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电致发光显示装置

文献发布时间：2023-06-19 11:52:33

技术领域

本公开涉及一种电致发光显示装置，并且更具体地，涉及一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。

背景技术

作为一种平板显示装置，电致发光显示装置与液晶显示装置相比由于它是自发光的而具有宽视角，并且由于不需要背光单元而具有厚度薄、重量轻和功耗低的优点。

另外，电致发光显示装置由直流(DC)的低电压驱动并且响应速度快。另外，由于电致发光显示装置的成分是固体，因此其抗外部冲击的能力强并且在宽温度范围下使用，并且特别地，能够以低成本制造电致发光显示装置。

该电致发光显示装置包括多个像素(每个像素具有第一子像素、第二子像素和第三子像素)，并且通过允许第一子像素、第二子像素和第三子像素选择性地发光，来显示各种彩色图像。

第一子像素、第二子像素和第三子像素分别具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且每个发光层是通过真空热蒸发工艺形成的，在真空热蒸发工艺中使用精细的金属掩模选择性地沉积发光材料(FMM)。

然而，由于掩模的制备，蒸发过程增加了制造成本，并且由于制造偏差、掩模的下垂、阴影效应等，在应用于大尺寸和高清晰度显示装置时存在问题。

发明内容

因此，本公开涉及一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

本公开的目的是提供具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。

本公开的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且从该描述中将部分地显而易见，或者可以通过本公开的实践而获知。本公开的目的和其他优点将通过在书面描述及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点，并且根据本公开的目的，如在本文中具体实施和广泛描述的，提供了一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置包括：基板，在该基板上限定有显示图像的显示区域和与显示区域相邻设置的非显示区域；第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行，其位于基板上的显示区域中，第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行各自包括沿第一方向布置的多个子像素并沿与第一方向垂直于的第二方向设置；发光二极管，所述发光二极管设置在多个子像素中的每个处，并且包括第一电极、发光层和第二电极；虚设子像素，所述虚设子像素在基板上的非显示区域中，该虚设子像素与第二子像素行相对应；以及分隔壁，所述分隔壁沿第一方向跨第三子像素行并且设置在第三子像素行的第一电极上，其中，第二子像素行沿第二方向的宽度大于第一子像素行的宽度并且小于第三子像素行的宽度。

应当理解，前面的概括描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。

附图说明

附图被包括进来，以提供对本公开的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是根据本公开实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图；

图2是根据本公开实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图；

图3是根据本发明第一实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；

图4是与图3的线I-I′相对应的截面图，并且图5是与图3的线II-II′相对应的截面图；

图6A和图6B是根据本发明第二实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；

图7A和图7B是根据本发明第三实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；

图8A和图8B是根据本发明第四实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；

图9A和图9B是根据本发明第五实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；

图10是根据本发明第六实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；以及

图11是与图10的线III-III′相对应的截面图。

具体实施方式

现在将详细参照本公开的示例性实施方式进行说明，这些示例性实施方式的示例在附图中示出。

根据本公开实施方式的电致发光显示装置包括用于显示图像的多个像素，并且多个像素中的每个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。与每个子像素相对应的像素区域可以具有图1所示的配置。

图1是根据本公开实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。

在图1中，根据本公开实施方式的电致发光显示装置包括彼此交叉以限定多个像素区域的多条选通线和多条数据线。具体地，在图1的示例中，选通线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P。在每个像素区域P中形成有开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。

更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅极连接至选通线GL，并且开关薄膜晶体管Ts的源极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅极连接至开关薄膜晶体管Ts的漏极，并且驱动薄膜晶体管Td的源极连接至高压电源VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管Td的漏极，并且发光二极管De的阴极连接至低压电源VSS。存储电容器Cst连接到驱动薄膜晶体管Td的栅极和漏极。

驱动电致发光显示装置以显示图像。例如，当开关薄膜晶体管Ts通过经由选通线GL施加的选通信号而导通时，来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts被施加至驱动薄膜晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的电极。

当驱动薄膜晶体管Td由于数据信号而导通时，流过发光二极管De的电流受到控制，从而显示图像。发光二极管De由于从高压电源VDD通过驱动薄膜晶体管Td提供的电流而发光。

即，流过发光二极管De的电流量与数据信号的大小成比例，并且发光二极管De发出的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因此，像素区域P依据数据信号的大小而示出不同的灰度级，结果，电致发光显示装置显示图像。

另外，当开关薄膜晶体管Ts截止时，存储电容器Cst针对帧保持与数据信号相对应的电荷。因此，即使开关薄膜晶体管Ts截止，存储电容器Cst也允许流过发光二极管De的电流量恒定并且保持发光二极管De所示出的灰度级，直到下一帧为止。

同时，除了开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管Td以及存储电容器Cst之外，可以在像素区域P中添加一个或更多个薄膜晶体管和/或电容器。

例如，在电致发光显示装置中，驱动薄膜晶体管Td在将数据信号施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极的同时导通达相对长的时间，并且发光二极管De发光，从而显示灰度级。驱动薄膜晶体管Td可能由于长时间施加数据信号而劣化。因此，驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压Vth改变，并且因此电致发光显示装置的像素区域P针对相同的数据信号显示不同的灰度级。这导致亮度不均匀，从而降低了电致发光显示装置的图像质量。

因此，为了补偿驱动薄膜晶体管Td的迁移率和/或阈值电压的变化，可以在像素区域P中进一步添加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可以连接到基准线，以施加基准电压并输出感测电压。

图2是根据本公开实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，并且示出了一个像素区域。

在图2的电致发光显示装置中，缓冲层120形成在基板110上。缓冲层120基本上设置在基板110的整个表面上。基板110可以是玻璃基板或塑料基板。例如，聚酰亚胺可以用作塑料基板，但不限于此。缓冲层120可以由诸如氧化硅(SiO

在缓冲层120上形成图案化的半导体层122。半导体层122可以由氧化物半导体层形成，并且可以在半导体层122下方进一步形成遮光图案。遮光图案可以阻挡光入射在半导体层122上并且可以防止半导体层122由于光而劣化。另选地，半导体层122可以由多晶硅形成，并且半导体层122的两端可以掺杂有杂质。

