显示装置

技术领域

本发明是关于显示装置。

背景技术

近年以来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机EL(electoroluminescence)元件的自发光型的有机EL显示装置引起关注。在该有机EL显示装置中，提案了柔性有机EL显示装置，其在具有可弯曲性的树脂基板上形成有机EL元件等。在此，在有机EL显示装置中设置有进行图像显示的显示区域和在该显示区域的周围的边框区域，期望使边框区域缩小。然后，在柔性有机EL显示装置中，为了使在俯视时的边框区域占有的面积变小而弯曲边框区域，则配置在其边框区域的配线会破断。

例如，专利文献1公开了柔性显示装置，其是通过形成弯曲孔来除去对应在弯曲区域的缓冲器膜、栅极绝缘膜以及层间绝缘膜的各自的一部分，防止配线的断线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2014-232300号公报。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，在柔性有机EL显示装置中，由于在树脂基板上设置有底涂膜、栅极绝缘膜以及层间绝缘膜等的无机绝缘膜，从而为了抑制配置在边框区域的配线的断线，有时除去在边框区域的弯曲部中的无机绝缘膜，在该除去的部分形成平坦化膜，在该平坦化膜上形成互相平行地延伸的多个配线。在此，当在平坦化膜上形成多个配线时，若通过干蚀刻法图案化在平坦化上成膜的金属膜，则由树脂材料构成的平坦化膜的表面也会蚀刻，因此有时污染干蚀刻装置的腔室内。

本发明鉴于以上的问题而完成的，其目的在于提供一种抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置的特征在于：其包括；树脂基板，其规定显示区域、在上述显示区域规定边框区域、上述边框区域的端部上的端子部以及在上述端子部与上述显示区域之间沿着一方向延伸的弯曲部；TFT层，其设置在上述树脂基板上，在上述显示区域形成有多个显示用配线，以与上述弯曲部的延伸方向正交的方向互相平行地延伸；多个发光元件，其设置在上述TFT层上，且构成上述显示区域；多个端子，其设置在上述端子部，排列在上述弯曲部的延伸方向；至少一层的无机绝缘膜，其设置在上述树脂基板上，且构成上述TFT层，并在上述弯曲部中沿着上述弯曲部的延伸方向形成有狭缝；第一树脂层，其设置为填埋上述狭缝；以及多个第一引绕配线，其设置在上述第一树脂层上，沿着与上述弯曲部的延伸方向正交的方向互相平行地延伸，在上述显示区域侧分别与上述多个显示用配线电连接，在上述端子部侧分别与上述多个端子电连接，上述显示装置的特征在于：在上述第一树脂层与上述各第一引绕配线之间设置有第一保护层，使得上述第一树脂层与上述各第一引绕配线接触，并且所述第一保护层与上述各第一引绕配线的至少一部分重叠。

发明效果

根据本发明，在第一树脂层和各第一引绕配线之间设置有第一保护层，因此，能够抑制干蚀刻装置的腔室内的污染，其中，所述第一保护层与第一树脂层和各第一引绕配线接触，并且与各第一引绕配线的至少一部分重叠。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。

图2是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的详细构成的俯视图。

图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。

图4是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。

图5是示出构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。

图6是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的边框区域的俯视图。

图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。

图8是沿着图6中的VIII-VIII线的有机EL显示装置的边框区域中的弯曲部的剖视图。

图9是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的第一变形例的边框区域的俯视图。

图10是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的第二变形例的边框区域的俯视图。

图11是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的第三变形例的边框区域的俯视图。

图12是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的第四变形例的边框区域的俯视图。

图13是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的第五变形例的边框区域的俯视图。

图14是在制造本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的工序中的边框区域的俯视图。

图15是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的边框区域的俯视图。

图16是沿着图15中的XVI-XVI线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。

图17是沿着图15中的XVII-XVII线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。

图18是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的第一变形例的边框区域的俯视图。

图19是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的第二变形例的边框区域的俯视图。

图20是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的第三变形例的边框区域的俯视图。

图21是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的第四变形例的边框区域的俯视图。

图22是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的第五变形例的边框区域的俯视图。

具体实施方式

〔实施方式一〕

以下，基于本发明的实施方式，详细说明。此外，本发明不限于以下的各实施方式。

《第一实施方式》

图1至图14示出本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。另外，图2是示出有机EL显示装置50a的显示区域D的详细构成的俯视图。另外，图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的剖视图。另外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层20的等效电路图。另外，图5是示出构成有机EL显示装置50a的有机EL层23的剖视图。另外，图6是有机EL显示装置50a的边框区域F的俯视图。另外，图7以及图8是沿着图6中的VII-VII线以及VIII-VIII线的有机EL显示装置50a的边框区域F以及边框区域F中的弯曲部B的剖视图。

