一种显示面板结构及其制作方法

技术领域

本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板结构及其制作方法。

背景技术

液晶显示面板通常由阵列基板，彩膜基板，液晶层，背光模组四部分组成，显示过程由阵列基板上的薄膜晶体管电路驱动在像素上产生电场，从而改变液晶状态，使得背光模组发出的光可以通过液晶层透过，经彩膜基板显色后，显示对应颜色光线。

金属氧化物由于其具有较高迁移率，较低的漏电流，较小的亚阈值摆幅，使得其成为阵列面板上薄膜晶体管的半导体层的主要材料。但由于金属氧化物半导体在光照下器件易产生漏电，通常对TFT器件通常会采用底栅交错结构使得栅极可以对半导体层进行遮光处理以避免背光对薄膜晶体管影响。

黑色矩阵位于彩膜基板上，其基本目的是为了遮蔽外界的入射光到薄膜晶体管上以降低漏电，提升对比度。但由于其设置在彩膜基板上，因此仍会有显示面板内部的折反射光照射至薄膜晶体管上使得其存在漏电造成显示对比度降低。为此，我们提出一种显示面板结构及其制作方法，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板结构及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种显示面板结构，包括玻璃基板、薄膜晶体管层、像素电极、黑色矩阵层、触控走线层，无机绝缘层和Com电极层，所述玻璃基板上沉积有底栅交错结构的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括作为栅极的第一金属层，栅极绝缘层、氧化物半导体层、作为源漏极的第二金属层、钝化绝缘层，所述钝化绝缘层上设置一个用于打开第二金属层的金属漏极的开孔，所述像素电极通过开孔与金属漏极连接；

所述黑色矩阵层覆盖显示区域的栅极走线及数据走线，所述栅极走线上设有栅极绝缘层，栅极绝缘层上设有金属氧化物半导体层；

所述栅极走线处的黑色矩阵层为阶段式设计，该处黑色矩阵层的尺寸外扩栅极走线，该处黑色矩阵层的厚度为2μm-4μm，该处黑色矩阵层单边外扩长度大于3μm；

所述数据走线处的黑色矩阵层为连续式设计，该处黑色矩阵层尺寸需求外扩数据走线，该处黑色矩阵层单边外扩长度大于3μm；

所述第三金属层作为触控讯号线，触控讯号线的位置位于数据走线处的黑色矩阵层上方，并且其在栅极走线上存在延伸部分，该延伸部分长度大于10μm；

所述触控讯号线上沉积一层无机绝缘层，且在无机绝缘层上设有绝缘层开孔，所述绝缘层开孔位置位于触控讯号线在栅极方向延伸部分；

所述Com电极层通过绝缘层开孔与触控讯号线金属搭接，像素间Com电极层跨过黑色矩阵层连接为整块电极。

所述像素电极的材料为透明导电材料ITO或者ATO，其厚度为400A-800A。

所述黑色矩阵层的材料选为掺入黑色颜料的丙烯树脂。

所述触控讯号线的材料为钼、铬、钛、叠层金属钼铝钼、钛铝钛、钼铜钛或者合金铌钼，其厚度为2000A-5000A。

所述绝缘层开孔的尺寸为3μm-6μm。

所述Com电极层的材料为透明导电材料ITO或者ATO，其厚度为600A-1000A。

一种显示面板结构的制作方法，具体包括以下步骤：

S1、首先在玻璃基板上沉积制作底栅交错结构的薄膜晶体管层，第一金属层做栅极，第二金属层作源漏极，钝化绝缘层设置一个钝化层开孔用于打开第二金属层的金属漏极；

S2、设置像素电极层，像素电极通过钝化层开孔与第二金属层的金属漏极连接；

S3、设置黑色矩阵层，黑色矩阵层只覆盖显示区域的栅极走线及数据走线，栅极走线处黑色矩阵层为阶段式设计，该区域黑色矩阵层的尺寸外扩栅极走线，数据走线处黑色矩阵层为连续式设计，其尺寸需求外扩数据走线；

S4、设置第三金属层作为触控讯号线，触控讯号线位置位于数据走线处的黑色矩阵层上方，并且其在栅极走线上存在延伸部分，该延伸部分长度需求大于10μm；

S5、沉积一层无机绝缘层并开设绝缘层开孔，绝缘层开孔的位置位于触控讯号线在栅极方向延伸部分；

S6、设置一层Com电极层，其通过绝缘层开孔与触控讯号线金属搭接，像素间Com电极层跨过黑色矩阵层连接为整块电极；

S7、彩膜基板制作时，减少柱间隔层制作，由阵列基板黑色矩阵层凸出位置代替柱间隔层起到成盒支撑作用。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种显示面板结构及其制作方法，本发明可以通过降低薄膜晶体管光照影响，从而降低漏电，获得更高的对比度；较厚的黑色矩阵层间隔数据走线及触控讯号线，可以降低触控走线的RC Loading，提高触控灵敏度；可以减少一层柱间隔层，节约生产成本及生产时间。