绝缘材料的栅极绝缘层130基本上在基板110的整个表面上方形成在半导体层122上。栅极绝缘层130可以由诸如氧化硅(SiO

在与半导体层122的中央相对应的栅极绝缘层130上形成诸如金属之类的导电材料的栅极132。此外，可以在栅极绝缘层130上形成选通线和第一电容器电极。选通线在第一方向上延伸，并且第一电容器电极连接到栅极132。

在本公开的实施方式中，栅极绝缘层130基本上形成在基板110的整个表面上方。然而，可以对栅极绝缘层130进行图案化以具有与栅极132相同的形状。

由绝缘材料制成的层间绝缘层140基本上在基板110的整个表面上方形成在栅极132上。层间绝缘层140可以由诸如氧化硅(SiO

层间绝缘层140具有第一接触孔140a和第二接触孔140b，该第一接触孔140a和第二接触孔140b暴露出半导体层122的两端的顶表面。第一接触孔140a和第二接触孔140b设置在栅极132的两侧并且与栅极132间隔开。第一接触孔140a和第二接触孔140b也形成在栅绝缘层130中。另选地，当对栅绝缘层130进行图案化以具有与栅极132相同的形状时，第一接触孔140a和第二接触孔140b仅形成在层间绝缘层140中。

诸如金属之类的导电材料的源极142和漏极144形成在层间绝缘层140上。另外，可以在层间绝缘层140上进一步形成数据线、电源线和第二电容器电极。

源极142和漏极144彼此间隔开(栅极132位于源极142和漏极144之间)，并且源极142和漏极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b与半导体层122的两端接触。数据线在第二方向上延伸并且与选通线交叉以由此限定像素区域。用于提供高电压的电源线与数据线间隔开。第二电容器电极连接到漏极144。第二电容器电极与第一电容器电极交叠从而构成存储电容器，并且第二电容器电极与第一电容器电极之间的层间绝缘层140作为电介质。另选地，第一电容器电极可以连接到漏极144，并且第二电容器电极可以连接到栅极132。

半导体层122、栅极132以及源极142和漏极144形成薄膜晶体管Tr。薄膜晶体管Tr具有共面结构，其中，栅极132与源极142和漏极144相对于半导体层122位于同一侧。

另选地，薄膜晶体管Tr可以具有倒置的交错结构，其中栅极与源极和漏极相对于半导体层位于不同侧。即，栅极可以设置在半导体层下方，并且源极和漏极可以设置在半导体层上方。半导体层可以由氧化物半导体或非晶硅形成。

薄膜晶体管Tr对应于图1的驱动薄膜晶体管Td，并且可以在基板110上的像素区域中进一步形成与薄膜晶体管Tr具有相同结构的开关薄膜晶体管Ts。薄膜晶体管Tr的栅极132可以连接至开关薄膜晶体管的漏极，并且薄膜晶体管Tr的源极142连接到电源线。另外，开关薄膜晶体管的栅极和源极可以分别连接到选通线和数据线。

可以在基板110上的像素区域中进一步形成与薄膜晶体管Tr具有相同结构的感测薄膜晶体管，但是本公开不限于此。

绝缘材料的涂覆层150基本上在基板110的整个表面上方形成在源极142和漏极142上。涂覆层150可以由诸如光丙烯或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。涂覆层150可以具有平坦的顶表面。

同时，可以在涂覆层150下方，即在薄膜晶体管Tr和涂覆层150之间进一步形成诸如氧化硅(SiO

涂覆层150具有暴露出漏极144的漏极接触孔150a。漏极接触孔150a可以与第二接触孔140b间隔开。另选地，漏极接触孔150a可以设置在第二接触孔140b的正上方。

第一电极162形成在涂覆层150上方并且由具有相对高的功函数的导电材料形成。第一电极162设置在像素区域中，并通过漏极接触孔150a与漏极144接触。例如，第一电极162可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)之类的透明导电材料形成，但是不限于此。

根据本公开实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型，其中发光二极管De的光朝着与基板110相反的方向输出。因此，第一电极162可以进一步包括在透明导电材料下方由具有相对高反射率的金属材料形成的反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可以由铝-钯-铜(APC)合金、银(Ag)或铝(Al)形成。第一电极162可以具有ITO/APC/ITO、ITO/Ag/ITO或ITO/Al/ITO的三层结构，但不限于此。

在第一电极162上形成绝缘材料的堤部。堤部可以包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。

更具体地，第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘并且暴露出第一电极162的中央部分。第一堤部172可以由具有亲水性的材料(例如，诸如氧化硅(SiO

第二堤部174形成在第一堤部172上。此时，第二堤部174的至少上表面是疏水的，并且第二堤部174的侧表面可以是疏水的或亲水的。

第二堤部174的的宽度比第一堤部172的宽度窄，被设置在第一堤部172上，并且暴露出第一堤部172的边缘。第二堤部174的厚度可以大于第一堤部172的厚度。第二堤部174可以与第一电极162的边缘交叠。另选地，第二堤部174可以与第一电极162间隔开而没有交叠。

第二堤部174可以由具有疏水性的有机绝缘材料形成。另选地，第二堤部174可以由具有亲水性的有机绝缘材料形成并且可以经过疏水性处理。

同时，仅第一堤部172可以设置在第一电极162的在附图中未示出的其他边缘上。另外，即使在图2中在第一电极162的边缘上形成第一堤部172和第二堤部174，但是在另一实施例中，也可以省略第一堤部172，并且仅第二堤部174可以与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。

在图2中，第一堤部172和第二堤部174分别由不同的材料形成。然而，亲水的第一堤部172和疏水的第二堤部174可以由相同的材料形成并且形成为一体。例如，在可以在基板110的整个表面上基本形成具有疏水上表面的有机材料层之后，可以使用包括透光部分、阻光部分和半透光部分的半色调掩模，对有机材料层进行曝光，并且有机材料层可以被图案化，从而形成具有不同宽度和厚度的第一堤部172和第二堤部174。