如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备显示区域D以及边框区域F，所述显示区域D设置为矩形状且进行图像显示，所述边框区域F在显示区域D的周围设置为框状。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但是在该矩形状也包含例如边缘是圆弧状的形状、角部是圆弧状的形状以及在边缘的一部分有切口的形状等的大致矩形状态。

如图2所示，多个子像素P在显示区域D排列为矩阵状。另外，如图2所示，在显示区域D中，例如，具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P、具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P设置为互相相邻。此外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg以及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。

在边框区域F的图1中下端部设置有端子部T。在此，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D和端子部T之间，将图中横向作为弯曲的轴，可弯曲180度(U字状)的弯曲部B在一方向(在图中横向)以延伸的方式设置。另外，如图1所示，在端子部T中，以在弯曲部B的延伸方向(在图中横向)排列的方式设置有多个端子18t。

如图3所示，有机EL显示装置50a在显示区域D中，具备作为树脂基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT(thin film transistor)层20、设置在TFT层20上的有机EL元件层30以及设置在有机EL元件层30上的密封膜35。

树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。

如图3所示，TFT层20具备设置在树脂基板层10上的底涂膜11、设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b以及电容器9c、设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b以及各电容器9c上的第二平坦化膜19。在此，如图2以及图4所示，在TFT层20中，设置有多个栅极线14，以在图中横向互相平行地延伸。另外，图2以及图4所示，在TFT层20中，设置有多个源极线18f，以在图中纵向互相平行地延伸。另外，如图2以及图4所示，在TFT层20中，设置有多个电源线18g，以在图中纵向互相平行地延伸。此外，如图2所示，各电源线18g设置为与各电源线18f相邻。另外，如图4所示，在TFT层20中，在各子像素P设置有第一TFT9a、第二TFT9b以及电容器9c。

底涂膜11例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，第一TFT9a在各子像素P中，与对应的栅极线14以及源极线18f电连接。另外，如图3所示，第一TFT9a具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极电极18a和漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a在底涂膜11上设置为岛状，例如具有沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13设置为覆盖半导体层12a。另外，如图3所示，栅极电极14a在栅极绝缘膜13上设置为与半导体层12a的沟道区域重叠。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14a的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18a以及漏极电极18b在第二层间绝缘膜17上设置为互相远离。另外，如图3所示，源极电极18a以及漏极电极18b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12a的源极区域以及漏极区域电连接。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。

如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中，与对应第一TFT9a以及电源线18g电连接。另外，如图3所示，第一TFT9b具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极电极18c和漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b在底涂膜11上设置为岛状，具有例如沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13设置为覆盖半导体层12b。另外，如图3所示，栅极电极14b在栅极绝缘膜13上设置为与半导体层12b的沟道区域重叠。另外，如图3所示，第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式依次设置。另外，如图3所示，源极电极18c以及漏极电极18d设置为在第二层间绝缘膜17上互相远离。另外，如图3所示，源极电极18c以及漏极电极18d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12b的源极区域以及漏极区域电连接。

此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a以及第二TFT9b，但是也可以第一TFT9a以及第二TFT9b是底栅型的TFT。

如图4所示，电容器9c在各子像素P中，与对应的第一TFT9a以及电源线18g电连接。在此，如图3所示，电容器9c具备下部导电层14c、第一层间绝缘膜15以及上部导电层16，所述下部导电层14c是通过与栅极线14、栅极电极14a以及栅极电极14b相同材料形成在相同层，所述第一层间绝缘膜15设置为覆盖下部导电层14c，所述上部导电层16设置为在第一层间绝缘膜15上重叠下部导电层14c。此外，如图3所示，上部导电层16经由形成在第二层间绝缘膜17的接触孔与电源线18g电连接。

平坦化膜19在显示区域D中具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。

如图3所示，有机EL元件层30具备多个有机EL元件25，所述多个有机EL元件25在显示区域D中作为多个发光元件，在平坦化膜19上排列为矩阵状。

如图3所示，有机EL显示元件25具备第一电极21、有机EL层23以及第二电极24，所述第一电极21设置在平坦化膜19上，所述有机EL层23设置在第一电极21，所述第二电极24以在整个显示区域D共用的方式设置在有机EL层23。

如图3所示，第一电极21经由形成在平坦化膜19的接触孔，与各子像素P的第二TFT9b的漏极电极18d电连接。另外，第一电极21具有在有机EL层23注入孔(空穴)的功能。另外为了提高向有机EL层23的空穴注入效率，优选第一电极21由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极21的材料，能够例举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等的金属材料。另外，也可以构成第一电极21的材料是砹(At)/氧化砹(AtO

如图5所示，有机EL层23具备在第一电极21上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。

空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有如下功能；使第一电极21和有机EL层23的能级接近，改善从第一电极21向有机EL层23的空穴注入效率。在此，作为构成空穴注入层1的材料，能够列举三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。

