器及发送模块，用于改善光调制器的耗损，降低驱动能耗。

第一方面，提供了一种光调制器，该光调制器包括：衬底以及层叠的波导层；其中，波导层具有芯区，芯区为波导层用于传输光的区域，波导层的芯区镂空，且芯区内间隔设置的多个波导块，其中，每个波导块通过支撑臂与所述波导层连接，并通过支撑臂支撑波导块。在具体排列多个波导块时，多个波导块的排列周期满足布拉格条件。光调制器还包括聚合物，聚合物填充在任意相邻的两个波导块之间，该聚合物为折射率可调的聚合物。上述的波导块及聚合物组成芯区中光传输的介质。由于聚合物的折射率可调，因此可通过控制模块调整所述聚合物的折射率，实现对传输光的调制。在上述技术方案中，在波导块的排布周期满足布拉格条件时，波导块及聚合物组成的光传输介质会像传统的单一均匀介质的波导一样工作，从而可以降低光在波导块及聚合物之间传输的耗损。同时，通过改变聚合物的折射率实现对光的调制，降低了驱动能耗。

在一个具体的实施方案中，所述控制模块包括正极及负极，其中，任意相邻的两个波导块中，其中一个波导块与所述正极连接，另一个波导块与所述负极连接；任意相邻的两个波导之间形成电场。通过对波导块施加电信号调整波导块之间的聚合物的折射率，降低了能耗。

在一个具体的实施方案中，所述多个波导块连接的多个支撑臂交替排列在第一轴线的两侧，所述第一轴线为所述多个波导块沿排列方向的轴线；位于所述第一轴线的一侧的支撑臂与所述正极连接，位于所述第一轴线相对的另一侧的支撑臂与所述负极连接。通过支撑臂实现波导块的电连接，方便实现电连接。

在一个具体的实施方案中，所述控制模块包括第一极板及第二极板；所述第一极板及所述第二极板层叠设置，所述第一极板及所述第二极板之间形成场；所述多个间隔排列的波导块及填充在任意相邻的两个波导块之间的聚合物位于所述场中。通过两个极板形成场，通过场能改变聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，第一极板及第二极板与波导块平行而置。形成竖直的场来改善聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，所述第一极板及所述第二极板均为电极板；所述第一极板及所述第二极板之间形成的场为电场。通过施加电场改变聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，所述第一极板及所述第二极板均为磁极板；所述第一极板及所述第二极板之间形成的场为磁场。通过施加磁场改变聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，所述衬底设置有与所述镂空的芯区连通的镂空区域；所述聚合物填充所述镂空的芯区及所述衬底的镂空区域。通过聚合物填充到衬底的镂空区域及芯区的镂空，使得聚合物包裹波导块，方便了聚合物设置。

在一个具体的实施方案中，所述第一极板及所述第二极板与所述聚合物固定连接。通过聚合物固定极板，方便设置极板。

在一个具体的实施方案中，所述控制模块包括至少一个加热板；所述加热板用于加热所述聚合物。通过热场改变聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，加热板的个数为一个，且加热板朝向多个波导块。通过一个加热板改变聚合物的折射率。

在一个具体的实施方案中，所述加热板的个数为两个，且所述两个加热板层叠设置；所述两个加热板之间形成热场；所述多个间隔排列的波导块及填充在任意相邻的两个波导块之间的聚合物位于所述热场中。提高了改善聚合物的折射率的效果。

在一个具体的实施方案中，所述衬底设置有与所述镂空的芯区连通的镂空区域；所述聚合物填充所述镂空的芯区及所述衬底的镂空区域。通过聚合物填充到衬底的镂空区域及芯区的镂空，使得聚合物包裹波导块，方便了聚合物设置。

