反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法。

背景技术

液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)按照采光方式可以分为透射型、反射型和半反半透型。其中，反射型LCD是利用环境光(如太阳光)的反射进行显示，相比于有背光源的透射型LCD，反射型LCD没有背光源，因此具有对比度高、功耗低、机身薄以及重量轻等优点，且采用自然光反射显示，有利于视觉保护。因此，反射型LCD被越来越多地应用于诸如手机、笔记本电脑、数码相机、个人数字助理等便携式电子终端。

现有反射型LCD的主体结构包括对盒的阵列(Thin Film Transistor，TFT)基板和彩膜(Color Filter，CF)基板，液晶(Liquid Crystal，LC)填充在阵列基板和彩膜基板之间，阵列基板上设置对外界入射的光线进行反射的光反射结构。目前，现有技术一种光反射结构是利用像素电极作为光反射层，考虑到光反射层的平坦性对反射率的影响至关重要，因此需要在制备光反射层之前进行平坦化处理，但过厚的平坦化层不仅对过孔工艺造成较大难度，而且降低了像素电极通过过孔与漏电极连接的可靠性。现有技术另一种光反射结构是将光反射层设置在阵列结构层的下方，即先在衬底基板上制备光反射层，然后在光反射层上进行阵列结构层工艺。然而，这种结构形式增加了制备阵列结构层工艺的难度，其原因在于，光反射层所采用的高分子压印材料承受温度低，且厚度较厚，不耐后续阵列结构层的高温工艺。因此，如何降低反射型LCD制备工艺的难度，是本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，用以解决现有结构制备工艺难度大的技术问题。

本发明实施例提供了一种反射型阵列基板，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的光反射结构，以及设置在所述光反射结构背离所述衬底基板一侧的有机薄膜晶体管阵列层。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，所述光反射结构包括：设置在所述衬底基板和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的构形层，以及设置在所述构形层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的反射层；其中，

所述构形层背离所述衬底基板一侧的表面包括多个微结构，所述微结构为向背离所述衬底基板一侧凸起的凸面体，所述反射层随所述构形层的形状设置。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，所述凸面体包括三角形体、梯形体、弧形体至少其中之一。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，相邻所述凸面体的相邻侧面之间的夹角为120°～160°。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，所述构形层的材料为纳米压印材料，所述构形层的厚度为2μm～20μm。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，所述有机薄膜晶体管阵列层包括依次层叠设置的源漏金属层、第一有机绝缘层、有机有源层、有机栅绝缘层、第一栅极金属层、第二有机绝缘层和第二栅极金属层，所述源漏金属层靠近所述衬底基板；其中，

所述源漏金属层包括源极和漏极，所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第一过孔与所述源极电连接，所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第二过孔与所述漏极电连接；

所述有机有源层的形状、尺寸与所述有机栅绝缘层的形状、尺寸相同；

所述第一栅极金属层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板上的正投影面积小于所述有机栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影面积；

所述第二栅极金属层包括栅线，所述栅线通过贯穿所述第二有机绝缘层的第三过孔与所述栅极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，还包括：设置在所述光反射结构和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的第一平坦层，设置在所述第一平坦层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的遮光层，设置在所述遮光层和所述有机薄膜晶体管阵列层之间的第二平坦层，以及设置在所述第二栅极金属层背离所述衬底基板一侧的公共电极和像素电极；其中，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有机有源层在所述衬底基板上的正投影，所述公共电极和所述像素电极同层设置，所述像素电极通过贯穿所述第一有机绝缘层和所述第二有机绝缘层的第四过孔与所述漏极电连接。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括显示面板，所述显示面板相对设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板采用本发明实施例提供的上述反射型阵列基板。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示装置中，还包括凹形的支撑架，所述显示面板固定在所述支撑架上，且所述阵列基板靠近所述支撑架。

相应地，本发明实施例还提供了一种反射型阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成光反射结构；

在所述光反射结构背离所述衬底基板的一侧形成有机薄膜晶体管阵列层。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述光反射结构，具体包括：

在所述衬底基板上涂布一层纳米压印薄膜，采用纳米压印工艺在所述压印薄膜表面压制作多个微结构，所述微结构为向背离所述衬底基板一侧凸起的凸面体，经固化处理后，形成构形层；

在所述构形层背离所述衬底基板的一侧沉积一层金属薄膜，所述金属薄膜具有与所述构形层表面相同的形貌，形成反射层。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成所述有机薄膜晶体管阵列层，具体包括：

