一种双向通讯电路

技术领域

本申请实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种双向通讯电路。

背景技术

真无线立体声(True wireless Stereo，TWS)耳机，其左右两只耳塞无需线缆连接，通过实现左右声道的无线分离从而独立工作，为用户使用带来了极大的便利。

目前，TWS耳机在电量不足时需要放置在充电盒内进行充电，在充电过程中，如果需要通过通讯获取电量信息，则需暂停充电，切换至通讯模式。通讯模式所采用的通讯电路通常部署有电容等元件，并且，TWS耳机和充电盒需要同时进行特定开关的切换，不仅电路结构较为复杂，而且常见的通讯方案有三种：第一种方案，在通讯时，充电盒的处理器通过控制电源线路上的开关，产生特定的脉冲信号，耳机端接收该信号进行解析即可实现通讯；第二种方案，通过开关进行充电通路和通讯通路的切换；第三种方案，与第二种方案相比，增加了转换器件，将单线变为双线，可以实现I2C通讯。

对于上述通讯方案，电路中需要设置电容等元件，且需要同时进行开关的切换，其电路结构较为复杂，通讯速率较低。

发明内容

本申请实施例提供一种双向通讯电路，通过NMOS管和电阻的简单组合，即可实现双向通讯，不仅电路结构简单，而且提高了通讯速率。

本申请实施例提供了一种双向通讯电路，应用于无线耳机以及充电盒，所述双向通讯电路包括第一通讯电路和第二通讯电路；

所述第一通讯电路包括第一传输电路和第一通讯端口，所述第一传输电路包括第一NMOS管、第一电阻和第一电源端，所述第一NMOS管的栅极与所述第一电源端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻和所述第一通讯端口连接，所述第一电阻与所述第一电源端连接；

所述第二通讯电路包括第二传输电路和第二通讯端口，所述第二传输电路包括第二NMOS管、第二电阻和第二电源端，所述第二NMOS管的栅极与所述第二电源端连接，所述第二NMOS管的源极与所述第二电阻和所述第二通讯端口连接，所述第二电阻与所述第二电源端连接；

所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接。

在上述双向通讯电路中，所述第一传输电路和所述第二传输电路，用于在所述第二通讯端口切换至高阻态的情况下，将所述第一通讯端口的第一通讯信号传输至所述第二通讯端口，或者，在所述第一通讯端口切换至高阻态的情况下，将所述第二通讯端口的第二通讯信号传输至所述第一通讯端口。

在上述双向通讯电路中，在所述第二通讯端口切换至高阻态，且所述第一通讯端口输入所述第一通讯信号的情况下，

当所述第一通讯信号为低电平时，所述第一NMOS管中的体二极管导通，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极变为低电平；

在所述第二NMOS管的漏极处于低电平的作用下，所述第二NMOS管中的体二极管导通，将所述第二通讯端口变为低电平；

当所述第一通讯信号为高电平时，所述第一NMOS管中的体二极管截止，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极变为高电平；

在所述第二NMOS管的漏极处于高电平的作用下，所述第二NMOS管中的体二极管截止，所述第二通讯端口变为高电平。

在上述双向通讯电路中，在所述第一通讯端口切换至高阻态，且所述第二通讯端口输入所述第二通讯信号的情况下，

当所述第二通讯信号为低电平时，所述第二NMOS管中的体二极管导通，所述第二NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极变为低电平；

在所述第一NMOS管的漏极处于低电平的作用下，所述第一NMOS管中的体二极管导通，将所述第一通讯端口变为低电平；

当所述第二通讯信号为高电平时，所述第二NMOS管中的体二极管截止，所述第二NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极变为高电平；

在所述第一NMOS管的漏极处于高电平的作用下，所述第一NMOS管中的体二极管截止，所述第二通讯端口变为高电平。

在上述双向通讯电路中，所述第一传输电路还包括第三电阻，所述第三电阻连接于所述第一电源端与所述第一NMOS管的栅极之间；

所述第二传输电路还包括第四电阻，所述第四电阻连接于所述第二电源端与所述第二NMOS管的栅极之间。

在上述双向通讯电路中，所述双向通讯电路还包括：第五电阻和第三电源端；

所述第五电阻的一端连接于所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极之间，另一端与所述第三电源端连接。