在一个具体的实施方案中，所述至少一个加热板与所述聚合物固定连接。方便加热板设置。

在一个具体的实施方案中，所述多个波导块呈环形排列或呈直线排列。波导块可以根据需要排列成不同的形式。

第二方面，提供了一种MZI调制器，该调制器包括并排排列的两个传输臂；其中，至少一个传输臂上设置有上述任一项所述的光调制器。在上述技术方案中，在波导块的排布周期满足布拉格条件时，波导块及聚合物组成的光传输介质会像传统的单一均匀介质的波导一样工作，从而可以降低光在波导块及聚合物之间传输的耗损。同时，通过改变聚合物的折射率实现对光的调制，降低了驱动能耗。

第三方面，提供了一种发送模块，该发送模块包括激光器以及与所述激光器连接的上述任一项所述的光调制器。在上述技术方案中，在波导块的排布周期满足布拉格条件时，波导块及聚合物组成的光传输介质会像传统的单一均匀介质的波导一样工作，从而可以降低光在波导块及聚合物之间传输的耗损。同时，通过改变聚合物的折射率实现对光的调制，降低了驱动能耗。

附图说明

图1为本申请实施例提供光调制器的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的光调制模块的俯视图；

图3为本申请实施例提供的第一种光调制器的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第一种光调制器的侧视图；

图5为本申请实施例提供的第一种光调制器的波导块带电后的示意图；

图6为本申请实施例提供的第二种光调制器的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的第二种光调制器的侧视图；

图8为本申请实施例提供的第三种光调制器的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的第三种光调制器的侧视图；

图10为本申请实施例提供的第四种光调制器的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的第四种光调制器的侧视图；

图12为本申请实施例提供的第五种光调制器的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的微环调制器的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的MZI调制器的结构示意图；

图15为本申请实施例提供的MZI调制器调制光线的传输谱线示意图。

具体实施方式

为方便理解本申请实施例提供的光调制器，首先说明一下其应用场景，本申请实施例提供的光调制器应用于光电领域，发送模块包含激光器以及与激光器通过波导连接的光调制器，激光器发送的激光通过波导传入到光调制器中，并通过光调制器对激光进行调制，并在调制后发送出去。当然光调制器不仅用于上述的发送模块，还可用于其他模块。而现有技术中的光电调制器在对光线调制时，光线耗损比较严重，同时在调制时需要较大的能耗，为此本申请实施例提供了一种光电调制器，下面结合具体的实施例对本申请实施例提供的光电调制器进行说明。

首先说明一下布拉格条件，当电磁辐射或亚原子粒子波的波长，与进入的晶体样本的原子间距长度相若时，就会产生布拉格衍射，入射物会被系统中的原子以镜面形式散射出去，并会按照布拉格定律所示，进行相长干涉。对于晶质固体，波被晶格平面所散射，各相邻平面间的距离为d。当被各平面散射出去的波进行相长干涉时，它们的相位依然相同，因此每一波的路径长度皆为波长的整数倍。进行相长干涉两波的路径差为2dsinθ，其θ为散射角。由此可得布拉格定律，它所描述的是晶格中相邻晶体平面，产生相长干涉的条件：2dsinθ＝nλ。

图1示例出了本申请实施例提供的光电调制器的结构示意图。图1中所示的光电调制器包括层叠的衬底20以及波导层10。其中，波导层10用于传播光线的区域为芯区11(如图1中虚线框所示的区域)。在波导层10的芯区11的镂空区域内间隔设置了多个波导块30，每个波导块30通过支撑臂40与位于芯区11外的波导层10固定连接。多个波导块30的排列方向沿光线的传播方向，如图1中所示的箭头所示的方向，多个波导块30排列成直线型。一并参考图2，波导块30之间填充有聚合物(图1未示出)，且聚合物50波导块30交替排列形成用于光线传播的通道。光线可在聚合物50及波导块30内传播。继续参考图1，本申请实施例提供的聚合物50的折射率可变。示例性地，聚合物50在受到的电场能、热能、磁能等能量后，折射率可跟随收到的能量多少进行变化。