附图说明

图1为本发明实施例1阵列基板步骤S1示意图；

图2为本发明实施例1阵列基板步骤S2示意图；

图3为本发明实施例1阵列基板步骤S3示意图；

图4为本发明实施例1阵列基板平面示意图；

图5为图4中A-A处剖视示意图；

图6为图4中B-B处剖视示意图；

图7为本发明实施例2阵列基板平面示意图；

图8为图7中C-C处剖视示意图。

图中：1、数据走线；2、金属氧化物半导体层；3、钝化层开孔；4、金属漏极；5、像素电极；6、黑色矩阵层；7、触控讯号线；8、绝缘层开孔；9、Com电极层；10、无机绝缘层；11、玻璃基板；12、钝化绝缘层；13、栅极绝缘层；14、栅极走线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1：本发明提供了如图1-8的一种显示面板结构，包括玻璃基板11、像素电极5、黑色矩阵层6、无机绝缘层10和Com电极层9，所述玻璃基板11上沉积有底栅交错结构的薄膜晶体管层，作为栅极的第一金属层，栅极绝缘层13、氧化物半导体层2、作为源漏极的第二金属层、钝化绝缘层12，所述钝化绝缘层12上设置一个用于打开第二金属层的金属漏极4的钝化开孔3，所述像素电极5通过钝化层开孔3与金属漏极4连接；

所述黑色矩阵层6覆盖显示区域的栅极走线14及数据走线1，所述栅极走线14上设有栅极绝缘层13，栅极绝缘层13上设有金属氧化物半导体层2；

所述栅极走线14处的黑色矩阵层6为阶段式设计，该处黑色矩阵层6的尺寸外扩栅极走线14，该处黑色矩阵层6的厚度为2μm-4μm，该处黑色矩阵层6单边外扩长度大于3μm；

所述数据走线1处的黑色矩阵层6为连续式设计，该处黑色矩阵层6尺寸需求外扩数据走线1，该处黑色矩阵层6单边外扩长度大于3μm；

所述第三金属层作为触控讯号线7，触控讯号线7的位置位于数据走线1处的黑色矩阵层6上方，并且其在栅极走线14上存在延伸部分，该延伸部分长度大于10μm；

所述触控讯号线7上沉积一层无机绝缘层10，且在无机绝缘层10上设有绝缘层开孔8，所述绝缘层开孔8位置位于触控讯号线7在栅极方向延伸部分；

所述Com电极层9通过绝缘层开孔8与触控讯号线7金属搭接，像素间Com电极层9跨过黑色矩阵层6连接为整块电极。

所述像素电极5的材料为透明导电材料ITO或者ATO，其厚度为400A-800A。

所述黑色矩阵层6的材料选为掺入黑色颜料的丙烯树脂。

所述触控讯号线7的材料为钼、铬、钛、叠层金属钼铝钼、钛铝钛、钼铜钛或者合金铌钼，其厚度为2000A-5000A。

所述绝缘层开孔8的尺寸为3μm-6μm。

所述Com电极层9的材料为透明导电材料ITO或者ATO，其厚度为600A-1000A。

一种显示面板结构的制作方法，具体包括以下步骤：

S1、首先在玻璃基板11上沉积制作底栅交错结构的薄膜晶体管层，第一金属层做栅极，第二金属层作源漏极，钝化绝缘层12设置一个钝化层开孔3用于打开第二金属层的金属漏极4；

S2、设置像素电极层，像素电极5通过钝化开孔3与第二金属层的金属漏极4连接；

S3、设置黑色矩阵层6，黑色矩阵层6只覆盖显示区域的栅极走线14及数据走线1，栅极走线14处黑色矩阵层6为阶段式设计，该区域黑色矩阵层6的尺寸外扩栅极走线14，数据走线1处黑色矩阵层6为连续式设计，其尺寸需求外扩数据走线1；

S4、设置第三金属层作为触控讯号线7，触控讯号线7位置位于数据走线1处的黑色矩阵层6上方，并且其在栅极走线14上存在延伸部分，该延伸部分长度需求大于10μm；

S5、沉积一层无机绝缘层10并开设绝缘层开孔8，绝缘层开孔8的位置位于触控讯号线7在栅极方向延伸部分；

S6、设置一层Com电极层9，其通过绝缘层开孔8与触控讯号线7金属搭接，像素间Com电极层9跨过黑色矩阵层6连接为整块电极；

S7、彩膜基板制作时，减少柱间隔层制作，由阵列基板黑色矩阵层6凸出位置代替柱间隔层起到成盒支撑作用。

实施例二：可选在数据走线1位置的黑色矩阵层6采用阶段式设计，阶段间隔尺寸可选为5μm-10μm，其余部分同实施例1，其可改良液晶成盒过程中液晶在显示区的扩散效果。

综上所述，与现有技术相比，本发明在内嵌式触控显示面板中将黑色矩阵层设置于阵列基板薄膜晶体管钝化层上方，代替用于降低电容的有机平坦层，1、使黑色矩阵层6对金属氧化物半导体层2具有更好的遮光效果；2、利用黑色矩阵层6隔离数据走线1及触控讯号线7，降低金属走线RC Loading；3、利用金属走线上方黑色矩阵层6与像素区高程差实现对液晶的间隔效果。

可以通过降低薄膜晶体管光照影响，从而降低漏电，获得更高的对比度；较厚的黑色矩阵层6间隔数据走线1及触控讯号线7，可以降低触控走线的RC Loading，提高触控灵敏度；可以减少一层柱间隔层，节约生产成本及生产时间。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。