空穴输送层2具有如下功能；提高从第一电极21向有机EL层的空穴的输送效率。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶硅碳、硫化锌以及硒化锌等。

发光层3是当由第一电极21和第2电极24的施加电压时，孔穴以及电子分别从第一电极21以及第二电极24中注入，并且孔穴以及电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物(8-羟基喹啉金属络合物)、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、紫环酮(perinone)芘衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylenevinylene)以及聚硅烷等。

电子输送层4具有将电子有效地移动至发光层3的功能。在此，作为构成电子输送层4的材料，例如作为有机化合物，能够列举恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物以及金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物等。

电子注入层5具有如下功能；使第二电极24和有机EL层23的能级接近，且提高电子从第二电极24向有机EL层23注入的效率，通过该功能来可以降低有机EL元件25的驱动电压。此外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如举出如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF

如图3所示，第二电极24设置为覆盖各子像素P的有机EL层23以及对整个子像素P共用的边缘罩22。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，第二电极24为了提高向有机EL层23的电子注入效率，更优选通过功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，例如举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)以及氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24也可以由例如镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO

如图3所示，密封膜35以覆盖各有机EL元件25的方式设置在有机EL元件层30上。在此，如图3所示，密封膜35具备第一密封无机绝缘膜31、密封有机膜32、第二密封无机绝缘膜33，所述第一密封无机绝缘膜31设置为覆盖第二电极24，所述密封有机膜32设置在第一密封无机绝缘膜31上，所述第二密封无机绝缘膜33设置为覆盖密封有机膜32，具有将有机EL层23从水分、氧等保护的功能。在此第一密封无机绝缘膜31以及第二密封无机绝缘膜33例如由氧化硅膜(SiO

另外，如图6至图8所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中，具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、第一树脂层8、第一保护层7a、第一引绕配线18h以及第二树脂层19a。此外，在图6以及后述的图9至图13的俯视图中，省略设置在整个图中的第二树脂层19a。

在边框区域F的弯曲部B中，如图6至图7所示，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17中形成有狭缝S，所述狭缝S贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘莫17，使树脂基板层10的上面露出。此外，狭缝S设置为槽状，所述槽状是沿着弯曲部B的延伸方向突出。

如图6至图8所示，第一树脂层8在俯视时以填埋狭缝S的方式设置为带状。在此，第一树脂层8例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。

如图6至图8所示，第一引绕配线18h在形成有狭缝S的第二层间绝缘膜17的两边缘部以及第一树脂层8上经由第一保护层7a设置。另外，如图6所示，第一引绕配线18h以与弯曲部B延伸的方向正交的方向在互相平行地延伸的方式设置有多个。在此，第一引绕配线18h通过和源极线18f、源极电极18a以及源极电极18c、漏极电极18b以及漏极电极18d、以及电源线18g相同材料来形成在相同层。另外，如图6以及图7所示，第一引绕配线18h的显示区域D侧的端部经由形成在第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的第一接触孔Ha，与第一栅极导电层14c电连接。此外，如图6以及图7所示，第一栅极导电层14c作为第一引出配线，以在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间和弯曲部B的延伸方向正交的方向在互相平行地延伸的方式设置有多个，与显示区域D的TFT层20的显示用配线(例如，源极线18f等)电连接。另外，如图6以及图7所示，第一引绕配线18h的端子部T侧的端部经由形成在第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的第二接触孔Hb，与第二栅极导电层14d电连接。此外，如图7以及图8所示，第二栅极导电层14d作为第二引出配线，以在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间与弯曲部B的延伸的方向正交的方向互相平行地延伸的方式设置有多个，与端子部T的端子18t电连接。另外，在本实施方式中，作为第一引出配线以及第二引出配线，例示了第一栅极导电层14c以及第二栅极导电层14d，也可以第一引出配线以及第二引出配线有由电容器用导电层构成，所述电容器用导电层是通过和构成电容器9c的上部导电层16相同材料来形成在相同层。进一步，也可以第一引出配线以及第二引出配线的一方由第一栅极导电层14c或第二栅极导电层14d构成，第一引出配线以及第二引出配线的另一方由电容器用导电层(后述的第二实施方式中的第一电容器用导电层16c或第二电容器用导电层16d)形成。

在此，作为构成第一栅极导电层14c以及第二栅极导电层14d的材料，能够使用包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个单层金属膜或多层金属膜(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al、Mo/Al/Mo、MoN/Al、MoN/Al/MoN、Cu/Ti等的层叠膜)。

另外，作为构成电容器用导电层的材料，能够使用(Al)、钨(W)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个单层金属膜或多层金属膜(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al、Mo/Al/Mo、MoN/Al、MoN/Al/MoN、Cu/Ti等的层叠膜)。

