显示面板与显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板与显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有的液晶显示器为了解决在阳光或高强照明下，对比度差、炫目、可读性差等问题，通常采用超高亮度的背光源。

然而，超高亮度的背光源导致液晶显示器的显示画面出现了显示不均问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种显示面板与显示装置，克服了背光对有源层的光致衰退效应，降低了显示面板光照漏电流，解决了显示画面显示不均的问题。

本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本发明实施例的第一方面，一种显示面板，该显示面板包括：

衬底；

遮光层，位于所述衬底的一侧，且所述遮光层上形成有多个通孔；

多个晶体管，分别包括有源层，各所述晶体管的有源层位于所述遮光层背离所述衬底的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述遮光层在所述衬底的正投影内；

彩膜基板，所述遮光层与所述多个晶体管位于所述彩膜基板与所述衬底之间；所述彩膜基板包括多个像素区，所述多个像素区与所述多个通孔一一对应设置；

背光源，位于所述衬底背离所述遮光层的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管还包括：

栅绝缘层，位于所述遮光层背离所述衬底的一侧；

栅极，位于所述栅绝缘层与所述遮光层之间；

第一极和第二极，位于所述遮光层背离所述衬底的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：

多个像素电极，位于所述栅极背离所述衬底的一侧；所述多个像素电极与所述多个晶体管的所述第一极或所述第二极一一对应连接，且所述多个像素电极与所述多个通孔一一对应设置；

公共电极，位于所述栅绝缘层与所述遮光层之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管还包括：

栅绝缘层，位于所述衬底与所述遮光层之间；

栅极，位于所述栅绝缘层与所述衬底之间；

第一极和第二极，位于所述遮光层背离所述衬底的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管还包括：

栅绝缘层，位于所述有源层与所述遮光层之间；

栅极，位于所述栅绝缘层与所述衬底之间；

第一极和第二极，位于所述遮光层背离所述衬底的一侧。

在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：

多个像素电极，位于所述有源层背离所述衬底的一侧，且所述多个像素电极与所述多个通孔一一对应设置；

公共电极，位于所述栅绝缘层与所述衬底之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述遮光层覆盖所述栅极背离所述衬底的一侧以及所述栅极宽度方向上的两侧。

在本公开的一种示例性实施例中，各所述像素电极在所述遮光层上的正投影覆盖各所述通孔。

在本公开的一种示例性实施例中，所述遮光层的材料为金属材料，或为黑矩阵材料。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

本申请提供的显示面板，遮光层整层形成在衬底上，遮光层上的多个通孔与彩膜基板的多个像素区一一对应设置，以保证背光源的背光能够照射到每个像素区中，以保证各像素的正常显示；通过使晶体管中的有源层位于遮光层上，遮光层遮挡了背光源的光线照射到有源层上，改善了有源层光致衰退效应，提升了产品使用寿命；当采用4mask工艺时导致数据线下方具有刻蚀残留的有源材料层，由于数据线位于遮光层未开口的位置上，即有源材料层也位于遮光层上，进而通过遮光层能够遮挡背光源的光线照射到有源材料层上，从而解决了栅极金属和数据线金属的光照/非光照的寄生电容差异，解决了显示面板出现的水波纹、串扰、显示不均等信赖性不良的问题；同时，遮光层上的多个通孔与彩膜基板的多个像素区一一对应设置，改善了像素电极间隙处的漏光，提升了显示面板的对比度；此外，通过遮光层上形成的与彩膜基板的多个像素区一一对应设置的多个通孔，可以省去彩膜基板中黑矩阵的制作，提升彩膜工厂的产能，同时解决了因黑矩阵表面的杂质引起的残像不良。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1本申请的一种实施例提供的显示面板的示意图；

图2为图1中A-A′处的截面图；

图3为图1中B-B′处的截面图；

图4本申请的另一种实施例提供的显示面板的示意图；

图5为图4中A-A′处的截面图；

图6为图4中B-B′处的截面图；

图7本申请的又一种实施例提供的显示面板的示意图；

图8为图7中A-A′处的截面图；

图9为图7中B-B′处的截面图。

附图标记说明：

100、衬底；

200、遮光层；

300、绝缘层；

410、公共电极层；420、像素电极；430、公共电极材料层；

500、栅线；510、栅极；

610、第一极；620、第二极；630、有源层；631、有源材料层；640、栅绝缘层；

700、数据线；

800、钝化层；

900、彩膜基板。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

发明人发现，现有液晶显示器TFT的有源层为氢化非晶硅，氢化非晶硅具有光致衰退效应(S-W效应)，即氢化非晶硅薄膜经过长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降，随着背光源的亮度增加，TFT特性发生飘移，引起信赖性不良。