另外，漏极接触孔150a与第一堤部172和第二堤部174间隔开，但是不限于此。另选地，漏极接触孔150a可以设置在第一堤部172和第二堤部174的正下方。

接下来，在通过第一堤部172和第二堤部174暴露出的第一电极162上形成发光层180。

发光层180可以包括发光材料层。发光材料层可以由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的任何一种形成，但是不限于此。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。

此外，发光层180可以进一步包括在发光材料层下方的第一电荷辅助层和在发光材料层上方的第二电荷辅助层。

第一电荷辅助层可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。另外，第二电荷辅助层可以是电子辅助层，并且电子辅助层可以包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。然而，本公开不限于此。

发光层180通过溶液工艺形成。因此，可以简化工艺，并且可以提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。可以使用旋涂法、喷墨印刷法或丝网印刷法作为溶液工艺，但是本公开不限于此。

当溶液干燥时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度与其他区域中的不同。即，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度比其他区域中的溶剂的干燥速度快。因此，发光层180在靠近第二堤部174的区域中的高度可以随着靠近第二堤部174而升高。

同时，在发光层180的各层中，可以通过热蒸发工艺形成电子辅助层。此时，电子辅助层可以基本上形成在基板110的整个表面上。

具有相对低功函数的导电材料的第二电极190基本上在基板110的整个表面上方形成在发光层180上。第二电极190可以由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极190具有相对薄的厚度，使得来自发光层180的光可以透过第二电极190。另选地，第二电极190可以由诸如氧化铟镓(IGO)之类的透明导电材料形成，但是不限于此。

第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。第一电极162可以用作阳极，并且第二电极190可以用作阴极，但不限于此。

如上所述，根据本公开实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型显示装置，其中来自发光二极管De的发光层180的光朝着与基板110相反的方向输出(即，通过第二电极190向外部输出)。顶部发光型显示装置可以具有比相同尺寸的底部发光型显示装置更广的发光区域，从而提高亮度并降低功耗。

每个像素区域的发光二极管De可以具有与所发光的波长相对应的、用于微腔效应的元件厚度，从而提高了光效率。这里，元件厚度可以限定为第一电极162和第二电极190之间的距离，但是不限于此。

另外，保护层和/或封装层可以基本上在基板110的整个表面上方形成在第二电极190上，以阻挡从外部引入的湿气或氧气，从而保护发光二极管De。

如上所述，在根据本公开实施方式的电致发光显示装置中，通过溶液工艺形成发光层180中的一些，省略了精细的金属掩模，从而降低了制造成本，并且能够实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。

顺便提及，当通过溶液工艺形成发光层180时，将溶液一次滴落在多个子像素当中的每一个中，并且为此，针对各个子像素使用不同的喷嘴。然而，由于喷嘴的滴落量的偏差，形成于每个子像素中的薄膜的厚度发生变化。因此，在本公开中，相同颜色的子像素的发光层180彼此连接从而形成一个主体。因此，喷嘴的滴落量的偏差被最小化，并且形成在各个子像素中的发光层180的厚度可以是均匀的。

将参考附图描述根据本公开各种实施方式的电致发光显示装置的配置。

图3是根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。

在图3中，根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置100包括显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。在此，非显示区域NDA被示出为设置于显示区域DA的上方和下方，但不限于此。另选地，非显示区域NDA可以进一步设置在显示区域DA的左侧和右侧。

在显示区域DA中，设置有第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。相同颜色的子像素P1、P2和P3沿第一方向(例如，垂直方向)布置，并且不同颜色的子像素P1、P2和P3沿与第一方向垂直于的第二方向(例如，水平方向)顺序地布置。因此，沿着第一方向布置的相同颜色的子像素P1、P2和P3形成一个子像素行，并且不同颜色的子像素行(即，第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行)在显示区域DA中沿着第二方向顺序地布置。

这里，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3被示出为各具有矩形形状，但是不限于此。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3各可以具有诸如具有圆角的矩形、圆形、椭圆形等的各种形状。

本公开的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3具有不同的尺寸。通过考虑设置在各个子像素处的发光二极管的寿命来确定第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的尺寸。此时，第二子像素P2的尺寸可以大于第一子像素P1的尺寸，并且可以小于第三子像素P3的尺寸。例如，第一子像素P1可以是红子像素，第二子像素P2可以是绿子像素，第三子像素P3可以是蓝子像素。由于蓝子像素的发光特性(即，蓝子像素的发光效率和寿命)差，因此作为蓝子像素的第三子像素可以具有最大的尺寸。

在此，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以沿着第二方向具有不同的宽度。例如，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以沿着第二方向分别具有第一宽度w1、第二宽度w2和第三宽度w3，并且第二子像素P2的第二宽度w2可以大于第一子像素P1的第一宽度w1且小于第三子像素P3的第三宽度w3。因此，与第二宽度w2相同的第二子像素行的宽度可以大于与第一宽度w1相同的第一子像素行的宽度，并且小于与第三宽度w3相同的第三子像素行的宽度。

另外，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可以沿第一方向具有第一长度l1、第二长度l1和第三长度l3。第二子像素P2和第三子像素P2和P3的第二长度l2和第三长度l3可以相同，并且第一子像素P1的第一长度l1可以小于第二子像素P2和第三子像素P3的第二长度l2和第三长度l3。另选地，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的长度l1、l2和l3可以相同。

然而，本公开不限于此，并且可以改变第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的宽度和长度。

同时，虚设子像素DP设置在与第二子像素行相对应的非显示区域NDA中。另一方面，在与第一子像素行和第三子像素行相对应的非显示区域NDA中未设置虚设子像素。

此时，一个虚设子像素DP设置在第二子像素行沿第一方向的两侧中的每侧。虚设子像素DP的尺寸可以小于第二子像素P2的尺寸。另选地，虚设子像素DP可以具有与第二子像素P2相同的尺寸。

第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3以及虚设子像素DP可以由第一堤部172和第二堤部174限定。

更具体地，具有亲水性的第一堤部172设置在沿着第一方向相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间。即，第一堤部172在沿着第一方向相邻的彩色子像素P1、P2和P3之间在第二方向上延伸。

