一种低PIM导电材料

技术领域

本发明涉及导电材料的技术领域，特别是涉及一种低PIM导电材料。

背景技术

PIM即为无源互调，无源互调根据其传输方向，可以分为传输互调和反射互调。传输互调，顾名思义，就是两个载频功率同时作用于器件输入端时，在输出端所得到的互调；反射互调，是指两个载频功率同时作用于器件的输出端时，从器件输出端反射回输入端的互调产物。

电力导电材料是指有大量在电场作用下能够自由移动的带电粒子，因而能很好地传导电流的材料。包括导体材料和超导材料。在电工领域，导电材料通常指电阻率为(1.5～10)×10-8欧米的金属。其主要功能是传输电能和电信号，此外，广泛用于电磁屏蔽，制造电极、电热材料、仪器外壳等。随着科学技术的发展，其用途尚在不断增加。

但现有的低PIM导电材料常温电阻率不稳定、环境适应能力差、机械性能差。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种具有优异的电性能和机械性能，同时还具备良好的耐化学腐蚀性能的低PIM导电材料。

本发明的一种低PIM导电材料，由以下步骤制成：

S1、在容器中将苯胺和酸按1：1的比例混合均匀；

S2、用冰水浴将容器温度降低至0℃～25℃，之后在搅拌状态下滴加氧化剂，在3分钟内将氧化剂滴加完毕；

S3、继续搅拌滴加氧化剂的苯胺和酸的混合物；

S4、搅拌完成后，对混合物进行过滤，然后不断洗涤过滤物，直至滤液无色，得到墨绿色的聚苯胺粉末；

S5、将制得的聚苯胺粉末与炭黑、碳纳米管、卤素单体掺杂，之后搅拌均匀；

S6、将包括聚苯胺粉末、炭黑、碳纳米管、卤素单体的混合物料进行加压造粒处理，得到初级颗粒混料；

S7、将得到的初级颗粒混料进行首次烧结，得到初级烧结料；

S8、粉碎所述步骤S7得到的初级烧结料后，压制得到预烧结导电材料；

S9、再次烧结所述步骤S8得到的预烧结导电材料，得到导电材料。

本发明的一种低PIM导电材料，所述步骤S1中混合用酸是盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和高氯酸(HClO4)中的一种。

本发明的一种低PIM导电材料，所述步骤S2中滴加的氧化剂是过硫酸铵((NH4)2S2O8)、重铬酸钾(K2Cr2O7)、过氧化氢(H2O2)和碘酸钾(KIO3)中的一种。

本发明的一种低PIM导电材料，所述步骤S3中搅拌时间为90分钟。

本发明的一种低PIM导电材料，所述加压造粒的压力为10～20MPa。

本发明的一种低PIM导电材料，所述初级颗粒混料的粒径为1～2.5mm。

本发明的一种低PIM导电材料，所述步骤S8中压制的压力为1～5MPa。

本发明的一种低PIM导电材料，所述步骤S8中粉碎后的初级烧结料的粒径不高于80目。

本发明的有益效果为：本发明制备的导电材料不仅具有优异的电性能和机械性能，同时还具备良好的耐化学腐蚀性能，其反应步骤简便，原料易得，成本低廉，适合工业大规模生产，具有重要的工业应用价值和经济效益。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例1

本发明的一种低PIM导电材料，由以下步骤制成：

S1、在容器中将苯胺和酸按1：1的比例混合均匀；

S2、用冰水浴将容器温度降低至0℃～25℃，之后在搅拌状态下滴加氧化剂，在3分钟内将氧化剂滴加完毕；

S3、继续搅拌滴加氧化剂的苯胺和酸的混合物；

S4、搅拌完成后，对混合物进行过滤，然后不断洗涤过滤物，直至滤液无色，得到墨绿色的聚苯胺粉末；

S5、将制得的聚苯胺粉末与炭黑、碳纳米管、卤素单体掺杂，之后搅拌均匀；

S6、将包括聚苯胺粉末、炭黑、碳纳米管、卤素单体的混合物料进行加压造粒处理，得到初级颗粒混料；

S7、将得到的初级颗粒混料进行首次烧结，得到初级烧结料；

S8、粉碎所述步骤S7得到的初级烧结料后，压制得到预烧结导电材料；

S9、再次烧结所述步骤S8得到的预烧结导电材料，得到导电材料。

实施例2

作为上述实施例的优选，所述步骤S1中混合用酸是盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)和高氯酸(HClO4)中的一种。

实施例3

作为上述实施例的优选，所述步骤S2中滴加的氧化剂是过硫酸铵((NH4)2S2O8)、重铬酸钾(K2Cr2O7)、过氧化氢(H2O2)和碘酸钾(KIO3)中的一种。

实施例4

作为上述实施例的优选，所述步骤S3中搅拌时间为90分钟。

实施例5

作为上述实施例的优选，所述加压造粒的压力为10～20MPa。

实施例6

作为上述实施例的优选，所述初级颗粒混料的粒径为1～2.5mm。

实施例7

作为上述实施例的优选，所述步骤S8中压制的压力为1～5MPa。

实施例8

作为上述实施例的优选，所述步骤S8中粉碎后的初级烧结料的粒径不高于80目。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。