传统的4mask产品的液晶显示器结构，有源层受到背光的照射，发生光致衰退效应，同时数据线(Data)下方有源层受到光照和非光照的影响导致栅极金属和数据线金属的寄生电容不同，引起数据线传输延迟，导致不同显示区域充电能力不同，从而造成显示画面出现显示不均问题。

针对上述技术问题，本申请的实施例首先提供了一种显示面板，如图1-图9所示，该显示面板包括：衬底100、遮光层200、多个晶体管、彩膜基板900和背光源，遮光层200位于衬底100的一侧，且遮光层200上形成有多个通孔；多个晶体管分别包括有源层630，各晶体管的有源层630位于遮光层200背离衬底100的一侧，且在衬底100上的正投影位于遮光层200在衬底100的正投影内；彩膜基板900遮光层200与多个晶体管位于彩膜基板900与衬底100之间；彩膜基板900包括多个像素区，多个像素区与多个通孔一一对应设置；背光源位于衬底100背离遮光层200的一侧。

本申请提供的显示面板，遮光层200整层形成在衬底100上呈网格结构，遮光层200上的多个通孔与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置，以保证背光源的背光能够照射到每个像素区中，以保证各像素的正常显示；通过使晶体管中的有源层630位于遮光层200上，遮光层200遮挡了背光源的光线照射到有源层630上，改善了有源层630光致衰退效应，提升了产品使用寿命；当采用4mask工艺时导致数据线700下方具有刻蚀残留的有源材料层631，由于数据线700位于遮光层200未开口的位置上，即有源材料层631也位于遮光层200上，进而通过遮光层200能够遮挡背光源的光线照射到有源材料层631上，从而解决了栅极510金属和数据线700金属的光照/非光照的寄生电容差异，解决了显示面板出现的水波纹、串扰、显示不均等信赖性不良的问题；同时，遮光层200上的多个通孔与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置，改善了像素电极420间隙处的漏光，提升了显示面板的对比度；此外，通过遮光层200上形成的与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置的多个通孔，可以省去彩膜基板900中黑矩阵(Black Matrix，BM)的制作，提升彩膜工厂的产能，同时解决了因BM表面的杂质引起的残像不良。

本申请提供的显示面板可为TN显示模式、VA显示模式、IPS显示模式、ADS模式、HADS模式或FFS显示模式。下面，本申请以FFS显示模式对申请显示面板的具体结构进行详细地示例性说明。

在本申请的一种实施例中，如图1-图3所示，显示面板包括衬底100，在衬底100上形成有图案化的遮光层200。其中，衬底100可为透光的玻璃基板，接着在玻璃基板上通过物理气相沉积(PVD)溅射一层金属，接着在金属层表面进行刻胶涂覆、曝光、显影、湿刻，在金属层上形成所需的网络状图案，接着剥离光刻胶形成图案化的遮光层200，其中金属层的材料为透光率降低的非透光金属材料，例如可以为单层的钼(Mo)或复合层的钼/铝/钼(Mo/AL/Mo)、钼/铜(Mo/Cu)、钼铌/铜(MoNb/Cu)、钼铌/铜/钼钛(MoNb/Cu/MoTi)等；此外，遮光层200还可为黑矩阵材料，黑矩阵材料例如为包括炭黑丙烯树脂，或含有Cr或Ti金属元素的光刻胶的有机膜，通过在衬底100上涂覆、曝光、显影和退火，形成所需的网络状图案的黑矩阵作为遮光层200。其中，在采用有机膜形成遮光层200时，后续形成绝缘层300、公共电极层410、栅线500、栅极绝缘层300、有源层630数据线700、钝化层800和像素电极420等功能膜层时，均采用温度低于240℃的低温沉积。当然，遮光层200还可为其他金属材料或非金属材料，只要能起遮光作用即可，本申请对此不做限制。

其中，遮光层200上形成有绝缘层300。示例的，在衬底100上形成遮光层200后，接着在衬底100上形成覆盖遮光层200的绝缘层300。绝缘层300的材料例如可为构可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)的单层结构，或氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的复合结构。

其中，绝缘层300上形成有公共电极层410。示例的，可通过化学气相沉积或物理沉积在绝缘层300上形成公共电极层410，公共电极层410的材料例如为透明导电氧化物ITO。