另外，第一堤部172也形成在非显示区域NDA中。第一堤部172可以形成为围绕显示区域DA的所有子像素P1、P2和P3。另选地，在非显示区域NDA中可以省略第一堤部172。

疏水性的第二堤部174设置在沿着第二方向相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间。也就是说，第二堤部174在沿第二方向相邻的子像素P1、P2和P3之间在第一方向上延伸。第二堤部174具有与沿第一方向布置的相同颜色的子像素P1、P2和P3的每一行相对应的开口。因此，第二堤部174的开口在第一方向上延伸，并且第二堤部174的开口具有大于第二方向的长度(即，宽度)的第一方向的长度。换句话说，第二堤部174的开口具有平行于第一方向的长边和平行于第二方向的短边。

在显示区域DA中，第一堤部172可以进一步形成在第二堤部174下方。也就是说，第一堤部172还可以形成在沿第二方向相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间。此时，第二堤部174沿着第二方向的宽度可以小于第一堤部172沿着第二方向的宽度。另选地，可以在沿第二方向相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间省略第一堤部172。

第二堤部174也设置在非显示区域NDA中。第二堤部174具有与虚设子像素DP相对应的开口。

同时，在第三子像素中形成有分隔壁176。分隔壁176可以称为像素划分图案。分隔壁176在第一方向上延伸并且与第三子像素行交叉。

每个第三子像素P3被分隔壁176划分为沿第二方向彼此相邻的两个区域。此时，有利的是，第三子像素P的两个区域具有相同的宽度。另外，两个区域中每一个的宽度小于第二宽度w2。两个区域中每一个的宽度可以与第一宽度w1相同。

由于分隔壁176设置在发光区域中，因此通过使分隔壁176的宽度最小化，可以使发光区域的尺寸减小最小化。因此，分隔壁176的宽度可以比第二堤部174的宽度窄。另选地，分隔壁176的宽度可以与第二堤部174的宽度相同。

另外，分隔壁176的沿第一方向的两端可以与第二隔堤部174间隔开。另选地，分隔壁176的沿第一方向的两端可以与第二隔堤部174接触。在这种情况下，分隔壁176可以与第二堤部174形成为一体。

分隔壁176可以通过与第二堤部174相同的工艺形成并且由与第二堤部174相同的材料形成。因此，分隔壁176的至少顶表面可以是疏水的。

在根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置100中，在每个子像素P1、P2和P3中形成包括发光层的发光二极管，并且通过溶液工艺形成发光层。即，可以在没有精细的金属掩模的情况下通过溶液工艺形成发光层，从而降低了电致发光显示装置100的制造成本，并且能够实现具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置100。

此外，相同颜色的子像素P1、P2和P3的发光层彼此连接并形成为一体，从而使喷嘴之间的滴落量偏差最小化，并均匀地形成子像素P1、P2和P3的发光层的厚度。

然而，溶液可以沿第一方向从每个相同颜色子像素行的端部向相同颜色子像素行的中央集中。因此，可能存在以下问题：在相同颜色的子像素行的端部的子像素P1、P2和P3中，未形成发光层或形成了厚度不均匀的发光层。

同时，当子像素行的宽度相对窄时，不会出现溶液集中问题或使溶液集中问题最小化。另一方面，当子像素行的宽度相对宽时，严重出现溶液集中问题。

即，在宽度大于红子像素的第一子像素P1的宽度的绿子像素的第二子像素P2和蓝子像素的第三子像素P3中出现溶液集中问题。在具有最大宽度的第三子像素P3中，最容易出现溶液集中问题。

因此，在根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置100中，沿第一方向延伸的分隔壁176形成在沿第二方向具有最宽宽度w3的第三子像素P3中，并且第三子像素P3被分成宽度减小的两个区域。因此，第三子像素P3的每个划分区域具有相对窄的宽度，并且能够防止或最小化第三子像素行中的溶液集中问题。

另外，包括虚设发光层的虚设子像素DP设置在第二子像素行的上侧和下侧。因此，溶液的饱和度在第二子像素行的端部增加，并且能够防止或最小化第二子像素行中的溶液集中问题。

在本公开的第一实施方式中，虚设子像素DP被描述为与第二子像素行间隔开，但是不限于此。另选地，虚设子像素DP可以连接到第二子像素行。即，与第二子像素行相对应的开口可以延伸到虚设像素DP中。因此，第二子像素行的发光层可以连接到虚设子像素DP的虚设发光层，从而形成一体。

将参照图4和图5描述根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置的截面结构。

图4是与图3的线I-I′相对应的截面图，并且图5是与图3的线II-II′相对应的截面图。

如图4和图5所示，在基板110上限定显示区域DA和非显示区域NDA。在显示区域DA中限定了第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3，并且在与第二子像素P2相邻的非显示区域NDA中限定了至少一个虚设子像素DP。

缓冲层120基本上形成在基板110的整个表面上，并且缓冲层120设置在显示区域DA和非显示区域NDA二者中。

在每个子像素P1、P2和P3中的缓冲层120上形成薄膜晶体管Tr。涂覆层150基本上在基板110的整个表面上方形成在薄膜晶体管Tr上，并且涂覆层150设置在显示区域DA和非显示区域NDA二者中。接下来，在每个子像素P1、P2和P3中的涂覆层150上形成第一电极162。

在此，薄膜晶体管Tr可以具有图2所示的结构，但不限于此。另外，虽然在图中未示出，但是可以在缓冲层120和涂覆层150之间进一步形成栅极绝缘层和层间绝缘层，并且可以在薄膜晶体管Tr和涂覆层150之间进一步形成无机绝缘层。

在显示区域DA的每个子像素P1、P2和P3中，涂覆层150具有暴露出薄膜晶体管Tr的一部分(即，漏极)的漏极接触孔150a。每个子像素P1、P2和P3的第一电极162通过漏极接触孔150a接触薄膜晶体管Tr的漏极。