此外，第一栅极导电层14c以及第二栅极导电层14d、电容器用导电层优选由相同材料且相同结构形成。例如，若第一栅极导电层14c是Mo/Al(是指上层是Mo，下层是Al的层叠结构)的层叠结构，则优选电容器用导电层也Mo/Al的层叠结果。通过是这样的层叠结构，能够由第一导电层14c形成的第一引出配线的电性阻抗与由电容器用导电层形成的第二引出配线的电性阻抗相等。

如图6至图8所示，第一保护层7a(在图6中的点部)在第一树脂层8和各第一引绕配线18h之间，连接在第一树脂层8以及各第一引绕配线18h，并且设置为与各第一引绕配线18h的至少一部分重叠。另外，如图6以及图7所示，第一保护层7a以沿着各第一引绕配线18h的长度方向排列的方式设置为多个岛状。另外，图6以及图8所示，各岛状的第一保护层7a设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。此外，在本说明书中，“整合”是指不只作为对象的两个层的侧面在垂直方向处于同一平面的情况，还包含其两个层的侧面连续地形成锥形状等的倾斜面的情况，不限定侧面严格地一致，例如包含如下情况：第一引绕配线18h由湿法蚀刻形成，并且第一保护层7a由干蚀刻法等形成的情况之类的蚀刻速率等的差异所导致的2μm至3μm左右的侧面的偏离。这样的侧面的典型的结构，例如由使用相同的蚀刻图案进行蚀刻形成。在此，第一保护层7a例如由氧化硅等的无机绝缘膜构成。

如图7以及图8所示，第二树脂层19a设置为覆盖各第一引绕配线18h。在此，第二树脂层例如在和平坦化膜19相同层由相同材料形成。

此外，在本实施方式中，例示了有机EL显示装置50a，所述有机EL显示装置50a设置有如图6所示的平面形状的第一保护层7a，但是代替第一保护层7a，也可以是有机EL显示装置50aa至50ae，所述有机EL显示装置50aa至50ae设置有如图9至图13所示的平面形状的第一保护层7b至7f。在此，图9至图13是有机EL显示装置50a的第一变形例至第五变形例的有机EL显示装置50aa至50ae的边框区域F的俯视图。

如图9所示，在有机EL显示装置50aa的边框区域F中，第一保护层7b设置为带状(在图中的点部)。在此，如图9所示，第一保护层7b设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。另外，如图9所示，在第一保护层7b中，分别设置有多个保护层开口部7bm，所述多个保护层开口部7bm沿着各第一引绕配线18h的长度方向贯通第一保护层7b。根据该构成，由于从保护层开口部7bm露出的第一树脂层8的表面通过第一引绕配线18h覆盖，从而当图案第一引绕配线18h时所使用的氯系的气体不会与第一树脂层8的表面接触的状态下，能够可靠地抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

如图10所示，在有机显示装置50ab的边框区域F中，第一保护层7c(在图中的点部)设置为岛状。在此，如图10所示，在第一引绕配线18h中，在弯曲部B中设置有多个配线开口部18hm，所述多个配线开口部18hm沿着第一引绕配线18h的长度方向贯通第一引绕配线18h。另外，如图10所示，第一保护层7c具备设置在弯曲部B的第一保护层7ca以及设置在弯曲部B的外侧的第一保护层7cb。另外，如图10所示，在第一保护层7ca中，设置有贯通第一保护层7ca的多个保护层开口部7cm，使得与多个配线开口部18hm整合。另外，如图10所示，第一保护层7ca以及第一保护层7cb设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在第一引绕配线18h设置有多个配线开口部18hm，从而当在弯曲部B弯曲时，能够使在第一引绕配线18h发生的应力分散，抑制第一引绕配线18h的断线。

如图11所示，在有机EL显示装置50ac的边框区域F中，第一保护层7d(在图中的点)在第一引绕配线18h的长度方向的两端部设置为岛状，使得与第一树脂层8的端部重叠。在此，如图11所示，在第一引绕配线18h中，在弯曲部B设置有多个配线开口部18hm，所述多个配线开口部18hm沿着第一引绕配线18h的长度方向贯通第一引绕配线18h。另外，如图11所示，在第一引绕配线18h的长度方向的中间部中，设置有多个第一岛状层7dc，所述多个第一岛状层7dc通过与第一保护层7d相同材料来形成在相同层。此外，如图11所示，在第一岛状层7dc中设置有贯通第一岛状层7dc的开口部7dm，使得与多个配线开口部18hm整合。另外，如图11所示，第一岛状层7dc设置在第一引绕配线18h的宽度方向的中间部，使得在第一引绕配线18h的宽度方向的两端部中，第一引绕配线18h与第一树脂层8接触。另外，如图11所示，第一保护层7d设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在第一引绕配线18h设置有多个配线开口部18hm，从而当弯曲部B弯曲时，能够使在第一引绕配线18h发生的应力分散，抑制第一引绕配线18h的断线。