在上述双向通讯电路中，所述双向通讯电路还包括第四电源端；

所述第四电源端与所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接；

所述第四电源端，用于在所述第一通讯端口和所述第二通讯端口切换至高阻态的情况下，切换至输出状态，并对与所述第一传输电路或所述第二传输电路连接的电池进行充电。

在上述双向通讯电路中，所述第一通讯端口包括第一发送端口和第一接收端口；

所述第二通讯端口包括第二发送端口和第二接收端口；

所述第一传输电路和所述第二传输电路，用于在所述第二接收端口切换至高阻态的情况下，将所述第一发送端口的所述第一通讯信号传输至所述第二接收端口，或者，在所述第一接收端口切换至高阻态的情况下，将所述第二发送端口的所述第二通讯信号传输至所述第一接收端口。

在上述双向通讯电路中，所述第一通讯电路还包括第一二极管、第二二极管和第六电阻；

所述第一二极管的正极与所述第一发送端口连接，所述第一二极管的负极与所述第六电阻连接；

所述第二二极管的正极与所述第一接收端口连接，所述第二二极管的负极与所述第二发送端口连接；

所述第一接收端口与所述第一NMOS管的源极连接；

所述第一接收端口，在所述第一发送端口传输所述第一通讯信号时，切换至高阻态；

所述第一发送端口，在所述第一接收端口接收所述第二通讯信号时，切换至高电平。

在上述双向通讯电路中，所述第二通讯电路还包括第三二极管、第四二极管和第七电阻；

所述第三二极管的正极与所述第二发送端口连接，所述第三二极管的负极与所述第七电阻连接；

所述第四二极管的正极与所述第二接收端口连接，所述第四二极管的负极与所述第二发送端口连接；

所述第二接收端口与所述第二NMOS管的源极连接；

所述第二接收端口，在所述第二发送端口传输所述第二通讯信号时，切换至高阻态；

所述第二发送端口，在所述第二接收端口接收所述第一通讯信号时，切换至高电平。

本申请实施例提供了一种双向通讯电路，应用于无线耳机以及充电盒，包括：第一通讯电路和第二通讯电路；第一通讯电路包括第一传输电路和第一通讯端口，第一传输电路包括第一NMOS管、第一电阻和第一电源端，第一NMOS管的栅极与第一电源端连接，第一NMOS管的源极与第一电阻和第一通讯端口连接，第一电阻与第一电源端连接；第二通讯电路包括第二传输电路和第二通讯端口，第二传输电路包括第二NMOS管、第二电阻和第二电源端，第二NMOS管的栅极与第二电源端连接，第二NMOS管的源极与第二电阻和第二通讯端口连接，第二电阻与第二电源端连接；第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接。本申请实施例提供的双向通讯电路，通过NMOS管和电阻的简单组合，即可实现双向通讯，不仅电路结构简单，而且提高了通讯速率。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图一；

图2为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图二；

图3为本申请实施例提供的一种示例性的充电盒和耳机的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图三；

图5为本申请实施例提供的一种单边通讯电路的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种双向通讯方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请实施例提供了一种双向通讯电路，应用于无线耳机以及充电盒。图1为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图一。如图1所示，双向通讯电路包括：第一通讯电路和第二通讯电路；

第一通讯电路包括第一传输电路11和第一通讯端口12，第一传输电路11包括第一NMOS管111、第一电阻112和第一电源端113，第一NMOS管111的栅极与第一电源端113连接，第一NMOS管111的源极与第一电阻112和第一通讯端口12连接，第一电阻112与第一电源端113连接；

第二通讯电路包括第二传输电路21和第二通讯端口22，第二传输电路21包括第二NMOS管211、第二电阻212和第二电源端213，第二NMOS管211的栅极与第二电源端213的连接，第二NMOS管211的源极与第二电阻212和第二通讯端口22连接，第二电阻212与第二电源端213连接；

第一NMOS管111的漏极与第二NMOS管211的漏极连接。

需要说明的是，在本申请的实施例中，如图1所示，第一通讯电路和第二通讯电路实际上是两个对称的电路。第一通讯端口12和第二通讯端口22通过第一传输电路11和第二传输电路21连接，从而可以利用第一传输电路11和第二传输电路21实现双向通讯，实际上就是将第一通讯端口12向第二通讯端口22的通讯，以及第二通讯端口22向第一通讯端口12的通讯。