另一方面，在非显示区域NDA的虚设子像素DP中，可以在缓冲层120和涂覆层150之间形成与每个子像素P1、P2和P3的薄膜晶体管Tr具有相同配置的虚设薄膜晶体管(未示出)，以使与显示区域DA的高度差均匀，并且可以通过与第一电极162相同的工艺和相同的材料在涂覆层150上形成虚设电极(未示出)。在此，涂覆层150不具有暴露出虚设薄膜晶体管的漏极接触孔，因此虚设电极未连接至虚设薄膜晶体管。

然而，虚设子像素DP的配置不限于此。例如，可以省略虚设薄膜晶体管和虚设电极中的至少一个。

在第一电极162上形成亲水性的第一堤部172。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。在显示区域DA中，第一堤部172形成在相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间以及相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间。另选地，在相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间可以省略第一堤部172，并且第一堤部172可以仅设置在相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间。

另外，在非显示区域NDA中也形成有第一堤部172。此时，第一堤部172可以基本形成于整个非显示区域NDA上方。另选地，在非显示区域NDA中可以去除第一堤部172。

第一堤部172可以由具有亲水性的材料形成，例如，诸如氧化硅(SiO

疏水性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174的至少顶表面可以具有疏水性。

第二堤部174具有比第一堤部172更厚的厚度。第二堤部174仅形成在相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间，而不形成在相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间。在相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间，第二堤部174的宽度比第一堤部172的宽度窄。

在显示区域DA中，第二堤部174具有与每个相同颜色子像素行相对应的开口，并且通过该开口暴露出相同颜色的子像素行的第一电极162和在相邻第一电极162之间的第一堤部172。

第二堤部174也形成在非显示区域NDA中。第二堤部174在非显示区域NDA中具有与虚设子像素DP相对应的开口，并通过非显示区域NDA的开口而暴露出第一堤部172。

第二堤部174可以由具有疏水性的有机绝缘材料形成。另选地，第二堤部174可以由具有亲水性的有机绝缘材料形成并且可以经过疏水处理。

同时，在第三子像素P3的第一电极162上形成分隔壁176。第三子像素P3被分隔壁176划分为两个区域。分隔壁176可以与漏极接触孔150a交叠。另选地，分隔壁176可以与漏极接触孔150a间隔开。

分隔壁176可以通过与第二堤部174相同的工艺形成并且由与第二堤部174相同的材料形成。因此，分隔壁176的至少顶表面可以是疏水的。

另外，分隔壁176的高度可以与第二堤部174的高度相同。另选地，分隔壁176的高度可以小于第二堤部174的高度。第二堤部174应具有预定高度以防止相邻的不同子像素P1、P2和P3的发光层之间的混色。但是，由于在分隔壁176的两侧形成有相同颜色的发光层，所以即使分隔壁176具有比第二隔壁174更低的高度，也不会发生混色的问题。

亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174可以由相同的材料形成并且形成为一体。此时，可以通过半色调掩模工艺形成第一堤部172和第二堤部174。另外，分隔壁176还可以通过与第一堤部172和第二堤部174相同的工艺形成并且由与第一堤部172和第二堤部174相同的材料形成。

在显示区域DA中的每个子像素P1、P2和P3的第一电极162上形成发光层180。这里，可以在第一子像素P1中形成红色发光层，可以在第二子像素P2中形成绿色发光层，并且可以在第三子像素P3中形成蓝色发光层。

每个子像素P1、P2和P3的发光层180的高度随着其靠近第二堤部174而升高。此时，第三子像素P3的发光层180被分隔壁176划分。被分隔壁176划分的第三子像素P3的发光层180的高度随着靠近分隔壁176而升高。

另外，发光层180进一步形成在相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间的第一堤部172上。此时，在相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3之间的第一堤部172上的发光层180连接到与其相邻的子像素P1、P2和P3中的第一电极162上的发光层180，从而形成一体。因此，相邻的相同颜色的子像素P1、P2和P3的发光层180彼此连接，从而形成一体。

发光层180包括发光材料层并且通过溶液工艺形成。在此，通过与相同颜色的子像素行相对应的不同喷嘴滴落在各个子像素P1、P2和P3中的溶液彼此连接并干燥，从而形成发光层180。因此，可以使喷嘴之间的滴落量最小化，并且可以均匀地形成子像素P1、P2和P3的发光层的厚度。

同时，在非显示区域NDA中的虚设子像素DP的第一堤部172上形成虚设发光层182。虚设发光层182通过与发光层180相同的工艺形成并且由与发光层180相同的材料形成。

即，通过使用包括喷嘴的注射设备滴下溶液，在显示区域DA的每个子像素P1、P2和P3的第一电极162上形成溶液层，并在非显示区域NDA的虚设子像素DP的第一堤部172形成虚设溶液层。然后，将溶液层和虚设溶液层干燥，从而形成发光层180和虚设发光层182。

此时，形成在与第二子像素行相对应的虚设子像素DP中的虚设溶液层增加了在第二子像素行的端部处的溶液的饱和度，使得能够防止与第二子像素行相对应的溶液层集中在显示区域DA的中央。因此，可以防止在设置于第二子像素行的端部的子像素P2中不形成发光层180的问题。

另外，通过在具有最大宽度的第三子像素P3中形成分隔壁176，第三子像素P3被划分成宽度减小的两个区域。第三子像素P3的划分区域各具有相对窄的宽度，使得能够防止与第三子像素行相对应的溶液层集中在显示区域DA的中央。因此，可以防止在设置于第三子像素行的端部处的子像素P3中不形成发光层180的问题。

接下来，在发光层180、虚设发光层182和第二堤部174上形成第二电极190。第二电极190设置在显示区域DA和非显示区域NDA二者中。这里，第二电极190也形成在第二堤部174的顶表面和侧表面上，并且与第二堤部174的顶表面和侧表面接触。

另外，第二电极190形成于在第三子像素P3中形成的分隔壁176的顶表面和侧表面上，使得第二电极190可以与分隔壁176的顶表面和侧表面接触。

第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。

如上所述，在根据本公开第一实施方式的电致发光显示装置100中，相同颜色的子像素P1、P2和P3的发光层180彼此连接并形成为一体，从而最小化喷嘴之间的滴落量的偏差，并均匀地形成子像素P1、P2和P3的发光层180的厚度。因此，能够防止出现亮度不均衡，从而防止显示装置的图像质量下降。