在本申请实施例中，多个波导块30的排列周期满足布拉格条件，以降低光线在波导面上的反射。在多个波导块30按照上述条件周期排列时，多个波导块30及聚合物50组成的通道其会像传统的单一均匀介质的波导(传输光路为一整块的波导)一样工作，实现了光在通道内低损耗传输。通道的等效折射率为neqv＝(1-DC)*ncladding+DC*ncore，其中ncladding为填充聚合物50的折射率，ncore为波导块30材料的折射率，DC为波导块30的占空比。在需要对光进行调制时，通过控制填充聚合物50的折射率即可实现对光线的调控。继续参考图1中所示，本申请实施例提供的光调制器示例出了一个控制区域100，如图2中所示，图2示出了光调制器的侧视图，由图2可以看出，本申请实施例提供的控制区域100覆盖多个波导块30以及填充在波导块30之间的聚合物50。通过在控制区域100内施加电场能、热能、磁能等可改变聚合物50的折射率，下面结合具体的附图以及实施例对其进行详细说明。

图3示例出了光调制器未填充材料的结构示意图。如图3所示，该光调制器包括衬底20以及波导层。为方便描述波导层，将其划分为芯区11以及支撑结构，其中支撑结构指代的为芯区11外的部分。由图3可以看出，支撑结构划分为两部分，分别为第一结构12及第二结构13，分列在芯区11的两侧。芯区11位于第一结构12及第二结构13之间。波导块设置在芯区11内，且沿直线排列。为方便定义支撑臂的排列方式，定义了波导块的第一轴线，第一轴线为波导块沿其排列方向的轴线，即第一轴线平行于光线的传播方向。由图3可以看出，多个波导块连接的多个支撑臂交替排列在第一轴线的两侧。在图3的示例中，沿光线的传播方向，多个波导块依次为第一波导块31a、第二波导块31b、第三波导块32a、第四波导块32b、第五波导块33a、第六波导块33b、第七波导块34a及第八波导块34b。其中，波导块31a、32a、33a和34a对应连接的第一支撑臂41a、第三支撑臂42a、第五支撑臂43a及第七支撑臂44a与第一结构12连接。而波导块31b、32b、33b和34b对应连接的第二支撑臂41b、第四支撑臂42b、第六支撑臂33b及第八支撑臂34b与第二结构13连接。图3所示的波导块的个数仅仅为一个示例，本申请实施例提供的波导块的个数还可以采用其他的个数。支撑臂在设置时，满足任意相邻的两个波导块中，其中的一个波导块与第一结构12连接，另一个波导块与第二结构13连接。

如图3所示，衬底20设置有与镂空的芯区11连通的镂空区域21，镂空区域21位于波导块及支撑臂的下方，相当于在衬底20下挖去一块区域，使得波导块以及支撑臂悬空。当然在设置镂空区域21时，也可仅在波导块下设置，在此不做限定。

图4示例出了光调制器填充聚合物50的结构示意图。如图4所示，聚合物50填充在衬底20的镂空区域21和芯区11的镂空部位。结合图3-4，聚合物50不仅填充了波导块之间的缝隙，还填充了芯区11的镂空部位以及衬底20的镂空区域21，聚合物50将波导块以及支撑臂包裹起来。需要说明的是，镂空区域21是可选的。

填充的聚合物50可采用电光多聚物(Electro-Optic polymer)。电光多聚物在受到电场能时，可以改变聚合物50的折射率。示例性地，电光聚合物50可以为JRD-1、AJTB141/APC、SEO125。或者，其他的已知的通过电场能可以改变折射率的聚合物50。

本申请实施例提供的波导层为可导电的波导层，其材质可以选用具有导电性能的硅材质。光调制器还包括控制模块，控制模块为用于提供电场的模块，如图4所示，控制模块包括正极62及负极61。其中，正极62与第一结构12连通，并通过第一结构12连通的支撑臂给其中的一部分波导块通电，负极61与第二结构13连通，并通过第二结构13连通的支撑臂给另一部分的波导块通电。即在波导块采用交替排列在第一轴线两侧的支撑臂时，位于第一轴线的一侧的支撑臂与正极62连接，位于第一轴线相对的另一侧的支撑臂与负极61连接。如在光调制器包含图3中所示的八个波导块时，正极62通过第一支撑臂41a、第三支撑臂42a、第五支撑臂43a及第七支撑臂44a给第一波导块31a、第三波导块32a、第五波导块33a及第七波导块34a通电；负极61通过第二支撑臂41b、第四支撑臂42b、第六支撑臂43b及第八支撑臂44b给第二波导块31b、第四波导块32b、第六波导块33b及第八波导块34b通电。