如图12所示，在有机EL显示装置50ad的边框区域F中，第一保护层7e(在图中的点部)在第一接触孔Ha和第二接触孔Hb之间，分别设置有在各第一引绕配线18h的长度方向的两端部。在此，如图12所示，第一保护层7e设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在弯曲部B没有设置第一保护层7e，从而当弯曲部B弯曲时能够抑制无机绝缘膜中的裂缝的发生，抑制在弯曲部B中的第一引绕配线18h的断线。

如图13所示，在有机EL显示装置50ae的边框区域中设置为第一保护层7f(在图中的点部)在第一接触孔Ha和第二接触孔Hb之间连接各第一引绕配线18h的长度方向的两端部。在此，如图13所示，在第一保护层7f中，在弯曲部B设置有贯通第一保护层7f的保护层开口部7fm。另外，如图13所示，第一保护层7f设置为与第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于从保护层开口部7fm露出的第一树脂层8的表面通过第一引绕配线18h覆盖，从而当图案第一引绕配线18h时所使用的氯系的气体不会与第一树脂层8的表面接触，能够可靠得抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

上述的有机EL显示装置50a在各子像素P中，通过经由栅极线14向第一TFT9a输入栅极信号，使第一TFT9a导通状态，经由源极线18f将与源极信号对应的电压写入在第二TFT9b的栅极电极14b以及电容器9c，通过来自基于第二TFT9b的栅极电压规定的电源线18g的电流向有机EL层23供给，构成为有机EL层23的发光层3发光而进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a变成断开状态，也第二TFT9b的栅极电压被电容器9c保持，因此直到下一个的帧的栅极信号被输入，维持由发光层3发光。

接下来，使用图14说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序以及密封膜形成工序。在此，图14是用于制造有机EL显示装置50a的TFT层形成工序的一工序中的边框区域F的俯视图。此外，在图14中，附图标记18h的双点划线是示出在后面形成的第一引绕配线18h的想象线。

例如，利用周知的方法，在形成在玻璃基板上的树脂基板层10的表面形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、电容器9c以及平坦化膜19而形成TFT层20。

在此，当形成第一TFT9a以及第二TFT9b时，形成源极电极18a等之前，首先，在边框区域F的弯曲部B中，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17通过干蚀刻形成狭缝S，所述狭缝S是使树脂基板层10的表面露出。

接下来，例如通过喷墨法将聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料填充在狭缝S的内部，以填埋狭缝S的方式形成第一树脂层8。

进一步，以覆盖第一树脂层，通过等离子体CVD法成膜氧化硅膜等的无机绝缘膜之后，图案化其无机绝缘膜，如图14所示，形成保护膜。在此，如图14所示，在保护膜7中，多个开口部形成为矩阵状，所述多个开口部是贯通保护膜7，使第一树脂层8露出。此外，比较图6和图14可知，开口部7m设置为分离在图中排列在纵的多个第一保护层7a。另外，在本实施方式以及变形例1至5中，例示了在第一接触孔Ha和第二接触孔Hb之间，设置有第一保护层7a至7e的构成，但是也可以如下构成：例如，只在形成有第一引绕配线18h的区域之间形成保护膜7为带状，完全不存在第一接触孔Ha以及第二接触孔Hb的第一保护层7a至7e。

然后，以覆盖保护膜7的方式，例如通过溅射法来成膜金属层叠膜之后，在其金属层叠膜上形成抗蚀剂图案，通过使用氯系的气体的干蚀刻除去从其抗蚀剂图案露出的金属层叠膜，与源极电极18a等同时形成第一引绕配线18h。此外，作为构成第一引绕配线18h的材料，铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、氮化钼(MoN)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个单层金属膜或多层金属膜(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al、Mo/Al/Mo、MoN/Al、MoN/Al/MoN、Cu/Ti等的层叠膜)。

进一步，通过使用氟系的气体干蚀刻来除去从第一引绕配线18h露出的保护膜7来形成保护层7a之后，形成平坦化膜19以及第二树脂层19a。

＜有机EL元件层形成工序＞

在上述TFT层形成工序中形成的TFT层20的平坦化膜19上，通过使用周知的方法，形成第一电极21、边缘罩22、有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24来形成有机EL元件25，形成有机EL元件层30。

＜密封膜形成工序＞

在上述有机EL元件层形成工序中形成的有机EL元件层30上，以覆盖各有机EL元件25的方式使用掩膜，例如通过等离子体CVD(chemical vapor deposition)法来成膜氮化硅膜、氧化硅膜以及氧氮化硅膜等的无机绝缘膜，形成第一密封无机绝缘膜31。