其中，公共电极层410上形成有栅线500。示例的，在公共电极上通过化学气相沉积或物理沉积形成栅线材料层，接着通过刻胶涂覆、曝光、显影、湿刻，在栅线材料层形成所需的栅线图案，接着剥离光刻胶形成图案化的栅线500。其中，在通过刻蚀形成栅线500时，可同时对公共电极层410进行刻蚀，以使形成的栅线500下方具有公共电极材料层430，栅线500与其下方的公共电极材料层430共同作为栅线，降低了栅线的电阻，可以使栅线500的宽度相对减小，从而能够提高像素密度。其中，栅线500中形成有多个晶体管的栅极510。示例的，栅线500的材料可以是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合，金属可以是铂、金、银、铝、铬、镍、铜、钼、钛、镁、钙、钡、钠、钯、铁、锰或其组合，导电性金属氧化物可以是InO

其中，栅线500上形成有栅绝缘层640，栅绝缘层640整层覆盖在栅线500、绝缘层300与公共电极层410上，栅绝缘层640远离衬底100的表面为平面。示例的，栅绝缘层640的材料例如可为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)的单层结构，或氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的复合结构。

其中，栅绝缘层640上形成有源层630，图案化后的有源层630位于栅极510上，部分有缘材料层还位于后续形成数据线700的区域。有源层630位于栅极510上，即有源层630位于遮光层200上，遮光层200遮挡了背光源的光线照射到有源层630上，改善了有源层630光致衰退效应，提升了产品使用寿命。

其中，晶体管包括数据线700以及形成在有源层630上的第一极610和第二极620，第一极610与第二极620其中一个为源极，另一个为漏极，数据线700与有源层630上的源极或漏极连接。当采用4mask工艺时，数据线700下方具有刻蚀残留的有源材料层631，由于数据线700位于遮光层200未开口的位置上，即有源材料层631也位于遮光层200上，进而通过遮光层200能够遮挡背光源的光线照射到有源材料层631上，从而解决了栅极510金属和数据线700金属的光照/非光照的寄生电容差异，解决了显示面板出现的水波纹、串扰等信赖性不良的问题。示例的，数据线700的材料可以包括金属、导电氧化物或其组合，金属可以是钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜、钕、铬、钽或其合金或上述材料的组合。

其中，显示面板还包括钝化层800，钝化层800覆盖数据线700、栅绝缘层640和部分有源层630。示例的，钝化层800通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合形成，钝化层800的材料例可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、有机材料或其组合。

其中，显示面板还包括像素电极420，数据线700与源极连接时，像素电极420与漏极连接；当数据线700与漏极连连接时，像素电极420与源极连接。各像素电极420在遮光层200上的正投影覆盖各通孔，即遮光层200上通孔的大小小于对应的像素电极420的大小，能够进一步提高遮光层200的遮光作用，改善像素电极420间隙处的漏光，提升显示面板的对比度。当然，遮光层200上通孔的大小可与对应的像素电极420的大小完全相同，或者遮光层200上通孔的大小大于对应的像素电极420的大小，本申请对此不做限制。

其中，显示面板还包括液晶盒与彩膜基板900，液晶盒位于彩膜基板900与像素电极420之间。彩膜基板900上的多个像素区与遮光层200的多个通孔一一对应设置，以保证背光源的背光能够照射到每个像素区中，以保证各像素的正常显示；遮光层200上的多个通孔与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置，改善了像素电极420间隙处的漏光，提升了显示面板的对比度；此外，通过遮光层200上形成的与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置的多个通孔，可以省去彩膜基板900中黑矩阵(Black Matrix，BM)的制作，提升彩膜工厂的产能，同时解决了因BM表面的杂质引起的残像不良。

在本申请的一种实施例中，如图4-6所示，显示面板包括衬底100，衬底100上形成有公共电极层410。示例的，其中，衬底100可为透光的玻璃基板，可通过化学气相沉积或物理沉积在衬底100上形成公共电极层410，公共电极层410的材料例如为透明导电氧化物ITO。

其中，公共电极层410上形成有栅线500。示例的，在公共电极上通过化学气相沉积或物理沉积形成栅线材料层，接着通过刻胶涂覆、曝光、显影、湿刻，在栅线材料层形成所需的栅线图案，接着剥离光刻胶形成图案化的栅线500。其中，在通过刻蚀形成栅线500时，可同时对公共电极层410进行刻蚀，以使形成的栅线500下方具有公共电极材料层430，栅线500与其下方的公共电极材料层430共同作为栅线，降低了栅线的电阻，可以使栅线500的宽度相对减小，从而能够提高像素密度。其中，栅线500中形成有多个晶体管的栅极510。示例的，栅线500的材料可以是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合，金属可以是铂、金、银、铝、铬、镍、铜、钼、钛、镁、钙、钡、钠、钯、铁、锰或其组合，导电性金属氧化物可以是InO