图5示例出了波导块通电后的带电情况。以其中任意相邻的两个波导块为例，如第一波导块31a及第二波导块31b，第一波导块31a在与正极62连接后，带有正电荷，第二波导块31b在与负极61连接后带有负电荷，两个波导之间形成电场。填充在第一波导块31a与第二波导块31b之间的聚合物位于电场中，并可以受到电场能改变折射率。当然其他的波导块之间的聚合物也可在电场能的作用下改变折射率。

当对波导块两侧的第一结构12及第二结构13施加偏置电压时，通过支撑臂及波导块，电场将主要集中作用在波导块之间填充的E-O polymer上。E-O polymer受到电场调制之后，由于其较大的电光系数，将会发生显著的折射率改变，从而使得通道的等效折射率neqv发生较大的变化。当通道的等效折射率变化时，将会产生额外的相位差，使得调制器的传输谱线发生偏移，从而实现调制功能。

由上述描述可以看出，本申请实施例提供的光调制器可以通过给波导块施加电，以改变波导块之间的聚合物的折射率，实现对光的调制。此外，通过施加控制信号(电场)，对波导中的聚合物进行调制，使得混合材料波导的折射率发生改变，从而实现光调制功能。由于本申请实施例中提供的波导块满足布拉格条件，波导块与聚合物可以等效成单一的波导，可以降低光在传输时的耗损。同时，在调制时，仅需通过电场改变聚合物的折射率，相比于现有技术中的PN结的调制方式，降低了驱动电压，同时，本申请实施例提供的聚合物在改变折射率时，无需自由载流子迁移，因此可提高调制速率。由上述描述可以看出，本申请实施例可以采用较低的驱动电压对光进行调制，且在调制时，光具有较低的耗损，因此本申请实施例提供的光调制器具有较高的高调制效率。另外，由图3可以看出，本申请实施例提供的光调制器，波导块排列紧凑，继承性能好，并且可与CMOS工艺兼容，稳定性及可靠性较高。

图6示例出了本申请实施例提供的第二种光调制器的结构，图6中未示出聚合物。图6示出的光调制器的波导层以及衬底20的结构可以参考图3中的相关描述。波导块30设置在芯区11内，且沿直线排列。继续参考图6，本申请实施例提供的波导块30通过支撑臂40与第一结构12或第二结构13连接。在图6中示例出了多个波导块30连接的多个支撑臂40交替排列在第一轴线的两侧的情况，具体的可以参考图3中的相关描述，在此不再赘述。但是图6仅仅为支撑臂40的一种具体示例，也可以采用波导块30连接的支撑臂40位于第一轴线的同一侧，如每个波导块30通过支撑臂40与第一结构12连接，或者每个波导块30通过支撑臂40与第二结构13连接，还可以采用每个波导块30通过支撑臂40分别与第一结构12及第二结构13连接。

继续参考图6，衬底20设置有与镂空的芯区11连通的镂空区域21，如图6所示，镂空区域21位于波导块30及支撑臂40的下方，相当于在衬底20下挖去一块区域，使得波导块30以及支撑臂40悬空，当然图6中所示的镂空区域21仅仅为一个示例，在设置镂空区域21时，也可仅在波导块30下设置，在此不做限定。一并参考图7，图7示例出了光调制器填充聚合物50的结构示意图。由图7可以看出，聚合物50填充在衬底20的镂空区域21以及芯区11镂空的部位。结合图6及图7，聚合物50不仅填充了波导块30之间的缝隙，还填充了芯区11的镂空部位以及衬底20的镂空区域21，聚合物50将波导块30以及支撑臂40包裹起来。或者也可以不在衬底20上设置镂空区域21，仅将波导层的芯区11进行镂空。