需要说明的是，在本申请的实施例中，第一NMOS管111和第二NMOS管211，均为N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor)。

需要说明的是，在本申请的实施例中，如图1所示，第一NMOS管111的漏极与第二NMOS管211的漏极相连接，从而可以实现两个通讯端口之间的双向通讯。

需要说明的是，在本申请的实施例中，具体的第一电阻112和第二电阻212可以根据实际需求进行选取，具体的第一电阻112和第二电阻212的阻值本申请实施例不作限定。

具体的，在本申请的实施例中，第一传输电路11和第二传输电路21，用于在第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，将第一通讯端口12的第一通讯信号传输至第二通讯端口22，或者，在第一通讯端口12切换至高阻态的情况下，将第二通讯端口22的第二通讯信号传输至第一通讯端口12。

可以理解的是，在本申请的实施例中，两个通讯端口中，其中一个通讯端口在向另一个端口发送信号的情况下，需要进行信号接收的通信端口要切换至高阻态，从而可以随外部变化而变化，实现信号的获取。

需要说明的是，在本申请的实施例中，第一通讯信号和第二通讯信号可以为低电平或高电平，具体的第一通讯信号和第二通讯信号本申请实施例不作限定。

具体的，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态，且第一通讯端口12输入第一通讯信号的情况下，当第一通讯信号为低电平时，第一NMOS管111中的体二极管导通，第一NMOS管111的漏极和第二NMOS管211的漏极变为低电平；在第二NMOS管211的漏极处于低电平的作用下，第二NMOS管211中的体二极管导通，将第二通讯端口22变为低电平。

可以理解的是，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，可以实现第一通讯端口12的第一通讯信号向第二通讯端口22的传输。而对于第一通讯信号而言，当其为低电平时，实际上第一NMOS管111的源极为低电平，因此，第一NMOS管111中的体二极管导通，即第一NMOS管111的源极和漏极之间导通，从而第一NMOS管111的漏极变为低电平。此外，由于第二NMOS管211的漏极与第一NMOS管111的漏极连接，因此，第二NMOS管211的漏极同样变为低电平。

可以理解的是，在本申请的实施例中，由于第二NMOS管211的漏极变为低电平，此时，在其作用下，第二NMOS管211中的体二极管也将导通，从而将第二NMOS管211的源极连接的第二通讯端口22拉到低电平，即第二通讯端口22变为低电平。

具体的，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态，且第一通讯端口12输入第一通讯信号的情况下，当第一通讯信号为高电平时，第一NMOS管111中的体二极管截止，第一NMOS管111的漏极和第二NMOS管211的漏极变为高电平；在第二NMOS管211的漏极处于高电平的作用下，第二NMOS管211中的体二极管截止，第二通讯端口22变为高电平。

可以理解的是，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，当第一通讯信号为高电平时，实际上第一NMOS管111的源极为高电平，因此，第一NMOS管111中的体二极管截止，即第一NMOS管111的源极和漏极之间不导通，从而第一NMOS管111的漏极的电压相当于第一电源端113的电压减去体二极管的电压，体二极管电压较小，实际上第一NMOS管111的漏极也就变为高电平。此外，由于第二NMOS管211的漏极与第一NMOS管111的漏极连接，因此，第二NMOS管211的漏极同样变为高电平。

可以理解的是，在本申请的实施例中，由于第二NMOS管211的漏极变为高电平，此时，在其作用下，第二NMOS管211中的体二极管截止，即第二NMOS管211的漏极和源极之间不导通，从而第二通讯端口22，在其连接的第二电阻212和第二电阻213的上拉作用下变为高电平。

需要说明的是，在本申请实施例中，第二通讯电路与第一通讯电路相同，在第一通讯端口12切换至高阻态的情况下，在第一通讯端口12切换至高阻态，且第二通讯端口22输入第二通讯信号的情况下，当第二通讯信号为低电平时，第二NMOS管211中的体二极管导通，第二NMOS管211的漏极和第一NMOS管111的漏极变为低电平；在第一NMOS管111的漏极处于低电平的作用下，第一NMOS管111中的体二极管导通，将第一通讯端口12变为低电平；当第二通讯信号为高电平时，第二NMOS管211中的体二极管截止，第二NMOS管211的漏极和第一NMOS管111的漏极变为高电平；在第一NMOS管111的漏极处于高电平的作用下，第一NMOS管111中的体二极管截止，第一通讯端口12变为高电平。第二通讯端口22的第二通讯信号传输至第一通讯端口12的方式，与上述第一通讯信号传输至第二通讯端口22的方式完全相同，仅传输方向不同，在此不再赘述。