接下来，在第一密封无机绝缘膜31上例如通过喷墨法来成膜丙烯酸树脂等的有机树脂材料，形成密封有机膜23。

然后，以覆盖密封有机膜32的方式使用掩膜，例如通过等离子体CVD法来成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等的无机绝缘膜，形成第二密封无机绝缘膜33，从而形成密封有机膜35。

最后，将保护片(未图示)贴附在形成有密封膜35的基板表面之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，使玻璃基板从树脂基板层10玻璃，进一步，将保护片(未图示)贴附在使玻璃基板从树脂基板层10的下面剥离，进一步，将保护片(未图示)贴附在使剥离基板剥离的树脂基板层10的下面。

以上那样，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。

如以上那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在第一树脂层8和各第一引绕配线18h之间设置有第一保护层7a，以与第一树脂层8以及各第一引绕配线18h接触，并且与各第一引绕配线18h至少一部分重叠。在此，由于第一保护层7a设置为与各第一引绕配线18h的宽度方向的两端部整合，从而第一保护层7a将用于形成第一引绕配线18h的抗蚀剂图案作为掩膜，进行蚀刻而形成。因此，当使用氯系的气体通过干蚀刻来形成第一引绕配线18h时，第一树脂层8的表面被保护膜7覆盖，然后，使用氟系的气体通过干蚀刻来除去相邻的第一引绕配线18h之间的保护膜7而形成第一保护层7a，因此在相邻的第一引绕配线18h之间的第一树脂层8的表面会露出。由此，在干蚀刻装置的腔室内中，因第一树脂层8和氯系的气体的接触被抑制，而能够抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一保护层7a以沿着第一引绕配线18h的长度方向排列的方式设置为多个岛状，从而即使在弯曲部B弯曲有机EL显示装置50a，也在各第一保护层7a中，难以发生裂缝，能够抑制第一引绕配线18h的断线。

《第二实施方式》

图15至图22示出本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图15是本实施方式的有机EL显示装置50b的边框区域的俯视图。另外，图16以及图17是沿着图15中的XVI-XVI线以及XVII-XVII线的有机EL显示装置50b的边框区域F的剖视图。此外，在以下的各实施方式中，和图1至图14相同的部件标注相同附图标记，省略其详细说明。

在上述第一实施方式中，例示了在第一树脂层8上设置有第一引绕配线18h的有机EL显示装置50a，在本实施方式中，例示在第一树脂层8上设置有第一引绕配线18h，在覆盖第一树脂层8的第二树脂层19b上设置有第二引绕配线42的有机EL显示装置50b。

有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，且具备显示区域D、设置在显示区域D的周围的边框区域F。

有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，且在显示区域D中，具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层20、设置在TFT层20上的有机EL元件层30、设置在有机EL元件层30上的密封膜35。

如图15至图17所示，有机EL显示装置50b在边框区域F中具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、第一树脂层8、第一保护层7a、第一引绕配线18h、第二树脂层19b、第二保护层41a、第二引绕配线42以及第三树脂层43。此外，在图15以及后述的图18至图22的俯视图中，省略在整个图中设置的第三树脂层43。另外，在图15中，第一保护层7a以相对粗的点部示出，第二保护层41a以相对细的点部示出。

在边框区域F的弯曲部B中，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，形成有狭缝S，所述狭缝S贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜，从而使树脂基板层10的上面露出。

如图16以及图17所示，第二树脂层19b在俯视时以覆盖第一树脂层8以及第一树脂层8上的各第一引绕配线18h的方式设置为带状。在此，第二树脂层19b例如在与平坦化膜18相同的层由相同材料形成。

如图15以及16所示，第二引绕配线42经由第二保护层41a设置在形成有狭缝S的第二层间绝缘膜17的两缘部以及第二树脂层19b上。另外，如图15所示，第二引绕配线42在与弯曲部B的延伸方向正交的方向互相平行地延伸的方式设置有多个。此外，如图15所示，第二引绕配线42以及第一引绕配线18h在俯视时沿着弯曲部B的延伸方向(在图中横向)交替地配置。另外，在本实施方式中，例示了如下构成；第二引绕配线42以及第一引绕配线18h在俯视时以互相不重复的方式配置，但是也可以第二引绕配线42以及第一引绕配线18h在俯视时以互相重叠的方式配置。在此，第二引绕配线42优选通过与源极线18f、源极电极18a以及源极电极18c、漏极电极18b以及漏极电极18d、以及电源线18g相同材料，且由相同结构形成。例如，若源极线18f是Ti/Al/Ti的层叠结构，则优选第二引绕配线42也是Ti/Al/Ti的层叠结构。根据是这样的层叠结构，能够使第一引绕配线18h的电性阻抗与第二引绕配线42的电性阻抗相等。另外，如图15以及图16所示，第二引绕配线42的显示区域D侧的端部经由形成在第二层间绝缘膜17的第三接触孔Hc，与第一电容器用导电层16c电连接。此外，如图15以及图16所示，第一电容器用导电层16c在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17之间，以与弯曲部B的延伸方向正交的方向互相平行地延伸的方式作为第三引出配线设置多有个，且与显示区域D的TFT层20的显示用配线(例如，源极线18f等)电连接。此外，如图15以及图16所示，第二引绕配线42的端子部T侧的端部经由形成在第二层间绝缘膜17的第一接触孔Hd，与第二电容器用导电层16d电连接。此外，如图15以及图16所示，第二电容器用导电层16d在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17之间，以与弯曲部B的延伸方向正交的方向互相平行地延伸的方式作为第四引出配线设置有多个，且与端子部T的端子18t电连接。另外，在本实施方式中，作为第一引出配线以及第二引出配线例示了第一栅极导电层14c以及第二栅极导电层14d，作为第三引出配线以及第四引出配线例示了第一电容器用导电层16c以及第二电容器用导电层16d，也可以作为第一引出配线以及第二引出配线设置有电容器用导电层，作为第三引出配线以及第四引出配线设置有栅极导电层。