填充的聚合物50采用电光多聚物(Electro-Optic polymer)。电光多聚物在受到电场能时，可以改变聚合物50的折射率。示例性地，电光聚合物50可以为JRD-1、AJTB141/APC、SEO125，或者其他的已知的通过电场能可以改变折射率的聚合物50。

本申请实施例提供的波导层为可导电或者不导电的波导层。如选用具有导电性能的硅材质，或者不导电的氮化硅，铌酸锂，二氧化硅等材质。光调制器还包括控制模块。如图7中所示，控制模块包括第一极板及第二极板。其中，第一极板及第二极板均为电极板。示例性地，第一电极板71为正极板、第二电极板72为负极板；或者第一电极板71为负极板、第二电极板72为正极板。正极板和负极板的材质均可以为铝、铁、铜等金属导电材质制备而成，当然也可以采用导电的非金属材质制备。第一电极板71及第二电极板72层叠设置，并且第一电极板71及第二电极板72分列在波导块30的两侧，以图7所示的光调制器的放置方向为参考方向，第一电极板71位于波导块30的上方，第二电极板72位于波导块30的下方，多个波导块30被第一电极板71及第二电极板72夹在了中间。第一电极板71及第二电极板72之间形成电场，多个间隔排列的波导块30及填充在任意相邻的两个波导块30之间的聚合物50位于电场中。第一电极板71及第二电极板72之间形成的场区覆盖了多个波导块30以及填充在波导块30之间的聚合物50。由图7可以看出，聚合物50不仅填充了芯区11的镂空部位以及衬底20的镂空区域21，还覆盖在了波导层。第一电极板71及第二电极板72分别与聚合物50固定连接，以实现固定。其中，第一电极板71及第二电极板72分别与聚合物50固定连接包含但不限定于：第一电极板71及第二电极板72分别被聚合物50包裹、第一电极板71及第二电极板72分别被聚合物50半包裹，或第一电极板71及第二电极板72贴附在聚合物50等不同的情况。

在图7所示的结构中，第一电极板71及第二电极板72与多个波导块30平行设置，但是在本申请实施例中不仅限于平行，也可以呈一定的角度。但是应该保证波导块30之间的聚合物50位于第一电极板71及第二电极板72形成的电场中。

在对光线进行调制时，对芯区11施加垂直方向的电场控制信号。由于聚合物50具有较大的电光系数，当施加控制信号时，聚合物50的折射率发生变化，使得通道的等效折射率neqv发生改变，从而实现调制功能。

图8示例出了本申请实施例提供的第三种光调制器的结构，图8中未示出聚合物50。图9示例出了图8所示的第三光调制器的填充聚合物50的结构示意图。本申请实施例提供的第三种光电调制器与第二种光电调制器的结构相近似，在此不再赘述。主要区别在于第三种光电调制器的控制模块采用磁极板。如图9中所示，第一级板及第二极板采用磁极板，且第一磁极板81及第二磁极板82之间形成磁场。第一磁极板81及第二磁极板82均为电磁铁制备而成，以便于通过信号改变磁场的强度。第一磁极板81及第二磁极板82中一个为N极板，另一个为S极板。填充的聚合物50采用受磁场能可改变折射率的聚合物50，示例性地，Poly-3-(Alkylsulfone)Thiophene(P3AST)、(arylene ethynylene)s(PAEs)。

在对光线进行调制时，对芯区施加垂直方向的磁场控制信号。由于聚合物50具有较大的磁光系数，当施加控制信号时，聚合物50的折射率发生变化，使得通道的等效折射率neqv发生改变，从而实现调制功能。