其中，栅线500上形成有栅绝缘层640，栅绝缘层640整层覆盖在栅线500与公共电极层410上，栅绝缘层640远离衬底100的表面为平面。示例的，栅绝缘层640的材料例如可为构可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)的单层结构，或氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的复合结构。

其中，栅绝缘层640上形成有遮光层200。示例的，可通过物理气相沉积(PVD)在栅绝缘层640上溅射一层金属，接着在金属层表面进行刻胶涂覆、曝光、显影、湿刻，在金属层上形成所需的网络状图案，接着剥离光刻胶形成图案化的遮光层200。其中，金属层的材料为透光率降低的非透光金属材料，例如可以为单层的钼(Mo)或复合层的钼/铝/钼(Mo/AL/Mo)、钼/铜(Mo/Cu)、钼铌/铜(MoNb/Cu)、钼铌/铜/钼钛(MoNb/Cu/MoTi)等；当然，遮光层200还可为其他金属材料或非金属材料，只要能起遮光作用即可，本申请对此不做限制。

其中，遮光层200上形成有绝缘层300。示例的，在衬底100上形成遮光层200后，接着形成覆盖遮光层200与栅绝缘层640的绝缘层300。绝缘层300的材料例如可为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)的单层结构，或氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的复合结构。

其中，栅绝缘层640上形成有源层630，图案化后的有源层630位于栅极510上，部分有缘材料层还位于后续形成数据线700的区域。有源层630位于栅极510上，即有源层630位于遮光层200上，遮光层200遮挡了背光源的光线照射到有源层630上，改善了有源层630光致衰退效应，提升了产品使用寿命。

其中，晶体管包括数据线700以及形成在有源层630上的第一极610和第二极620，第一极610与第二极620其中一个为源极，另一个为漏极，数据线700与有源层630上的源极或漏极连接。当采用4mask工艺时，数据线700下方具有刻蚀残留的有源材料层631，由于数据线700位于遮光层200未开口的位置上，即有源材料层631也位于遮光层200上，进而通过遮光层200能够遮挡背光源的光线照射到有源材料层631上，从而解决了栅极510金属和数据线700金属的光照/非光照的寄生电容差异，解决了显示面板出现的水波纹、串扰等信赖性不良的问题。示例的，数据线700的材料可以包括金属、导电氧化物或其组合，金属可以是钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜、钕、铬、钽或其合金或上述材料的组合。

其中，显示面板还包括钝化层800，钝化层800覆盖数据线700、绝缘层300和部分有源层630。示例的，钝化层800通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合形成，钝化层800的材料例可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、有机材料或其组合。

其中，显示面板还包括像素电极420，数据线700与源极连接时，像素电极420与漏极连接；当数据线700与漏极连连接时，像素电极420与源极连接。各像素电极420在遮光层200上的正投影覆盖各通孔，即遮光层200上通孔的大小小于对应的像素电极420的大小，能够进一步提高遮光层200的遮光作用，改善像素电极420间隙处的漏光，提升显示面板的对比度。当然，遮光层200上通孔的大小可与对应的像素电极420的大小完全相同，或者遮光层200上通孔的大小大于对应的像素电极420的大小，本申请对此不做限制。

其中，显示面板还包括液晶盒与彩膜基板900，液晶盒位于彩膜基板900与像素电极420之间。彩膜基板900上的多个像素区与遮光层200的多个通孔一一对应设置，以保证背光源的背光能够照射到每个像素区中，以保证各像素的正常显示；遮光层200上的多个通孔与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置，改善了像素电极420间隙处的漏光，提升了显示面板的对比度；此外，通过遮光层200上形成的与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置的多个通孔，可以省去彩膜基板900中黑矩阵的制作，提升彩膜工厂的产能，同时解决了因BM表面的杂质引起的残像不良。

在本申请的一种实施例中，如图7-9所示，显示面板包括衬底100，衬底100上形成有公共电极层410。示例的，其中，衬底100可为透光的玻璃基板，可通过化学气相沉积或物理沉积在衬底100上形成公共电极层410，公共电极层410的材料例如为透明导电氧化物ITO。

其中，公共电极层410上形成有栅线500。示例的，在公共电极上通过化学气相沉积或物理沉积形成栅线材料层，接着通过刻胶涂覆、曝光、显影、湿刻，在栅线材料层形成所需的栅线图案，接着剥离光刻胶形成图案化的栅线500。其中，在通过刻蚀形成栅线500时，可同时对公共电极层410进行刻蚀，以使形成的栅线500下方具有公共电极材料层430，栅线500与其下方的公共电极材料层430共同作为栅线，降低了栅线的电阻，可以使栅线500的宽度相对减小，从而能够提高像素密度。其中，栅线500中形成有多个晶体管的栅极510。示例的，栅线500的材料可以是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合，金属可以是铂、金、银、铝、铬、镍、铜、钼、钛、镁、钙、钡、钠、钯、铁、锰或其组合，导电性金属氧化物可以是InO