图2为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图二。

具体的，在本申请的实施例中，如图2所示，第一传输电路11还包括第三电阻114，第三电阻114连接于第一电源端113与第一NMOS管111的栅极之间；

第二传输电路21还包括第四电阻214，第四电阻214连接于第二电阻213与第二NMOS管211的栅极之间。

可以理解的是，在本申请的实施例中，第一电源端113和第一NMOS管111的栅极可以直接连接，当然，也可以通过第三电阻114进行连接。相应的，第二电阻213和第二NMOS管211的栅极可以直接连接，当然，也可以通过第四电阻214进行连接。第三电阻114和第四电阻214的增加，可以进行分压，提高电路的稳定性。

需要说明的是，在本申请的实施例中，第三电阻114和第四电阻214可以根据实际需求选择，具体的第三电阻114和第四电阻214的阻值本申请实施例不作限定。

具体的，在本申请的实施例中，如图2所示，双向通讯电路还包括：第五电阻31和第三电源端32；

第五电阻31的一端连接于第一NMOS管111的漏极与第二NMOS管211的漏极之间，另一端与第三电源端32连接。

需要说明的是，在本申请的实施例中，在第一通讯信号和第二通讯信号为高电平的情况下，即第一通讯端口12向第二通讯端口22传输高电平，或者第二通讯端口22向第一通讯端口12传输高电平的情况下，在第五电阻31的作用下，就可以将高电平进行拉高，避免第一电源端113和第二电阻213的电压差较小，导致第二NMOS管211的体二极管导通，第二通讯端口22无法正常实现高电平的变化，此外，也可以提高通讯速率。

具体的，在本申请的实施例中，如图2所示，双向通讯电路还包括第四电源端33；

第四电源端33与第一NMOS管111的漏极与第二NMOS管211的漏极之间；

第四电源端33，用于在第一通讯端口12和第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，切换至输出状态，并对与第一传输电路11或第二传输电路21连接的电池进行充电。

可以理解的是，在本申请的实施例中，在第一通讯端口12和第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，第一NMOS管111和第二NMOS管211均处于截止状态，从而第四电源端33可以对与第一传输电路11或第二传输电路21连接的电池充电。

需要说明的是，在本申请的实施例中，在第一传输电路11和第二传输电路21实现第一通讯端口12与第二通讯端口22之间的通讯过程中，也就是第一通讯端口12或第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，第四电源端33切换至停止状态，不进行充电。

需要说明的是，在本申请的实施例中，通讯和供电可以在同一线路中实现，因此，可以应用在无线耳机和与无线耳机匹配的充电盒中。

图3为本申请实施例提供的一种示例性的充电盒和无线耳机的结构示意图。如图3所示，充电盒中包括第四电源端33、处理器、第一通讯电路，金属引脚1和金属引脚2，无线耳机中包括充电模块、蓝牙芯片、第二通讯电路，金属引脚3和金属引脚4。其中，第一通讯电路和第二通讯电路即为本申请实施例提供的双向通信电路中的两个通讯电路。

需要说明的是，在本申请的实施例中，如图3所示，在无线耳机置入充电盒的情况下，金属引脚1和金属引脚3连接，金属引脚2和金属引脚4连接，从而实现了第一通讯电路和第二通讯电路的连接。进一步的，无线耳机的蓝牙芯片可以控制第二通讯电路中的第二通讯端口22切换至高阻态，充电盒的处理器对第一通讯电路中的第一通讯端口12输入第一通讯信号，从而将第一通讯信号传输至第二通讯端口22，实现充电盒向耳机的通信，相应的，充电盒的处理器可以控制第一通讯电路中的第一通讯端口12切换至高阻态，耳机的蓝牙芯片对第二通讯电路中的第二通讯端口22输入第二通讯信号，从而将第二通讯信号传输至第一通讯端口12，实现耳机向充电盒的通信。