此时，包括虚设发光层182的虚设子像素DP设置在与第二子像素行相对应的非显示区域NDA中，该第二子像素行具有相宽的宽度，并且在第二子像素行的端部处溶液的饱和度增加，使得能够防止滴落在第二子像素行中的溶液集中到显示区域DA的中央。

另外，在宽度最宽的第三子像素P3中形成分隔壁176，并且将第三子像素P划分成宽度减小的两个区域，使得能够防止滴落在第三子像素行中的溶液集中在显示区域DA的中央。

因此，可以防止在设置在各个子像素行的端部处的子像素P1、P2和P3中不形成发光层180的问题。

图6A和图6B是根据本公开第二实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。除了虚设子像素的数量之外，第二实施方式的电致发光显示装置与第一实施方式具有基本相同的配置。与第一实施方式相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略或缩减对相同部分的说明。

在图6A和图6B中，根据本公开第二实施方式的电致发光显示装置200包括在非显示区域NDA的上部和下部中的每个中的与第一子像素行和第三子像素行相对应的一个虚设子像素DP1以及与第二子像素行相对应的两个虚设子像素DP1和DP2。

即，第一虚设子像素DP1设置为对应于第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行沿着第一方向的两侧中的每侧，并且第二虚设子像素DP2设置为对应于第二子像素行沿第一方向的两侧中的每侧。这里，分别对应于第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行的第一虚设子像素DP1可以沿着第二方向设置在同一条线上。第一虚设子像素DP1和第二虚设子像素DP2的宽度可以分别与相应的子像素行的宽度相同。

因此，与第二子像素行相对应的虚设子像素DP1和DP2的总尺寸大于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DP1的总尺寸。另外，与第三子像素行相对应的虚设子像素DP1的总尺寸大于与第一子像素行相对应的虚设子像素DP1的总尺寸。

如图6A所示，第一虚设子像素DP1可以设置在第二虚设子像素DP2和显示区域DA之间。

另选地，如图6B所示，第二虚设子像素DP2可以设置在第一虚设子像素DP1和显示区域DA之间。

第一虚设子像素DP1和第二虚设子像素DP2使得在各个子像素行的端部处溶液的饱和度增加，从而防止溶液集中在显示区域DA的中央。

另外，在宽度最宽的第三子像素P3中形成有沿第一方向延伸的分隔壁176，并且第三子像素P被划分成宽度减小的两个区域。因此，第三子像素P的划分区域具有相对窄的宽度，使得防止滴落在第三子像素行中的溶液集中在显示区域DA的中央。

如上所述，在根据本公开第二实施方式的电致发光显示装置200中，分隔壁176形成在第三子像素行中。此外，与第二子像素行相对应的虚设子像素DP1和DP2的数量不同于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DP1的数量不同，使得与第二子像素行相对应的虚设子像素DP1和DP2的总尺寸大于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DP1的总尺寸。因此，对于具有不同宽度的子像素行，能够均匀地防止溶液集中在显示区域DA的中央。

图7A和图7B是根据本公开第三实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。除了第一虚设子像素之外，第三实施方式的电致发光显示装置与第一实施方式和第二实施方式具有基本相同的配置。与第一实施方式和第二实施方式相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略或缩减对相同部分的说明。

在图7A和图7B中，根据本公开第三实施方式的电致发光显示装置300包括在非显示区域NDA的上部和下部中的每个中的第一虚设子像素DP1a和第二虚设子像素DP2。

此时，第一虚设子像素DP1a可以形成为一体，其中与图6A和图6B的第二实施方式中的第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行相对应的第一虚设子像素DP1彼此连接。第一虚设子像素DP1a在第二方向上延伸。

另外，第二虚设子像素DP2设置为与第二子像素行相对应。

如图7A所示，第一虚设子像素DP1a可以设置在第二虚设子像素DP2和显示区域DA之间。

另选地，如图7B所示，第二虚设子像素DP2可以设置在第一虚设子像素DP1a和显示区域DA之间。

第一虚设子像素DP1a和第二虚设子像素DP2使在各个子像素行的端部处溶液的饱和度增加，从而防止溶液集中到显示区域DA的中央。

另外，在宽度最宽的第三子像素P3中形成有沿第一方向延伸的分隔壁176，并且第三子像素P被划分成宽度减小的两个区域。因此，第三子像素P的划分区域具有相对窄的宽度，使得防止滴落在第三子像素行中的溶液集中到显示区域DA的中央。

如上所述，在根据本公开第三实施方式的电致发光显示装置300中，分隔壁176形成在第三子像素行中。此外，与第二子像素行相对应的虚设子像素DP1a和DP2的总尺寸大于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DP1a的总尺寸。因此，对于具有不同宽度的子像素行，能够均匀地防止溶液集中在显示区域DA的中央。

图8A和图8B是根据本公开第四实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。除了虚设子像素之外，第四实施方式的电致发光显示装置与第一实施方式、第二实施方式和第三实施方式基本相同的配置。与第一实施方式、第二实施方式和第三实施方式相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略或缩减对相同部分的说明。

在图8A和图8B中，根据本公开第四实施方式的电致发光显示装置400包括在非显示区域NDA的上部和下部中的每个中的虚设子像素DPa。

此时，虚设子像素DPa可以形成为一体，其中图6A和图6B的第二实施方式中的与第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行相对应的第一虚设子像素DP1和与第二子像素行相对应的第二虚设子像素DP2彼此连接。

因此，沿第一方向，与第二子像素行相对应的虚设子像素DPa的宽度比与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DPa的宽度宽。虚设子像素DPa可以具有与第二子像素行相对应的突起。

如图8A所示，虚设子像素DPa的突起可以设置为面对与显示区域DA相反的方向。

另选地，如图8B所示，虚设子像素DPa的突起可以设置为面对显示区域DA。

虚设子像素DPa使在各个子像素行的端部处溶液的饱和度增加，从而防止溶液集中到显示区域DA的中央。

另外，在宽度最宽的第三子像素P3中形成有在第一方向上延伸的分隔壁176，并且第三子像素P被划分成宽度减小的两个区域。因此，第三子像素P的划分区域具有相对窄的宽度，从而防止滴落在第三子像素行中的溶液集中到显示区域DA的中央。