其中，栅线500上形成有遮光层200。示例的，遮光层200可为黑矩阵材料，黑矩阵材料例如为包括炭黑丙烯树脂，或含有Cr或Ti金属元素的光刻胶的有机膜，通过在栅线500、衬底100以及公共电极层410上涂覆、曝光、显影和退火，形成所需的网络状图案的黑矩阵作为遮光层200。其中，有机膜在形成时，有机膜覆盖栅线500背离衬底100的一侧以及栅极510宽度方向上的两侧，即有机膜填充栅线500与公共电极之间的间隙，形成了对栅线500的遮光包覆。

其中，遮光层200上形成有栅绝缘层640，栅绝缘层640整层覆盖在遮光层200与公共电极层410上，栅绝缘层640远离衬底100的表面为平面。示例的，栅绝缘层640的材料例如可为构可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)的单层结构，或氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)的复合结构。

其中，栅绝缘层640上形成有源层630，图案化后的有源层630位于栅极510上，部分有缘材料层还位于后续形成数据线700的区域。有源层630位于栅极510上，即有源层630位于遮光层200上，遮光层200遮挡了背光源的光线照射到有源层630上，改善了有源层630光致衰退效应，提升了产品使用寿命。

其中，晶体管包括数据线700以及形成在有源层630上的第一极610和第二极620，第一极610与第二极620其中一个为源极，另一个为漏极，数据线700与有源层630上的源极或漏极连接。当采用4mask工艺时，数据线700下方具有刻蚀残留的有源材料层631，由于数据线700位于遮光层200未开口的位置上，即有源材料层631也位于遮光层200上，进而通过遮光层200能够遮挡背光源的光线照射到有源材料层631上，从而解决了栅极510金属和数据线700金属的光照/非光照的寄生电容差异，解决了显示面板出现的水波纹、串扰等信赖性不良的问题。示例的，数据线700的材料可以包括金属、导电氧化物或其组合，金属可以是钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜、钕、铬、钽或其合金或上述材料的组合。

其中，显示面板还包括钝化层800，钝化层800覆盖数据线700、绝缘层300和部分有源层630。示例的，钝化层800通过物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合形成，钝化层800的材料例可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、有机材料或其组合。

其中，显示面板还包括像素电极420，数据线700与源极连接时，像素电极420与漏极连接；当数据线700与漏极连连接时，像素电极420与源极连接。各像素电极420在遮光层200上的正投影覆盖各通孔，即遮光层200上通孔的大小小于对应的像素电极420的大小，能够进一步提高遮光层200的遮光作用，改善像素电极420间隙处的漏光，提升显示面板的对比度。当然，遮光层200上通孔的大小可与对应的像素电极420的大小完全相同，或者遮光层200上通孔的大小大于对应的像素电极420的大小，本申请对此不做限制。

其中，在采用有机膜形成遮光层200时，后续形成栅极绝缘层300、有源层630数据线700、钝化层800和像素电极420等功能膜层时，均采用温度低于240℃的低温沉积。

其中，显示面板还包括液晶盒与彩膜基板900，液晶盒位于彩膜基板900与像素电极420之间。彩膜基板900上的多个像素区与遮光层200的多个通孔一一对应设置，以保证背光源的背光能够照射到每个像素区中，以保证各像素的正常显示；遮光层200上的多个通孔与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置，改善了像素电极420间隙处的漏光，提升了显示面板的对比度；此外，通过遮光层200上形成的与彩膜基板900的多个像素区一一对应设置的多个通孔，可以省去彩膜基板900中黑矩阵的制作，提升彩膜工厂的产能，同时解决了因BM表面的杂质引起的残像不良。

需要说明的是，其余显示模式的显示面板的具体结构，可根据上述FFS显示模式的显示面板中设置遮光层200的具体结构，将遮光层200设置到其余显示模式的显示面板中，本申请在此不一一列举详述。凡是其余显示显示模式的显示面板中设置上述个实施例中所述的遮光层200，均属于本申请的保护范围。

本公开的实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示面板。该显示装置可以是于手机、平板电脑、电视、电子阅读器、或其它具有显示面板的终端设备，其有益效果可参考上述显示面板的有益效果，在此不再详述。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。