在所述光反射结构背离所述衬底基板的一侧形成源漏金属层；所述源漏金属层包括源极和漏极；

在所述源漏金属层背离所述衬底基板的一侧沉积第一有机绝缘薄膜，并对所述第一有机绝缘薄膜进行刻蚀，形成第一有机绝缘层；所述第一有机绝缘层在与所述源极和所述漏极对应的区域形成第一过孔和第二过孔；

在所述第一有机绝缘层背离所述衬底基板的一侧沉积有机半导体薄膜；

在所述有机半导体薄膜背离所述衬底基板的一侧沉积有机栅绝缘薄膜；

通过一次刻蚀工艺同时对所述有机栅绝缘薄膜和所述有机半导体薄膜进行刻蚀，形成形状、尺寸相同的有机有源层和有机栅绝缘层；所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第一过孔与所述源极电连接，所述有机有源层通过贯穿所述第一有机绝缘层的第二过孔与所述漏极电连接；其中，所述刻蚀工艺的温度小于150℃；

在所述有机栅绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一栅极金属层；所述第一栅极金属层包括栅极，所述栅极在所述衬底基板上的正投影面积小于所述有机栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影面积；

在所述第一栅极金属层背离所述衬底基板的一侧沉积第二有机绝缘薄膜，并对所述第二有机绝缘薄膜和所述第一有机绝缘层进行刻蚀，形成第二有机绝缘层；所述第二有机绝缘层在与所述栅极对应的区域形成第三过孔，所述第二有机绝缘层和所述第一有机绝缘层在与所述漏极对应的区域形成第四过孔，所述第四过孔位于所述第二过孔远离所述第一过孔的一侧；其中，对所述第二有机绝缘薄膜进行刻蚀所需的刻蚀温度小于150℃；

在所述第二有机绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第二栅极金属层；所述第二栅极金属层包括栅线，所述栅线通过所述第三过孔与所述栅极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述在衬底基板上形成光反射结构之前，还包括：在刚性衬底上形成所述衬底基板；所述衬底基板为柔性衬底基板；

在形成所述光反射结构之后，且在形成所述有机薄膜晶体管阵列层之前，还包括：在所述光反射结构背离所述衬底基板的一侧形成第一平坦层，在所述第一平坦层背离所述衬底基板的一侧形成遮光层，以及在所述遮光层背离所述衬底基板的一侧形成第二平坦层；

在形成所述第二栅极金属层之后，还包括：在所述第二栅极金属层背离所述衬底基板的一侧形成同层设置的公共电极和像素电极；所述像素电极通过所述第四过孔与所述漏极电连接；

在形成所述公共电极和像素电极之后，还包括：去除所述刚性衬底。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置的制作方法，包括：

形成阵列基板；所述阵列基板采用本发明实施例提供的反射型阵列基板的制作方法制作得到；

将彩膜基板与所述阵列基板进行对盒，形成显示面板。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成所述显示面板之后，将柔性的所述显示面板贴合在凹形的支撑架上，并且所述显示面板的阵列基板一侧与所述支撑架贴合。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明实施例提供的一种反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，通过将光反射结构设置在衬底基板和有机薄膜晶体管阵列层之间，在形成有机薄膜晶体管阵列层之前形成光反射结构，相对于利用像素电极作为光反射层的现有技术，避免了在过厚的平坦化层上进行过孔工艺，并且有机薄膜晶体管阵列层制程工艺所需的温度均低于150℃，该温度下不会破坏光反射结构的结构和性能。因此，本发明实施例降低了反射型LCD制备工艺的难度，且无需对现有制备工艺进行较大改动。并且，本发明实施例提供的反射型阵列基板结合有机薄膜晶体管阵列层制程温度低和光反射结构无需背光、反射率高的特点，实现反射型LCD显示器件，利于视觉保护。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种反射型阵列基板的结构示意图；

图2为图1中虚线框内的放大示意图；

图3为反射层的平面示意图；

图4为本发明实施例提供的一种反射型阵列基板的制作方法流程示意图；

图5A-图5N分别为本发明实施例提供的一种反射型阵列基板的制作方法在执行每一步骤之后的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种显示装置的制作方法流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

本发明实施例提供了一种反射型阵列基板，如图1所示，包括：衬底基板1，设置在衬底基板1上的光反射结构2，以及设置在光反射结构2背离衬底基板1一侧的有机薄膜晶体管阵列层3。