如上所述，在根据本公开第四实施方式的电致发光显示装置400中，分隔壁176形成在第三子像素行中。此外，与第二子像素行相对应的虚设子像素DPa的总尺寸大于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DPa的总尺寸。因此，对于具有不同宽度的子像素行，能够均匀地防止溶液集中在显示区域DA的中央。

图9A和图9B是根据本公开第五实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。除了虚设子像素之外，第五实施方式的电致发光显示装置与第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式和第四实施方式具有基本相同的配置。与第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式和第四实施方式相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略或缩减对相同部分的说明。

在图9A和图9B中，根据本公开第五实施方式的电致发光显示装置500包括在非显示区域NDA的上部和下部中的每一个中的虚设子像素DPa1和DPa2。

此时，虚设子像素DPa1和DPa2包括可以通过将图8A和图8B的虚设子像素DPa沿第一方向划分成两个部分而形成的第一部分DPa1和第二部分DPa2。因此，第一部分DPa1和第二部分DPa2各自具有比图8A和图8B的第四实施方式的虚设子像素DPa窄的宽度。第一部分DPa1和第二部分DPa2能够防止溶液从虚设子像素DPa1和DPa2的沿着第二方向延伸的两端集中到中央。

此时，与第二子像素行相对应的虚设子像素DPa1和DPa2的宽度沿着第一方向比与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DPa1和DPa2的宽度宽。

虚设子像素DPa1和DPa2的第一部分DPa1可以具有与第二子像素行相对应的突起。

如图9A所示，第一部分DPa1的突起可以设置成面向与显示区域DA相反的方向。在这种情况下，第二部分DPa2可以设置在第一部分DPa1和显示区域DA之间。

另选地，如图9B所示，第一部分DPa1的突起可以设置成面对显示区域DA。在这种情况下，第一部分DPa1可以设置在第二部分DPa2和显示区域DA之间。

虚设子像素DPa1和DPa2使在各个子像素行的端部处溶液的饱和度增加，从而防止溶液集中在显示区域DA的中央。

如上所述，在根据本公开第五实施方式的电致发光显示装置500中，分隔壁176形成在第三子像素行中。此外，与第二子像素行相对应的虚设子像素DPa1和DPa2的总尺寸大于与第一子像素行和第三子像素行中的每一行相对应的虚设子像素DPa1和DPa2的总尺寸。因此，对于具有不同宽度的子像素行，能够均匀地防止溶液集中在显示区域DA的中央。

图10是根据本公开第六实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图，并且主要示出了堤部配置。除了虚设子像素之外，第六实施方式的电致发光显示装置与第一实施方式具有基本相同的配置。与第一实施方式相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略或缩减对相同部分的说明。

在图10中，根据本公开第六实施方式的电致发光显示装置600包括在非显示区域NDA中与第二子像素行相对应的第一虚设子像素DP3和与第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个相对应的第二虚设子像素DP4。一个第一虚设子像素DP3设置在第二子像素行的沿第一方向的两侧中的每侧，而一个第二虚设子像素DP4设置在第一子像素行、第二子像素行和第三子像素行的两端中的每端。

在此，第二虚设子像素DP4设置在第一虚设子像素DP3与显示区域DA之间。第二虚设子像素DP4连接到相应的子像素行的子像素P1、P2和P3。

即，与每个子像素行相对应的第二堤部174的开口延伸到第二虚设子像素DP4中，并且第二虚设子像素DP4的发光层连接到相应子像素行的发光层，从而形成一体。

此时，在第一虚设子像素DP3和显示区域DA之间的第二虚设子像素DP4可以是一个或更多个。即，可以在第一虚设子像素DP3和显示区域DA之间设置多个第二虚设子像素DP4。

同时，在宽度最大的第三子像素P3中形成在第一方向上延伸的分隔壁176，并且第三子像素P被划分成宽度减小的两个区域。因此，第三子像素P的划分区域具有相对窄的宽度，从而防止滴落在第三子像素行中的溶液集中到显示区域DA的中央。

这里，分隔壁176也形成在连接到第三子像素行的第二虚设子像素DP4中。

在根据本公开第六实施方式的电致发光显示装置600中，第一虚设子像素DP3使第二子像素行的端部处溶液的饱和度增加，并且防止溶液集中到显示区域DA的中央。

另外，第二虚设子像素DP4还被设置为连接到各个子像素行。即使与每个子像素行相对应的溶液集中在显示区域DA的中央，也可能仅在第二虚设子像素DP4中出现未形成发光层或发光层形成为厚度不均匀的问题，使得形成在各个子像素P1、P2和P3中的发光层的厚度能够是均匀的。

将参照图11描述根据本公开第六实施方式的电致发光显示装置的截面结构。

图11是与图10的线III-III′相对应的截面图。

如图11所示，在基板110上限定显示区域DA和非显示区域NDA。在显示区域DA中限定多个子像素(例如，第二子像素P2)，并且在非显示区域NDA中限定第一虚设子像素DP3和第二虚设子像素DP4。

在此，第二虚设子像素DP4设置在第一虚设子像素DP3与显示区域DA之间。

缓冲层120基本上形成在基板110的整个表面上，并且缓冲层120设置在显示区域DA和非显示区域NDA二者中。

薄膜晶体管Tr形成在每个子像素P2和第二虚设子像素DP4中的缓冲层120上。涂覆层150基本上在基板110的整个表面上形成在薄膜晶体管Tr上方，并且涂覆层150设置在显示区域DA和非显示区域NDA二者中。

在此，薄膜晶体管Tr可以具有图2所示的结构，但不限于此。另外，尽管在图中未示出，但是可以在缓冲层120和涂覆层150之间进一步形成有栅极绝缘层和层间绝缘层，并且可以在薄膜晶体管Tr和涂覆层150之间进一步形成有无机绝缘层。