如图15以及图16所示，第二保护层41a(在图中的相对细的点部)在第二树脂层19b和各第二引绕配线42之间，设置为与第二树脂层19b以及各第二引绕配线42接触，并且与各第二引绕配线42的至少一部分重叠。另外，如图15以及图16所示，第二保护层41a以沿着各第二引绕配线42的长度方向配列的方式设置为多个岛状。另外，如图15所示，各岛状的第一保护层41a设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。在此，也可以第二保护层41a例如由氧化硅等的无机绝缘膜构成。

如图16所示，第三树脂层43设置为覆盖各第二引绕配线42。在此，第三树脂层43例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。

此外，在本实施方式中，例示了设置有如图15所示的平面形状的第二保护层41a的有机EL显示装置50b，但是代替第二保护层41a，也可以是设置有如图18至图22所示的平面形状的第二保护层41b至41f的有机EL显示装置50ba至50be。在此，图18至图22是有机EL显示装置50b的第一变形例至第五变形例的有机EL显示装置50ba至50be的边框区域F的俯视图。

如图18所示，在有机EL显示装置50ba的边框区域F中，第二保护层41b(在图中的相对细的点部)设置为带状。在此，如图18所示，第二保护层41b设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。另外，如图18所示，在第二保护层41b中，分别设置有多个保护层开口部41bm，所述多个保护层开口部41bm沿着各第二引绕配线42的长度方向贯通第二保护层41b。根据该构成，由于从保护层开口部41bm露出的第二树脂层19b的表面被第二引绕配线42覆盖，从而当图案化第二引绕配线42时所使用的氯系的气体不会与第二树脂层19b的表面接触，能够可靠地抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

如图19所示，在有机EL显示装置50bb的边框区域F中，第二保护层41c(在图中的相对细的点部)设置为岛状。在此，如图19所示，在第二引绕配线42中，在弯曲部B设置有多个配线开口部42m，所述多个配线开口部42m沿着第二引绕配线42的长度方向贯通第二引绕配线42。另外，如图19所示，第二保护层41c具备设置在弯曲部B的第二保护层41ca以及设置在弯曲部B的外侧的第二保护层42cb。另外，如图19所示，在第二保护层41ca设置有多个保护层开口部41cm，所述多个保护层开口部41cm以与多个配线开口部42m整合的方式贯通第二保护层41ca。另外，如图19所示，第二保护层41ca以及41cb设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在第二引绕配线42设置有多个配线开口部42m，从而当在弯曲部B弯曲时，能够使在第二引绕配线42发生的应力分散，抑制第二引绕配线42的断线。

如图20所示，在有机EL显示装置50bc的边框区域F中，第二保护层41d(在图中的相对细的点部)在第二引绕配线42的长度方向的两端部以与第二树脂层19b的端部重叠的方式设置为岛状。在此，如图20所示，在第二引绕配线42中，在弯曲部B设置有多个配线开口部42m，所述多个配线开口部42m沿着第二引绕配线42的长度方向贯通第二引绕配线42。另外，如图20所示，在第二引绕配线42的长度方向的中间部，设置有多个第二岛状层41dc，所述多个第二岛状层41dc是通过和第二保护层41d相同材料，且形成在相同层。此外，如图20所示，在第二岛状层41dc设置有开口部41dm，所述开口部41dm以与多个配线开口部42m整合的方式贯通第二岛状层41dc。另外，第二岛状层41dc在第二引绕配线42的宽度方向的两端部中设置在第二引绕配线42的宽度方向的中间部，以第二引绕配线42和第二树脂层19b接触。另外，如图20所示，第二保护层41d设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在第二引绕配线42设置有多个配线开口部42m，从而当在弯曲部B弯曲时，能够使在第二引绕配线42发生的应力分散，抑制第二引绕配线42的断线。