需要说明的是，在本申请的实施例中，如图3所示，充电盒中，第四电源端33与第一通讯电路连接，在无线耳机中，充电模块与蓝牙芯片和第二通讯电路连接。在无线耳机置入充电盒的情况下，金属引脚1和金属引脚3连接，金属引脚2和金属引脚4连接，实现两个通讯电路连接的情况下，处理器可以控制第一通讯电路中的第一通讯端口12切换至高阻态，同时，蓝牙芯片可以控制第二通讯电路中的第二通讯端口22切换至高阻态，从而两个通讯电路不进行通讯信号的交互，此时，处理器还可以控制第四电源端33切换至输出状态，蓝牙芯片还可以控制充电模块工作，从而第四电源端33提供的电流将流至无线耳机的充电模块，以实现无线耳机的充电。

需要说明的是，在本申请的实施例中，针对于图3所示的无线耳机和充电盒的双向通讯电路的应用场景，可选的，可以将第三电源端32划分至无线耳机或充电盒的结构中，与第一通讯电路或第二通讯电路连接，从而在通过第一通讯电路和第二通讯电路实现高电平传输的过程，进一步拉高电平，提高通讯速率。

图4为本申请实施例提供的一种双向通讯电路的结构示意图三。如图4所示，第一通讯端口12包括第一发送端口121和第一接收端口122；

第二通讯端口22包括第二发送端口221和第二接收端口222；

第一传输电路11和第二传输电路21，用于在第二接收端口222切换至高阻态的情况下，将第一发送端口121的第一通讯信号传输至第二接收端口222，或者，在第一接收端口122切换至高阻态的情况下，将第二发送端口221的第二通讯信号传输至第一接收端口122。

可以理解的是，在本申请的实施例中，为了实现串口通讯，则第一通讯端口12可以替换为第一发送端口121和第一接收端口122，第二通讯端口22可以替换为第二发送端口221和第二接收端口222。在进行通讯时，将第一发送端口121打开、第一接收端口122模块关闭，对应的打开第二接收端口222、关闭第二发送模块；或者，将第一接收端口122打开、第一发送端口121关闭，对应的打开第二发送端口221、关闭第二接收端口222。

可以理解的是，在本申请的实施例中，上述端口的替换，仅是对端口进行变形，以满足不同的通讯需求，但是传输的原理是相同的，即一端发送的情况下，另一端接收端切换至高阻态，第一传输电路11和第二传输电路21的工作方式是不变的，在此不再赘述。

需要说明的是，在本申请的实施例中，对于图2所示的双向通讯电路，其采用了第三电源端32，即需要独立的电源进行供电，将带来成本压力以及使用的限制，特别是有时无法提供这路电源时。因此，可以进行优化，以通讯信号代替第三电源端32。

具体的，在本申请的实施例中，第一通讯电路还包括第一二极管、第二二极管和第六电阻；

第一二极管的正极与第一发送端口121连接，第一二极管的负极与第六电阻连接；

第二二极管的正极与第一接收端口122连接，第二二极管的负极与第二发送端口221连接；

第一接收端口122与第一NMOS管111的源极连接；

第一接收端口122，在第一发送端口121传输第一通讯信号时，切换至高阻态；

第一发送端口121，在第一接收端口122接收第二通讯信号时，切换至高电平。

具体的，在本申请的实施例中，第二通讯电路还包括第三二极管、第四二极管和第七电阻；

第三二极管的正极与第二发送端口221连接，第三二极管的负极与第七电阻连接；

第四二极管的正极与第二接收端口222连接，第四二极管的负极与第二发送端口221连接；

第二接收端口222与第二NMOS管211的源极连接；

第二接收端口222，在第二发送端口221传输第二通讯信号时，切换至高阻态；

第二发送端口221，在第二接收端口222接收第一通讯信号时，切换至高电平。

图5为本申请实施例提供的一种单边通讯电路的结构示意图。如图5所示，增加了第三二极管215、第四二极管216和第七电阻217，当第二发送端口221发送数据时，第二接收端口222配置为高阻态，第二发送端口221发送高电平时，经过第三二极管和第七电阻变为高电平，第二发送端口221发送低电平时，经过第四二极管将第二接收端口222拉低至低电平，之后第二NMOS管211导通。当第二接收端口222接收数据时切换至高阻态，第二发送端口221配置为高电平，代替第三电源端32。