本发明实施例提供的上述反射型阵列基板，通过将光反射结构设置在衬底基板和有机薄膜晶体管阵列层之间，在形成有机薄膜晶体管阵列层之前形成光反射结构，相对于利用像素电极作为光反射层的现有技术，避免了在过厚的平坦化层上进行过孔工艺，并且有机薄膜晶体管阵列层制程工艺所需的温度均低于150℃，该温度下不会破坏光反射结构的结构和性能。因此，本发明实施例降低了反射型LCD制备工艺的难度，且无需对现有制备工艺进行较大改动。并且，本发明实施例提供的反射型阵列基板结合有机薄膜晶体管阵列层制程温度低和光反射结构无需背光、反射率高的特点，实现反射型LCD显示器件，利于视觉保护。

具体地，衬底基板可以为柔性衬底，例如PI，从而本发明实施例提供的反射型阵列基板所属的显示装置可以实现柔性显示。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，如图1所示，光反射结构2包括：设置在衬底基板1和有机薄膜晶体管阵列层3之间的构形层21，以及设置在构形层21和有机薄膜晶体管阵列层3之间的反射层22；其中，

构形层21背离衬底基板1一侧的表面包括多个微结构，微结构为向背离衬底基板1一侧凸起的凸面体，反射层22随构形层21的形状设置。具体地，如图1所示，本发明实施例中，凸面体可以为三角形体(金字塔形体)，其沿衬底基板1厚度方向的截面为三角形；如图2所示，图2为图1中虚线框内的放大示意图，相邻三角形的相邻侧面之间的夹角θ为120°～160°，反射层22形成与衬底基板1呈10°～30°的4个反射面，如图3所示，图3为部分反射层22的平面示意图，三角形体上反射层22的每个反射面对环境光(如太阳光)入射的光线进行反射，且调节反射光线的方向至像素区域，因此本发明实施例中的反射层22可有效提高环境光的利用率，保证了反射型LCD的显示亮度。在具体实施时，反射层22可以采用反射率较高的金属材料，如Al、Cu、Mo、Ti、Ag等金属以及这些金属的合金，如AlNd，或者还可以是叠层金属，如ITO/Ag/ITO，厚度可以为100nm～1000nm，提高了反射效率。构形层21可以采用纳米压印材料，纳米压印材料采用高透过率的有机硅材料，如环氧等，也可以采用其它适合的材料；构形层21的厚度可以为2μm～20μm。为了提高反射光线的均匀性，凸面体可以设置为轴对称，三角形体的底角[(180°-θ)/2]可以根据像素区域大小、阵列层厚度等参数并结合实际情况来设置。在具体实施时，三角形体也可以设置为非轴对称，例如三角形体一侧反射面的底角大于另一侧反射面的底角，形成一侧的反射面面积大于另一侧的反射面面积，可最大限度地将反射光线调节到对应的像素区域。进一步地，相邻的三角形体之间，既可以间隔一设定的距离设置，也可以连续设置(如图1所示，间隔距离＝0)，连续设置可以降低制作工艺。

具体地，形成图1中的光反射结构2可以先在衬底基板1上涂布一层纳米压印薄膜，厚度可以为2μm～20μm，采用纳米压印工艺在压印薄膜表面压制出多个凸面体图形，经固化处理后，形成构形层21；然后在已形成的构形层21上沉积一层金属薄膜，厚度可以为100nm～1000nm，使得所沉积的金属薄膜具有构形层21表面相同的形貌，形成具有多个凸面体的反射层22。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，凸面体不限于图1所示的三角形体，凸面体还可以为梯形体或弧形体，也可以为三角形体、梯形体、弧形体中至少两个的组合结构。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，如图1所示，有机薄膜晶体管阵列层3包括依次层叠设置的源漏金属层31、第一有机绝缘层32、有机有源层33、有机栅绝缘层34、第一栅极金属层35、第二有机绝缘层36和第二栅极金属层37，源漏金属层31靠近衬底基板1；其中，

源漏金属层31包括源极S和漏极D，有机有源层33通过贯穿第一有机绝缘层32的第一过孔V1与源极S电连接，有机有源层33通过贯穿第一有机绝缘层32的第二过孔V2与漏极D电连接；

有机有源层33的形状、尺寸与有机栅绝缘层34的形状、尺寸相同；这样有机有源层33和有机栅绝缘层34可以采用一次刻蚀工艺制作，减少mask，降低成本；

第一栅极金属层35包括栅极G，由于有机有源层33和有机栅绝缘层34采用一次刻蚀工艺制作形成，有机有源层33和有机栅绝缘层34在边缘会形成一定的坡度，为了防止栅极G在该坡度位置处断裂以及避免栅极G与有机有源层33接触，将栅极G在衬底基板1上的正投影面积设置成小于有机栅绝缘层34在衬底基板1上的正投影面积；