如图10所示，图10示例出了本申请实施例提供的第四种光电调制器。其中图10中的衬底20层、波导层的结构可以参考图6中所示的结构，并且在本申请实施例中，波导块30连接的支撑臂40可以采用如图6中所示的交替排列的方式，或者采用波导块30连接的支撑臂40位于第一轴线的同一侧，如每个波导块30通过支撑臂40与第一结构连接，或者每个波导块30通过支撑臂40与第二结构连接，还可以采用每个波导块30通过支撑臂40分别与第一结构及第二结构连接等不同的形式。

如图11所示，图11示例出了填充聚合物后的结构示意图。控制模块包括至少一个加热板，加热板用于加热聚合物，以改变聚合物的折射率。其中，聚合物采用具有较大的热光系数的材料制备而成，如SU-8、PMMA、NOA-61、NOA-63等材质。在图10中加热板示例出了一个，命名为第一加热板91，以图11所示的光电调制器，第一加热板91放置在了波导块30的上方，并与聚合物固定连接，具体连接方式与图7中关于第一极板的固定方式相同，在此不再赘述。应当理解的是，本申请实施例提供的第一加热板91也可以设置在波导块30的下方，其原理与第一加热板91放置在波导块30上方的原理一致。无论将第一加热板91设置在波导块30上方还是下方，第一加热板91均朝向多个波导块30，并且第一加热板91在形成热场，波导块30位于该热场中。

上述的第一加热板91可以为电热第一加热板91，如采用金属材质铜、铝等材质制备而成的第一加热板91。在采用电热板覆盖芯区时，第一加热板91可以埋在波导下方或者位于波导上方的聚合物或者衬底20中。聚合物具有较大的热光系数。当第一加热板91开启时，芯区的温度上升，导致聚合物的折射率发生变化，使得通道的等效折射率neqv发生改变，从而实现调制功能。

图12示例出了两个加热板的方式。如图2所示，第一加热板91及第二加热板92层叠设置；第一加热板91及第二加热板92之间形成热场；多个间隔排列的波导块30及填充在任意相邻的两个波导块30之间的聚合物50位于热场中。具体的两个加热板的放置方式与第一极板及第二极板的放置方式相同，在此不再赘述。

应当理解的是，本申请实施例提供的波导块的放置方式不仅限于直线型，还可以采用其他的形式，如图13中所示，图13示例出了一种微环调制器：通过波导层及衬底20的镂空形成微环谐振腔，波导层的第一结构12及第二结构13分列在微环谐振腔的两侧，多个波导块30呈环形排列，并位于微环谐振腔中。在微环谐振腔两侧的第一结构12及第二结构13施加信号电压(无需偏置电压)。当施加电压时，相邻的波导块之间形成电场，对填充的E-Opolymer进行电场调制。随着电场强度变化，E-O polymer的折射率发生改变，使得微环谐振腔的传输谱线发生偏移，从而实现调制功能。

图14示例出了MZI(Mach-Zehnder Interferometer，马赫-曾德干涉仪)调制器结构。MZI调制器包括并排排列的两个传输臂(第一传输臂200及第二传输臂300)。其中，至少一个传输臂上设置有上述任一项的光调制器。如图14所示，仅第一传输臂200设置波导块30与聚合物50组成的通道结构。当施加电压时，相邻的波导块30之间形成电场，对填充的聚合物50(如，E-O polymer)进行电场调制。随着电场强度变化，E-O polymer的折射率发生改变。如图15中所示，在施加0V和2.5V电压时，MZI调制器的传输谱线发生偏移，从而实现调制功能。

本申请实施例提供的光调制器可以应用在发送模块等不同的结构中。如在发送模块中，发送模块包括激光器以及与激光器连接的上述任一项的光调制器。激光器发出的光线通过波导传入到光调制器中进行调制。以上应用中，光调制器在波导块的排布周期满足布拉格条件时，波导块及聚合物组成的光传输介质会像传统的单一均匀介质的波导一样工作，从而可以降低光在波导块及聚合物之间传输的耗损。同时，通过改变聚合物的折射率实现对光的调制，降低了驱动能耗。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。