显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

现有柔性器件TFT制程中，为了减少一道光照，会选择使用氢氟酸HF对钝化层进行蚀刻，但是在此同时，玻璃基板的背面在过HF酸时也会被腐蚀，在宏观状态下会呈水滴状，存在滚轮印状白色脏污，在微观状态下呈现砂砾状，其最大的影响就是在实际生产时会导致激光剥离时出现剥离困难，器件层受到拉扯后造成显示面脱离，点灯后画面出现黑点、细黑线(增大ED改善状况差)，严重影响柔性LLO制程，甚至会导致器件损坏扯烂等严重后果。

发明内容

本申请的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，可以解决现有的显示面板氢氟酸刻蚀钝化层的制程中玻璃基板受腐蚀严重、存在滚轮印等技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上制备出OLED阵列层；以及在所述OLED阵列层上制备出钝化层和平坦层，并在所述钝化层以及所述平坦层上刻蚀出通孔；其中，所述在所述钝化层以及所述平坦层上刻蚀出通孔的步骤中：在所述玻璃基板远离所述OLED阵列层的一侧设置一层光阻层；进行氢氟酸喷淋处理，在所述钝化层上形成通孔；激光剥离所述光阻层。

进一步地，所述在所述玻璃基板上制备出OLED阵列层的步骤包括：在所述玻璃基板上依次制备出遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、介电层以及源漏电极层。

进一步地，所述在所述OLED阵列层上制备出钝化层和平坦层的步骤包括：在所述源漏电极层与所述介电层的上表面沉积一层绝缘材料，作为钝化层；在所述钝化层的上表面涂布一层无机材料，形成平坦层；经过曝光、显影、烘烤以及蚀刻后，在所述平坦层上形成第一通孔，且所述第一通孔与所述源漏电极层中的漏极相对设置。

进一步地，所述在所述玻璃基板远离所述OLED阵列层的一侧设置一层光阻层的步骤包括：在所述玻璃基板远离所述OLED阵列层的一侧喷涂光阻材料，并进行烘烤固化处理。

进一步地，所述进行氢氟酸喷淋处理的步骤中：进行至少两次氢氟酸喷淋处理，在所述第一通孔下方的钝化层处形成第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔相互连通，形成所述通孔。

进一步地，在所述氢氟酸喷淋步骤之后，进行风干处理。

进一步地，在喷涂光阻材料时，在所述玻璃基板的底面采用滚筒式的滚轮滚动，使得所述光阻材料均匀喷涂。

进一步地，在所述进行烘烤固化处理的步骤中，采用加热丝或极紫外线固化处理。

为实现上述目的，本申请还提供一种显示面板，采用如前文所述的显示面板的制备方法制备而成。

进一步地，所述显示面板包括：玻璃基板；OLED阵列层，设于所述玻璃基板一侧的表面；钝化层，设于所述OLED阵列层远离所述玻璃基板一侧的表面，所述钝化层上设有通过氢氟酸刻蚀而成的第二通孔；平坦层，设于所述钝化层远离所述OLED阵列层一侧的表面，所述平坦层上设有第一通孔，所述第一通孔与所述第二通孔相互连通，形成的通孔与所述OLED阵列层上的漏极相对设置。

本申请的技术效果在于，在玻璃基板的下表面喷涂一层光阻层，在对钝化层进行氢氟酸喷淋刻蚀时，所述光阻层能起到保护所述玻璃基板的作用，防止其表面留下滚轮印，避免被氢氟酸刻蚀，就能避免所述玻璃基板在宏观状态下呈水滴状和滚轮印状白色脏污，在微观状态下呈现砂砾状等现象，在实际生产时会降低剥离难度，防止OLED阵列层受到拉扯进而造成显示面Peeling、点灯后画面出现黑点、细黑线等问题，改善显示面板的显示效果，提高显示器件的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图；

图2是本申请实施例提供的制备遮光层后的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的制备缓冲层后的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的制备有源层后的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的制备栅极绝缘层后的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的制备栅极层后的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的制备介电层后的结构示意图；

图8是本申请实施例提供的制备源漏极层后的结构示意图；

图9是本申请实施例提供的制备第一通孔后的结构示意图；

图10是本申请实施例提供的制备第二通孔的流程图；

图11是本申请实施例提供的制备光阻后的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的烘烤腔室的内部俯视图；

图13是本申请实施例提供的氢氟酸处理后的结构示意图；

图14是本申请实施例提供的激光剥离光阻后的结构示意图；

附图标记说明：

100、玻璃基板；200、OLED阵列层；300、钝化层；400、平坦层；

201、遮光层；202、缓冲层；203、有源层；204、栅极绝缘层；205、栅极层；206、介电层；207、源极；208、漏极；

2061、介电层通孔；

301、第二通孔；401、第一通孔；

10、光阻层；20、喷嘴；30、烘烤腔室；31、烘烤装置。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