第二栅极金属层37包括栅线G，栅线G通过贯穿第二有机绝缘层36的第三过孔V3与栅极G电连接。

具体地，栅极G、有机有源层33和源极S、漏极D形成薄膜晶体管，源漏金属层31的材料可以采用Ag、Ag合金、ITO、Mo(表面被氧化)、Mo合金等，厚度可以为50nm～500nm；第一栅极金属层35和第二栅极金属层37的材料包括但不限于Ag、Mo、Cu、Al、Ti、ITO、ITO/Ag/ITO、Mo/Al/Mo、Mo/Cu/Mo、Ti/Al/Ti等；第一有机绝缘层32、有机栅绝缘层34和第二有机绝缘层36的材料可以为树脂、SU-8环氧型光刻胶等。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述反射型阵列基板中，如图1所示，还包括：设置在光反射结构2和有机薄膜晶体管阵列层3之间的第一平坦层4，设置在第一平坦层4和有机薄膜晶体管阵列层3之间的遮光层5，设置在遮光层5和有机薄膜晶体管阵列层3之间的第二平坦层6，以及设置在第二栅极金属层37背离衬底基板1一侧的公共电极7和像素电极8；其中，遮光层5在衬底基板1上的正投影覆盖有机有源层33在衬底基板1上的正投影，公共电极7和像素电极8可以同层设置。具体地，第一平坦层4和第二平坦层6可以保证后续制作的膜层在平坦的表面制作，遮光层5可以避免从反射层22反射出的光线照射至有机有源层33，保护有机有源层33的性能不被破坏；公共电极7和像素电极8设置在阵列基板上且同层设置，像素电极8通过贯穿第一有机绝缘层32和第二有机绝缘层36的第四过孔V4与漏极D电连接，公共电极7和像素电极8的材料可以为ITO等透明导电材料。

具体地，第一平坦层4和第二平坦层6的材料可以为树脂、光刻胶等。

本发明实施例提供的反射型阵列基板所属的LCD为平面转换(In PlaneSwitching，IPS)显示模式，当然不限于此，例如还可以为扭曲向列(Twisted Nematic，TN)显示模式、边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)显示模式和高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显示模式等。

基于同一发明构思，本发明实施例一种反射型阵列基板的制作方法，如图4所示，包括：

S401、在衬底基板上形成光反射结构；

S402、在光反射结构背离衬底基板的一侧形成有机薄膜晶体管阵列层。

本发明实施例提供的上述反射型阵列基板的制作方法，通过将光反射结构设置在衬底基板和有机薄膜晶体管阵列层之间，在形成有机薄膜晶体管阵列层之前形成光反射结构，相对于利用像素电极作为光反射层的现有技术，避免了在过厚的平坦化层上进行过孔工艺，并且有机薄膜晶体管阵列层制程工艺所需的温度均低于150℃，该温度下不会破坏光反射结构的结构和性能。因此，本发明实施例降低了反射型LCD制备工艺的难度，且无需对现有制备工艺进行较大改动。

下面对本发明实施例提供的反射型阵列基板的制作方法进行详细描述，以图1所示的反射型阵列基板的结构为例，且该反射型阵列基板为柔性阵列基板。

如图5A所示，在刚性衬底9(例如玻璃衬底)上形成衬底基板1；该衬底基板1为柔性衬底基板，例如PI。

如图5B所示，在衬底基板1上涂布一层纳米压印薄膜，采用纳米压印工艺在压印薄膜表面压制作多个微结构，微结构为向背离衬底基板1一侧凸起的凸面体，经固化处理后，形成构形层21。

如图5C所示，在构形层22背离衬底基板1的一侧沉积一层金属薄膜，金属薄膜具有与构形层21表面相同的形貌，形成反射层22。

如图5D所示，在光反射结构2背离衬底基板1的一侧形成第一平坦层4，在第一平坦层4背离衬底基板1的一侧形成遮光层5，以及在遮光层5背离衬底基板1的一侧形成第二平坦层6。

如图5E所示，在第二平坦层6背离衬底基板1的一侧形成源漏金属层31；源漏金属层31包括源极S和漏极D。

如图5F所示，在源漏金属层31背离衬底基板1的一侧沉积第一有机绝缘薄膜，并对第一有机绝缘薄膜进行刻蚀，形成第一有机绝缘层32；第一有机绝缘层32在与源极S和漏极D对应的区域形成第一过孔V1和第二过孔V2。