如图21所示，在有机EL显示装置50bd的边框区域F中，第二保护层41e(在图中的相对细的点部)在第三接触孔Hc和第四接触孔Hd之间，分别设置在各第二引绕配线42的长度方向的两端部。在此，如图21所示，第二保护层41e设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于在弯曲部B没有设置第二保护层41e，从而当在弯曲部B弯曲时，能够抑制在无机绝缘膜中的裂缝的发生，抑制在弯曲部B中的第二引绕配线42的断线。

如图22所示，在有机EL显示装置50be的边框区域F中，第二保护层41f(在图中的相对细的点部)在第三接触孔Hc和第四接触孔Hd之间，设置为将各第二引绕配线42的长度方向的两端部连接。在此，如图22所示，在第二保护层41f中，在弯曲部B设置有贯通第二保护层41f的保护层开口部41fm。另外，如图22所示，第二保护层41f设置为与第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合。根据该构成，由于从保护层开口部41fm露出的第二树脂层19b的表面被第二引绕配线42覆盖，从而当将第二引绕配线42图案化时所使用的氯系的气体不会与第二树脂层19b的表面接触，能够可靠地抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

上述的有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样的，且具有可弯曲性，并构成为在各子像素P中经由第一TFT9a以及第二TFT9b，使有机EL层23的发光层适当地发光从而进行图像显示。

本实施方式的有机EL显示装置50b在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中，形成第二树脂层19a之后，通过添加形成第二保护层41a、第二引绕配线42以及第三保护层43的工序来能够制造。

如以上那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在第二树脂层19b和各第二引绕配线42之间，与第二树脂层19b以及各第二引绕配线42接触，并且以与各第二引绕配线42的至少一部分重叠的方式设置有第二保护层41a。在此，由于第二保护层41a设置为与各第二引绕配线42的宽度方向的两端部整合，从而第二保护层41a将用于形成第二引绕配线42的抗蚀剂图案作为掩膜，进行蚀刻而形成。因此，当使用氯系的气体通过干蚀刻来形成第二引绕配线42时，第二树脂层19b的表面被成为第二保护层41a的保护膜覆盖，然后，使用氟系的气体，通过干蚀刻来除去相邻的第二引绕配线42之间的保护膜而形成第二保护层41a，因此第二树脂层19b的表面在相邻的第二引绕配线42之间露出。由此，在干蚀刻装置的腔室内，由于能够抑制第二树脂层19b和氯系的气体的接触，从而抑制干蚀刻装置的腔室内的污染。

另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于第二保护层41a以沿着第二引绕配线42的长度方向排列的方式设置为多个岛状，从而即使在将有机EL显示装置50b在弯曲部B弯曲，也在各第二保护层41a中，难以发生裂缝，能够抑制第二引绕配线42的断线。

《其他实施方式》

在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但是有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层、以及电子输送层兼电子注入层的三层层叠结构。

另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极，将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但是本发明也能够适用在如下有机EL显示装置：使有机EL层的层叠结构反转，将第一电极作为阴极，将第二电极作为阳极。

另外，在上述各实施方式中，例示了将连接在第一电极的TFT的电极作为漏极电极的有机EL显示装置，但是本发明也能够适用在将连接在第一电极的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。

另外，在上述各实施方式中，作为显示装置举例有机EL显示装置而说明，但是本发明能够适用在具备通过电流来驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够适用在使用量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot Light emitting diode)的显示装置。

工业实用性

如以上那样，本发明对于柔性显示装置有用。

附图标记说明

B 弯曲部

D 显示区域

F 边框区域

Ha 第一接触孔

Hb 第二接触孔

Hc 第三接触孔

Hd 第四接触孔

S 狭缝

T 端子部

7a至7e 第一保护层

7bm、7fm 保护层开口部

7dc 第一岛状层

7dm 开口部

8 第一树脂层

10 树脂基板层

11 底涂膜(无机绝缘膜)

13 栅极绝缘膜(无机绝缘膜)

14c 第一栅极导电层(第一引出配线)

14d 第二栅极导电层(第二引出配线)

15 第一层间绝缘膜(无机绝缘膜)

16c 第一电容器用导电层(第三引出配线)

16d 第二电容器用导电层(第四引出配线)

17 第二层间绝缘膜(无机绝缘膜)

18g 源极线(显示用配线)

18h 第一引绕配线

18hm 配线开口部

18t 端子

19b 第二树脂层

20 TFT层

25 有机EL元件(发光元件)

41a至41e 第二保护层

41bm、41fm 保护层开口部

41dc 第二岛状层

41dm 开口部

42 第二引绕配线

42m 配线开口部

50a、50aa至50ae、50b、50ba至50be 有机EL显示装置。