如图1所示，本实施例提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S1～S3。

S1提供一玻璃基板100，所述玻璃基板100起到衬底作用以及支撑作用，并将所述玻璃基板100清洗干净，减少颗粒物对后续制程的影响。

S2在所述玻璃基板100上制备出OLED阵列层200，如图2至图8所示，依次制备出遮光层201、缓冲层202、有源层203、栅极绝缘层204、栅极层205、介电层206、源极207以及漏极208，得到OLED阵列层200，所述OLED阵列层200是所述显示面板的电路控制开关。

其中所述OLED阵列层200的制备步骤具体如下：

在所述玻璃基板100的上表面采用物理沉积镀膜的防止沉积一层金属材料，所述金属材料为铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等单层金属材料或多层组合材料或合金材料，再经过光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等操作，图案化后形成遮光层201(参见图2)，所述遮光层201起到对入射光线的遮光作用。

在所述玻璃基板100以及所述遮光层201的上表面采用化学沉积镀膜的方式沉积一层无机材料，所述无机材料可为氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)的单层或叠层结构，形成缓冲层202(参见图3)，所述缓冲层202具有隔绝外界水氧的作用。

在所述缓冲层202的上表面物理沉积镀膜的方式沉积一层半导体材料，例如：氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)等，再经过光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等操作，图案化后形成有源层203(参见图4)。所述有源层203为这些半导体材料的单层或叠层结构或合金材料构成。

在所述有源层203的上表面采用化学沉积镀膜的方式沉积一层无机材料，所述无机材料一般为氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)的单层或叠层结构，形成所述栅极绝缘层204(参见图5)。

在所述栅极绝缘层204的上表面采用物理沉积镀膜的方式沉积一层金属材料，所述金属材料为铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等单层金属材料或多层组合材料或合金材料，再经过光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等操作，形成栅极层205(参见图6)。

需要特别指出的是：刻蚀步骤是先用湿刻工艺刻蚀出所述栅极层205的图形层，再用干刻工艺刻蚀出所述栅极绝缘层204的图形，使得所述栅极层205、所述栅极绝缘层204以及所述有源层203均相对设置，并用He气进行诱导导体化，使得被所述栅极层205和所述栅极绝缘层204覆盖的部分有源层203依旧保留半导体性能，未被覆盖的部分则被导体化，具有导体性能。

在所述栅极层205、所述栅极绝缘层204、所述有源层203以及所述缓冲层202的上表面采用化学沉积镀膜的方式沉积一层无机材料，所述无机材料为采用氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)的单层或叠层结构，再经过光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等操作，图案化后形成介电层206，在此次蚀刻过程中，掩模版采用干刻的方式刻蚀完所述介电层206，蚀刻后形成介电层通孔2061(参见图7)，所述介电层通孔2061用作后续源漏极与有源层203之间的连接通道。

在所述介电层206的上表面采用物理沉积镀膜的方式沉积一层金属材料，所述金属材料为铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等单层金属材料或多层组合材料或合金材料，再经过光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜等操作，图案化后形成源极207和漏极208(参见图8)。

S3在所述OLED阵列层200上制备出钝化层300和平坦层400，并在所述钝化层300以及所述平坦层400上刻蚀出通孔，具体参考附图9至附图14，下文将对此制程详细描述。

在所述源极207、所述漏极208以及所述介电层206的上表面采用化学沉积镀膜的方式沉积一层绝缘材料，所述绝缘材料为由氮化硅(SiN)和/或氧化硅(SiO)，形成钝化层300。再在所述钝化层300的上表面采用涂布机涂布一层无机材料，形成平坦层400，再对其分别进行曝光、显影以及烘烤的操作，灰化后在所述平坦层400上形成第一通孔401(参见图9)，露出部分钝化层300，且所述第一通孔401与所述漏极208相对设置。

在现有的柔性器件TFT中为了减少一道光照，会选择氢氟酸(HP)对钝化层进行蚀刻，但是在此同时，玻璃基板的背面在过氢氟酸时也会被腐蚀，造成在宏观状态下呈水滴状和滚轮印状的白色脏污，在微观状态下呈现砂砾状的脏污。玻璃基板被腐蚀最大的影响就是在实际生产时会导致激光剥离困难，OLED器件层在受到拉扯后容易造成显示面板脱落，在点灯后画面出现黑点、细黑线等现象。

如图10至图14所示，为解决上述问题，在本实施例中，选择在所述玻璃基板100的背面，也就是远离所述OLED阵列层200的一侧增加一层光阻层，这样在整个器件过氢氟酸刻蚀时能对所述玻璃基板100起到保护作用，防止其遭到腐蚀。具体的制程包括步骤S31～S36，下文将对其作详细描述。