可以理解的是，在本申请的实施例中，第一通讯电路同样可以采用上述方式实现第三电源端32的替代，在此不再赘述。

需要说明的是，在本申请的实施例中，双向通讯电路还可以用于电平不匹配时的I2C通讯。其中，由于不同的器件其供电电压是不一样的，不能直接将时钟端口和通讯端口相互连接。此时需要建立两路双向通讯电路，其中一路通路用于时钟的传输，仅需将本申请的两个通讯端口替换成两个时钟端口。

本申请实施例提供了一种双向通讯方法，图6为本申请实施例提供的一种双向通讯方法的流程示意图。如图6所示，主要包括以下步骤：

S601、在第二通讯端口切换至高阻态的情况下，通过第一传输电路和第二传输电路，将第一通讯端口的第一通讯信号传输至第二通讯端口。

在本申请的实施例中，基于图1所示的双向通讯电路，其中，在第二通讯端口22切换至高阻态的情况下，通过第一传输电路11和第二传输电路21，将第一通讯端口12的第一通讯信号传输至第二通讯端口22。

具体的，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态，且第一通讯端口21输入第一通讯信号的情况下，当第一通讯信号为低电平时，第一NMOS管111中的体二极管导通，第一NMOS管111的漏极和第二NMOS管211的漏极变为低电平；在第二NMOS管211的漏极处于低电平的作用下，第二NMOS管211中的体二极管导通，将第二通讯端口22变为低电平，从而实现了低电平的传输。

具体的，在本申请的实施例中，在第二通讯端口22切换至高阻态，且第一通讯端口21输入第一通讯信号的情况下，当第一通讯信号为高电平时，第一NMOS管111中的体二极管截止，第一NMOS管111的漏极和第二NMOS管211的漏极变为高电平；在第二NMOS管211的漏极处于高电平的作用下，第二NMOS管211中的体二极管截止，第二通讯端口22变为高电平，从而实现了高电平的传输。

S602、在第一通讯端口切换至高阻态的情况下，通过第二传输电路和第一传输电路，将第二通讯端口的第二通讯信号传输至第一通讯端口。

在本申请的实施例中，基于图1所示的双向通讯电路，其中，在第一通讯端口12切换至高阻态的情况下，通过第二传输电路21和第一传输电路11，将第二通讯端口22的第二通讯信号传输至第一通讯端口12。

具体的，在本申请的实施例中，在第一通讯端口12切换至高阻态，且第二通讯端口输入第二通讯信号的情况下，当第二通讯信号为低电平时，第二NMOS管211中的体二极管导通，第二NMOS管211的漏极和第一NMOS管111的漏极变为低电平；在第一NMOS管111的漏极处于低电平的作用下，第一NMOS管111中的体二极管导通，将第一通讯端口12变为低电平，从而实现了低电平的传输。

具体的，在本申请的实施例中，在第一通讯端口12切换至高阻态，且第二通讯端口输入第二通讯信号的情况下，当第二通讯信号为高电平时，第二NMOS管211中的体二极管截止，第二NMOS管211的漏极和第一NMOS管111的漏极变为高电平；在第一NMOS管111的漏极处于高电平的作用下，第一NMOS管111中的体二极管截止，第一通讯端口12变为高电平，从而实现了高电平的传输。

需要说明的是，在本申请的实施例中，如图4所示，双向通讯电路还包括第四电源端33，第四电源端33连接于第一传输电路11与第二传输电路21之间，方法还包括：

在第一通讯端口12和第二通讯端口22切换至高阻态，且第四电源端33切换至输出状态的情况下，通过第四电源端33对与第一传输电路11或第二传输电路21连接的电池进行充电。

本申请实施例提供了一种双向通讯电路，应用于无线耳机以及充电盒，包括：第一通讯电路和第二通讯电路；第一通讯电路包括第一传输电路和第一通讯端口，第一传输电路包括第一NMOS管、第一电阻和第一电源端，第一NMOS管的栅极与第一电源端连接，第一NMOS管的源极与第一电阻和第一通讯端口连接，第一电阻与第一电源端连接；第二通讯电路包括第二传输电路和第二通讯端口，第二传输电路包括第二NMOS管、第二电阻和第二电源端，第二NMOS管的栅极与第二电源端连接，第二NMOS管的源极与第二电阻和第二通讯端口连接，第二电阻与第二电源端连接；第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极连接。本申请实施例提供的双向通讯电路，通过NMOS管和电阻的简单组合，即可实现双向通讯，不仅电路结构简单，而且提高了通讯速率。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。