如图5G所示，在第一有机绝缘层32背离衬底基板1的一侧沉积有机半导体薄膜33’。

如图5H所示，在有机半导体薄膜33’背离衬底基板1的一侧沉积有机栅绝缘薄膜34’。

如图5I所示，通过一次刻蚀工艺同时对有机栅绝缘薄膜34’和有机半导体薄膜33’进行刻蚀，形成形状、尺寸相同的有机有源层33和有机栅绝缘层34；有机有源层33通过第一过孔V1与源极S电连接，有机有源层33通过第二过孔V2与源极D电连接；其中，刻蚀工艺的温度小于150℃，该温度下不会破坏光反射结构2的结构和性能。

如图5J所示，在有机栅绝缘层34背离衬底基板1的一侧形成第一栅极金属层35；第一栅极金属层35包括栅极G，栅极G在衬底基板1上的正投影面积小于有机栅绝缘层34在衬底基板上的正投影面积。

如图5K所示，在第一栅极金属层35背离衬底基板1的一侧沉积第二有机绝缘薄膜，并对第二有机绝缘薄膜和第一有机绝缘层32进行刻蚀，形成第二有机绝缘层36；第二有机绝缘层36在与栅极G对应的区域形成第三过孔V3，第二有机绝缘层36和第一有机绝缘层32在与漏极D对应的区域形成第四过孔V4，第四过孔V4位于第二过孔V2远离第一过孔V1的一侧；其中，对第二有机绝缘薄膜进行刻蚀所需的刻蚀温度小于150℃，该温度下不会破坏光反射结构2的结构和性能。

如图5L所示，在第二有机绝缘层36背离衬底基板1的一侧形成第二栅极金属层37；第二栅极金属层37包括栅线，栅线通过第三过孔V3与栅极G电连接。

如图5M所示，在第二栅极金属层37背离衬底基板1的一侧形成同层设置的公共电极7和像素电极8；像素电极8通过第四过孔V4与漏极D电连接。

如图5N所示，去除刚性衬底9，形成柔性的反射型阵列基板。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图6所示，包括显示面板，显示面板相对设置的阵列基板100和彩膜基板200，阵列基板100采用本发明实施例提供的上述反射型阵列基板。由于该显示装置解决问题的原理与前述反射型阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述反射型阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示装置中，如图6所示，还包括填充在阵列基板100和彩膜基板200之间液晶层300，彩膜基板200包括衬底201和形成在衬底基板201上的彩膜结构层202，彩膜结构层202包括不同颜色的彩膜(例如红色彩膜R、绿色彩膜G、绿色彩膜B)和设置在彩膜之间的黑矩阵M。阵列基板200中的光反射层22用于反射环境光，从而利用环境光为反射型LCD(显示面板)提供背光。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示装置中，如图7所示，还包括凹形的支撑架400，显示面板(100、200，未示出300)固定在支撑架400上，且阵列基板100靠近支撑架400。具体地，凹形的支撑架400具有聚光作用(箭头所示)，这样显示面板固定在聚光镜形状的凹形支撑架400上，通过结合光学反射结构和有机薄膜晶体管阵列层工艺，制作带有凹形反射结构的柔性显示装置，利用曲面和光反射结构双向聚光，提高光利用率，进而提高显示亮度。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置的制作方法，如图8所示，包括：

S801、形成阵列基板；该阵列基板采用上述反射型阵列基板的制作方法制作得到；

S802、将彩膜基板与所述阵列基板进行对盒，形成显示面板。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成显示面板之后，将图6所示的柔性的显示面板贴合在凹形的支撑架400上，并且该显示面板的阵列基板100一侧与支撑架400贴合，如图7所示。

本发明实施例提供的一种反射型阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法，通过将光反射结构设置在衬底基板和有机薄膜晶体管阵列层之间，在形成有机薄膜晶体管阵列层之前形成光反射结构，相对于利用像素电极作为光反射层的现有技术，避免了在过厚的平坦化层上进行过孔工艺，并且有机薄膜晶体管阵列层制程工艺所需的温度均低于150℃，该温度下不会破坏光反射结构的结构和性能。因此，本发明实施例降低了反射型LCD制备工艺的难度，且无需对现有制备工艺进行较大改动。并且，本发明实施例提供的反射型阵列基板结合有机薄膜晶体管阵列层制程温度低和光反射结构无需背光、反射率高的特点，实现反射型LCD显示器件，利于视觉保护。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。