S31光阻喷涂步骤，具体地，在所述玻璃基板100远离所述OLED阵列层200的一侧设置一层光阻层10，即在所述玻璃基板100的背面通过喷嘴20喷洒一层光阻材料(参见图11)，所述喷嘴20设于所述玻璃基板100的下方，向上喷洒光阻材料，所述光阻材料的材质包括树脂、感光剂、溶剂等材料，所述喷嘴20位于所述玻璃基板100的正下方是为了保护所述玻璃基板100的下表面，喷洒的光阻材料厚度约为1微米。在喷淋的过程中，同时使用滚筒式的滚轮，确保所述光阻材料能均匀喷洒至所述玻璃基板100的下表面。

S32烘烤固化处理，将喷洒完光阻材料的整个器件传输至烘烤腔室30内进行烘烤固化处理，形成光阻层10，烘烤固化后的光阻层10能与所述玻璃基板100之间具有更好的附着力。所述烘烤腔室30的顶部设置有烘烤装置31，所述烘烤装置31一般为电热丝或者极紫外线装置(EUV)(参见图12)，所述电热丝或所述EUV均匀分布，以确保器件在烘烤时能均匀受热，所述电热丝在烘烤时一般将所述烘烤腔室30内的室温加热至100℃。

S33进行第一次氢氟酸喷淋处理，将烘烤固化后的整个器件传输至氢氟酸处理腔室内的药液槽处开始氢氟酸喷淋处理，在这个过程中，所述平坦层400上的第一通孔401所裸露出的钝化层300被所述氢氟酸腐蚀，在这个过程中所述玻璃基板100下表面的光阻层10也会被部分腐蚀，但并不会被全部腐蚀，也不会裸露出其保护的玻璃基板100，所以在这个氢氟酸喷淋的过程中所述玻璃基板100不受腐蚀，保护完好。

S34进行第二次氢氟酸喷淋处理，其过程与上述的第一次氢氟酸喷淋处理相同，做两次甚至多次氢氟酸喷淋处理是因为现有的氢氟酸喷淋腔的宽度不够，一次操作难易全部刻蚀完毕，所以需要对其进行分段喷淋，同时，分多次喷淋处理也是为了提高氢氟酸对所述钝化层300的刻蚀均匀度，多次刻蚀直至露出所述钝化层300下方的漏极208为止，形成第二通孔301(参见图13)，所述第二通孔301与所述第一通孔401相互连通，其形成的通孔用作后续阳极层与所述漏极208之间的电连接通道。

S35进行风干处理，将刻蚀完毕的整个器件输送至风干腔室内进行风干处理，确保整个器件干燥后进行下一制程。

S36激光剥离所述光阻层10，具体地，采用激光剥离的方式将所述光阻层10与所述玻璃基板100分离(参见图14)，在此过程中，并不会增加制程难度，且因现有的激光剥离技术比较成熟，并不会对所述玻璃基板100造成影响，起到保护所述玻璃基板100的作用。

在本实施例中，要求氢氟酸喷淋设备具有光阻涂布的喷嘴20以及烘烤腔室30，在玻璃基板100的下表面喷涂一层光阻层10，在对钝化层300进行氢氟酸喷淋刻蚀时，所述光阻层10能起到保护所述玻璃基板100的作用，防止其表面留下滚轮印，避免被氢氟酸刻蚀，就能避免所述玻璃基板100在宏观状态下呈水滴状和滚轮印状白色脏污，在微观状态下呈现砂砾状等现象，在实际生产时会降低剥离难度，防止OLED阵列层200受到拉扯进而造成显示面Peeling、点灯后画面出现黑点、细黑线等问题，改善显示面板的显示效果，提高显示器件的良率。

如图14所示，本实施例还提供一种显示面板，所述显示面板由前文所述的显示面板的制备方法制备而成，包括：玻璃基板100、OLED阵列层200、钝化层300以及平坦层400，还包括发光器件、像素电极、盖板等部件(图未示)。

所述OLED阵列层200设于所述玻璃基板100一侧的表面，所述OLED阵列层200从下往上依次包括：遮光层201、缓冲层202、有源层203、栅极绝缘层204、栅极层205、介电层206以及源极207和漏极208。所述钝化层300设于所述OLED阵列层200远离所述玻璃基板100一侧的表面，所述钝化层300上设有通过氢氟酸刻蚀而成的第二通孔301。所述平坦层400设于所述钝化层300远离所述OLED阵列层200一侧的表面，所述平坦层400上设有第一通孔401，所述第一通孔401与所述第二通孔301相互连通，形成的通孔与所述OLED阵列层200上的漏极208相对设置，所述通孔为后续的阳极层与所述漏极208之间的连接提供通道，便于所述OLED阵列层200对所述发光器件进行电路驱动。

由上文所述的显示面板的制备方法制成的显示面板能有效避免在氢氟酸刻蚀钝化层的过程中玻璃基板的背面受到腐蚀，防止OLED阵列层受到拉扯进而造成显示面Peeling、点灯后画面出现黑点、细黑线等问题，改善显示面板的显示效果，提高显示器件的良率。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。