接下来，在每个子像素P2中的涂覆层150上形成第一电极162。另外，在第二虚设子像素DP4中的涂覆层150上形成虚设电极164。虚设电极164可以通过与第一电极162相同的工艺形成并且由与第一电极162相同的材料形成。

在显示区域DA的每个子像素P2中，涂覆层150具有漏极接触孔150a，漏极接触孔150a暴露出薄膜晶体管Tr的一部分(即，漏极)。每个子像素P2的第一电极162通过漏极接触孔150a接触薄膜晶体管Tr的漏极。

另一方面，在非显示区域NDA中，涂覆层150不具有漏极接触孔，因此第二虚设子像素DP4的虚设电极164未连接至薄膜晶体管Tr。

同时，在第二虚设子像素DP4中可以省略薄膜晶体管Tr和虚设电极164中的至少一个。

另外，在非显示区域NDA的第一虚设子像素DP3中，可以在缓冲层120和涂覆层150之间形成与每个子像素P2的薄膜晶体管Tr具有相同配置的虚设薄膜晶体管(未示出)，以使与显示区域DA的高度差均匀，并且可以通过与第一电极162相同的工艺和相同的材料在涂覆层150上形成虚设电极(未示出)。

亲水性的第一堤部172形成在第一电极162上。第一堤部172与第一电极162的边缘交叠并覆盖第一电极162的边缘。在显示区域DA中，第一堤部172形成在图10的相邻的相同颜色的子像素P2之间并且在相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间。另选地，可以在图10的相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间省略第一堤部172，并且第一堤部172可以仅设置在相邻的相同颜色的子像素P2之间。

第一堤部172也形成在非显示区域NDA中。此时，第一堤部172形成在第二虚设子像素DP4的虚设电极164上，并且与虚设电极164的边缘交叠并覆盖虚设电极164的边缘。此外，第一堤部172也可以形成在第一虚设子像素DP3中。另选地，可以在第一虚设子像素DP3中去除第一堤部172。

第一堤部172可以由具有亲水性的材料形成，例如，诸如氧化硅(SiO

疏水性的第二堤部174形成在第一堤部172上。第二堤部174的至少顶表面可以具有疏水性。

第二堤部174具有比第一堤部172更厚的厚度。第二堤部174仅形成在图10的相邻的不同颜色的子像素P1、P2和P3之间并且没有形成在相邻的相同颜色的子像素P2之间。

在显示区域DA中，第二堤部174具有与相同颜色的子像素行相对应的开口，并且通过该开口暴露出相同颜色的子像素行的第一电极162以及在相邻的第一电极162之间的第一堤部172。

第二堤部174的开口延伸到非显示区域NDA中。更具体地，第二堤部174的开口延伸到第二虚设子像素DP4中，并且暴露出虚设电极164和在虚设电极164与第一电极162之间的第一堤部172。

另外，第二堤部174也形成在非显示区域NDA中。第二堤部174具有与非显示区域NDA中的第一虚设子像素DP3相对应的开口，并通过非显示区域NDA的开口而暴露出第一堤部172。

第二堤部174可以由具有疏水性的有机绝缘材料形成。另选地，第二堤部174可以由具有亲水性的有机绝缘材料形成并且可以经过疏水处理。

亲水性的第一堤部172和疏水性的第二堤部174可以由相同的材料形成并且形成为一体。

发光层180形成在显示区域DA中的每个子像素P2的第一电极162上。这里，发光层180也形成在第二虚设子像素DP4的虚设电极164上。

此时，相邻的相同颜色的子像素P2的发光层180彼此连接，从而形成一体。另外，第二虚设子像素DP4的发光层180连接至与其相邻的子像素P2的发光层180，从而形成一体。

发光层180包括发光材料层并且通过溶液工艺形成。在此，通过不同喷嘴滴落在与相同颜色的子像素行相对应的各个子像素P2中的溶液彼此连接并干燥，从而形成发光层180。因此，喷嘴之间的滴落量的偏差能够最小化，并且能够均匀地形成子像素P2的发光层的厚度。

同时，虚设发光层182形成在非显示区域NDA中的第一虚设子像素DP3的第一堤部172上。虚设发光层182通过与发光层180相同的工艺形成并且由与发光层180相同的材料形成。

第一电极162、发光层180和第二电极190构成发光二极管De。

如上所述，在根据本公开第六实施方式的电致发光显示装置中，相同颜色的子像素P2的发光层180彼此连接并形成为一体，从而使喷嘴之间的滴落量的偏差最小化，并且均匀地形成子像素P2的发光层180的厚度。因此，能够防止出现亮度不均衡，从而防止显示装置的图像质量下降。

第一虚设子像素DP3使在相应子像素行的端部处溶液的饱和度增加，从而防止溶液集中到显示区域DA的中央。

另外，提供了连接到相应子像素行的第二虚设子像素DP4。即使与每个子像素行相对应的溶液集中在显示区域DA的中央，也可以仅在第二虚设子像素DP4中出现未形成发光层或以不均匀厚度形成发光层的问题，从而形成于各个子像素P2中的发光层的厚度能够均匀。

在本公开中，通过溶液工艺形成每个子像素的发光层，能够省略精细的金属掩模，从而降低制造成本，并且能够实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。

另外，相同颜色的子像素的发光层彼此连接并形成为一体，从而使喷嘴之间的滴落量的偏差最小化，并且均匀地形成子像素的发光层的厚度。因此，防止了亮度不均衡，从而防止了显示装置的图像质量下降。

此外，在与宽度相对宽的子像素行相对应的非显示区域中设置包括虚设发光层的虚设子像素。当形成发光层时，溶液的饱和度在相应子像素行的端部处增加，使得防止溶液集中到显示区域的中央。因此，可以防止在显示区域的边缘处不形成发光层的问题。

此外，在宽度最宽的子像素行中形成分隔壁，从而将该子像素划分为宽度相对窄的两个区域，使得防止溶液集中在显示区域的中央。因此，可以进一步防止在显示区域的边缘不形成发光层的问题。

对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离实施方式的精神或范围的情况下，可以对本公开的装置进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖本发明的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内即可。